JPH07244877A - 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法Info
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- JPH07244877A JPH07244877A JP6211103A JP21110394A JPH07244877A JP H07244877 A JPH07244877 A JP H07244877A JP 6211103 A JP6211103 A JP 6211103A JP 21110394 A JP21110394 A JP 21110394A JP H07244877 A JPH07244877 A JP H07244877A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は再生すべきマークに隣接するマーク
を完全にマスクして磁気誘導超解像再生を可能にした光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光磁気記録媒体は透明基板１４と、透明基板
１４上に積層された磁性再生層１８と、磁性再生層１８
上に積層された磁性制御層２０と、磁性制御層２０上に
積層された磁性記録層２２とを含んでいる。磁性再生層
１８は室温では面内方向に磁化容易軸を有している。磁
性制御層２０及び磁性記録層２２は垂直方向に磁化容易
軸を有している。所定の再生パワーを照射することによ
り、レーザスポット内に再生層１８の磁化が面内方向を
向く低温領域と、記録層２２の磁化が交換結合によって
制御層２０を介して再生層１８に転写される中間温度領
域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温領域とが形
成される。低温領域では面内マスクが形成され、高温領
域ではアップスピンマスクが形成されて、両マスクの間
に光磁気信号を読み出す開口部が形成される。
を完全にマスクして磁気誘導超解像再生を可能にした光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 光磁気記録媒体は透明基板１４と、透明基板
１４上に積層された磁性再生層１８と、磁性再生層１８
上に積層された磁性制御層２０と、磁性制御層２０上に
積層された磁性記録層２２とを含んでいる。磁性再生層
１８は室温では面内方向に磁化容易軸を有している。磁
性制御層２０及び磁性記録層２２は垂直方向に磁化容易
軸を有している。所定の再生パワーを照射することによ
り、レーザスポット内に再生層１８の磁化が面内方向を
向く低温領域と、記録層２２の磁化が交換結合によって
制御層２０を介して再生層１８に転写される中間温度領
域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温領域とが形
成される。低温領域では面内マスクが形成され、高温領
域ではアップスピンマスクが形成されて、両マスクの間
に光磁気信号を読み出す開口部が形成される。
Description
【０００１】（目次） 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は高密度光磁気記録媒体及
び該記録媒体に記録された情報の再生方法に関する。
び該記録媒体に記録された情報の再生方法に関する。
【０００３】光磁気ディスクは高密度記録媒体として知
られているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が
要望されている。高密度化は記録マークの間隔を詰める
ことによって実現できるが、その記録、再生は、媒体上
の光ビームの大きさ（ビームスポット）によって制限さ
れる。
られているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が
要望されている。高密度化は記録マークの間隔を詰める
ことによって実現できるが、その記録、再生は、媒体上
の光ビームの大きさ（ビームスポット）によって制限さ
れる。
【０００４】ビームスポット内に一つの記録マークしか
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
【０００５】しかし、記録マークの間隔を詰めてビーム
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
【０００６】このようなビームスポット以下の周期を持
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞れば良いが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、十
分に小さく絞ることはできない。
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞れば良いが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、十
分に小さく絞ることはできない。
【０００７】
【従来の技術】最近、現行の光学系をそのまま利用して
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像技術を利用した再生方法が提案されている。これ
は、ビームスポット内の一つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げた再
生方法である。
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像技術を利用した再生方法が提案されている。これ
は、ビームスポット内の一つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げた再
生方法である。
【０００８】このため超解像ディスク媒体には、マーク
を記録するための記録層以外に信号再生時に一つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
を記録するための記録層以外に信号再生時に一つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
【０００９】再生層に垂直磁化膜を用いた光磁気記録媒
体が特開平３−８８１５６号で提案されている。しか
し、この公開公報に記載された従来技術では、再生層を
初期化するために数キロエールステッド程度の初期化磁
界が必要であるため、装置を小型化できないという問題
がある。
体が特開平３−８８１５６号で提案されている。しか
し、この公開公報に記載された従来技術では、再生層を
初期化するために数キロエールステッド程度の初期化磁
界が必要であるため、装置を小型化できないという問題
がある。
【００１０】一方、再生層に室温で面内方向に磁化容易
軸を有し所定温度以上では垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁性膜を用いた光磁気記録媒体が特開平５−８１７１
７号で提案されている。
軸を有し所定温度以上では垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁性膜を用いた光磁気記録媒体が特開平５−８１７１
７号で提案されている。
【００１１】この従来技術の再生原理を図２８を参照し
て簡単に説明する。図２８（Ｃ）に示すように、光磁気
ディスク２は透明基板４上に磁性再生層６及び磁性記録
層８を積層して構成されている。
て簡単に説明する。図２８（Ｃ）に示すように、光磁気
ディスク２は透明基板４上に磁性再生層６及び磁性記録
層８を積層して構成されている。
【００１２】磁性再生層６は室温では面内方向に磁化容
易軸を有しているが、再生パワーが照射されて所定温度
以上になると磁化容易軸が垂直方向に変化する。磁性記
録層８は垂直磁化膜である。符号１０は光ビームを示し
ている。
易軸を有しているが、再生パワーが照射されて所定温度
以上になると磁化容易軸が垂直方向に変化する。磁性記
録層８は垂直磁化膜である。符号１０は光ビームを示し
ている。
【００１３】光ビームの強度分布は図２８（Ａ）に示す
ようにガウス分布をしているため、ディスクが静止して
いる場合にはディスク上の温度分布も中心部分が周辺部
分よりも高温となっている。
ようにガウス分布をしているため、ディスクが静止して
いる場合にはディスク上の温度分布も中心部分が周辺部
分よりも高温となっている。
【００１４】しかし実際には、ディスク２が矢印Ｒ方向
に回転しているため、ディスク上の温度分布は図２８
（Ｂ）に示すようにビームスポット内のディスク移動方
向前方側が高温となっている。
に回転しているため、ディスク上の温度分布は図２８
（Ｂ）に示すようにビームスポット内のディスク移動方
向前方側が高温となっている。
【００１５】このように温度分布が生じているため、ビ
ームスポット内の温度が低い領域では磁性再生層６の磁
化容易軸が面内方向を向いているので、反射光のカー回
転角は殆ど零となる。高温領域では、磁性再生層６の磁
化容易軸は面内方向から垂直方向へと変化する。
ームスポット内の温度が低い領域では磁性再生層６の磁
化容易軸が面内方向を向いているので、反射光のカー回
転角は殆ど零となる。高温領域では、磁性再生層６の磁
化容易軸は面内方向から垂直方向へと変化する。
【００１６】このとき磁性再生層６の垂直磁化は、磁性
記録層８の磁化と交換力によって結合し磁性記録層８の
磁化方向に揃うため、磁性記録層８に記録した磁化を磁
性再生層６に転写することができる。この転写領域の広
さは、再生レーザビームパワー或いはディスクの回転に
よって変えることができる。
記録層８の磁化と交換力によって結合し磁性記録層８の
磁化方向に揃うため、磁性記録層８に記録した磁化を磁
性再生層６に転写することができる。この転写領域の広
さは、再生レーザビームパワー或いはディスクの回転に
よって変えることができる。
【００１７】このように磁性再生層のマスクの大きさを
一つの記録マークだけを再生できるように制御すること
によって、ビームスポットの面積を実質的に縮小したの
と同じ効果を得ることができ、解像度が向上し高密度記
録・再生を実現できる。
一つの記録マークだけを再生できるように制御すること
によって、ビームスポットの面積を実質的に縮小したの
と同じ効果を得ることができ、解像度が向上し高密度記
録・再生を実現できる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ディ
スク２に照射されるレーザビーム１０の強度分布はガウ
ス分布をしており、ディスク２は矢印Ｒ方向に回転して
いるため、磁性再生層６上には低温領域と高温領域が生
じ、高温領域はディスク上に形成されたビームスポット
の下流側即ち後方側にシフトする。
スク２に照射されるレーザビーム１０の強度分布はガウ
ス分布をしており、ディスク２は矢印Ｒ方向に回転して
いるため、磁性再生層６上には低温領域と高温領域が生
じ、高温領域はディスク上に形成されたビームスポット
の下流側即ち後方側にシフトする。
【００１９】このように情報を再生するビームスポット
内の高温領域が下流側にシフトするため、レーザビーム
の強度が相対的に弱くなり、特開平５−８１７１７号に
記載された従来技術では大きな光磁気信号を得られない
という問題がある。
内の高温領域が下流側にシフトするため、レーザビーム
の強度が相対的に弱くなり、特開平５−８１７１７号に
記載された従来技術では大きな光磁気信号を得られない
という問題がある。
【００２０】また、光学マスクがビームスポット内の上
流側にのみ形成されるので、情報を再生する開口部の大
きさを余り小さく絞ることができない。よって本発明の
目的は、従来よりもより一層小さなマークを正確に記録
し、且つ従来より大きな光磁気信号で再生することが可
能な高密度光磁気記録媒体を提供することである。
流側にのみ形成されるので、情報を再生する開口部の大
きさを余り小さく絞ることができない。よって本発明の
目的は、従来よりもより一層小さなマークを正確に記録
し、且つ従来より大きな光磁気信号で再生することが可
能な高密度光磁気記録媒体を提供することである。
【００２１】本発明の他の目的は、光磁気記録媒体上に
高密度記録された情報を正確に再生可能な情報の再生方
法を提供することである。
高密度記録された情報を正確に再生可能な情報の再生方
法を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成によ
ると、透明基板と、該透明基板上に積層された室温で面
内方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性
層上に積層された前記基板に対して垂直方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された
前記基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁
性層とを具備し、前記第１、第２及び第３磁性層のキュ
リー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とすると
き、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす
光磁気記録媒体が提供される。
ると、透明基板と、該透明基板上に積層された室温で面
内方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性
層上に積層された前記基板に対して垂直方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された
前記基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁
性層とを具備し、前記第１、第２及び第３磁性層のキュ
リー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とすると
き、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす
光磁気記録媒体が提供される。
【００２３】基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有す
る第２磁性層に代えて、面内方向に磁化容易軸を有する
第２磁性層を採用することもできる。また、第１の構成
の変形例として、第１磁性層と第２磁性層との間又は第
２磁性層と第３磁性層との間に非磁性中間層を介装する
ようにしても良い。
る第２磁性層に代えて、面内方向に磁化容易軸を有する
第２磁性層を採用することもできる。また、第１の構成
の変形例として、第１磁性層と第２磁性層との間又は第
２磁性層と第３磁性層との間に非磁性中間層を介装する
ようにしても良い。
【００２４】好ましくは、各磁性層は希土類−遷移金属
アモルファス合金膜から構成される。他の合金膜、酸化
磁性膜も採用可能である。本発明の第２の構成による
と、透明基板と、該透明基板上に積層された前記基板に
対して垂直方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、該
第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸
を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された前
記基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁性
層と、該第３磁性層上に積層された前記基板に対して垂
直方向に磁化容易軸を有する第４磁性層とを具備し、前
記第１、第２、第３及び第４磁性層のキュリー温度をそ
れぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温にお
ける保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４
とするとき、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ
３，Ｔｃ２＞Ｔｃ３及びＴｃ４＞Ｔｃ３の関係を満た
し、室温における保磁力が、Ｈｃ４＞Ｈｃ３及びＨｃ４
＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体が提供される。
アモルファス合金膜から構成される。他の合金膜、酸化
磁性膜も採用可能である。本発明の第２の構成による
と、透明基板と、該透明基板上に積層された前記基板に
対して垂直方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、該
第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸
を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された前
記基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁性
層と、該第３磁性層上に積層された前記基板に対して垂
直方向に磁化容易軸を有する第４磁性層とを具備し、前
記第１、第２、第３及び第４磁性層のキュリー温度をそ
れぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温にお
ける保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４
とするとき、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ
３，Ｔｃ２＞Ｔｃ３及びＴｃ４＞Ｔｃ３の関係を満た
し、室温における保磁力が、Ｈｃ４＞Ｈｃ３及びＨｃ４
＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体が提供される。
【００２５】本発明の第３の構成によると、透明基板
と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向の
磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に積
層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第２磁性
層と、該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方
向の磁化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、前記第
１、第２、第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記第１及び第
３磁性層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とすると
き、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ
３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前記第１及び第３磁性層の
室温における保磁力が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たす
光磁気記録媒体が提供される。
と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向の
磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に積
層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第２磁性
層と、該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方
向の磁化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、前記第
１、第２、第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記第１及び第
３磁性層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とすると
き、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２、Ｔｃ
３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前記第１及び第３磁性層の
室温における保磁力が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たす
光磁気記録媒体が提供される。
【００２６】本発明の他の側面によると、透明基板と、
該透明基板上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸
を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に積層された前
記基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第２磁性
