JP3375694B2 - 光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置 - Google Patents

光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置

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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録により情報
が記録された光磁気ディスク及びその再生装置に係り、
特に再生時の再生光の波長および対物レンズの開口数に
より規定される空間周波数を越える空間周波数を有する
情報を記録した高密度記録の光磁気ディスク及びその再
生装置に関する。 【0002】 【従来の技術】図8に従来の光磁気ディスクの情報記録
面の構成を示す。従来の光磁気ディスクには、略同心円
状の案内溝であるグルーブGが形成されており、このグ
ルーブGに沿ってランドLが形成されている。通常の場
合にはランドLに情報ピット(記録マーク)が形成さ
れ、グルーブGは情報ピットを誤りなく読み出すために
何も記録されていない状態となっている。 【0003】仮に従来の光磁気ディスクにおいて、ラン
ドL及びグルーブGの双方に情報ピットを形成した場合
を考慮してみると、クロストークが生じ情報ピットが読
めなくなってしまうという課題が生じる。 【0004】上記課題を解決するため、従来では、MS
R(Magnetically induced Super Resolution )等の超
解像再生が提案されている。ここで、MSRについて説
明する。 【0005】従来より、顕微鏡の世界では、物体の位置
にピンホールのような光学的マスクを設けることにより
解像力が上がることが知られていた。そこで、MSRは
光磁気ディスクの媒体面に物理的なマスクを設けるので
はなく、媒体上の温度分布を利用して、媒体内に実効的
なマスクをつくりだし、実効的に再生限界の空間周波数
を大きくするものであり、記録密度を1.5〜3倍程度
向上させることができる(より詳細については、「超解
像光磁気ディスク」、日本応用磁気学会誌、Vol.15,No.
5.1991等を参照。)。 【0006】このようなMSRを応用した光磁気ディス
クは、様々提案されており、その一例の構成を図9に示
す。光磁気ディスク1Pは、図9(a)に示すように、
比較的保磁力の小さな再生層P’と、比較的保磁力が大
きく、垂直磁化状態で情報が記録された記録層R’と、
再生層P’と記録層R’との間の交換結合力を制御する
ためのスイッチ層S’と、を備えて構成されている。 【0007】ここで上記光磁気ディスクの再生動作を説
明する。再生光であるレーザビームの出力パワーを適当
に設定すると、図9(b)に示すように光スポットの後
方部分に温度の高い領域(以下、高温領域という)がで
きる。 【0008】この高温領域においてスイッチ層S’がそ
のキュリー温度以上になると、スイッチ層S’の磁区が
消失し、すなわち、保磁力が零になって、再生層P’と
記録層R’の交換結合力が弱くなる。これと同時に外部
から再生磁界Hr を印加すると、保磁力の小さな再生層
P’の磁化方向は再生磁界Hr の磁化方向に揃えられて
しまう。 【0009】従って、高温領域は記録層R’の記録情報
が読み出せないマスク領域となり、記録層R’の記録情
報は光スポット内の三日月型の低温領域からとなり、実
質的にスポットの大きさを小さくすることができ、光ス
ポットの物理的な空間周波数よりも高い空間周波数を有
する情報を再生することができる。すなわち、超解像再
生を行うことができるのである。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来に
おける光磁気ディスクの再生動作においては、マスク領
域となるのは高温領域であり、再生は三日月型の低温領
域からであるので、時間軸方向には記録密度を向上させ
ることが可能であるが、時間軸方向とは直交するディス
クの半径方向には記録密度を向上させることができな
