JPH0896428A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPH0896428A
JPH0896428A JP22669794A JP22669794A JPH0896428A JP H0896428 A JPH0896428 A JP H0896428A JP 22669794 A JP22669794 A JP 22669794A JP 22669794 A JP22669794 A JP 22669794A JP H0896428 A JPH0896428 A JP H0896428A
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JP
Japan
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layer
reproducing
recording
reproducing layer
magneto
Prior art date
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JP22669794A
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English (en)
Inventor
Isao Moriya
勲 森谷
Koyata Takahashi
小弥太 高橋
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Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 基体上に希土類遷移金属合金からなる少なく
とも再生層1と記録層2とを備え、再生層1は室温で面
内磁化膜であり、垂直磁化膜である記録層2に記録され
た情報を再生する際に、再生光の照射によって記録層2
から再生層1に記録を転写することによって再生を行う
ことができる光磁気記録媒体において、再生層1の組成
が、Gdx(Fe1-yCoy1-x (0.2≦y≦0.
6、(2.0−y)/6≦x≦(2.3−y)/6)の
範囲にあり、かつ再生層1の厚さd1(nm)が30y
+60≦d1≦150である。 【効果】 本発明によれば再生光の光学的回折限界近く
の大きさで記録された情報を高いCNRで読み取ること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光を用い情報の記録、再
生、消去を行う光磁気記録媒体に関する。とくに超解像
再生を行う光磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気記録のさらなる高密度化を目的と
して、再生用の光の光学的回折限界以下の大きさに記録
された情報を再生する方法として磁気超解像再生方式が
提案されている(例えば、特開平1−143041号公
報、特開平1−143042号公報など)。この方法は
少なくとも再生層と記録層とを用いており、再生光の照
射されているビームスポットのうちの一定の領域をマス
クとして用いることによって、実質的にビームスポット
が小さくなったのと同様の効果を持つようにしたもので
あり、ビームスポット中では光の強度分布があり、また
ビームの進行方向に対して後方が温度上昇が大きいこと
を利用している。
【0003】この方法には大きく分けて2通りの方法が
ある。一つは温度が一定以上となっている領域で再生層
が特定の状態になるようにしてマスクとする消滅型の方
法、他方は再生層が再生前には特定の状態であり、温度
が一定以上となった領域で記録層に記録された情報が再
生層に転写される浮き出し型の方法がある。後者の方法
では隣接トラックにおいても再生層が特定の状態にある
ために、隣接トラックとのクロストークは非常に小さ
い。
【0004】この方法において、再生層として垂直磁化
膜を用いる場合には、再生前に再生層を特定の状態にす
るために初期化磁石が必要になり、またこの状態を安定
にする制御層などが必要になる。この問題を解決するた
めに、再生層に室温で面内磁化膜であり、温度が一定以
上となった領域で垂直磁化膜となる磁性層を用いる方法
が提案されている(例えば、特開平5−81717号公
報など)。
【0005】この方法によれば、室温において面内磁化
膜である再生層と垂直磁化膜である記録層とを交換結合
させた膜を用い、再生前の再生層の磁化が膜面内方向を
向いているので、初期化磁石が必要なく、原理的には再
生層と記録層の2層のみで構成することが可能であり製
造の面でも有利である。
【0006】しかしながら、このような面内磁化膜を再
生層として用いた光磁気超解像媒体においては、十分高