層と、該第２磁性層上に積層された前記基板に対して垂
直方向に磁化容易軸を有する第３磁性層とを含み、前記
第１、第２及び第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴ
ｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及び
Ｔｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒体に記録さ
れた情報の再生方法であって、バイアス磁界を印加しな
がら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記第３
磁性層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビ
ームスポット内に前記第１磁性層の磁化が面内方向を向
く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換結合によっ
て前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写される第２領
域と、前記第２磁性層のキュリー温度以上の第３領域と
からなる温度分布を形成する、各ステップから構成され
る光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法が提供さ
れる。
該透明基板上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸
を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に積層された前
記基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第２磁性
層と、該第２磁性層上に積層された前記基板に対して垂
直方向に磁化容易軸を有する第３磁性層とを含み、前記
第１、第２及び第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴ
ｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及び
Ｔｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒体に記録さ
れた情報の再生方法であって、バイアス磁界を印加しな
がら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記第３
磁性層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビ
ームスポット内に前記第１磁性層の磁化が面内方向を向
く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換結合によっ
て前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写される第２領
域と、前記第２磁性層のキュリー温度以上の第３領域と
からなる温度分布を形成する、各ステップから構成され
る光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法が提供さ
れる。
【００２７】本発明のさらに他の側面によると、透明基
板と、該透明基板上に積層された前記基板に対して垂直
方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層
上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第
２磁性層と、該第２磁性層上に積層された前記基板に対
して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁性層と、該第
３磁性層上に積層された前記基板に対して垂直方向に磁
化容易軸を有する第４磁性層とを含み、前記第１、第
２、第３及び第４磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温における保磁力
をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４とすると
き、各磁性層のキュリー温度がＴｃ１＞Ｔｃ３，Ｔｃ２
＞Ｔｃ３及びＴｃ４＞Ｔｃ３の関係を満たし、各磁性層
の室温における保磁力がＨｃ４＞Ｈｃ３及びＨｃ４＞Ｈ
ｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の
再生方法であって、バイアス磁界を印加しながら前記記
録媒体にレーザビームを照射して、前記第４磁性層のキ
ュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポッ
ト内に前記第２磁性層の磁化が面内方向を向く第１領域
と、前記第４磁性層の磁化が交換結合によって前記第３
磁性層、前記第２磁性層及び前記第１磁性層に転写され
る第２領域と、前記第３磁性層のキュリー温度以上の第
３領域とからなる温度分布を形成する、各ステップから
構成される光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法
が提供される。
板と、該透明基板上に積層された前記基板に対して垂直
方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層
上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第
２磁性層と、該第２磁性層上に積層された前記基板に対
して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁性層と、該第
３磁性層上に積層された前記基板に対して垂直方向に磁
化容易軸を有する第４磁性層とを含み、前記第１、第
２、第３及び第４磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温における保磁力
をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４とすると
き、各磁性層のキュリー温度がＴｃ１＞Ｔｃ３，Ｔｃ２
＞Ｔｃ３及びＴｃ４＞Ｔｃ３の関係を満たし、各磁性層
の室温における保磁力がＨｃ４＞Ｈｃ３及びＨｃ４＞Ｈ
ｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の
再生方法であって、バイアス磁界を印加しながら前記記
録媒体にレーザビームを照射して、前記第４磁性層のキ
ュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポッ
ト内に前記第２磁性層の磁化が面内方向を向く第１領域
と、前記第４磁性層の磁化が交換結合によって前記第３
磁性層、前記第２磁性層及び前記第１磁性層に転写され
る第２領域と、前記第３磁性層のキュリー温度以上の第
３領域とからなる温度分布を形成する、各ステップから
構成される光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法
が提供される。
【００２８】本発明のさらに他の側面によると、透明基
板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向
の磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に
積層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第２磁
性層と、該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直
方向の磁化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、前記
第１、第２、第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記第１及び第
３磁性層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とすると
き、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴ
ｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前記第１及び第３磁性層
の室温における保磁力が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満た
す光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であっ
て、バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザ
ビームを照射して、前記第３磁性層のキュリー温度以下
に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記第１
磁性層の磁化がバイアス磁界方向を向く第１領域と、前
記第３磁性層の磁化が交換結合によって前記第２磁性層
と前記第１磁性層に転写される第２領域と、前記第２磁
性層がキュリー温度以上となる前記第１磁性層の磁化方
向がバイアス磁界方向を向く第３領域とからなる温度分
布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録さ
れた情報の再生方法が提供される。
板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向
の磁化容易軸を有する第１磁性層と、該第１磁性層上に
積層された室温で面内方向に磁化容易軸を有する第２磁
性層と、該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直
方向の磁化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、前記
第１、第２、第３磁性層のキュリー温度をそれぞれＴｃ
１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記第１及び第
３磁性層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とすると
き、各磁性層のキュリー温度が、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴ
ｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前記第１及び第３磁性層
の室温における保磁力が、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満た
す光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であっ
て、バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザ
ビームを照射して、前記第３磁性層のキュリー温度以下
に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記第１
磁性層の磁化がバイアス磁界方向を向く第１領域と、前
記第３磁性層の磁化が交換結合によって前記第２磁性層
と前記第１磁性層に転写される第２領域と、前記第２磁
性層がキュリー温度以上となる前記第１磁性層の磁化方
向がバイアス磁界方向を向く第３領域とからなる温度分
布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録さ
れた情報の再生方法が提供される。
【００２９】
【作用】本発明の情報の再生方法は、第１、第２及び第
３磁性層を有する光磁気記録媒体に記録された情報を再
生する場合、記録媒体上に形成されたビームスポット内
で生じる温度勾配を利用し、より小さなマークを正確に
再生することを特徴としている。
３磁性層を有する光磁気記録媒体に記録された情報を再
生する場合、記録媒体上に形成されたビームスポット内
で生じる温度勾配を利用し、より小さなマークを正確に
再生することを特徴としている。
【００３０】ビームスポット内で温度が低い領域では第
１磁性層の磁化は面内方向を向いて面内マスクが形成さ
れ、第２磁性層のキュリー温度以上の高温領域では第２
磁性層の磁化が消滅し、第１磁性層の磁化がバイアス磁
界方向を向いてアップスピンマスク又はダウンスピンマ
スクが形成される。
１磁性層の磁化は面内方向を向いて面内マスクが形成さ
れ、第２磁性層のキュリー温度以上の高温領域では第２
磁性層の磁化が消滅し、第１磁性層の磁化がバイアス磁
界方向を向いてアップスピンマスク又はダウンスピンマ
スクが形成される。
【００３１】中間温度領域（開口部）では、第３磁性層
の磁化方向が第２磁性層を介して第１磁性層に転写さ
れ、第３磁性層に記録された情報を再生することができ
る。即ち、磁気光学的出力を差動検出した場合、ビーム
スポット内において温度の低い領域と高い領域はマスク
として働き、この部分での光磁気信号を読み出すことは
なく、中間温度領域だけの光磁気信号を読み出すことが
できる。従って、レーザ波長の回折限界以下の大きさの
マークを正確に読み出すことができる。
の磁化方向が第２磁性層を介して第１磁性層に転写さ
れ、第３磁性層に記録された情報を再生することができ
る。即ち、磁気光学的出力を差動検出した場合、ビーム
スポット内において温度の低い領域と高い領域はマスク
として働き、この部分での光磁気信号を読み出すことは
なく、中間温度領域だけの光磁気信号を読み出すことが
できる。従って、レーザ波長の回折限界以下の大きさの
マークを正確に読み出すことができる。
【００３２】４層構成の磁性層を有する光磁気記録媒体
に記録された情報を再生する場合にも、再生原理は上述
した３層構成の磁性層を有する光磁気記録媒体に記録さ
れた情報を再生する場合と同様である。
に記録された情報を再生する場合にも、再生原理は上述
した３層構成の磁性層を有する光磁気記録媒体に記録さ
れた情報を再生する場合と同様である。
【００３３】この場合には、透明基板上に積層された第
１磁性層が垂直磁化膜であるので、信号を読み出す第２
磁性層は面内磁化から垂直磁化に遷移する温度領域が比
較的広いために再生出力のＣ／Ｎが劣化するが、垂直磁
化膜である第１磁性層を設けたことにより再生出力のＣ
／Ｎの向上を図ることができる。
１磁性層が垂直磁化膜であるので、信号を読み出す第２
磁性層は面内磁化から垂直磁化に遷移する温度領域が比
較的広いために再生出力のＣ／Ｎが劣化するが、垂直磁
化膜である第１磁性層を設けたことにより再生出力のＣ
／Ｎの向上を図ることができる。
【００３４】
【実施例】図１を参照して、本発明第１実施態様の光磁
気記録媒体の構成を説明する。１２は光磁気記録媒体で
あり、通常はディスク形状をしている。ガラス等の透明
基板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等から
なる誘電体層１６が積層されている。誘電体層１６はそ
の上に積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
気記録媒体の構成を説明する。１２は光磁気記録媒体で
あり、通常はディスク形状をしている。ガラス等の透明
基板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等から
なる誘電体層１６が積層されている。誘電体層１６はそ
の上に積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
【００３５】透明基板１４としては、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能
である。
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能
である。
【００３６】誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８が積層されている。磁性再生層１８は、室温では面内
方向に磁化容易軸を有している。好ましくは、磁性再生
層１８の磁化容易軸は、再生ビームパワーで昇温される
所定温度以上では面内方向から垂直方向に変化するのが
望ましい。
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８が積層されている。磁性再生層１８は、室温では面内
方向に磁化容易軸を有している。好ましくは、磁性再生
層１８の磁化容易軸は、再生ビームパワーで昇温される
所定温度以上では面内方向から垂直方向に変化するのが
望ましい。
【００３７】磁性再生層１８上にはＴｂＦｅ等の希土類
−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性制御層２０
が積層されている。磁性制御層２０は基板１４に対して
垂直方向に磁化容易軸を有している。
−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性制御層２０
が積層されている。磁性制御層２０は基板１４に対して
垂直方向に磁化容易軸を有している。
【００３８】磁性制御層２０上にはＴｂＦｅＣｏ等の希
土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記録層
２２が積層されている。磁性記録層２２は基板１４に対
して垂直方向に磁化容易軸を有している。
土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記録層
２２が積層されている。磁性記録層２２は基板１４に対
して垂直方向に磁化容易軸を有している。
【００３９】再生層１８、制御層２０及び記録層２２の
キュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とする
と、各磁性層のキュリー温度はＴｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ
３＞Ｔｃ２の関係を満たしている。
キュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とする
と、各磁性層のキュリー温度はＴｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ
３＞Ｔｃ２の関係を満たしている。
【００４０】磁性記録層２２上には保護膜２４が積層さ
れて光磁気記録媒体１２が完成する。この保護膜２４
は、空気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような
物質の侵入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で
設けられる。
れて光磁気記録媒体１２が完成する。この保護膜２４
は、空気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような
物質の侵入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で
設けられる。
【００４１】保護膜２４は、ＳｉＮ，ＡｌＮ等の金属窒
化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。図２を参照すると、図
１に示された第１実施態様の変形例である第２実施態様
の光磁気記録媒体の構成が示されている。第２実施態様
の記録媒体１２ａは、磁性再生層１８と磁性制御層２０
との間に非磁性中間層２６を介装したものである。
化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。図２を参照すると、図
１に示された第１実施態様の変形例である第２実施態様
の光磁気記録媒体の構成が示されている。第２実施態様
の記録媒体１２ａは、磁性再生層１８と磁性制御層２０
との間に非磁性中間層２６を介装したものである。
【００４２】非磁性中間層２６はＳｉＮ，ＡｌＮ等の金
属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺ
ｎＳ等の金属硫化物から形成される。磁性再生層１８と
磁性制御層２０との間に非磁性中間層２６が介装されて
いるため、磁性再生層１８と磁性制御層２０との間の交
換結合作用は完全に遮断される。
属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺ
ｎＳ等の金属硫化物から形成される。磁性再生層１８と
磁性制御層２０との間に非磁性中間層２６が介装されて
いるため、磁性再生層１８と磁性制御層２０との間の交
換結合作用は完全に遮断される。
【００４３】非磁性中間層２６は、磁性再生層１８が所
定温度以上に昇温されたとき、磁性制御層２０と磁性再
生層１８との間の静磁結合を許容するのに十分な薄さで
ある必要がある。即ち、非磁性中間層２６の膜厚は１ｎ
ｍ〜１０ｎｍであるのが望ましい。
定温度以上に昇温されたとき、磁性制御層２０と磁性再
生層１８との間の静磁結合を許容するのに十分な薄さで
ある必要がある。即ち、非磁性中間層２６の膜厚は１ｎ