い。 【0011】従って、もし仮に上記再生方法を用いてト
ラックピッチを狭めた場合には、クロストークが生じ、
正確の情報再生を行うことができないという問題点があ
った。 【0012】そこで、本発明の目的は、時間軸方向ばか
りでなく、ディスクの半径方向にも記録密度を向上させ
ることができる光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生
装置を提供することにある。 【0013】上記課題を解決するため、第1の発明は、
垂直磁化状態で情報を記録した記録層と、常温で垂直磁
気異方性が小さくなるとともに、所定の再生温度近傍で
垂直磁気異方性が大きくなり、かつキュリー温度が再生
光スポット内の最高温度よりも低いスイッチ層と、前記
スイッチ層を介して前記記録層と交換結合可能に設けら
れた再生層と、を備えて構成する。 【0014】また、第2の発明は、第1の発明の光磁気
ディスクの記録情報を再生する光磁気ディスク再生装置
において、前記光磁気ディスクの再生位置に再生光を照
射する再生光照射手段と、前記再生位置に対応する前記
スイッチ層の温度が前記再生温度以上となるように前記
再生光の出力パワーを制御する再生出力制御手段と、前
記再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための磁
化方向初期化手段と、前記再生位置からの再生光を受光
して記録情報の再生を行う再生手段と、を備えて構成す
る。 【0015】 【作用】第1の発明の光磁気ディスクによれば、外部の
初期化磁界により再生層を初期化後に、再生位置のスイ
ッチ層の温度が再生温度近傍になるように再生光を照射
する。 【0016】この結果、スイッチ層は垂直磁気異方性が
大きくなり、再生層にはスイッチ層を介して記録層との
間で交換結合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態
が転写される。より詳細には、ある媒体の垂直異方性定
数をKuとし、磁化をMsとした場合に、 Ku>2πMs 2 が成立すると垂直磁気異方性が大きくなる(垂直磁化状
態となる)。 ところで、スイッチ層は、再生温度付近に
補償温度を有しているため、再生温度近傍では磁化Ms
が小さいこととなる。 よって、再生温度近傍ではスイッ
チ層は垂直磁気異方性が大きくなる。 一方、交換結合力
は垂直磁化膜同士で強く働くこととなる。 したがって、
再生温度近傍でスイッチ層は再生層と記録層との間で交
換結合力を働かせることとなり記録層の垂直磁化状態が
転写されるのである。 【0017】従って、スイッチ層の垂直磁気異方性が大
きくなっている位置に対応する再生位置でのみ記録層の
記録情報が転写されるので、初期化状態のままの再生層
からの情報を検出しないように、すなわち、再生位置か
らの情報を検出するように光学系を構成することにより
再生光のスポット径よりも小さな領域からの情報を再生
することができ、超解像再生を行うことができる。 【0018】また、第2の発明によれば、磁化方向初期
化手段は、光磁気ディスクの再生に先立ち、再生層の垂
直磁化方向を所定の方向に揃える。一方、再生出力制御
手段は、再生光照射手段を制御して、再生位置に対応す
るスイッチ層の温度が再生温度以上となるように再生光
の出力パワーを制御する。 【0019】この結果、スイッチ層は垂直磁化状態とな
り、再生層はスイッチ層を介して記録層との間で交換結
合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態が転写され
る。従って、スイッチ層の垂直磁気異方性が大きくなっ
ている位置、すなわち、再生位置でのみ記録層の記録情
報が転写されるので、再生手段により再生位置からの再
生光を受光して記録情報の再生を行うことにより、再生
光のスポット径よりも小さな領域からの情報を再生する
ことができ、超解像再生を行うことができる。 【0020】 【実施例】次に、図面を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。第1実施例 図1に光磁気ディスクの断面図を示す。 【0021】光磁気ディスク1は、光磁気層を保護する