い解像度を得ることが困難であるという問題があった。
【0007】また、キュリー温度の比較的高い再生層を
用いるために、記録磁界感度を良好にすることが困難で
ある。これに対して再生層と記録層との間に記録層より
もキュリー温度の低い層を設けて記録磁界感度を向上さ
せる方法も提案されている。(例えばJ.Hiroka
ne et al.:Digest of theSy
mposium on Optical Memory
1994,Tokyo,Japan,Jul.11−
13,1994,pp.29−30など) またさらに、再生層と記録層との間に中間層を設けるこ
とによって解像度を向上させる方法も提案されている。
(例えば、特開平5−205336など)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、再生
層に室温で面内磁化膜となる磁性層を用いて特に高い解
像度の光磁気記録媒体を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、室温で面内磁化膜となるGdFeCoから
なる再生層と記録層とを磁気的結合した膜であって、再
生層が特定の組成の範囲内でありかつ膜厚が組成に応じ
て適当に調整されることにより、特に高い解像度が得ら
れる磁気超解像媒体が得られることを見出だし、本発明
に至った。
【0010】即ち、本発明は、基体上に希土類遷移金属
合金からなる少なくとも再生層1と記録層2とを備え、
再生層1は室温において面内磁化膜であり、垂直磁化膜
である記録層2に記録された情報を再生する際に、再生
光の照射によって記録層2から再生層1に記録を転写す
ることによって再生を行うことができる光磁気記録媒体
において、再生層1の組成が Gdx(Fe1-yCoy1−x (0.2≦y≦0.6、(2.0−y)/6≦x≦
(2.3−y)/6) の範囲にあり、かつ再生層1の厚さd(nm)が 30y+60≦d1≦150 で示される範囲内にあることを特徴とする光磁気記録媒
体に関するものである。以下に本発明を詳細に説明す
る。
【0011】面内磁化膜を再生層1に用いた浮き出し型
の磁気超解像再生方式について、図1に基本概念図を示
すが、再生ビームスポット中で所定の温度以上になった
領域のみで再生層1が垂直磁化膜となり、記録層2に記
録された情報が交換結合力によって再生層に転写され、
これを再生信号として検出することを特徴としている。
これによってビームスポットの大きさよりも小さい記録
ピットも再生することが可能となるものである。即ち、
所定の温度以下では再生層はその磁化の膜面に垂直な成
分をほとんど持たないことが重要である。これを実現す
るためには再生層1は希土類優勢である事が重要であ
る。また再生の際に再生光の強度は記録層に記録が行わ
れるほど大きくないことが必要である。
【0012】これらの条件を満足するために、光磁気記
録媒体は所定の条件を満足することが必要となる。本発
明において、再生層1はGdFeCoからなることを特
徴としているが、その組成が Gdx(Fe1-yCoy1-x (0.2≦y≦0.6、(2.0−y)/6≦x≦
(2.3−y)/6) の範囲にあり、かつ再生層1の厚さd1(nm)が 30y+60≦d1≦150 の範囲内にあることが重要である。
【0013】これ以外の組成範囲、例えばyの値によっ
て決められるxの範囲の外では、xが大きすぎると高い
温度まで磁化が膜面内に向こうとするので再生信号が十
分な大きさとならない。また、小さすぎると室温あるい
は室温に近い温度で磁化が膜面に垂直方向に向いてしま
うので、再生の際の浮き出しの範囲が大きくなってしま
い、超解像再生ができなくなる。
【0014】yの値が0.2より小さいと、補償温度付
近の垂直磁気異方性が強すぎるため、室温で面内磁化と
なるためにはxを大きくして、飽和磁化を大きくする事
が必要である。その様なxの値では、補償温度がかなり
高くなるので面内から垂直へのスイッチングがゆるやか
になり、十分な超解像が得られない。また、キュリー温
度が低いため、浮きだし領域内でのカー回転角の値が小
さくなる。このため、再生信号が十分ではなくなる。ま
た、yが0.6よりも大きいと垂直磁気異方性定数が小
さいために、温度上昇によっても磁化が膜面に垂直方向
には向かなくなってしまう。
【0015】再生層1の厚さd1が30y+60nmよ
りも薄いと、マスクとなっている比較的低温の領域でも
記録層2との交換結合により、記録層2に近い部分の磁
化の垂直成分がカー回転角に寄与するので、超解像再生
の際の再生信号強度が低下してしまう。一方、d1が1
50nmよりも厚いと、記録および再生に高レーザーパ
ワーが必要となる。