ｍ〜１０ｎｍであるのが望ましい。
【００４４】図３は図２に示した第２実施態様の記録媒
体の変形例である第３実施態様の光磁気記録媒体の構成
を示している。第３実施態様においては、非磁性中間層
２６は磁性制御層２０と磁性記録層２２との間に介装さ
れている。
体の変形例である第３実施態様の光磁気記録媒体の構成
を示している。第３実施態様においては、非磁性中間層
２６は磁性制御層２０と磁性記録層２２との間に介装さ
れている。
【００４５】図４を参照すると、本発明の情報の再生方
法に採用可能な光磁気ディスク装置の概略図が示されて
いる。光磁気ディスク３０は透明基板１４上に３層膜の
磁性層２８を積層して構成されている。光磁気ディスク
３０はスピンドルモータ３２により回転される。
法に採用可能な光磁気ディスク装置の概略図が示されて
いる。光磁気ディスク３０は透明基板１４上に３層膜の
磁性層２８を積層して構成されている。光磁気ディスク
３０はスピンドルモータ３２により回転される。
【００４６】符号３４は電磁石駆動回路３６により駆動
される電磁石であり、所定方向のバイアス磁界を光磁気
ディスク３０に印加する。バイアス磁界の方向は電磁石
３４に流す電流の方向によって上向きと下向きの間で切
り替えられる。
される電磁石であり、所定方向のバイアス磁界を光磁気
ディスク３０に印加する。バイアス磁界の方向は電磁石
３４に流す電流の方向によって上向きと下向きの間で切
り替えられる。
【００４７】或いは、３４は、数百エルステッド程度の
磁界を発生する小型の永久磁石で代用することも可能で
ある。この場合、バイアス磁界の方向は磁石のＳ，Ｎ極
を１８０°回転させることによって切り替えられる。
磁界を発生する小型の永久磁石で代用することも可能で
ある。この場合、バイアス磁界の方向は磁石のＳ，Ｎ極
を１８０°回転させることによって切り替えられる。
【００４８】信号発生回路３８で書き込むべきデータ信
号が発生され、レーザ駆動回路４０に入力される。これ
により、レーザ駆動回路４０はレーザダイオード４２を
データ信号に応じて変調駆動する。
号が発生され、レーザ駆動回路４０に入力される。これ
により、レーザ駆動回路４０はレーザダイオード４２を
データ信号に応じて変調駆動する。
【００４９】レーザダイオード４２で発生されたレーザ
ビームはコリメータレンズ４４でコリメートされてか
ら、ビームスプリッタ４６を透過して対物レンズ４８に
より光磁気ディスク３０の磁性層２８上にフォーカスさ
れる。
ビームはコリメータレンズ４４でコリメートされてか
ら、ビームスプリッタ４６を透過して対物レンズ４８に
より光磁気ディスク３０の磁性層２８上にフォーカスさ
れる。
【００５０】電磁石３４により所定方向にバイアス磁界
を印加しながら、レーザダイオード４２を駆動してレー
ザビームを光磁気ディスク３０の磁性層２８に照射する
ことにより、データ信号がディスク３０に書き込まれ
る。
を印加しながら、レーザダイオード４２を駆動してレー
ザビームを光磁気ディスク３０の磁性層２８に照射する
ことにより、データ信号がディスク３０に書き込まれ
る。
【００５１】一方、光磁気ディスク３０に記録された情
報（データ信号）を再生する場合には、電磁石３４で所
定方向のバイアス磁界を印加しながら、レーザダイオー
ド４２を駆動して光磁気ディスク３０に再生ビームパワ
ーを照射する。
報（データ信号）を再生する場合には、電磁石３４で所
定方向のバイアス磁界を印加しながら、レーザダイオー
ド４２を駆動して光磁気ディスク３０に再生ビームパワ
ーを照射する。
【００５２】光磁気ディスク３０からの反射光は対物レ
ンズ４８でコリメートされてから、ビームスプリッタ４
６で反射され、検光子５０を通過してレンズ５２により
光検出器５４に集光され、光磁気ディスク３０に記録さ
れた情報が電気信号として再生される。
ンズ４８でコリメートされてから、ビームスプリッタ４
６で反射され、検光子５０を通過してレンズ５２により
光検出器５４に集光され、光磁気ディスク３０に記録さ
れた情報が電気信号として再生される。
【００５３】次に図５を参照して、図１に示された第１
実施態様の光磁気記録媒体に記録されたデータの消去方
法について説明する。光磁気記録媒体は矢印Ｒ方向に移
動している。
実施態様の光磁気記録媒体に記録されたデータの消去方
法について説明する。光磁気記録媒体は矢印Ｒ方向に移
動している。
【００５４】光磁気記録媒体のｄの領域ではバイアス磁
界Ｈｂを消去方向に印加した状態で、レーザビーム５６
を照射して記録層２２の温度をキュリー温度以上に加熱
することによりデータの消去が行われる。
界Ｈｂを消去方向に印加した状態で、レーザビーム５６
を照射して記録層２２の温度をキュリー温度以上に加熱
することによりデータの消去が行われる。
【００５５】冷却過程であるｃの領域では、制御層２０
のキュリー温度以上なので制御層２０に磁化は現れてい
ないが、ｂの領域では制御層２０のキュリー温度以下に
なるので、記録層２２の磁化方向が制御層２０に転写さ
れ、さらに制御層２０の磁化方向が再生層１８に転写さ
れる。
のキュリー温度以上なので制御層２０に磁化は現れてい
ないが、ｂの領域では制御層２０のキュリー温度以下に
なるので、記録層２２の磁化方向が制御層２０に転写さ
れ、さらに制御層２０の磁化方向が再生層１８に転写さ
れる。
【００５６】しかし、さらに温度が下がったａの領域で
は、再生層１８は面内方向に磁化容易軸を移し、これに
よりデータが消去された状態となる。次に、データの書
き込みについて図６を参照して説明する。光磁気記録媒
体にデータを書き込む場合には、バイアス磁界Ｈｂを図
５に示した消去の場合と逆方向に印加する。レーザビー
ム照射領域のうちｉの領域では、再生層１８に記録層２
２の磁化情報が転写されている状態となっている。
は、再生層１８は面内方向に磁化容易軸を移し、これに
よりデータが消去された状態となる。次に、データの書
き込みについて図６を参照して説明する。光磁気記録媒
体にデータを書き込む場合には、バイアス磁界Ｈｂを図
５に示した消去の場合と逆方向に印加する。レーザビー
ム照射領域のうちｉの領域では、再生層１８に記録層２
２の磁化情報が転写されている状態となっている。
【００５７】ｈの領域はビームスポット内の高温領域で
あり、再生層１８、制御層２０及び記録層２２はキュリ
ー温度以上となるように加熱され、バイアス磁界Ｈｂを
下向きに印加しながら記録層２２にデータの書き込みが
行われる。
あり、再生層１８、制御層２０及び記録層２２はキュリ
ー温度以上となるように加熱され、バイアス磁界Ｈｂを
下向きに印加しながら記録層２２にデータの書き込みが
行われる。
【００５８】データの書き込みが終わって冷却途中の段
階であるｇの領域では、再生層１８及び記録層２２とも
バイアス磁界Ｈｂの方向に磁化される。この領域は制御
層２０のキュリー温度以上なので、制御層２０に磁化は
現れない。
階であるｇの領域では、再生層１８及び記録層２２とも
バイアス磁界Ｈｂの方向に磁化される。この領域は制御
層２０のキュリー温度以上なので、制御層２０に磁化は
現れない。
【００５９】さらに冷却されてｆの領域になると、制御
層２０に磁化が現れ、その磁化方向は再生層１８及び記
録層２２の磁化方向に揃う。ｅの領域では室温付近まで
冷却され、記録層２２の磁化状態は変化しないが、再生
層１８は垂直方向から面内方向に磁化方向を変化させ
る。尚、記録マークの大きさはレーザパワーを調整する
ことによって制御される。
層２０に磁化が現れ、その磁化方向は再生層１８及び記
録層２２の磁化方向に揃う。ｅの領域では室温付近まで
冷却され、記録層２２の磁化状態は変化しないが、再生
層１８は垂直方向から面内方向に磁化方向を変化させ
る。尚、記録マークの大きさはレーザパワーを調整する
ことによって制御される。
【００６０】次に図７乃至図９を参照して、光磁気記録
媒体に記録されたデータの再生方法について説明する。
図１９に関連して説明したように、記録媒体上に形成さ
れたビームスポット内には温度勾配が形成される。
媒体に記録されたデータの再生方法について説明する。
図１９に関連して説明したように、記録媒体上に形成さ
れたビームスポット内には温度勾配が形成される。
【００６１】これは一般論として、（ａ）絞り込まれた
ビームスポット内にはガウス分布に近い温度分布が形成
され、（ｂ）記録媒体が動く（相対的にはビームスポッ
トが動く）と、ビームスポット後方に熱が溜められるか
らである。
ビームスポット内にはガウス分布に近い温度分布が形成
され、（ｂ）記録媒体が動く（相対的にはビームスポッ
トが動く）と、ビームスポット後方に熱が溜められるか
らである。
【００６２】実際の温度分布は再生レーザパワー、記録
媒体の回転速度及び磁性膜の膜厚等によって決定され
る。図７乃至図９において、Ｈｒは再生用のバイアス磁
界を示しており、データ書き込み時のバイアス磁界Ｈｂ
と逆方向に印加される。なお、後で説明するように、デ
ータ再生時のバイアス磁界Ｈｒの方向はデータ書き込み
時のバイアス磁界の方向と同一方向であっても良い。
媒体の回転速度及び磁性膜の膜厚等によって決定され
る。図７乃至図９において、Ｈｒは再生用のバイアス磁
界を示しており、データ書き込み時のバイアス磁界Ｈｂ
と逆方向に印加される。なお、後で説明するように、デ
ータ再生時のバイアス磁界Ｈｒの方向はデータ書き込み
時のバイアス磁界の方向と同一方向であっても良い。
【００６３】図７はビームスポット５８内の温度が再生
層１８に記録層２２の磁化が転写される温度Ｔcopy以下
の状態を示しており、再生層１８の磁化は面内方向を向
き、再生層１８に面内マスク６０が形成されるため光磁
気信号は出力されない。
層１８に記録層２２の磁化が転写される温度Ｔcopy以下
の状態を示しており、再生層１８の磁化は面内方向を向
き、再生層１８に面内マスク６０が形成されるため光磁
気信号は出力されない。
【００６４】図８はビームスポット５８内の温度がＴco
py以上で制御層２０のキュリー温度Ｔｃ２以下の状態を
示しており、ビームスポット５８内に面内マスク６０と
開口部６２が形成される。この状態は上述した特開平５
−８１７１７号のデータ再生時の状態に類似しており、
開口部６２を介して光磁気信号を読み出すことができ
る。
py以上で制御層２０のキュリー温度Ｔｃ２以下の状態を
示しており、ビームスポット５８内に面内マスク６０と
開口部６２が形成される。この状態は上述した特開平５
−８１７１７号のデータ再生時の状態に類似しており、
開口部６２を介して光磁気信号を読み出すことができ
る。
【００６５】再生レーザパワーをさらに上げると、図９
に示したようにビームスポット５８内に再生層１８の磁
化が面内方向を向く低温領域と、記録層２２の磁化が交
換結合によって制御層２０及び再生層１８に転写される
中間温度領域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温
領域が形成される。図９（Ａ）に示すように、トラック
６４内には破線で示した複数のマーク６６が形成されて
いる。
に示したようにビームスポット５８内に再生層１８の磁
化が面内方向を向く低温領域と、記録層２２の磁化が交
換結合によって制御層２０及び再生層１８に転写される
中間温度領域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温
領域が形成される。図９（Ａ）に示すように、トラック
６４内には破線で示した複数のマーク６６が形成されて
いる。
【００６６】低温領域では面内マスク６０が形成され、
高温領域では再生層１８の磁化方向が上向きとなるアッ
プスピン部６８が形成され、面内マスク６０とアップス
ピン部６８との間の中間温度領域に開口部６２が形成さ
れる。
高温領域では再生層１８の磁化方向が上向きとなるアッ
プスピン部６８が形成され、面内マスク６０とアップス
ピン部６８との間の中間温度領域に開口部６２が形成さ
れる。
【００６７】アップスピン部とは、記録媒体が制御層２
０のキュリー温度Ｔｃ２以上に加熱されているため、制
御層２０の磁化が無くなり、再生層１８と記録層２２は
磁気的に結合していない状態である。
０のキュリー温度Ｔｃ２以上に加熱されているため、制
御層２０の磁化が無くなり、再生層１８と記録層２２は
磁気的に結合していない状態である。
【００６８】従って、再生層１８は保磁力が殆ど無いこ
とからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの方向を
向くことになる。即ち、制御層２０のキュリー温度以上
の高温領域では、再生層１８の磁化は常に上向きとな
り、光磁気信号は出力されず一種のマスクとして機能す
る。
とからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの方向を
向くことになる。即ち、制御層２０のキュリー温度以上
の高温領域では、再生層１８の磁化は常に上向きとな
り、光磁気信号は出力されず一種のマスクとして機能す
る。
【００６９】従って、特開平５−８１７１７号に記載さ
れた従来方法に比較して非常に小さな開口部６２を形成
することができる。さらに、ビームスポットの端に比べ
て相対的にレーザ強度が強いビームスポット中心部に開
口部６２が形成されるので、大きな光磁気信号を得るこ
とができる。
れた従来方法に比較して非常に小さな開口部６２を形成
することができる。さらに、ビームスポットの端に比べ
て相対的にレーザ強度が強いビームスポット中心部に開
口部６２が形成されるので、大きな光磁気信号を得るこ
とができる。
【００７０】次に、第１実施態様の光磁気記録媒体に記
録された情報を本発明の再生方法で再生すると、分解能
がどの程度向上するかを検討した。再生に使用されるレ
ーザの波長を７８０ｎｍとした場合の分解能（ここで
は、正確に再生可能なマーク長さという意味で使用す
る）は、回折限界理論から約０．８μｍ程度である。
録された情報を本発明の再生方法で再生すると、分解能
がどの程度向上するかを検討した。再生に使用されるレ
ーザの波長を７８０ｎｍとした場合の分解能（ここで
は、正確に再生可能なマーク長さという意味で使用す
る）は、回折限界理論から約０．８μｍ程度である。
【００７１】記録層の上に再生層を設けた特開平５−８
１７１７号に記載された従来技術では、分解能は再生パ
ワーを最適化しても約０．５μｍ程度である。しかも、
開口部がビームスポットの端にあるため、光磁気信号出
力は小さく大きな再生出力を得られない。
１７１７号に記載された従来技術では、分解能は再生パ
ワーを最適化しても約０．５μｍ程度である。しかも、
開口部がビームスポットの端にあるため、光磁気信号出
力は小さく大きな再生出力を得られない。
【００７２】本発明の再生方法では、ビームスポット内
に面内マスク６０とアップスピンマスク６８が形成され
るため、分解能は約０．３μｍ程度まで向上する。さら
に、本発明の再生方法では開口部６２がビームスポット
の中心付近に形成されるため、従来の再生方法で得られ
る光磁気信号出力に比べて相対的に大きな信号出力を得
ることができる。
に面内マスク６０とアップスピンマスク６８が形成され
るため、分解能は約０．３μｍ程度まで向上する。さら
に、本発明の再生方法では開口部６２がビームスポット
の中心付近に形成されるため、従来の再生方法で得られ
る光磁気信号出力に比べて相対的に大きな信号出力を得
ることができる。
【００７３】図１０に従来の再生方法と比較した本発明
第１実施態様の再生方法のＣ／Ｎのマーク長依存性を示
す。実線が本発明の再生方法を示しており、破線が従来
の再生方法を示している。
第１実施態様の再生方法のＣ／Ｎのマーク長依存性を示
す。実線が本発明の再生方法を示しており、破線が従来
の再生方法を示している。
【００７４】図１１はＣ／Ｎの再生パワー依存性を示し
ており、再生パワーがある値以上、例えば１．７ｍＷ以
上で、Ｃ／Ｎが顕著に向上する。これは、この再生パワ
ー以上でビームスポット内に面内マスクとアップスピン
マスクが形成され、非常に小さな開口部を形成できたた
めである。
ており、再生パワーがある値以上、例えば１．７ｍＷ以
上で、Ｃ／Ｎが顕著に向上する。これは、この再生パワ
ー以上でビームスポット内に面内マスクとアップスピン
マスクが形成され、非常に小さな開口部を形成できたた
めである。
【００７５】上述したように本発明では、中間温度領域
である開口部分の信号のみが記録層２２から再生層１８
に転写され、その前後は面内マスク６０とアップスピン
マスク６８により磁気光学的にマスクされており、非常
に狭い領域の磁気光学信号を再生することができる。
である開口部分の信号のみが記録層２２から再生層１８
に転写され、その前後は面内マスク６０とアップスピン
マスク６８により磁気光学的にマスクされており、非常
に狭い領域の磁気光学信号を再生することができる。
【００７６】従って、隣接するマーク間での信号の干渉
がなくなり、マークのピッチをより短くすることが可能
となり、さらに隣接するトラックとのクロストークも改
善される。
がなくなり、マークのピッチをより短くすることが可能
となり、さらに隣接するトラックとのクロストークも改
善される。
【００７７】図１２は再生用のバイアス磁界Ｈｒを下向
きにかけたとき、即ちデータ記録時のバイアス磁界Ｈｂ
と同一方向にかけたときの再生方法を説明する図であ
る。この場合には、ビームスポット５８内に面内マスク
６０とダウンスピンマスク６８′が形成され、両マスク
６０，６８′の間に小さな開口部６２が図９の再生方法
と同様に形成される。よって、本発明の再生方法では、
再生時のバイアス磁界の方向は上向き、下向きのいずれ
でもよいことになる。
きにかけたとき、即ちデータ記録時のバイアス磁界Ｈｂ
と同一方向にかけたときの再生方法を説明する図であ
る。この場合には、ビームスポット５８内に面内マスク
６０とダウンスピンマスク６８′が形成され、両マスク
６０，６８′の間に小さな開口部６２が図９の再生方法
と同様に形成される。よって、本発明の再生方法では、
再生時のバイアス磁界の方向は上向き、下向きのいずれ
でもよいことになる。
【００７８】図１３を参照すると、本発明第４実施態様
の光磁気記録媒体の構成が示されている。本実施例の説
明において、図１に示された第１実施態様と実質的に同
一構成部分については同一符号を付し、重複を避けるた
めその説明を省略する。
の光磁気記録媒体の構成が示されている。本実施例の説
明において、図１に示された第１実施態様と実質的に同
一構成部分については同一符号を付し、重複を避けるた
めその説明を省略する。
【００７９】本実施態様の記録媒体１２ｃは，磁性再生
層１８及び磁性制御層２０′共、室温では面内方向に磁
化容易軸を有している。磁性制御層２０′はＧｄＦｅ等
の希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成される。好ま
しくは、磁性再生層１８及び磁性制御層２０′の磁化容
易軸は、再生ビームパワーで昇温される所定温度以上で
は面内方向から垂直方向に変化する。
層１８及び磁性制御層２０′共、室温では面内方向に磁
化容易軸を有している。磁性制御層２０′はＧｄＦｅ等
の希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成される。好ま
しくは、磁性再生層１８及び磁性制御層２０′の磁化容
易軸は、再生ビームパワーで昇温される所定温度以上で
は面内方向から垂直方向に変化する。
【００８０】再生層１８、制御層２０′及び記録層２２
のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とす
ると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ２＜Ｔｃ１及びＴ
ｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしている。
のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とす
ると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ２＜Ｔｃ１及びＴ
ｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしている。
【００８１】再生層１８に含まれる希土類金属の磁気モ
ーメントは室温において遷移金属の磁気モーメントより
優勢であるのが好ましい。再生層１８は少なくともＧｄ
とＦｅを含んでいる。そして、再生層１８に含まれるＧ
ｄの量は２６ａｔ％〜３５ａｔ％の範囲内にあるのが望
ましい。
ーメントは室温において遷移金属の磁気モーメントより
優勢であるのが好ましい。再生層１８は少なくともＧｄ
とＦｅを含んでいる。そして、再生層１８に含まれるＧ
ｄの量は２６ａｔ％〜３５ａｔ％の範囲内にあるのが望
ましい。
【００８２】同様に、制御層２０′に含まれる希土類金
属の磁気モーメントは室温において遷移金属の磁気モー
メントより優勢であるのが好ましい。制御層２０′は少
なくともＧｄとＦｅ或いはＤｙとＦｅを含んでいる。そ
して、制御層２０′に含まれるＧｄの量は２６ａｔ％〜
３５ａｔ％の範囲内にあるのが望ましい。
属の磁気モーメントは室温において遷移金属の磁気モー
メントより優勢であるのが好ましい。制御層２０′は少
なくともＧｄとＦｅ或いはＤｙとＦｅを含んでいる。そ
して、制御層２０′に含まれるＧｄの量は２６ａｔ％〜
３５ａｔ％の範囲内にあるのが望ましい。
【００８３】好ましくは、制御層２０′にはＳｉ，Ａ