ための保護層PRと、垂直磁化状態で情報を記録した記
録層Rと、常温で面内磁化状態となるとともに、所定の
再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ層Sと、ス
イッチ層Sを介して記録層Rと交換結合可能に設けられ
た再生層Pと、を備えて構成されている。 【0022】ここで、記録層R、スイッチ層S及び再生
層Pの具体的構成について説明する。以下の説明におい
ては、再生層Pを単独で設けた場合の保磁力をHC1、記
録層Rを単独で設けた場合の保磁力をHC3、再生層Pが
スイッチ層Sから受ける交換結合力をHW1、記録層Rが
スイッチ層Sから受ける交換結合力をHW3、再生層P及
びスイッチ層Sの間の界面磁壁エネルギーをσ1 、記録
層R及びスイッチ層Sの間の界面磁壁エネルギーを
σ2 、再生層Pの磁化をMS1、再生層Pの膜厚をh 1
記録層Rの磁化をMS3、記録層Rの膜厚をh3 、初期化
磁界をHini とすると、以下の(1)〜(3)式が成立
する必要がある。 【0023】すなわち、室温において、 ini >H c1 +H w1 …(1) が成立し、 c1 >H w1 …(2) が成立し、 c3 −H w3 >H ini …(3) が成立する必要がある。この場合において、室温ではス
イッチ層の垂直磁気異方性は小さく、交換結合力H w1
w3 は小さい。 そこで、(1)式及び(3)式をまとめ
て、 c1 <H ini <H c3 …(4) とし、(2)式を無視することができる。 さらに(2)
式の右辺である交換結合力H w1 が小さいので、(4)式
から初期化磁界H ini を小さくすることが可能となる。 【0024】但し、 Hw1=σ1 /(2・S1・h1 ) Hw2=σ2 /(2・S2・h2 ) である。 【0025】(1)式は、室温で再生層Pを初期化する
ための条件、(2)式は再生層Pが初期化状態を維持す
る条件、(3)式は記録層が初期化磁界で消去されない
ための条件である。 【0026】また、再生温度において、 w1 >H c1 …(5)及び c3 −H w3 >0 …(6)が成立すればよい。 (5)式は、再生層に記録マークが
転写されるための条件、(6)式は記録層の磁区が保持
される条件である。 以上をまとめると、室温では(4)
式が成立し、再生温度では(5)式及び(6)式が成立
すればよいこととなる。 【0027】上記各条件を満たす、より具体的な層組成
について説明する。記録層Rとしては、例えば、Tb22
(Fe90Co1078〔at%〕を用い、厚さ50nmとす
る。 【0028】スイッチ層Sとしては、GdFeCo合金
が用いられ、Gdの含有量は24〜32[at%]、特に
26〜29[at%]が好ましい。また、Co/Fe比
は、5〜40[%]、特に20〜30[%]が好まし
い。 この場合にさらに、少量のTb、Dy、Nd、Ho
等の他の希土類元素を含むようにしてもよい。 またDy
FeCo合金を用いることも可能であり、この場合には
Dyを23〜29[at%]とする。 より具体的には、ス
イッチ層Sとして、例えば、補償点記録材料であるGd
28 (Fe 90 Co 10 72 〔at%〕を用い、厚さ15nmと
する。 再生層Pとしては、Tb 28 (Fe 90 Co 10
72 〔at%〕を用い、厚さ35nmとする。 【0029】図2に光磁気ディスクに記録されたディジ
タルデータに基づいてアナログ信号として再生する光デ
ィスク再生装置の概要構成ブロック図を示す。光ディス
ク再生装置100は、光磁気ディスク1を回転駆動する
ためのスピンドルモータ2と、図示しないレーザダイオ
ード、アクチュエータ及び偏向ビームスプリッタを有
し、回転する光磁気ディスク1にレーザビームを照射
し、このレーザビームが光磁気ディスク1の磁性層にお
いて、磁気カー効果により偏光面が僅かに回転して反射
され戻ってきたビーム中の信号成分をRF(Radio Freq
uency )信号として出力する光ピックアップ3と、RF