【0016】さらに望ましくは、0.4≦y≦0.6、
(2.0−y)/6≦x≦(2.3−y)/6の範囲に
あり、かつ再生層1の厚さd1(nm)が30y+65
≦d1≦110であることが有効である。上記xの範囲
内では、0.4≦y≦0.6の場合には補償温度がより
室温に近くなるために再生層の磁化が膜面に垂直に向き
やすくなり、解像度が向上する。
【0017】記録層2としては、再生層1と交換結合で
きる、室温で遷移金属優勢なTbFeCo、GdDyF
eCoなどの希土類遷移金属アモルファス合金を用いる
ことができる。記録層2は室温において遷移金属優勢で
あり、飽和磁化Ms2が50〜150(emu/cm3
の範囲内にあり、キュリー温度付近まで垂直磁化膜であ
ることが望ましい。これは記録磁界の変化に対して敏感
にするためである。また、記録層2のキュリー温度は1
80℃から300℃の範囲内であることが望ましい。
【0018】希土類優勢である再生層1が再生時に垂直
磁化膜となったとき遷移金属優勢である記録層2の磁化
が再生層1の磁化と反対方向を向くことによって膜全体
の磁化が減少し、反磁界がほとんど無視できるので、再
生の際に印加する最適な磁界を0とすることが可能であ
る。
【0019】再生層1の有効垂直磁気異方性定数Keff1
(erg/cm3)が −3.0×105≦Keff1≦−0.5×105 で示される範囲内にあることが望ましい。この範囲より
も小さいと、温度上昇によっても再生層1の磁化が十分
に膜面に垂直方向に向かず、キャリア対ノイズ比が大き
くならない。この範囲よりも大きいとキャリア対ノイズ
比が大きくならないばかりでなく、クロストークも大き
い。
【0020】また、さらに再生層1と記録層2との間
に、双方と交換結合できる記録層2よりもキュリー温度
の低い中間層を設けることによって、解像度を向上させ
ることができる。このとき、この中間層のキュリー温度
は記録層2のキュリー温度よりも60℃以上低いことが
望ましい。
【0021】基体としては、ポリカーボネイト等の樹脂
またはガラス等の透明基板が好ましく、再生層よりもレ
ーザー光の入射側に極カー効果を増大させることを目的
としてSiN、SiO2、ZnS、AlN等からなる厚
さ80nm程度の誘電体層を設けることも有効である。
この厚さは媒体の反射率や再生信号強度を調整するため
に適宜厚さを変えることもできる。更に記録レーザーパ
ワー等の調整のためにレーザー光の入射側と反対側に、
例えば厚さ30nm程度のAl膜等の反射層を設けるこ
ともでき、記録感度の調整や媒体の耐蝕性の向上のため
に、Cr、Tiなどを添加することも可能である。
【0022】また、耐蝕性向上等のために再生層1およ
び/または記録層2にCr、Ta等の元素を添加するこ
とも考えられるが特に限定されない。
【0023】
【実施例】以下に実施例を用いて更に詳述する。
【0024】実施例1 マグネトロンスパッタ法によりポリカーボネイト(P
C)基板上にSiNを80nm成膜し、その後GdFe
Coを90nm、Tb19Fe70Co11を50nm、Si
Nを80nm、Alを20nmの順で成膜しディスクを
形成した。用いたPC基板のトラックピッチは1.6ミ
クロンである。
【0025】製造したディスクの半径30mmの位置で
マーク長が0.5ミクロンとなるように回転数2400
rpmとして記録周波数7.54MHz、デュ−ティ3
3%で記録を行った。NAが0.53の対物レンズ、7
80nmの波長の光を用いて再生レーザーパワーを変化
させてキャリア対ノイズ比(CNR)を測定したとこ
ろ、最大のCNRは図2中に示した四辺形内の領域で4
4dB以上の値を示した。
【0026】実施例2および比較例 再生層1の組成をGd27Fe37Co36又はGd30Fe52
Co18とし、その厚さを変化させ、その他の製造条件は
実施例1と同様にしてディスクを製造し、実施例1と同
様の条件で測定を行ったところ、最大のCNRは表1の
ような結果となった。また、本発明の層厚の範囲で44
dB以上の値を示した。
【0027】実施例3および比較例 再生層1の組成をGd27Fe37Co36とし、記録層2の
飽和磁化Ms2を変化させ、その他の製造条件は実施例
1と同様にしてディスクを製造し、記録時の印加磁界を
変化させながら実施例1と同様の条件で測定を行ったと
ころ、図3に示したようなCNRの変化となった。Ms
2が50〜150emu/cm3の場合に記録に必要な磁
界が300Oe以下となった。
【0028】実施例4および比較例 再生層1の有効垂直磁気異方性定数Keff1を変化させ、
そのほかは実施例1と同様の条件でディスクを製造し、
マーク長を0.4ミクロンとなるようにしたほかは実施
例1と同様の条件で測定を行ったところ、表2のような