ｌ，Ｔｉからなる群から選択される非磁性材料が添加さ
れる。非磁性材料の添加量は６０ａｔ％以下である。次
に図１４を参照して本実施態様のデータの消去方法を説
明する。バイアス磁界Ｈｂを下向きに印加しながら記録
媒体にレーザビームを照射し、記録層２２の磁化方向が
反転する温度以上に昇温することによって記録層２２の
磁化を下向きにする。
ｌ，Ｔｉからなる群から選択される非磁性材料が添加さ
れる。非磁性材料の添加量は６０ａｔ％以下である。次
に図１４を参照して本実施態様のデータの消去方法を説
明する。バイアス磁界Ｈｂを下向きに印加しながら記録
媒体にレーザビームを照射し、記録層２２の磁化方向が
反転する温度以上に昇温することによって記録層２２の
磁化を下向きにする。
【００８４】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では、再生層１８と制御層２
０′は面内磁化膜となるので、記録層２２は再生層１８
及び制御層２０′と磁気的に結合していない状態にな
る。
室温まで降温される。室温では、再生層１８と制御層２
０′は面内磁化膜となるので、記録層２２は再生層１８
及び制御層２０′と磁気的に結合していない状態にな
る。
【００８５】次に図１５を参照して本実施態様のデータ
の書き込み方法を説明する。バイアス磁界Ｈｂを消去方
向とは逆向き、即ち上向きに印加しながら、データの書
き込み部分にのみ強いレーザビームを照射すると、デー
タが書き込まれた部分の磁化のみ上向きになる。
の書き込み方法を説明する。バイアス磁界Ｈｂを消去方
向とは逆向き、即ち上向きに印加しながら、データの書
き込み部分にのみ強いレーザビームを照射すると、デー
タが書き込まれた部分の磁化のみ上向きになる。
【００８６】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では、再生層１８と制御層２
０′は面内磁化膜となるので、記録層２２は再生層１８
及び制御層２０′と磁気的に結合していない状態にな
る。
室温まで降温される。室温では、再生層１８と制御層２
０′は面内磁化膜となるので、記録層２２は再生層１８
及び制御層２０′と磁気的に結合していない状態にな
る。
【００８７】次に図１６を参照して本実施態様のシング
ルマスク再生方法について説明する。記録媒体のトラッ
ク６４にレーザビームを照射すると、ビームスポット５
８内の温度がＴcopy以下の低温領域と、Ｔcopy以上で制
御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以下の高温領域が形成
される。
ルマスク再生方法について説明する。記録媒体のトラッ
ク６４にレーザビームを照射すると、ビームスポット５
８内の温度がＴcopy以下の低温領域と、Ｔcopy以上で制
御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以下の高温領域が形成
される。
【００８８】従って、ビームスポット５８内に再生層１
８の磁化方向が面内方向を向く面内マスク６０と、記録
層２２の磁化方向が制御層２０′及び再生層１８に転写
される開口部６２が形成される。この状態は上述した特
開平５−８１７１７号のデータ再生時の状態に類似して
おり、開口部６２を介して光磁気信号を読み出すことが
できる。
８の磁化方向が面内方向を向く面内マスク６０と、記録
層２２の磁化方向が制御層２０′及び再生層１８に転写
される開口部６２が形成される。この状態は上述した特
開平５−８１７１７号のデータ再生時の状態に類似して
おり、開口部６２を介して光磁気信号を読み出すことが
できる。
【００８９】再生レーザパワーを更に上げると、図１７
に示したようにビームスポット５８内に再生層１８の磁
化が面内方向を向く低温領域と、記録層２２の磁化が交
換結合によって制御層２０′及び再生層１８に転写され
る中間温度領域と、制御層２０′のキュリー温度以上の
高温領域が形成される。
に示したようにビームスポット５８内に再生層１８の磁
化が面内方向を向く低温領域と、記録層２２の磁化が交
換結合によって制御層２０′及び再生層１８に転写され
る中間温度領域と、制御層２０′のキュリー温度以上の
高温領域が形成される。
【００９０】ビームスポット５８内の低温領域では制御
層２０′の磁化方向は記録層２２と交換結合して垂直方
向を向くが、再生層１８の磁化容易方向は未だ面内方向
であるため、面内マスク６０が形成される。
層２０′の磁化方向は記録層２２と交換結合して垂直方
向を向くが、再生層１８の磁化容易方向は未だ面内方向
であるため、面内マスク６０が形成される。
【００９１】中間温度領域では、記録層２２の磁化方向
が交換結合により制御層２０′に転写され、さらに制御
層２０′の磁化方向が交換結合により再生層１８に転写
されるため、開口部６２が形成される。
が交換結合により制御層２０′に転写され、さらに制御
層２０′の磁化方向が交換結合により再生層１８に転写
されるため、開口部６２が形成される。
【００９２】高温領域では制御層２０′のキュリー温度
以上に加熱されるため、制御層２０′の磁化が消失し、
再生層１８と記録層２２とが磁気的な結合を断たれるこ
とになる。従って、再生層１８はバイアス磁界Ｈｒ方向
に磁化され、アップスピンマスク６８が形成される。
以上に加熱されるため、制御層２０′の磁化が消失し、
再生層１８と記録層２２とが磁気的な結合を断たれるこ
とになる。従って、再生層１８はバイアス磁界Ｈｒ方向
に磁化され、アップスピンマスク６８が形成される。
【００９３】本実施態様のデータ再生方法では、再生用
バイアス磁界Ｈｒを印加しなくても、データの再生が可
能な場合がある。即ち、温度が制御層２０′のキュリー
温度Ｔｃ２以上の高温領域では再生層１８と記録層２２
は交換結合をしていない。この状態で、再生層１８の記
録マークが非常に小さい場合、再生層の磁化方向はマー
クの周りの磁化方向に向く。
バイアス磁界Ｈｒを印加しなくても、データの再生が可
能な場合がある。即ち、温度が制御層２０′のキュリー
温度Ｔｃ２以上の高温領域では再生層１８と記録層２２
は交換結合をしていない。この状態で、再生層１８の記
録マークが非常に小さい場合、再生層の磁化方向はマー
クの周りの磁化方向に向く。
【００９４】換言すると、Ｔ＞Ｔｃ２の高温領域では、
再生層１８に転写されていたマークは周りの磁気的な影
響を受けて自然に消滅してしまう。つまり、再生用の磁
界を用いることなく、高温領域にマスクが形成される。
再生層１８に転写されていたマークは周りの磁気的な影
響を受けて自然に消滅してしまう。つまり、再生用の磁
界を用いることなく、高温領域にマスクが形成される。
【００９５】従って、光磁気信号を差動検出した場合、
低温領域は磁気光学的にマスクとして働き、中間温度領
域では記録層２２の情報が再生層１８に転写され、高温
領域では磁気光学的にマスクとして働くのでダブルマス
クの間の中間温度領域だけが開口部となり、磁気超解像
再生が可能となる。
低温領域は磁気光学的にマスクとして働き、中間温度領
域では記録層２２の情報が再生層１８に転写され、高温
領域では磁気光学的にマスクとして働くのでダブルマス
クの間の中間温度領域だけが開口部となり、磁気超解像
再生が可能となる。
【００９６】図１８を参照すると、本発明第５実施態様
の光磁気記録媒体の構成が示されている。本実施態様の
光磁気記録媒体１２′は図１に示した第１実施態様の光
磁気記録媒体１２の誘電体層１６と磁性再生層１８との
間に磁性再生補助層１７を介装したものである。
の光磁気記録媒体の構成が示されている。本実施態様の
光磁気記録媒体１２′は図１に示した第１実施態様の光
磁気記録媒体１２の誘電体層１６と磁性再生層１８との
間に磁性再生補助層１７を介装したものである。
【００９７】磁性再生補助層１７は制御層２０及び記録
層２２と同様に垂直方向の磁化容易軸を有している。再
生層１８は室温において面内方向の磁化容易軸を有して
おり、好ましくは再生ビームパワーが照射された所定温
度以上で磁化容易軸が垂直方向に変化する。
層２２と同様に垂直方向の磁化容易軸を有している。再
生層１８は室温において面内方向の磁化容易軸を有して
おり、好ましくは再生ビームパワーが照射された所定温
度以上で磁化容易軸が垂直方向に変化する。
【００９８】再生補助層１７、再生層１８、制御層２０
及び記録層２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ
２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温における保磁力をそれぞ
れＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４とすると、各磁性層
のキュリー温度は次の条件を満たす必要がある。
及び記録層２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ
２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温における保磁力をそれぞ
れＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４とすると、各磁性層
のキュリー温度は次の条件を満たす必要がある。
【００９９】 Ｔｃ１＞Ｔｃ３，Ｔｃ２＞Ｔｃ３及びＴｃ４＞Ｔｃ３、 好ましくはＴｃ１＞Ｔｃ４＞Ｔｃ３及び Ｔｃ２＞Ｔｃ４＞Ｔｃ３ 再生補助層１７は再生信号を大きくするためにキュリー
温度を高くする。再生層１８は室温では飽和磁化の値を
大きくして面内磁化膜となり、再生パワーによって昇温
される媒体上の温度付近では垂直磁化膜となる必要があ
るために、ある程度キュリー温度を高くする。
温度を高くする。再生層１８は室温では飽和磁化の値を
大きくして面内磁化膜となり、再生パワーによって昇温
される媒体上の温度付近では垂直磁化膜となる必要があ
るために、ある程度キュリー温度を高くする。
【０１００】制御層２０は再生パワーによって昇温され
る媒体上の温度付近で再生層１８と記録層２２の交換結
合力を切断する役割を担っているために、記録層２２の
キュリー温度以下に設定する。記録層２２は再生パワー
によって昇温される媒体上の温度付近でも信号が消滅し
ないために制御層２０のキュリー温度以上になるよう
に、キュリー温度を設定する。
る媒体上の温度付近で再生層１８と記録層２２の交換結
合力を切断する役割を担っているために、記録層２２の
キュリー温度以下に設定する。記録層２２は再生パワー
によって昇温される媒体上の温度付近でも信号が消滅し
ないために制御層２０のキュリー温度以上になるよう
に、キュリー温度を設定する。
【０１０１】また、各磁性層の室温における保磁力は次
の条件を満たす必要がある。 Ｈｃ４＞Ｈｃ３ Ｈｃ４＞Ｈｃ１ 室温において、記録層２２の磁化方向は外部磁界によっ
て反転してはならないので、保磁力が大きいことが望ま
れる。従って、記録層２２の保磁力が一番大きくなる。
また、再生補助層１７の磁化方向はバイアス磁界によっ
て反転しなければならないので、小さくする必要があ
る。制御層２０は室温において記録層２２と完全に交換
結合するためにも記録層２２の保磁力より小さくなくて
はならない。
の条件を満たす必要がある。 Ｈｃ４＞Ｈｃ３ Ｈｃ４＞Ｈｃ１ 室温において、記録層２２の磁化方向は外部磁界によっ
て反転してはならないので、保磁力が大きいことが望ま
れる。従って、記録層２２の保磁力が一番大きくなる。
また、再生補助層１７の磁化方向はバイアス磁界によっ
て反転しなければならないので、小さくする必要があ
る。制御層２０は室温において記録層２２と完全に交換
結合するためにも記録層２２の保磁力より小さくなくて
はならない。
【０１０２】さらに、制御層２０と記録層２２とは、次
式で表されるように磁気的に結合していることが望まし
い。 Ｈｃ３＜σｗ／（２Ｍｓ３・ｈ３） ただし、Ｍｓ３は制御層２０の飽和磁化の値、ｈ３は制
御層２０の膜厚、σｗは制御層２０と記録層２２との間
の磁壁エネルギーをそれぞれ示している。制御層２０と
記録層２２が完全に交換結合をするために、この条件を
満たすことが望ましい。
式で表されるように磁気的に結合していることが望まし
い。 Ｈｃ３＜σｗ／（２Ｍｓ３・ｈ３） ただし、Ｍｓ３は制御層２０の飽和磁化の値、ｈ３は制
御層２０の膜厚、σｗは制御層２０と記録層２２との間
の磁壁エネルギーをそれぞれ示している。制御層２０と
記録層２２が完全に交換結合をするために、この条件を
満たすことが望ましい。
【０１０３】図１９は第５実施態様の記録媒体において
データが消去された状態を示している。即ち、光磁気記
録媒体１２′にレーザビームを照射することによって記
録層２２のキュリー温度以上まで記録媒体を加熱し、バ
イアス磁界Ｈｂを下向き又は上向きに印加するとデータ
が消去される。
データが消去された状態を示している。即ち、光磁気記
録媒体１２′にレーザビームを照射することによって記
録層２２のキュリー温度以上まで記録媒体を加熱し、バ
イアス磁界Ｈｂを下向き又は上向きに印加するとデータ
が消去される。
【０１０４】ここで再生層１８の磁化方向の矢印は左方
向を向いているが、これは便宜上このように示したもの
であり、面内方向の特定方向に限定されるものではな
い。図２０はバイアス磁界Ｈｂをデータの消去時と反対
方向に印加しながら、ライトパワーのレーザビームを照
射して光磁気記録媒体にデータを書き込んだ状態を示し
ている。
向を向いているが、これは便宜上このように示したもの
であり、面内方向の特定方向に限定されるものではな
い。図２０はバイアス磁界Ｈｂをデータの消去時と反対
方向に印加しながら、ライトパワーのレーザビームを照
射して光磁気記録媒体にデータを書き込んだ状態を示し
ている。
【０１０５】即ち、バイアス磁界Ｈｂの方向を上向きに
して、記録層２２のキュリー温度付近まで記録媒体を加
熱すると、記録層２２の磁化方向は上向きとなる。この
とき制御層２０はキュリー温度以上まで加熱されるので
磁化は消滅し、再生補助層１７及び再生層１８の磁化方
向はバイアス磁界Ｈｂと同方向を向く。
して、記録層２２のキュリー温度付近まで記録媒体を加
熱すると、記録層２２の磁化方向は上向きとなる。この
とき制御層２０はキュリー温度以上まで加熱されるので
磁化は消滅し、再生補助層１７及び再生層１８の磁化方
向はバイアス磁界Ｈｂと同方向を向く。
【０１０６】温度が下がって制御層２０のキュリー温度
以下になると、制御層２０は記録層２２と交換結合する
のでその磁化方向は上向きとなる。さらに温度が下がる
と再生層１８は飽和磁化の値が大きくなるので、その磁
化方向は面内方向を向く。従って、記録パワーが照射さ
れた領域では、再生補助層１７、制御層２０及び記録層
２２の磁化方向は全て上向きとなる。
以下になると、制御層２０は記録層２２と交換結合する
のでその磁化方向は上向きとなる。さらに温度が下がる
と再生層１８は飽和磁化の値が大きくなるので、その磁
化方向は面内方向を向く。従って、記録パワーが照射さ
れた領域では、再生補助層１７、制御層２０及び記録層
２２の磁化方向は全て上向きとなる。
【０１０７】記録を行わない領域（即ち再生パワーに相
当するパワーが照射された領域）では、このレーザパワ
ーで制御層２０のキュリー温度以上に昇温されるので、
再生補助層１７及び再生層１８の磁化方向は共に上向き
となる。
当するパワーが照射された領域）では、このレーザパワ
ーで制御層２０のキュリー温度以上に昇温されるので、
再生補助層１７及び再生層１８の磁化方向は共に上向き
となる。
【０１０８】温度が下がると、再生補助層１７の磁化方
向は上向きのままであるが、再生層１８の磁化方向は面
内方向を向き、制御層２０と記録層２２の磁化方向はデ
ータを消去された状態である下方向を向く。
向は上向きのままであるが、再生層１８の磁化方向は面
内方向を向き、制御層２０と記録層２２の磁化方向はデ
ータを消去された状態である下方向を向く。
【０１０９】次に図２１を参照して、再生用バイアス磁
界Ｈｒを記録時のバイアス磁界の方向と同一方向である
上向きにかけたときの第４実施態様のデータの再生方法
について説明する。
界Ｈｒを記録時のバイアス磁界の方向と同一方向である
上向きにかけたときの第４実施態様のデータの再生方法
について説明する。
【０１１０】図２１（Ａ）に示すように記録媒体上にビ
ームスポット５８が形成され、それに伴い温度分布が形
成される。再生層１８の磁化が面内方向を向いている低
温領域では、再生補助層１７の磁化方向は再生用バイア
ス磁界Ｈｒの方向である上向きとなり、ビームスポット
５８内に上流側アップスピンマスク６８ａが形成され
る。
ームスポット５８が形成され、それに伴い温度分布が形
成される。再生層１８の磁化が面内方向を向いている低
温領域では、再生補助層１７の磁化方向は再生用バイア
ス磁界Ｈｒの方向である上向きとなり、ビームスポット
５８内に上流側アップスピンマスク６８ａが形成され
る。
【０１１１】再生層１８が制御層２０と交換結合する中
間温度領域では、記録層２２と制御層２０が交換結合
し、制御層２０と再生層１８が交換結合し、さらに再生
層１８と再生補助層１７が交換結合するので、再生補助
層１７には記録層２２の磁化方向が転写される。即ち、
ビームスポット５８内に記録データ読み出しのための開
口６２が形成される。
間温度領域では、記録層２２と制御層２０が交換結合
し、制御層２０と再生層１８が交換結合し、さらに再生
層１８と再生補助層１７が交換結合するので、再生補助
層１７には記録層２２の磁化方向が転写される。即ち、
ビームスポット５８内に記録データ読み出しのための開
口６２が形成される。
【０１１２】制御層２０のキュリー温度以上に加熱され
た高温領域では、制御層２０の磁化が消失し、再生補助
層１７と再生層１８の磁化方向は上向きとなり、ビーム
スポット５８内に下流側アップスピンマスク６８ｂが形
成される。
た高温領域では、制御層２０の磁化が消失し、再生補助
層１７と再生層１８の磁化方向は上向きとなり、ビーム
スポット５８内に下流側アップスピンマスク６８ｂが形
成される。
【０１１３】ビームスポット５８から外れて温度が下が
り制御層２０のキュリー温度以下になると、再生補助層
１７の磁化方向は上向きのままであるが、再生層１８の
磁化方向は面内方向を向き、制御層２０と記録層２２の
磁化方向は記録されていた状態に保たれる。
り制御層２０のキュリー温度以下になると、再生補助層
１７の磁化方向は上向きのままであるが、再生層１８の
磁化方向は面内方向を向き、制御層２０と記録層２２の
磁化方向は記録されていた状態に保たれる。
【０１１４】このように再生パワーを適当に調整する
と、ビームスポット５８内に低温領域、中間温度領域及
び高温領域が形成され、中間温度領域に開口部６２が形
成される。
と、ビームスポット５８内に低温領域、中間温度領域及
び高温領域が形成され、中間温度領域に開口部６２が形
成される。
【０１１５】低温領域と高温領域ではそれぞれ上流側ア
ップスピンマスク６８ａ、下流側アップスピンマスク６
８ｂが形成され、中間温度領域だけで光磁気信号を取り
出すことができ、磁気誘導超解像再生が可能となる。
ップスピンマスク６８ａ、下流側アップスピンマスク６
８ｂが形成され、中間温度領域だけで光磁気信号を取り
出すことができ、磁気誘導超解像再生が可能となる。
【０１１６】図２２は再生用バイアス磁界Ｈｒを下向き
にかけたときの第４実施態様のデータの再生方法を示し
ており、図２１の場合と同様に磁気誘導超解像再生が可
能となる。
にかけたときの第４実施態様のデータの再生方法を示し
ており、図２１の場合と同様に磁気誘導超解像再生が可
能となる。
【０１１７】この場合には、ビームスポット５８内に上
流側ダウンスピンマスク６８ａ′及び下流側ダウンスピ
ンマスク６８ｂ′が形成され、中間温度領域に開口部６
２が形成される。
流側ダウンスピンマスク６８ａ′及び下流側ダウンスピ
ンマスク６８ｂ′が形成され、中間温度領域に開口部６
２が形成される。
【０１１８】第１乃至第４実施態様の光磁気記録媒体で
は、磁性再生層１８の面内マスク６０と開口部６２の境
界で磁化が面内方向から垂直方向に向く遷移領域が比較
的広いためノイズが大きくなり、再生出力のＣ／Ｎが余
り大きくとれない。
は、磁性再生層１８の面内マスク６０と開口部６２の境
界で磁化が面内方向から垂直方向に向く遷移領域が比較
的広いためノイズが大きくなり、再生出力のＣ／Ｎが余
り大きくとれない。
【０１１９】しかし、図１８に示した第５実施態様の光
磁気記録媒体では、記録された情報を再生する再生補助
層１７が垂直磁化膜であるため、磁化が上向きから下向
きに反転する遷移領域が狭くノイズが小さいために、再
生出力のＣ／Ｎを向上することが可能となる。
磁気記録媒体では、記録された情報を再生する再生補助
層１７が垂直磁化膜であるため、磁化が上向きから下向
きに反転する遷移領域が狭くノイズが小さいために、再
生出力のＣ／Ｎを向上することが可能となる。
【０１２０】次に図２３を参照して、本発明第６実施態
様の記録媒体の構成について説明する。本実施態様の説
明において、上述した第１乃至第５実施態様と実質的に
同一構成部分については同一符号を付し、重複を避ける
ためその説明を省略する。
様の記録媒体の構成について説明する。本実施態様の説
明において、上述した第１乃至第５実施態様と実質的に
同一構成部分については同一符号を付し、重複を避ける
ためその説明を省略する。