信号を適当なレベルにまで増幅するためのRFアンプ4
と、増幅されたRF信号から記録情報に対応する変調信
号を復調するためのデコーダ5と、デコーダ5により復
調されたディジタルデータをアナログ情報信号に変換す
るためのD/Aコンバータ6と、光ピックアップ3を光
磁気ディスク1の半径方向に駆動するためのキャリッジ
7と、スピンドルモータ2、キャリッジ7及び図示しな
いアクチュエータをサーボ制御するためのサーボコント
ロール回路8と、光ディスク再生装置100全体の制御
を行うシステムコントローラ9と、システムコントロー
ラ9に外部から操作指令を与えるためのキー入力部10
と、情報再生状態等を表示するための表示部11と、再
生時に再生層を初期化するための初期化磁界を印加する
初期化磁石12と、を備えて構成されている。 【0030】サーボコントロール回路8は、光ピックア
ップ3内の図示しないレーザダイオード内に設けられた
モニター用フォトダイオードにより出力光を受光し、レ
ーザダイオードへの駆動電流を制御することによりその
光出力を所定の再生出力に保つAPC(Automatic Powe
r Control )回路8Aを備えて構成されている。 【0031】次に図3を参照して、再生動作について説
明する。情報再生時には、図3に示すように、再生に先
立って初期化磁石12により再生層Pの磁化方向を一定
(図3では上向き)に揃える。 【0032】次に再生位置PPを含む所定の領域BPに
再生光である直線偏光のレーザビームをピックアップ3
により照射し、当該再生位置PPの温度をスイッチ層S
が垂直磁化状態となる再生温度とする。この再生温度
は、スイッチ層Sの補償温度近傍の温度である。 【0033】この結果、スイッチ層Sは垂直磁化状態と
なり、再生層P及び記録層Rの間に交換結合力が働くこ
ととなり、記録層Rの記録情報が再生層Pに転写され
る。具体的には、図3の場合、記録層Rにおける下向き
の磁化状態が再生層Pに転写され、上向きに初期化され
ていた再生層Pの磁化状態が下向きになる。 【0034】これにより、再生位置PPの再生層Pに照
射されたレーザビームの偏光面はその垂直磁化方向に応
じた方向に回転され、偏光面の回転角である磁気カー回
転角をピックアップ3により検出し、その回転方向によ
りRFアンプ4、デコーダ5及びD/Aコンバータ10
を介して情報を再生することができる。 【0035】すなわち、読出光のレーザビームの照射領
域BP中、再生層Pが垂直磁化状態となった再生位置P
Pに対応する記録層Rの領域R1 の情報のみを再生でき
ることとなり、超解像再生を行うことができる。さらに
この時の再生領域は高温領域であるので、時間軸方向ば
かりでなくトラック方向にも記録密度を上げることがで
き、本実施例の光磁気ディスクには高密度記録が行え
る。 【0036】ところで、再生層Pは保磁力がスイッチ層
Sよりも大きいため、一旦交換結合力により記録層Rの
磁化状態が転写されると、その後スイッチ層Sの温度が
下がり面内磁化状態となり、交換結合力が小さくなって
も転写された磁化状態を保持することとなるが、光磁気
ディスクがさらに回転し、ほぼ1回転した状態で再び初
期化されるので再生上の影響はない。第2実施例 上記第1実施例は、高温領域と低温領域(マスク領域)
の2つの領域に分け、高温領域からの情報に基づいて再
生を行っていたが、本第2実施例は、高温領域及び低温
領域の双方をマスク領域とし、両者の中間温度の領域で
ある中温領域を再生領域とするものであり、さらに時間
軸方向に記録密度を上げても再生が可能となるものであ
る。 【0037】本第2実施例の光磁気ディスクの層構成及
び光ディスク再生装置の構成は第1実施例と同様である
ので、詳細な説明は省略する。本第2実施例が第1実施
例と異なるのは、サーボコントロール回路8のAPC回
路8Aを制御して、再生時のレーザ出力パワーを上げる
ことにより、再生層Pの保磁力を低下させ、かつ、スイ
ッチ層Sの温度を補償温度TCOMP以上に上げる点であ
る。 【0038】この結果、光スポット内の温度分布は図4
に示すようなものとなり、中温領域においては、スイッ