結果となった。Keff1が−3.0×105≦Keff1≦−
0.5×105の範囲で39dB以上のCNRを示し
た。
【0029】実施例5 ポリカーボネイト(PC)基板上にSiNを80nm成
膜し、その後再生層1としてGd27Fe37Co36を80
nm、中間層としてTb21Fe73Co6(キュリ−温度
210℃)を10nm、記録層2としてTb19Fe70
11(キュリ−温度280℃)を40nm、SiNを8
0nm、Alを20nmの順で成膜しディスクを形成し
た。実施例1と同様に測定を行ったところ、CNRは5
0.4dBとなった。
【0030】
【表1】
【0031】
【表2】
【0032】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の光磁気記録媒体によれば、再生光の光学的回折限界近
くの大きさで記録された情報を高いCNRで読み取るこ
とができ、かつ、記録磁界感度も良好となる。また、ク
ロストークが小さいことが特徴である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 面内磁化膜を再生層として用いた光磁気記録
媒体の基本概念図。
【図2】 再生層の組成を変化させた場合の各組成での
キャリア対ノイズ比を示す図。
【図3】 記録層の組成を変化させた場合の記録磁界に
対するキャリア対ノイズ比を示す図。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体上に希土類遷移金属合金からなる少
    なくとも再生層と記録層とを備え、再生層は室温におい
    て面内磁化膜であり、垂直磁化膜である記録層に記録さ
    れた情報を再生する際に、再生光の照射によって記録層
    から再生層に記録を転写することによって再生を行うこ
    とができる光磁気記録媒体において、再生層の組成が Gdx(Fe1-yCoy1-x (0.2≦y≦0.6、(2.0−y)/6≦x≦
    (2.3−y)/6)の範囲にあり、かつ再生層の厚さ
    1(nm)が 30y+60≦d1≦150 で示される範囲内にあることを特徴とする光磁気記録媒
    体。
  2. 【請求項2】 再生層の組成が0.4≦y≦0.6であ
    って、かつ、記録層の飽和磁化Ms2(emu/cm3
    が 50≦Ms2≦150 で示される範囲内にあることを特徴とする請求項1記載
    の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 再生層の有効垂直磁気異方性定数Keff1
    (erg/cm3)が −3.0×105≦Keff1≦−0.5×105 で示される範囲内にあることを特徴とする請求項1記載
    の光磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 再生層と記録層との間に中間層を備え、
    該中間層のキュリー温度が記録層のキュリー温度よりも
    60℃以上低いことを特徴とする、請求項1記載の光磁
    気記録媒体。
JP22669794A 1994-07-07 1994-09-21 光磁気記録媒体 Pending JPH0896428A (ja)

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JP22669794A JPH0896428A (ja) 1994-07-07 1994-09-21 光磁気記録媒体

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JP15508394 1994-07-07
JP17801394 1994-07-29
JP6-178013 1994-07-29
JP6-155083 1994-07-29
JP22669794A JPH0896428A (ja) 1994-07-07 1994-09-21 光磁気記録媒体

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10143933A (ja) * 1996-11-13 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd 記録媒体及び情報記録再生装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH10143933A (ja) * 1996-11-13 1998-05-29 Sanyo Electric Co Ltd 記録媒体及び情報記録再生装置

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