【０１２１】誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８′が積層されている。磁性再生層１８′は基板１４に
対して垂直方向に磁化容易軸を有している。
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８′が積層されている。磁性再生層１８′は基板１４に
対して垂直方向に磁化容易軸を有している。
【０１２２】磁性再生層１８′上にはＧｄＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性制御
層２０′が積層されている。磁性制御層２０′は、室温
では面内方向に磁化容易軸を有している。好ましくは、
磁性制御層２０′の磁化容易軸は、再生ビームパワーで
昇温される所定温度以上では面内方向から垂直方向に変
化する。
希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性制御
層２０′が積層されている。磁性制御層２０′は、室温
では面内方向に磁化容易軸を有している。好ましくは、
磁性制御層２０′の磁化容易軸は、再生ビームパワーで
昇温される所定温度以上では面内方向から垂直方向に変
化する。
【０１２３】再生層１８′，制御層２０′及び記録層２
２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３と
すると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ２＜Ｔｃ１及び
Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしている。
２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３と
すると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ２＜Ｔｃ１及び
Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしている。
【０１２４】また再生層１８′及び記録層２２の室温に
おける保磁力をＨｃ１及びＨｃ３とすると、Ｈｃ１＜Ｈ
ｃ３の関係を満たす必要がある。再生層１８′はＴｂＧ
ｄＦｅＣｏの非晶質合金膜から形成することができ、制
御層２０′はＧｄＦｅの非晶質合金膜から形成すること
が可能である。また、好ましくは、制御層２０′にはＳ
ｉ，Ａｌ，Ｔｉからなる群から選択される非磁性材料が
添加される。
おける保磁力をＨｃ１及びＨｃ３とすると、Ｈｃ１＜Ｈ
ｃ３の関係を満たす必要がある。再生層１８′はＴｂＧ
ｄＦｅＣｏの非晶質合金膜から形成することができ、制
御層２０′はＧｄＦｅの非晶質合金膜から形成すること
が可能である。また、好ましくは、制御層２０′にはＳ
ｉ，Ａｌ，Ｔｉからなる群から選択される非磁性材料が
添加される。
【０１２５】次に図２４を参照して、本実施態様のデー
タの消去方法を説明する。バイアス磁界Ｈｂを下向きに
印加しながらレーザビームを記録媒体に照射し、記録層
２２のキュリー温度以上に昇温することによって記録層
２２の磁化方向を下向きにする。
タの消去方法を説明する。バイアス磁界Ｈｂを下向きに
印加しながらレーザビームを記録媒体に照射し、記録層
２２のキュリー温度以上に昇温することによって記録層
２２の磁化方向を下向きにする。
【０１２６】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では制御層２０′は面内磁化
膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合し
ていない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は消
去用バイアス磁界程度の小さな磁界で下向きに揃う。
室温まで降温される。室温では制御層２０′は面内磁化
膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合し
ていない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は消
去用バイアス磁界程度の小さな磁界で下向きに揃う。
【０１２７】次に図２５を参照して、本実施態様のデー
タの書き込み方法について説明する。バイアス磁界Ｈｂ
を消去方向とは逆向き、即ち上向きに印加しながら、記
録部分にのみ強いレーザビームを照射すると、データが
記録された部分の磁化のみ上向きになる。
タの書き込み方法について説明する。バイアス磁界Ｈｂ
を消去方向とは逆向き、即ち上向きに印加しながら、記
録部分にのみ強いレーザビームを照射すると、データが
記録された部分の磁化のみ上向きになる。
【０１２８】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では、制御層２０′は面内磁
化膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合
していない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は
バイアス磁界程度の小さな磁界で上向きに揃う。
室温まで降温される。室温では、制御層２０′は面内磁
化膜となり、再生層１８′と記録層２２は磁気的に結合
していない状態になる。従って、再生層１８′の磁化は
バイアス磁界程度の小さな磁界で上向きに揃う。
【０１２９】次に図２６を参照して、本実施態様におけ
るデータのシングルマスク再生方法について説明する。
トラック６４上に照射されたビームスポット５８内には
温度がＴcopy以下の低温領域と、Ｔcopy以上で制御層２
０′のキュリー温度Ｔｃ２以下の高温領域が形成され
る。
るデータのシングルマスク再生方法について説明する。
トラック６４上に照射されたビームスポット５８内には
温度がＴcopy以下の低温領域と、Ｔcopy以上で制御層２
０′のキュリー温度Ｔｃ２以下の高温領域が形成され
る。
【０１３０】ビームスポット５８内の低温領域ではアッ
プスピンマスク６０が形成され、高温領域では開口部６
２が形成される。この状態は上述した特開平５−８１７
１７号のデータ再生時の状態に類似しており、開口部６
２を介して光磁気信号を読み出すことができる。
プスピンマスク６０が形成され、高温領域では開口部６
２が形成される。この状態は上述した特開平５−８１７
１７号のデータ再生時の状態に類似しており、開口部６
２を介して光磁気信号を読み出すことができる。
【０１３１】再生レーザパワーを更に上げると、図２７
に示したようにビームスポット５８内に再生層１８′の
磁化が再生バイアス磁界Ｈｒ方向を向く低温領域と、記
録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０′及び再
生層１８′に転写される中間温度領域と、制御層２０′
のキュリー温度Ｔｃ２以上の高温領域が形成される。
に示したようにビームスポット５８内に再生層１８′の
磁化が再生バイアス磁界Ｈｒ方向を向く低温領域と、記
録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０′及び再
生層１８′に転写される中間温度領域と、制御層２０′
のキュリー温度Ｔｃ２以上の高温領域が形成される。
【０１３２】低温領域及び高温領域では、再生層１８′
の磁化方向がバイアス磁界Ｈｒに揃うアップスピンマス
ク６０，６８が形成され、２つのアップスピンマスク６
０，６８の間の中間温度領域に開口部６２が形成され
る。
の磁化方向がバイアス磁界Ｈｒに揃うアップスピンマス
ク６０，６８が形成され、２つのアップスピンマスク６
０，６８の間の中間温度領域に開口部６２が形成され
る。
【０１３３】アップスピンマスク部６８では、記録媒体
が制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上に加熱されて
いるため、制御層２０′の磁化が無くなり、再生層１
８′と記録層２２は磁気的に結合していない状態であ
る。
が制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上に加熱されて
いるため、制御層２０′の磁化が無くなり、再生層１
８′と記録層２２は磁気的に結合していない状態であ
る。
【０１３４】従って、再生層１８′は室温で保磁力が小
さいことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの
方向を向くことになる。即ち、制御層２０′のキュリー
温度以上の温度領域では、再生層１８′の磁化は常に上
向きとなり、光磁気信号は出力されず一種のマスクとし
て機能する。
さいことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの
方向を向くことになる。即ち、制御層２０′のキュリー
温度以上の温度領域では、再生層１８′の磁化は常に上
向きとなり、光磁気信号は出力されず一種のマスクとし
て機能する。
【０１３５】従って、特開平５−８１７１７号に記載さ
れた従来方法に比較して非常に小さな開口部６２を形成
することができる。更に、ビームスポットの端に比べて
相対的にレーザ強度が強いビームスポット中心部に開口
部６２が形成されるので、大きな光磁気信号を得ること
ができる。
れた従来方法に比較して非常に小さな開口部６２を形成
することができる。更に、ビームスポットの端に比べて
相対的にレーザ強度が強いビームスポット中心部に開口
部６２が形成されるので、大きな光磁気信号を得ること
ができる。
【０１３６】実施例１ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅ，Ｇｄ
ＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．３μｍのトラック
ピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、スパ
ッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引
きした。
ＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．３μｍのトラック
ピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、スパ
ッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引
きした。
【０１３７】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｍｎ
の窒化珪素（ＳｉＮ）をＤＣスパッタリング法で製膜し
た。この膜は磁性層を酸化から保護する役目だけでな
く、光磁気信号を増大させるエンハンス効果も有してい
る。
の窒化珪素（ＳｉＮ）をＤＣスパッタリング法で製膜し
た。この膜は磁性層を酸化から保護する役目だけでな
く、光磁気信号を増大させるエンハンス効果も有してい
る。
【０１３８】ガス圧：０．２Ｐａ スパッタリングガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝７：３ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ，Ｔｂ
Ｆｅ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法で連続
的に製膜した。
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ，Ｔｂ
Ｆｅ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法で連続
的に製膜した。
【０１３９】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表１に示す通りで
ある。
ある。
【０１４０】
【表１】
【０１４１】表１でＲＥは希土類を示し、ＴＭは遷移金
属を示している。さらに、記録層の上に１００ｎｍの膜
厚を有する保護層としての窒化珪素を上記と同様の方法
で製膜した。この窒化珪素膜は磁性膜を酸化から防止す
る役目をする。
属を示している。さらに、記録層の上に１００ｎｍの膜
厚を有する保護層としての窒化珪素を上記と同様の方法
で製膜した。この窒化珪素膜は磁性膜を酸化から防止す
る役目をする。
【０１４２】このようにして製造した光磁気ディスクの
記録特性を図４に示した装置を用いて調べた。使用した
レーザの波長は７８０ｎｍである。まず、光磁気ディス
クを全面消去、即ち初期化した。このときのレーザパワ
ーは９ｍＷとし、上向きのバイアス磁界を印加した。
記録特性を図４に示した装置を用いて調べた。使用した
レーザの波長は７８０ｎｍである。まず、光磁気ディス
クを全面消去、即ち初期化した。このときのレーザパワ
ーは９ｍＷとし、上向きのバイアス磁界を印加した。
【０１４３】情報の記録はディスクを線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら初期化のときと反対方向の下向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。
で回転させながら初期化のときと反対方向の下向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。
【０１４４】次に、この光磁気ディスクの再生特性を調
べた。このとき印加する再生用バイアス磁界は上向きと
した。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号
に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これはビ
ームスポット内全域に面内マスクが形成されているため
と思われる。
べた。このとき印加する再生用バイアス磁界は上向きと
した。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号
に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これはビ
ームスポット内全域に面内マスクが形成されているため
と思われる。
【０１４５】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０を介して再生層１８に転写され、
光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビーム
スポット内で記録層２２の磁化方向が再生層１８に転写
される温度以上の領域ができたために、面内マスク６０
と開口部６２が形成されたためと思われる。このときの
信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）は３５ｄＢであった。
磁化方向が制御層２０を介して再生層１８に転写され、
光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビーム
スポット内で記録層２２の磁化方向が再生層１８に転写
される温度以上の領域ができたために、面内マスク６０
と開口部６２が形成されたためと思われる。このときの
信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）は３５ｄＢであった。
【０１４６】再生パワー１．７ｍＷでは、ビームスポッ
ト内に再生層１８の磁化が面内方向を向く低温領域と、
記録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０を介し
て再生層１８に転写される中間温度領域と、制御層２０
のキュリー温度以上の高温領域とが形成された。
ト内に再生層１８の磁化が面内方向を向く低温領域と、
記録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０を介し
て再生層１８に転写される中間温度領域と、制御層２０
のキュリー温度以上の高温領域とが形成された。
【０１４７】低温領域では面内マスク６０が形成され、
高温領域では再生層１８の磁化がバイアス磁界の方向、
即ち上方に向き、アップスピンマスク６８が形成され、
面内マスク６０とアップスピンマスク６８の間が光磁気
信号を出力できる開口部６２となったため、４２ｄＢの
Ｃ／Ｎを得ることができた。
高温領域では再生層１８の磁化がバイアス磁界の方向、
即ち上方に向き、アップスピンマスク６８が形成され、
面内マスク６０とアップスピンマスク６８の間が光磁気
信号を出力できる開口部６２となったため、４２ｄＢの
Ｃ／Ｎを得ることができた。
【０１４８】実施例２ 制御層２０の組成以外は実施例１と同じ構成とし、同様
な製膜方法で光磁気ディスクを作製した。制御層の組成
はＤｙ30Ｆｅ70とし、キュリー温度は約１５０℃、室温
においては面内磁化膜であった。
な製膜方法で光磁気ディスクを作製した。制御層の組成
はＤｙ30Ｆｅ70とし、キュリー温度は約１５０℃、室温
においては面内磁化膜であった。
【０１４９】この光磁気ディスクの記録特性を調べた。
測定は実施例１と同様な条件で行った。その結果、再生
パワー１．７ｍＷで、ビームスポット内に低温領域と、
中間温度領域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温
領域とが形成された。
測定は実施例１と同様な条件で行った。その結果、再生
パワー１．７ｍＷで、ビームスポット内に低温領域と、
中間温度領域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温
領域とが形成された。
【０１５０】低温領域では面内マスク６０が形成され、
高温領域では再生層１８の磁化はバイアス磁界の方向、
即ち上方向を向き、ビームスポット内にアップスピンマ
スク６８が形成された。
高温領域では再生層１８の磁化はバイアス磁界の方向、
即ち上方向を向き、ビームスポット内にアップスピンマ
スク６８が形成された。
【０１５１】面内マスク６０とアップスピンマスク６８
の間が光磁気信号を出力できる開口部６２となったた
め、４２ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。 実施例３ 実施例１と同様な積層構造を有する光磁気ディスクの再
生層１８と制御層２０の間に非磁性中間層２６としての
ＳｉＮを１〜１０ｎｍの間で膜厚を変えた光磁気ディス
クを作製した。記録特性の測定は実施例１と同様な条件
で行った。
の間が光磁気信号を出力できる開口部６２となったた
め、４２ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。 実施例３ 実施例１と同様な積層構造を有する光磁気ディスクの再
生層１８と制御層２０の間に非磁性中間層２６としての
ＳｉＮを１〜１０ｎｍの間で膜厚を変えた光磁気ディス
クを作製した。記録特性の測定は実施例１と同様な条件
で行った。
【０１５２】その結果、上記の範囲内の膜厚の中間層を
使用した場合には、記録層２２の漏れ磁界によって再生
層１８が静磁気的に結合をすることが判明した。実施例
１と同様に、再生パワーが１．５ｍＷでは光磁気信号出
力は零であり、１．６ｍＷではビームスポット内の下流
側が開口し、光磁気信号出力として３７ｄＢが得られ
た。再生パワーが１．８ｍＷでは４７ｄＢが得られた。
使用した場合には、記録層２２の漏れ磁界によって再生
層１８が静磁気的に結合をすることが判明した。実施例
１と同様に、再生パワーが１．５ｍＷでは光磁気信号出
力は零であり、１．６ｍＷではビームスポット内の下流
側が開口し、光磁気信号出力として３７ｄＢが得られ
た。再生パワーが１．８ｍＷでは４７ｄＢが得られた。
【０１５３】また、非磁性中間層２６を制御層２０と記
録層２２の間に設けた場合にも、非磁性中間層２６の膜
厚１〜１０ｎｍの範囲内で、再生パワー１．８ｍＷで光
磁気信号出力４７ｄＢが得られた。
録層２２の間に設けた場合にも、非磁性中間層２６の膜
厚１〜１０ｎｍの範囲内で、再生パワー１．８ｍＷで光
磁気信号出力４７ｄＢが得られた。
【０１５４】実施例４ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅ及びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラック
ピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、スパ
ッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引
きした。
ＧｄＦｅ及びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラック
ピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、スパ
ッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引
きした。
【０１５５】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性層を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性層を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。