チ層Sが補償温度TCOMP近傍の温度となり、垂直磁化状
態となる。 【0039】従って、中温領域における再生層P及び記
録層Rの間には交換結合力が強く働き、記録層Rの記録
情報が再生層Pに転写され、第1実施例と同様にして再
生が可能となる。 【0040】一方、高温領域及び低温領域は、スイッチ
層Sが面内磁化状態であるので、記録層Rの情報は再生
層Pに転写されずマスク状態となる。このときの、高温
領域の磁化方向は、初期化された再生層Pの洩れ込み磁
界により低温領域の磁化方向と逆方向となる。この場
合、再生磁界Hr を与えることで、高温マスク領域が安
定に形成され、より低ノイズになる。第3実施例 本第3実施例は、上記第2実施例と同様に、光スポット
内を3つの領域に分け、そのうち2つの領域をマスク領
域として(以下、ダブルマスク化という。)時間軸方向
に記録密度を向上させる実施例である。 【0041】本第3実施例が、上記第2実施例と異なる
点は、所定の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッ
チ層のキュリー温度を制御することにより、容易かつ確
実にダブルマスク化を図る点と、初期化磁界の印加が不
要(すなわち、初期化磁石12が不要;図2参照)であ
る点である。 【0042】図5(a)に第3実施例の光磁気ディスク
の断面図を示す。光磁気ディスク1Aは、光磁気層を保
護するための保護層PRと、垂直磁化状態で情報を記録
した記録層RAと、常温で面内磁化状態となるととも
に、所定の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ
層SAと、スイッチ層SAを介して記録層RAと交換結
合可能に設けられた再生層PAと、を備えて構成されて
いる。 【0043】ここで、スイッチ層SA及び再生層PAに
ついて詳細に説明する。スイッチ層SAの保磁力HC
発散する温度(=補償温度Tcomp)は、GdFeCo系
光磁気膜においてはGd組成により決定される。また、
垂直磁化状態となる範囲、すなわち、角形比が1となる
範囲は、成膜条件、下地膜、希土類の種類等で異なる。 【0044】そこで、本実施例においては、スイッチ層
SAのCoを減少し、あるいはAlを加えることにより
角形比=1となる範囲を狭くしている。より具体的に
は、スイッチ層SAをGd28(Fe98Co2 72にした
場合、図6に示すように、第1実施例のスイッチ層S
[Gd28(Fe90Co1072]の場合(キュリー温度T
C ’)と比較して、キュリー温度TC2(<TC ’)が低
くなっており、実質的に角形比=1の範囲が狭くなって
いる。 【0045】この結果、光スポット内の温度分布(温度
勾配)によりスイッチ層SAが3つの領域に分けられ、
後述するようにダブルマスク化が図れることとなる。さ
らに、スイッチ層SAは、図7に示すように、室温では
垂直方向の保磁力がほぼ零となり、面内磁化状態となっ
ているので、記録層RAから再生層PAに交換結合力を
伝達できないことから初期化磁界が不要となっている。 【0046】より詳細には、再生磁界を印加すること
で、光スポットの通過直後、再生層PAの記録マークは
消去されている(図7の高温領域)。この領域が冷却さ
れることにより、中温領域(図7参照)となると、スイ
ッチ層SAの垂直磁気異方性が増大し、一端、記録層R
A→スイッチ層SA→再生層PAの順番で記録マークが
転写される。 【0047】さらに冷却が進み、低温領域(図7参照)
となると、スイッチ層SAの垂直磁気異方性が消失し、
交換結合力が伝達されなくなり、再生層PAのみかけの
保磁力が低下する。 【0048】このため、再生磁界により再び再生層PA
は一様に磁化され、記録マークが消失して初期化が行わ
れることとなり、改めて初期化磁界を印加する必要がな
いのである。 【0049】上述したように、本実施例のスイッチ層S
Aを用いれば、初期化磁界は不要となるが、より初期化
を容易にするため、再生層PAを以下のように構成す
る。一般に垂直磁化膜の最小安定磁区直径dMIN は、磁
壁エネルギーをσw 、当該垂直磁化膜の磁化をMS 、当