【０１５６】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバ内を１０-5Ｐａまで真空引きし、以
下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦ
ｅ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法で連続的
に製膜した。
下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦ
ｅ，ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング法で連続的
に製膜した。
【０１５７】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表２に示す通りで
ある。
ある。
【０１５８】
【表２】
【０１５９】更に、記録層の上に１００ｎｍの膜厚を有
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。この窒
化珪素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。この
ようにして製造した光磁気ディスクの記録特性を図４に
示した装置を用いて調べた。使用したレーザの波長は７
８０ｎｍである。まず、光磁気ディスクを全面消去、即
ち初期化した。このときのレーザーパワーは９ｍＷと
し、下向きのバイアス磁界を印加した。
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。この窒
化珪素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。この
ようにして製造した光磁気ディスクの記録特性を図４に
示した装置を用いて調べた。使用したレーザの波長は７
８０ｎｍである。まず、光磁気ディスクを全面消去、即
ち初期化した。このときのレーザーパワーは９ｍＷと
し、下向きのバイアス磁界を印加した。
【０１６０】情報の記録は、ディスクを線速３ｍ／ｓｅ
ｃで回転させながら初期化の時と反対方向の上向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。
ｃで回転させながら初期化の時と反対方向の上向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。
【０１６１】次に、この光磁気ディスクの再生特性を調
べた。この時印加する再生用バイアス磁界は下向きと
し、磁界の大きさを３００Ｏｅとした。再生パワー１．
５ｍＷでは、先に記録された信号に対する光磁気信号の
出力は得られなかった。これはビームスポット内全域に
面内マスクが形成されているためと思われる。
べた。この時印加する再生用バイアス磁界は下向きと
し、磁界の大きさを３００Ｏｅとした。再生パワー１．
５ｍＷでは、先に記録された信号に対する光磁気信号の
出力は得られなかった。これはビームスポット内全域に
面内マスクが形成されているためと思われる。
【０１６２】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内に記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８に転写される温度以上の領域ができ
たために、面内マスク６０と開口部６２が形成されたた
めと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）
は４２ｄＢであった。
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内に記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８に転写される温度以上の領域ができ
たために、面内マスク６０と開口部６２が形成されたた
めと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）
は４２ｄＢであった。
【０１６３】再生パワー１．７ｍＷでは、再生層１８の
磁化はビームスポット内の低温領域では面内方向に向
き、再生層１８及び制御層２０′が記録層２２と交換結
合する領域（開口部）の直径が０．４μｍ程度となった
ために、４５ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。
磁化はビームスポット内の低温領域では面内方向に向
き、再生層１８及び制御層２０′が記録層２２と交換結
合する領域（開口部）の直径が０．４μｍ程度となった
ために、４５ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。
【０１６４】更に、再生パワーを２ｍＷまで上昇させる
と、ビームスポット内に再生層１８の磁化が面内方向を
向く低温領域と、記録層２２の磁化が交換結合によって
制御層２０′を介して再生層１８に転写される中間温度
領域と、制御層２０′のキュリー温度以上の高温領域と
が形成された。
と、ビームスポット内に再生層１８の磁化が面内方向を
向く低温領域と、記録層２２の磁化が交換結合によって
制御層２０′を介して再生層１８に転写される中間温度
領域と、制御層２０′のキュリー温度以上の高温領域と
が形成された。
【０１６５】低温領域では面内マスク６０が形成され、
高温領域では再生層１８の磁化がバイアス磁界の方向、
即ち下方に向き、ダウンスピンマスク６８が形成され、
面内マスク６０とダウンスピンマスク６８の間が光磁気
信号を出力できる開口部６２となったため、４７ｄＢの
Ｃ／Ｎを得ることができた。次に、再生磁界に対するＣ
／Ｎの変化を調べた。その結果、再生磁界を印加しない
場合でも、４６．５ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。
これは、温度が制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上
の高温領域では、記録層２２のマークが転写されていた
再生層１８のマーク領域（磁化が反転している領域）が
昇温されたために消滅したためと思われる。これは、再
生層１８に使用したＧｄＦｅＣｏの磁気異方性が小さい
ために生じたと考えられる。
高温領域では再生層１８の磁化がバイアス磁界の方向、
即ち下方に向き、ダウンスピンマスク６８が形成され、
面内マスク６０とダウンスピンマスク６８の間が光磁気
信号を出力できる開口部６２となったため、４７ｄＢの
Ｃ／Ｎを得ることができた。次に、再生磁界に対するＣ
／Ｎの変化を調べた。その結果、再生磁界を印加しない
場合でも、４６．５ｄＢのＣ／Ｎを得ることができた。
これは、温度が制御層２０′のキュリー温度Ｔｃ２以上
の高温領域では、記録層２２のマークが転写されていた
再生層１８のマーク領域（磁化が反転している領域）が
昇温されたために消滅したためと思われる。これは、再
生層１８に使用したＧｄＦｅＣｏの磁気異方性が小さい
ために生じたと考えられる。
【０１６６】実施例５ 再生層１８の組成としてＲＥリッチ（希土類金属の磁気
モーメントが遷移金属の磁気モーメントより優勢である
組成）が適当かＴＭリッチ（希土類金属の磁気モーメン
トより遷移金属の磁気モーメントが優勢である組成）が
適当かどうかを調べた。
モーメントが遷移金属の磁気モーメントより優勢である
組成）が適当かＴＭリッチ（希土類金属の磁気モーメン
トより遷移金属の磁気モーメントが優勢である組成）が
適当かどうかを調べた。
【０１６７】この実験では、再生層１８の組成をＧｄＦ
ｅＣｏとし、ＧｄX （ＦｅＣｏ）1- X のＸを変化させ、
その他の磁性層は実施例４と同一の条件で光磁気ディス
クを作成し、再生特性を調べた。ここで、再生特性の評
価も実施例４と同一の条件で行った。その結果を表３に
示す。
ｅＣｏとし、ＧｄX （ＦｅＣｏ）1- X のＸを変化させ、
その他の磁性層は実施例４と同一の条件で光磁気ディス
クを作成し、再生特性を調べた。ここで、再生特性の評
価も実施例４と同一の条件で行った。その結果を表３に
示す。
【０１６８】
【表３】
【０１６９】表３から明らかなように、再生層１８をＧ
ｄＦｅＣｏとした場合、Ｇｄの含有量は２６ａｔ％〜３
５ａｔ％が好ましい。更に、再生層１８の組成はＲＥリ
ッチ組成が有効であることが判明した。
ｄＦｅＣｏとした場合、Ｇｄの含有量は２６ａｔ％〜３
５ａｔ％が好ましい。更に、再生層１８の組成はＲＥリ
ッチ組成が有効であることが判明した。
【０１７０】実施例６ 再生層１８の組成について検討を行った。通常の光磁気
ディスクで使用されているＴｂＦｅＣｏ膜又はＤｙＦｅ
Ｃｏ膜では本発明の原理を実行するために必要な条件を
満たさなかった。即ち、これらの非晶質合金膜では１０
０°Ｃ前後の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になる組
成を見つけることはできなかった。従って、再生層１８
の組成としては、ＧｄＦｅＣｏが適当である。
ディスクで使用されているＴｂＦｅＣｏ膜又はＤｙＦｅ
Ｃｏ膜では本発明の原理を実行するために必要な条件を
満たさなかった。即ち、これらの非晶質合金膜では１０
０°Ｃ前後の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜になる組
成を見つけることはできなかった。従って、再生層１８
の組成としては、ＧｄＦｅＣｏが適当である。
【０１７１】実施例７ 制御層２０′について検討した。まず、ＧｄＦｅの組成
を変化させて、面内磁化膜から垂直磁化膜になる温度を
調べた。その結果を表４に示す。ここでは、磁性膜は石
英ガラス上にスパッタリング法によって製膜した。製膜
条件は以下の通りである。
を変化させて、面内磁化膜から垂直磁化膜になる温度を
調べた。その結果を表４に示す。ここでは、磁性膜は石
英ガラス上にスパッタリング法によって製膜した。製膜
条件は以下の通りである。
【０１７２】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ
【０１７３】
【表４】
【０１７４】以上の結果から、制御層２０′の組成とし
てＧｄの含有量が２６ａｔ％〜３５ａｔ％が適当である
ことが判明した。また、制御層２０′に使用される希土
類金属について調べた。その結果、ＴｂＦｅではキュリ
ー温度は１５０°Ｃ前後で、面内磁化膜から垂直磁化膜
になる温度が１００°Ｃ前後の組成は得られなかった。
てＧｄの含有量が２６ａｔ％〜３５ａｔ％が適当である
ことが判明した。また、制御層２０′に使用される希土
類金属について調べた。その結果、ＴｂＦｅではキュリ
ー温度は１５０°Ｃ前後で、面内磁化膜から垂直磁化膜
になる温度が１００°Ｃ前後の組成は得られなかった。
【０１７５】ＤｙＦｅはキュリー温度が１００°Ｃ以下
と低いが、Ｄｙ23Ｇｄ7 Ｆｅ70という組成でキュリー温
度が１３０°Ｃ前後になり、更に面内磁化膜から垂直磁
化膜になる温度が８０°Ｃ前後であるため、磁気超解像
光磁気ディスクに適当であることが判明した。
と低いが、Ｄｙ23Ｇｄ7 Ｆｅ70という組成でキュリー温
度が１３０°Ｃ前後になり、更に面内磁化膜から垂直磁
化膜になる温度が８０°Ｃ前後であるため、磁気超解像
光磁気ディスクに適当であることが判明した。
【０１７６】このことから、制御層２０′の組成として
はＧｄ及びＦｅ或いはＤｙ及びＦｅを含有していること
が非常に有効であることが判明した。制御層２０′のＧ
ｄＦｅに非磁性金属を添加した。これは、制御層２０′
のキュリー温度を下げることによって、記録層２２の磁
化が制御層２０′を介して再生層１８に転写される開口
部の温度範囲を狭めることを目的としている。
はＧｄ及びＦｅ或いはＤｙ及びＦｅを含有していること
が非常に有効であることが判明した。制御層２０′のＧ
ｄＦｅに非磁性金属を添加した。これは、制御層２０′
のキュリー温度を下げることによって、記録層２２の磁
化が制御層２０′を介して再生層１８に転写される開口
部の温度範囲を狭めることを目的としている。
【０１７７】実施例８ 実施例４と同一の方法で光磁気ディスクを作成した。制
御層２０′の組成は（Ｇｄ30Ｆｅ70）80Ｎｇ20である。
ここで、Ｎｇは非磁性金属である。この光磁気ディスク
の特性を表５に示す。
御層２０′の組成は（Ｇｄ30Ｆｅ70）80Ｎｇ20である。
ここで、Ｎｇは非磁性金属である。この光磁気ディスク
の特性を表５に示す。
【０１７８】
【表５】
【０１７９】以上の結果から、制御層２０′に非磁性材
料を添加することが有効であることが判明した。 実施例９ 制御層２０′に添加するＳｉの添加量について検討し
た。ここで、再生層１８、制御層２０′、記録層２２の
組成や膜圧は実施例４と同様である。即ち、制御層２
０′の組成はＧｄ30Ｆｅ70である。
料を添加することが有効であることが判明した。 実施例９ 制御層２０′に添加するＳｉの添加量について検討し
た。ここで、再生層１８、制御層２０′、記録層２２の
組成や膜圧は実施例４と同様である。即ち、制御層２
０′の組成はＧｄ30Ｆｅ70である。
【０１８０】この組成を有する制御層２０′にＳｉを添
加した。Ｓｉの添加量はＧｄＦｅからなる制御層のター
ゲット上に置くＳｉチップの数を変えることによって行
った。結果を表６に示す。
加した。Ｓｉの添加量はＧｄＦｅからなる制御層のター
ゲット上に置くＳｉチップの数を変えることによって行
った。結果を表６に示す。
【０１８１】
【表６】
【０１８２】この結果から、Ｓｉの量が０ａｔ％〜６０
ａｔ％の広い範囲で高いＣ／Ｎが得られることが判明し
た。Ｓｉの添加量が７０ａｔ％以上では、再生層１８と
記録層２２の交換結合力が小さくなるために、Ｃ／Ｎが
低下する。
ａｔ％の広い範囲で高いＣ／Ｎが得られることが判明し
た。Ｓｉの添加量が７０ａｔ％以上では、再生層１８と
記録層２２の交換結合力が小さくなるために、Ｃ／Ｎが
低下する。
【０１８３】実施例１０ スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅ、第１
のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲ
ットと、１．２μｍのトラックピッチを有するポリカー
ボネート基板をセットし、スパッタリング装置のチャン
バ内を１０-5Ｐａまで真空引きした。
のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲ
ットと、１．２μｍのトラックピッチを有するポリカー
ボネート基板をセットし、スパッタリング装置のチャン
バ内を１０-5Ｐａまで真空引きした。
【０１８４】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
の窒化珪素（ＳｉＮ）膜をＤＣスパッタリング法で製膜
した。この膜は磁性膜を酸化から保護する役目だけでな
く、光磁気信号を増大させるエンハンス効果を有してい
る。
の窒化珪素（ＳｉＮ）膜をＤＣスパッタリング法で製膜
した。この膜は磁性膜を酸化から保護する役目だけでな
く、光磁気信号を増大させるエンハンス効果を有してい
る。
【０１８５】ガス圧：０．２Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝７：３ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、
以下の条件で上記窒化珪素膜の上に第１のＧｄＦｅＣ
ｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏの順
にＤＣスパッタリング法で連続的に製膜した。
以下の条件で上記窒化珪素膜の上に第１のＧｄＦｅＣ
ｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏの順
にＤＣスパッタリング法で連続的に製膜した。
【０１８６】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表７に示す通りで
ある。
ある。
【０１８７】
【表７】
【０１８８】再生補助層、再生層、制御層及び記録層の
保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３及びＨｃ４と
すると、各磁性層の室温における保磁力の関係は、 Ｈｃ４＞Ｈｃ１；Ｈｃ４＞Ｈｃ３ である。さらに、記録層２２の上に保護膜２４として１
００ｎｍの膜厚を有する窒化珪素膜をＤＣスパッタリン
グ法で製膜した。
保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３及びＨｃ４と
すると、各磁性層の室温における保磁力の関係は、 Ｈｃ４＞Ｈｃ１；Ｈｃ４＞Ｈｃ３ である。さらに、記録層２２の上に保護膜２４として１
００ｎｍの膜厚を有する窒化珪素膜をＤＣスパッタリン
グ法で製膜した。
【０１８９】この光磁気ディスクの記録特性を調べた。
ここで用いたレーザの波長は７８０ｎｍである。まず、
光磁気ディスクに記録されている情報を全面消去し初期
化した。このときのレーザパワーは９ｍＷとし、バイア
ス磁界は下向きに印加した。
ここで用いたレーザの波長は７８０ｎｍである。まず、
光磁気ディスクに記録されている情報を全面消去し初期
化した。このときのレーザパワーは９ｍＷとし、バイア
ス磁界は下向きに印加した。
【０１９０】情報の記録は、ディスクを線速３ｍ／ｓｅ
ｃで回転させながら上向きの記録用バイアス磁界を印加
して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５ＭＨｚ、発光デ
ューティ比２６％で行った。光磁気ディスクに記録され
たマークの長さは約０．４μｍである。
ｃで回転させながら上向きの記録用バイアス磁界を印加
して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．５ＭＨｚ、発光デ
ューティ比２６％で行った。光磁気ディスクに記録され
たマークの長さは約０．４μｍである。
【０１９１】次に、この光磁気ディスクの再生特性を調
べた。このときのバイアス磁界は上向きに印加した。再
生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号に対する
光磁気信号の出力は得られなかった。これは、ビームス
ポット内の再生補助層１７全域がアップスピンマスクを
形成しているためと思われる。
べた。このときのバイアス磁界は上向きに印加した。再
生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号に対する
光磁気信号の出力は得られなかった。これは、ビームス
ポット内の再生補助層１７全域がアップスピンマスクを
形成しているためと思われる。
【０１９２】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０及び再生層１８を通して再生補助
層１７に転写され、光磁気信号の出力を得ることができ
た。これは、ビームスポット内で制御層２０の磁化方向
が再生層１８に転写される中間温度領域ができたため
に、アップスピンマスクと開口部が形成されたためと思
われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）は４４
ｄＢであった。
磁化方向が制御層２０及び再生層１８を通して再生補助
層１７に転写され、光磁気信号の出力を得ることができ
た。これは、ビームスポット内で制御層２０の磁化方向
が再生層１８に転写される中間温度領域ができたため
に、アップスピンマスクと開口部が形成されたためと思
われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／Ｎ）は４４
ｄＢであった。
【０１９３】再生パワー１．７ｍＷでは、ビームスポッ
ト内に再生層１８の磁化が面内方向を向く低温領域と、
記録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０及び再
生層１８を介して再生補助層１７に転写される中間温度
領域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温領域とが
形成された。
ト内に再生層１８の磁化が面内方向を向く低温領域と、
記録層２２の磁化が交換結合によって制御層２０及び再
生層１８を介して再生補助層１７に転写される中間温度
領域と、制御層２０のキュリー温度以上の高温領域とが
形成された。
【０１９４】低温領域と高温領域では、再生補助層１７
の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向を向き、ビー
ムスポット内に前側アップスピンマスク６８ａと後側ア
ップスピンマスク６８ｂが形成され、その間が光磁気信
号を出力できる開口部６２となったため、４９ｄＢのＣ
／Ｎを得ることができた。
の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向を向き、ビー
ムスポット内に前側アップスピンマスク６８ａと後側ア
ップスピンマスク６８ｂが形成され、その間が光磁気信
号を出力できる開口部６２となったため、４９ｄＢのＣ
／Ｎを得ることができた。
【０１９５】実施例１１ 再生補助層１７の組成及びキュリー温度を変え、その他
の条件は実施例１０と同様にして光磁気ディスクを作製
した。再生補助層１７の組成はＧｄ23Ｆｅ58Ｃｏ19であ
り、キュリー温度は３００℃であった。
の条件は実施例１０と同様にして光磁気ディスクを作製
した。再生補助層１７の組成はＧｄ23Ｆｅ58Ｃｏ19であ
り、キュリー温度は３００℃であった。
【０１９６】再生特性を実施例１０と同様な条件で測定
すると、再生パワー１．８ｍＷで４９ｄＢの出力を得る
ことができた。 実施例１２ 再生層１８′の組成について検討した。スパッタリング
装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧ
ｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラッ
クピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、ス
パッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空
引きした。
すると、再生パワー１．８ｍＷで４９ｄＢの出力を得る
ことができた。 実施例１２ 再生層１８′の組成について検討した。スパッタリング
装置内にＴｂＦｅＣｏ、第１のＧｄＦｅＣｏ、第２のＧ
ｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと１．２μｍのトラッ
クピッチを有するポリカーボネート基板をセットし、ス
パッタリング装置のチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空
引きした。
【０１９７】次に、以下の条件で基板上に膜圧７０ｎｍ
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性層を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性層を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。
【０１９８】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ第１の
ＧｄＦｅＣｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順
にＤＣスパッタリング法で連続的に製膜した。
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＧｄＦｅＣｏ第１の
ＧｄＦｅＣｏ、第２のＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順
にＤＣスパッタリング法で連続的に製膜した。
【０１９９】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表８に示す通りで
ある。
ある。
【０２００】
【表８】
【０２０１】更に、記録層の上に１００ｎｍの膜厚を有
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。窒化珪
素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。このよう
にして製造した光磁気ディスクの記録特性を図４に示し
た装置を用いて調べた。使用したレーザの波長は７８０
ｎｍである。まず、光磁気ディスクを全面消去、即ち初
期化した。このときのレーザパワーは９ｍＷとし、下向
きのバイアス磁界を印加した。
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。窒化珪
素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。このよう
にして製造した光磁気ディスクの記録特性を図４に示し
た装置を用いて調べた。使用したレーザの波長は７８０
ｎｍである。まず、光磁気ディスクを全面消去、即ち初
期化した。このときのレーザパワーは９ｍＷとし、下向
きのバイアス磁界を印加した。
【０２０２】情報の記録はディスクを線速３ｍ／ｓｅｃ
で回転させながら初期化のときと反対方向の上向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。
で回転させながら初期化のときと反対方向の上向きのバ
イアス磁界を印加して、記録パワー４ｍＷ、周波数７．
５ＭＨｚ、発光デューティ比２６％で行った。ディスク
上に記録されたマークの長さは約０．４μｍである。
【０２０３】次に、この光磁気ディスクの再生特性を調
べた。このとき印加する再生用バイアス磁界は上向きと
した。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号
に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これは再
生層１８′の全域がアップスピンマスクを形成している
ためと思われる。
べた。このとき印加する再生用バイアス磁界は上向きと
した。再生パワー１．５ｍＷでは、先に記録された信号
に対する光磁気信号の出力は得られなかった。これは再
生層１８′の全域がアップスピンマスクを形成している
ためと思われる。
【０２０４】再生パワー１．６ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域がで
きたために、アップスピンマスクと開口部が形成された
ためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／
Ｎ）は４２ｄＢであった。
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域がで
きたために、アップスピンマスクと開口部が形成された
ためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／
Ｎ）は４２ｄＢであった。
【０２０５】再生パワー１．７ｍＷでは、記録層２２の
磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御層
２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の直
径が０．４μｍ程度となったために、４６ｄＢのＣ／Ｎ
を得ることができた。
磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御層
２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の直
径が０．４μｍ程度となったために、４６ｄＢのＣ／Ｎ
を得ることができた。
【０２０６】次に、再生層１８′の組成を他の組成でも
十分使用できるか否かについて検討を行った。その結
果、再生層１８′がＴｂＦｅＣｏまたはＤｙＦｅＣｏか
らなる材料では、保磁力が大きくなるため、バイアス磁
界程度の大きさでは再生層１８′の磁化方向を初期化で
きず、超解像再生を行うことができなかった。
十分使用できるか否かについて検討を行った。その結
果、再生層１８′がＴｂＦｅＣｏまたはＤｙＦｅＣｏか
らなる材料では、保磁力が大きくなるため、バイアス磁
界程度の大きさでは再生層１８′の磁化方向を初期化で
きず、超解像再生を行うことができなかった。
【０２０７】実施例１３ 実施例１２では再生層１８′としてＧｄＦｅＣｏからな
る材料を使用した。しかし、ＧｄＦｅＣｏ膜は垂直磁気
異方性を示す組成マージンは広くなく、組成制御が難し
い場合がある。そこで本実施例では、ＧｄＦｅＣｏに垂
直磁気異方性を大きくできるＴｂをわずかに添加するこ
とを試みた。実験は以下のように行った。
る材料を使用した。しかし、ＧｄＦｅＣｏ膜は垂直磁気
異方性を示す組成マージンは広くなく、組成制御が難し
い場合がある。そこで本実施例では、ＧｄＦｅＣｏに垂
直磁気異方性を大きくできるＴｂをわずかに添加するこ
とを試みた。実験は以下のように行った。
【０２０８】スパッタリング装置内にＴｂＦｅＣｏ、Ｔ
ｂＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと
１．２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート
基板をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を
１０-5Ｐａまで真空引きした。
ｂＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ及びＳｉのターゲットと
１．２μｍのトラックピッチを有するポリカーボネート
基板をセットし、スパッタリング装置のチャンバー内を
１０-5Ｐａまで真空引きした。
【０２０９】次に、以下の条件で基板上に膜厚７０ｎｍ
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性膜を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。
の窒化珪素をＤＣスパッタリング法で製膜した。この膜
は磁性膜を酸化から保護する役目だけでなく、光磁気信
号を増大させるエンハンス効果も有している。
【０２１０】ガス圧：０．３Ｐａ スパッタガス：アルゴン、窒素 分圧：アルゴン：窒素＝６：４ 投入電力：０．８ｋＷ 次に、再びチャンバー内を１０-5Ｐａまで真空引きし、
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＴｂＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング
法で連続的に製膜した。
以下の条件で上記窒化珪素膜の上にＴｂＧｄＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの順にＤＣスパッタリング
法で連続的に製膜した。
【０２１１】ガス圧：０．５Ｐａ スパッタガス：アルゴン 投入電力：１ｋＷ 各磁性層の組成、膜厚及び磁気特性は表９に示す通りで
ある。
ある。
【０２１２】
【表９】
【０２１３】更に、記録層の上に１００ｎｍの膜厚を有
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。この窒
化珪素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。この
ようにして製造した光磁気ディスクの再生特性を実施例
１２と同様な条件で調べた。この時印加した再生用バイ
アス磁界は上向きとした。再生パワー１．４ｍＷでは、
先に記録された信号に対する光磁気信号の出力は得られ
なかった。これは、再生層１８′全域がアップスピンマ
スクを形成しているためと思われる。
する窒化珪素膜を上記と同様の方法で製膜した。この窒
化珪素膜は磁性膜を酸化から防止する役目をする。この
ようにして製造した光磁気ディスクの再生特性を実施例
１２と同様な条件で調べた。この時印加した再生用バイ
アス磁界は上向きとした。再生パワー１．４ｍＷでは、
先に記録された信号に対する光磁気信号の出力は得られ
なかった。これは、再生層１８′全域がアップスピンマ
スクを形成しているためと思われる。
【０２１４】再生パワー１．５ｍＷでは、記録層２２の
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域がで
きたために、アップスピンマスクと開口部が形成された
ためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／
Ｎ）は４２ｄＢであった。
磁化方向が制御層２０′を介して再生層１８′に転写さ
れ、光磁気信号の出力を得ることができた。これは、ビ
ームスポット内で記録層２２の磁化方向が制御層２０′
を介して再生層１８′に転写される温度以上の領域がで
きたために、アップスピンマスクと開口部が形成された
ためと思われる。このときの信号とノイズの比（Ｃ／
Ｎ）は４２ｄＢであった。
【０２１５】再生パワー１．６ｍＷでは、再生層１８′
の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御
層２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の
直径が０．４μｍ程度となったために４６ｄＢのＣ／Ｎ
を得ることができた。
の磁化はバイアス磁界の方向、即ち上方向に向き、制御
層２０′が記録層２２と交換結合する領域（開口部）の
直径が０．４μｍ程度となったために４６ｄＢのＣ／Ｎ
を得ることができた。
【０２１６】このＣ／Ｎは実施例１２とは変わらなかっ
た。これは、再生層１８′にＴｂを添加することによっ
て、磁気異方性が増大しノイズが低減した反面、ＧｄＦ
ｅＣｏにＴｂを添加したことで磁気光学効果が低下した
ためと考えられる。
た。これは、再生層１８′にＴｂを添加することによっ
て、磁気異方性が増大しノイズが低減した反面、ＧｄＦ
ｅＣｏにＴｂを添加したことで磁気光学効果が低下した
ためと考えられる。
【０２１７】そして、これらの効果が相殺して実施例１
２と同様な結果が得られたためと思われる。しかし、Ｔ
ｂを添加することによって、再生層１８′の組成マージ
ンを広げることができる。
２と同様な結果が得られたためと思われる。しかし、Ｔ
ｂを添加することによって、再生層１８′の組成マージ
ンを広げることができる。
【０２１８】実施例１４ 制御層２０′の組成を検討するために、制御層２０′の
組成をそれぞれ面内磁化を示すＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＦｅＣｏと変化させた三層膜記録媒体を試作
し、その記録再生特性を調べた。ここで、記録条件は実
施例１２と同様である。その結果を表１０に示す。
組成をそれぞれ面内磁化を示すＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＦｅＣｏと変化させた三層膜記録媒体を試作
し、その記録再生特性を調べた。ここで、記録条件は実
施例１２と同様である。その結果を表１０に示す。
【０２１９】
【表１０】
【０２２０】これは、制御層２０′をＴｂＦｅＣｏ又は
ＤｙＦｅＣｏから形成した場合、記録再生特性がよくな
いことを示しており、制御層２０′の組成としてＧｄＦ
ｅＣｏが適していることが判明した。
ＤｙＦｅＣｏから形成した場合、記録再生特性がよくな
いことを示しており、制御層２０′の組成としてＧｄＦ
ｅＣｏが適していることが判明した。
【０２２１】更に、制御層２０′に適しているＧｄＦｅ
Ｃｏ組成を検討した。制御層２０′をＧｄＦｅＣｏとし
た時の、Ｃｏの含有量を変化させた場合の再生特性を実
施例１２と同様な方法で測定を行った。その結果を表１
１に示す。
Ｃｏ組成を検討した。制御層２０′をＧｄＦｅＣｏとし
た時の、Ｃｏの含有量を変化させた場合の再生特性を実
施例１２と同様な方法で測定を行った。その結果を表１
１に示す。
【０２２２】
【表１１】
【０２２３】この結果から、Ｃｏの含有量が０〜５ａｔ
％でＣ／Ｎがよくなっていることがわかる。これは、制
御層２０′のキュリー温度が低下し、レーザビームのス
ポットの後縁にもマスクが形成されたためにダブルマス
クとなり、分解能が上がったためであると考えられる。
％でＣ／Ｎがよくなっていることがわかる。これは、制
御層２０′のキュリー温度が低下し、レーザビームのス
ポットの後縁にもマスクが形成されたためにダブルマス
クとなり、分解能が上がったためであると考えられる。
【０２２４】実施例１５ 実施例１４から制御層２０′のキュリー温度を下げると
ダブルマスクが形成され、Ｃ／Ｎが向上することが判明
した。そこで、制御層２０′のキュリー温度を下げるこ
とを目的として制御層２０′に非磁性金属を添加するこ
とを試みた。
ダブルマスクが形成され、Ｃ／Ｎが向上することが判明
した。そこで、制御層２０′のキュリー温度を下げるこ
とを目的として制御層２０′に非磁性金属を添加するこ
とを試みた。
【０２２５】ＧｄＦｅＣｏに非磁性元素を添加した制御
層２０′を有する光磁気記録媒体を試作し、再生特性を
調べた。再生特性は実施例１２と同様な方法で測定を行
った。その結果を表１２に示す。
層２０′を有する光磁気記録媒体を試作し、再生特性を
調べた。再生特性は実施例１２と同様な方法で測定を行
った。その結果を表１２に示す。
【０２２６】
【表１２】
【０２２７】以上の結果から制御層２０′に非磁性材料
を添加することが有効であることが判明した。次に、制
御層２０′に添加する非磁性材料をＳｉとし、Ｓｉの添
加量の変化に対する再生特性の変化について検討した。
を添加することが有効であることが判明した。次に、制
御層２０′に添加する非磁性材料をＳｉとし、Ｓｉの添
加量の変化に対する再生特性の変化について検討した。
【０２２８】ここで、再生層１８′、制御層２０′及び
記録層２２の組成や膜厚は実施例１２と同様である。即
ち、制御層２０′の組成はＧｄ39Ｆｅ56Ｃｏ5 である。
この組成にＳｉを添加することにした。Ｓｉの量はＧｄ
ＦｅＣｏからなる制御層２０′のターゲット上に置くＳ
ｉチップの数を変えることによって行った。その結果を
表１３に示す。
記録層２２の組成や膜厚は実施例１２と同様である。即
ち、制御層２０′の組成はＧｄ39Ｆｅ56Ｃｏ5 である。
この組成にＳｉを添加することにした。Ｓｉの量はＧｄ
ＦｅＣｏからなる制御層２０′のターゲット上に置くＳ
ｉチップの数を変えることによって行った。その結果を
表１３に示す。
【０２２９】
【表１３】
【０２３０】この結果から、Ｓｉの含有量が１０〜６０
ａｔ％の広い範囲で高いＣ／Ｎが得られることが判明し
た。また、Ｓｉの含有量が７０ａｔ％以上では、再生層
１８′と記録層２２の交換結合力が小さくなるためにＣ
／Ｎが低下する。
ａｔ％の広い範囲で高いＣ／Ｎが得られることが判明し
た。また、Ｓｉの含有量が７０ａｔ％以上では、再生層
１８′と記録層２２の交換結合力が小さくなるためにＣ
／Ｎが低下する。
【０２３１】
【発明の効果】本発明によると、高密度記録が可能な光
磁気記録媒体を提供することができ、さらに再生すべき
マークに隣接するマークを完全にマスクして再生出力の
向上を図ることができるという効果を奏する。また、ク
ロストークも改善される。
磁気記録媒体を提供することができ、さらに再生すべき
マークに隣接するマークを完全にマスクして再生出力の
向上を図ることができるという効果を奏する。また、ク
ロストークも改善される。
【図１】第１実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図２】第２実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図３】第３実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図４】光磁気ディスク装置の概略構成図である。
【図５】データの消去を説明する図である。
【図６】データの書き込みを説明する図である。
【図７】ビームスポット内の温度がＴcopy以下のときの
再生状態を説明する図であり、（Ａ）が平面図を、
（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示している。
再生状態を説明する図であり、（Ａ）が平面図を、
（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示している。
【図８】ビームスポット内の温度がＴcopy以上でＴｃ２
以下のときの再生状態を説明する図であり、（Ａ）が平
面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示して
いる。
以下のときの再生状態を説明する図であり、（Ａ）が平
面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示して
いる。
【図９】第１実施態様のデータの再生方法を説明する図
であり、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面
図をそれぞれ示している。
であり、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面
図をそれぞれ示している。
【図１０】従来例と比較した第１実施態様の再生方法の
Ｃ／Ｎのマーク長依存性を示す図である。
Ｃ／Ｎのマーク長依存性を示す図である。
【図１１】Ｃ／Ｎの再生パワー依存性を示す図である。
【図１２】バイアス磁界を下向きにかけたときのデータ
の再生方法を説明する図であり、（Ａ）が平面図を、
（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示している。
の再生方法を説明する図であり、（Ａ）が平面図を、
（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示している。
【図１３】第４実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図１４】データの消去を説明する図である。
【図１５】データの書き込みを説明する図である。
【図１６】シングルマスク再生方法を説明する図であ