該垂直磁化膜を単独で設けた場合の保磁力をHC とする
と、 dMIN =σw /(MS ・HC ) となる。 【0050】そこで、再生層PAとして、最小安定磁区
直径dMIN の大きな材料を使用する。これにより、スイ
ッチ層SAが交換結合力を伝達する温度領域では、最小
安定磁区直径dMIN は小さくなるが、それ以外の温度領
域では、再生層PAを単独で設けた場合の最小安定磁区
直径dMIN が現われることとなるので、再生層PAの記
録マークをこの最小磁区直径dMIN よりさらに小さくし
ておくのである。 【0051】この結果、交換結合力が伝達されなくなる
と、再生層PAの記録マークは、磁区の安定性を保持す
ることができなくなり収縮し自然に消去されるので、初
期化が容易となる。 【0052】上記各条件を満たす、より具体的な層構成
について図5(a)を参照して説明する。記録層RAと
しては、例えば、Tb20(Fe80Co2080[at%]を
用い、厚さ50nmとする。 【0053】スイッチ層SAとしては、例えば、補償点
記録材料であるGd28(Fe98Co 2 69Al3 [at
%]を用い、厚さ30nmとする。この場合において、
第1実施例の光磁気ディスク1のスイッチ層Sとして、
Coの含有量を減らし、Alを添加しているのは、スイ
ッチ層SAのキュリー温度を低くするためであり、 0[at%]≦Co≦5[at%] または、 0[at%]≦Al≦5[at%] とするのが好ましい。但し、Alをあまり増やすと磁気
特性が劣化する。 【0054】次に図2及び図5を参照して再生動作を説
明する。この場合において、本実施例では、初期化磁石
12は不要となるが、これに代えて、再生磁界Hrを印
加する再生磁石を設ける必要がある。 【0055】再生位置を含む所定の領域に再生光である
直線変更のレーザビームをピックアップ3により照射
し、当該再生位置の温度をスイッチ層SAが垂直磁化状
態となる再生温度とする。この再生温度は、第1実施例
の場合と同様に、スイッチ層SAの補償温度近傍の温度
である。 【0056】この結果、光スポット内の温度分布は、図
5(b)に示すようなものとなり、中温領域において
は、スイッチ層SAが補償温度TCOMP近傍の温度とな
り、垂直磁化状態となる。 【0057】この結果、対応する記録層RA及び再生層
PA間には、交換結合力が働き、当該中温領域は、転写
(可能)領域となって、記録層RAの記録情報が再生層
PAに転写されて、第1実施例と同様にして再生が行わ
れることとなる。 【0058】一方、低温領域におけるスイッチ層SA
は、図5(a)に示すように、面内磁化状態であるの
で、記録層RA及び再生層PA間の交換結合力が働かな
い。従って、記録層RAの情報は再生層PAに転写され
ず、当該低温領域はマスク領域となる。 【0059】また、高温領域おけるスイッチ層SAは、
図5(a)に示すように、磁区が消失し、低温領域と同
様に交換結合力が働かず、記録層RAの情報は再生層P
Aに転写されず、当該低温領域はマスク領域となる。 【0060】上述したように、本第3実施例によれば、
ダブルマスク化を容易に行うことができ、時間軸方向に
記録密度を上げて記録を行っても、再生を行うことがで
きる。第4実施例 上記各実施例における光磁気ディスクは、再生層として
青色光(短波長レーザ)領域で、カー回転角の小さくな
る希土類−遷移金属合金を用いていたので、青色光レー
ザを用いて再生を行う場合にはあまり適していない。 【0061】そこで、本第4実施例は、光源として青色
光レーザを用いた場合でも、カー回転角が小さくなるこ
となく、C/N(Carrier to Noise)比を大きく保って
再生することを可能とするものである。 【0062】本第4実施例おける再生層としては、Pt
/Co積層膜またはPtCo合金単独で用いることが可
能である。また、再生層を多層構造とし、例えば、2層
構造とする場合、光スポット照射方向にPt/Co積層
膜層またはPtCo合金層を設け、次に希土類−遷移金
属合金(例えば、TbFeCo)を設けるように構成す
ることも可能である。 【0063】本第4実施例によれば、光源として青色光