り、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図を
それぞれ示している。
り、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図を
それぞれ示している。
【図１７】第４実施態様のデータの再生方法を説明する
図であり、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断
面図をそれぞれ示している。
図であり、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断
面図をそれぞれ示している。
【図１８】第５実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図１９】データの消去を説明する図である。
【図２０】データの書き込みを説明する図である。
【図２１】バイアス磁界を上向きにかけたときの第５実
施態様のデータの再生方法を説明する図であり、（Ａ）
が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示
している。
施態様のデータの再生方法を説明する図であり、（Ａ）
が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示
している。
【図２２】バイアス磁界を下向きにかけたときの第５実
施態様のデータの再生方法を説明する図であり、（Ａ）
が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示
している。
施態様のデータの再生方法を説明する図であり、（Ａ）
が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示
している。
【図２３】第６実施態様の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図２４】データの消去を説明する図である。
【図２５】データの書き込みを説明する図である。
【図２６】シングルマスク再生方法を説明する図であ
り、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図を
それぞれ示している。
り、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断面図を
それぞれ示している。
【図２７】第６実施態様のデータの再生方法を説明する
図であり、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断
面図をそれぞれ示している。
図であり、（Ａ）が平面図を、（Ｂ）が記録媒体の縦断
面図をそれぞれ示している。
【図２８】従来例の再生原理を説明する図である。
１４ 透明基板 １６ 誘電体層 １７ 再生補助層 １８ 再生層 ２０ 制御層 ２２ 記録層 ２４ 保護膜 ２６ 非磁性中間層 ５８ ビームスポット ６０ 面内マスク ６２ 開口部 ６８ アップスピンマスク ６８′ ダウンスピンマスク
Claims (30)
- 【請求項１】 透明基板と、 該透明基板上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸
を有する第１磁性層と、 該第１磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第２磁性層と、 該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、 前記第１、第２及び第３磁性層のキュリー温度をそれぞ
れＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ２
及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１磁性層と前記第２磁性層との間
に介装された非磁性中間層をさらに具備した請求項１記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第２磁性層と前記第３磁性層との間
に介装された非磁性中間層をさらに具備した請求項１記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記第１、第２及び第３磁性層は希土類
−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される請求項
１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 透明基板と、 該透明基板上に積層された室温で面内方向に磁化容易軸
を有する第１磁性層と、 該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、 該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、 前記第１、第２及び第３磁性層のキュリー温度をそれぞ
れＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ２
及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記第１磁性層と前記第２磁性層との間
に介装された非磁性中間層をさらに具備した請求項５記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記第２磁性層と前記第３磁性層との間
に介装された非磁性中間層をさらに具備した請求項５記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記第１、第２及び第３磁性層は希土類
−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される請求項
５記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記第１磁性層の希土類金属の磁気モー
メントは室温において遷移金属の磁気モーメントより優
勢である請求項８記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記第１磁性層は少なくともＧｄ及び
Ｆｅを含んでいる請求項９記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記第１磁性層は２６ａｔ％〜３５ａ
ｔ％のＧｄを含んでいる請求項１０記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項１２】 前記第２磁性層の希土類金属の磁気モ
ーメントは室温において遷移金属の磁気モーメントより
優勢である請求項８記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 前記第２磁性層は少なくともＧｄ及び
Ｆｅを含んでいる請求項１２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 前記第２磁性層は少なくともＤｙ及び
Ｆｅを含んでいる請求項１２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 前記第２磁性層は２６ａｔ％〜３５ａ
ｔ％のＧｄを含んでいる請求項１３記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項１６】 前記第２磁性層はＳｉ，Ａｌ，Ｔｉか
らなる群から選択される非磁性材料を含んでいる請求項
１２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 前記第２磁性層に含まれている前記非
磁性材料は６０ａｔ％以下である請求項１６記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項１８】 透明基板と、 該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化
容易軸を有する第１磁性層と、 該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、 該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第３磁性層と、 該第３磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第４磁性層とを具備し、 前記第１、第２、第３及び第４磁性層のキュリー温度を
それぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温に
おける保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ
４とするとき、各磁性層のキュリー温度が、 Ｔｃ１＞Ｔｃ３ Ｔｃ２＞Ｔｃ３ Ｔｃ４＞Ｔｃ３ の関係を満たし、室温における保磁力が、 Ｈｃ４＞Ｈｃ３ Ｈｃ４＞Ｈｃ１ の関係を満たす光磁気記録媒体。 - 【請求項１９】 第３磁性層の飽和磁化の値をＭｓ３、
第３磁性層の膜厚をｈ３、第３磁性層と第４磁性層の間
の磁壁エネルギーをσｗとするとき、第３磁性層と第４
磁性層が、以下の式 Ｈｃ３＜σｗ／（２Ｍｓ３・ｈ３） で表されるような磁気的な結合をしている請求項１８記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２０】 前記第１、第２、第３及び第４磁性層
は、希土類−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成さ
れる請求項１８記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２１】 透明基板と、 該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化
容易軸を有する第１磁性層と、 該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、 該第２磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第３磁性層とを具備し、 前記第１、第２、第３磁性層のキュリー温度をそれぞれ
Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温における前記第１及
び第３磁性層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とする
とき、各磁性層のキュリー温度が、 Ｔｃ１＞Ｔｃ２ Ｔｃ３＞Ｔｃ２ の関係を満たし、前記第１磁性層と前記第３磁性層の室
温における保磁力が、 Ｈｃ３＞Ｈｃ１ の関係を満たす光磁気記録媒体。 - 【請求項２２】 前記第１、第２及び第３磁性層は、希
土類−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される請
求項２１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２３】 前記第１及び第２磁性層はＧｄ，Ｆｅ
及びＣｏを含んだ非晶質合金膜から構成される請求項２
２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２４】 前記第２磁性層はＧｄ及びＦｅを含ん
だ非晶質合金膜から構成される請求項２２記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項２５】 前記第２磁性層はＳｉ，Ａｌ及びＴｉ
からなる群から選択される非磁性材料を含んでいる請求
項２２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項２６】 透明基板と、該透明基板上に積層され
た室温で面内方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、
該第１磁性層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層
された膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第３
磁性層とを含み、前記第１、第２及び第３磁性層のキュ
リー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とすると
き、Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす
光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、 バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビー
ムを照射して、前記第３磁性層のキュリー温度以下に前
記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記第１磁性層の磁化が面内方向を
向く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換結合によ
って前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写される第２
領域と、前記第２磁性層がキュリー温度以上となる第３
領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光
磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。 - 【請求項２７】 透明基板と、該透明基板上に積層され
た室温で面内方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、
該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された
膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する第３磁性層
とを含み、前記第１、第２及び第３磁性層のキュリー温
度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ
１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記
録媒体に記録された情報の再生方法であって、 バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビー
ムを照射して、前記第３磁性層のキュリー温度以下に前
記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記第１磁性層の磁化が面内方向を
向く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換結合によ
って前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写される第２
領域と、前記第２磁性層がキュリー温度以上となる第３
領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光
磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。 - 【請求項２８】 透明基板と、該透明基板上に積層され
た室温で面内方向に磁化容易軸を有する第１磁性層と、
該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁化容易
軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層された
膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第３磁性層
とを含み、前記第１、第２及び第３磁性層のキュリー温
度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ
１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記
録媒体に記録された情報の再生方法であって、 前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記第３磁性
層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記第１磁性層の磁化が面内方向を
向く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換結合によ
って前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写される第２
領域と、前記第２磁性層がキュリー温度以上となる第３
領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光
磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。 - 【請求項２９】 透明基板と、該透明基板上に積層され
た膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第１磁性
層と、該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁
化容易軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層
された膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第３
磁性層と、該第３磁性層上に積層された膜面に対して垂
直方向の磁化容易軸を有する第４磁性層とを含み、前記
第１、第２、第３及び第４磁性層のキュリー温度をそれ
ぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とし、室温におけ
る保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３，Ｈｃ４と
するとき、各磁性層のキュリー温度がＴｃ１＞Ｔｃ３，
Ｔｃ２＞Ｔｃ３及びＴｃ４＞Ｔｃ３の関係を満たし、各
磁性層の室温における保磁力がＨｃ４＞Ｈｃ３及びＨｃ
４＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された
情報の再生方法であって、 バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビー
ムを照射して、前記第４磁性層のキュリー温度以下に前
記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記第２磁性層の磁化が面内方向を
向く第１領域と、前記第４磁性層の磁化が交換結合によ
って前記第３磁性層、前記第２磁性層及び前記第１磁性
層に転写される第２領域と、前記第３磁性層がキュリー
温度以上となる第３領域とからなる温度分布を形成する
ことを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再
生方法。 - 【請求項３０】 透明基板と、該透明基板上に積層され
た膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第１磁性
層と、該第１磁性層上に積層された室温で面内方向に磁
化容易軸を有する第２磁性層と、該第２磁性層上に積層
された膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する第３
磁性層とを具備し、前記第１、第２、第３磁性層のキュ
リー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とし、室温
における前記第１及び第３磁性層の保磁力をそれぞれＨ
ｃ１，Ｈｃ３とするとき、各磁性層のキュリー温度が、
Ｔｃ１＞Ｔｃ２及びＴｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たし、前
記第１及び第３磁性層の室温における保磁力が、Ｈｃ３
＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情
報の再生方法であって、 バイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビー
ムを照射して、前記第３磁性層のキュリー温度以下に前
記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記第１磁性層の磁化がバイアス磁
界方向を向く第１領域と、前記第３磁性層の磁化が交換
結合によって前記第２磁性層と前記第１磁性層に転写さ
れる第２領域と、前記第２磁性層がキュリー温度以上と
なり前記第１磁性層の磁化方向がバイアス磁界方向を向
く第３領域とからなる温度分布を形成することを特徴と
する光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
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