レーザを用いた場合でも、カー回転角が小さくなること
なく、C/N比を大きく保って再生することができる。
以上の各実施例は、光ディスクに外部からのアナログ信
号をディジタルデータとして記録されており、記録され
たディジタルデータに基づいてアナログ信号として再生
する場合のものであったが、ディジタルデータを記録し
た光ディスク及びその光ディスク再生装置並びにアナロ
グ信号を記録した光ディスク及びその光ディスク再生装
置等にも本発明の適用が可能である。 【0064】 【発明の効果】第1の発明の光磁気ディスクによれば、
スイッチ層が垂直磁気異方性が大きくなっている位置に
対応する再生位置でのみ記録層の記録情報が転写される
ので、再生位置からの情報を検出するように光学系を構
成することにより再生光のスポット径よりも小さな領域
からの情報を再生することができ、超解像再生を行うこ
とができるので、トラック方向にも記録密度を上げて情
報を記録することができる。 【0065】また、第2の発明によれば、スイッチ層が
垂直磁気異方性が大きくなっている再生位置でのみ記録
層の記録情報が転写されるので、再生手段により再生位
置からの再生光を受光して記録情報の再生を行うことに
より、再生光のスポット径よりも小さな領域からの情報
を再生することができ、容易に超解像再生を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】 【図1】光磁気ディスクの構造を示す断面図である。 【図2】光磁気ディスク再生装置の概要構成を示すブロ
ック図である。 【図3】再生動作を説明するための図である。 【図4】第2実施例の再生動作を説明する図である。 【図5】第3実施例の光磁気ディスクの断面構造及び光
スポット内の温度分布を説明する図である。 【図6】第3実施例のスイッチ層の特性を説明する図で
ある。 【図7】第3実施例のスイッチ層の動作を説明する図で
ある。 【図8】従来の光磁気ディスクの情報記録面の構成を示
す説明図である。 【図9】従来の光磁気ディスクの構造を示す断面図であ
る。 【符号の説明】 1…光磁気ディスク 2…スピンドルモータ 3…光ピックアップ3 4…RFアンプ 5…デコーダ 6…D/Aコンバータ 7…キャリッジ 8…サーボコントロール回路 8A…APC(Automatic Power Control )回路 9…システムコントローラ 10…キー入力部 11…表示部 B…基板 PR…保護層 R、RA…記録層 P、PA…再生層 S、SA…スイッチ層 BP…照射領域 PP…再生位置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−223427(JP,A) 特開 平6−168494(JP,A) 特開 平6−251443(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 垂直磁化状態で情報を記録した記録層
    と、 常温で垂直磁気異方性が小さくなるとともに、所定の再
    生温度近傍で垂直磁気異方性が大きくなり、かつキュリ
    ー温度が再生光スポット内の最高温度よりも低いスイッ
    チ層と、 前記スイッチ層を介して前記記録層と交換結合可能に設
    けられた再生層と、 を備えたことを特長とする光磁気ディスク。 【請求項2】 請求項1記載の光磁気ディスクの記録情
    報を再生する光磁気ディスク再生装置において、 前記光磁気ディスクの再生位置に再生光を照射する再生
    光照射手段と、 前記再生位置に対応する前記スイッチ層の温度が前記再
    生温度以上となるように前記再生光の出力パワーを制御
    する再生出力制御手段と、 前記再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための
    磁化方向初期化手段と、 前記再生位置からの再生光を受光して記録情報の再生を
    行う再生手段と、 を備えたことを特長とする光磁気ディスク再生装置。
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