JP3527801B2 - 情報記録方法及び情報記録装置 - Google Patents
情報記録方法及び情報記録装置Info
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- G11B11/10595—Control of operating function
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録方法及び情報記
録装置に関し、より詳細には、記録媒体として超解像再
生が可能な光磁気ディスクを用い、記録方法として光強
度変調方式又は磁界変調記録方式を用いて情報を記録す
る情報記録方法及び情報記録装置に関する。
録装置に関し、より詳細には、記録媒体として超解像再
生が可能な光磁気ディスクを用い、記録方法として光強
度変調方式又は磁界変調記録方式を用いて情報を記録す
る情報記録方法及び情報記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光磁気ディスクの分野において、近年の
高密度記録への要請に伴い、記録光又は再生光としての
レーザ光の波長と対物レンズの開口数より定まる空間周
波数を超える周波数で情報を記録再生するための超解像
情報記録再生方式が開発されている。
高密度記録への要請に伴い、記録光又は再生光としての
レーザ光の波長と対物レンズの開口数より定まる空間周
波数を超える周波数で情報を記録再生するための超解像
情報記録再生方式が開発されている。
【0003】従来においては、超解像情報記録再生方法
に用いられる情報記録方式として、記録すべき情報に対
応して記録光としてのレーザ光等の光ビームの強度を変
調して照射し、照射位置に一定の大きさの記録外部磁界
を印加して情報を記録する光強度変調記録方式と、一定
の強度の光ビームを照射し、照射位置に印加される記録
外部磁界を記録すべき情報に対応して変調して記録する
磁界変調記録方式とがある。
に用いられる情報記録方式として、記録すべき情報に対
応して記録光としてのレーザ光等の光ビームの強度を変
調して照射し、照射位置に一定の大きさの記録外部磁界
を印加して情報を記録する光強度変調記録方式と、一定
の強度の光ビームを照射し、照射位置に印加される記録
外部磁界を記録すべき情報に対応して変調して記録する
磁界変調記録方式とがある。
【0004】この二つの方式のうち、始めに光強度変調
記録方式について、図10を用いて説明する。なお、図
10における光磁気ディスクDKにおいては、情報の記
録に関与する記録層101のみを記載しているが、実際
の光磁気ディスクDKは、当該記録層101に積層し
て、記録した情報の再生のための中間層(スイッチ層)
又は再生層を備えており、当該中間層(スイッチ層)又
は再生層の構成は、情報の再生方法によって異なってい
る。また、記録層101は、希土類金属と遷移金属の合
金で形成され、その温度と保磁力の関係は、図12に示
す関係であるとする。
記録方式について、図10を用いて説明する。なお、図
10における光磁気ディスクDKにおいては、情報の記
録に関与する記録層101のみを記載しているが、実際
の光磁気ディスクDKは、当該記録層101に積層し
て、記録した情報の再生のための中間層(スイッチ層)
又は再生層を備えており、当該中間層(スイッチ層)又
は再生層の構成は、情報の再生方法によって異なってい
る。また、記録層101は、希土類金属と遷移金属の合
金で形成され、その温度と保磁力の関係は、図12に示
す関係であるとする。
【0005】図10に示すように、光強度変調記録方式
による情報記録に供する光磁気ディスクDKは、予め高
パワーPH の光ビームBをDC光として連続照射すると
ともに、記録すべき情報において“0”に対応する下向
きのバイアス磁界が印加され、記録層101の磁化の方
向を下向きに揃えることにより情報が消去される。
による情報記録に供する光磁気ディスクDKは、予め高
パワーPH の光ビームBをDC光として連続照射すると
ともに、記録すべき情報において“0”に対応する下向
きのバイアス磁界が印加され、記録層101の磁化の方
向を下向きに揃えることにより情報が消去される。
【0006】そして、記録情報に対応して記録情報の
“1”に対応するとき高パワーPH となり、記録情報の
“0”に対応するとき低パワーPL となるように強度変
調された光ビームBが照射されると同時にバイアス磁界
Hb が印加されることにより、記録情報に対応した記録
マークMが形成されて情報が記録される。
“1”に対応するとき高パワーPH となり、記録情報の
“0”に対応するとき低パワーPL となるように強度変
調された光ビームBが照射されると同時にバイアス磁界
Hb が印加されることにより、記録情報に対応した記録
マークMが形成されて情報が記録される。
【0007】また、記録層101は、垂直磁化により情
報を記録される記録層であり、その垂直磁化の方向が記
録すべき情報の“1”又は“0”に対応するように情報
が記録されている。図10においては、上向きの垂直磁
化が“1”に対応し、下向きの垂直磁化が“0”に対応
している。
報を記録される記録層であり、その垂直磁化の方向が記
録すべき情報の“1”又は“0”に対応するように情報
が記録されている。図10においては、上向きの垂直磁
化が“1”に対応し、下向きの垂直磁化が“0”に対応
している。
【0008】次に、図10に示す構成を有する光磁気デ
ィスクDKに対する光強度変調記録の動作について説明
する。上述のように予め情報が消去された光磁気ディス
クDKに対して、次に、光ビームBを照射すると同時に
バイアス磁界Hb を印加することにより新しい情報の記
録(換言すれば、新しい記録情報の“1”に対応する磁
化の形成)が行われる。このとき、光ビームBは、対物
レンズRにより光磁気ディスクDK上の情報を記録すべ
き記録位置に光スポットを形成するように集光されて照
射される。
ィスクDKに対する光強度変調記録の動作について説明
する。上述のように予め情報が消去された光磁気ディス
クDKに対して、次に、光ビームBを照射すると同時に
バイアス磁界Hb を印加することにより新しい情報の記
録(換言すれば、新しい記録情報の“1”に対応する磁
化の形成)が行われる。このとき、光ビームBは、対物
レンズRにより光磁気ディスクDK上の情報を記録すべ
き記録位置に光スポットを形成するように集光されて照
射される。
【0009】すなわち、記録マークMを形成して新しい
情報を記録する場合には、光ビームBのパワーは高パワ
ーPH とされ、記録層101の表面に光スポットが形成
され、光スポット内の記録層101の温度が上昇する。
情報を記録する場合には、光ビームBのパワーは高パワ
ーPH とされ、記録層101の表面に光スポットが形成
され、光スポット内の記録層101の温度が上昇する。
【0010】ここで、記録層101は、その保磁力と温
度の関係が図12に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームBの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図12のT1 になったとすると、保磁力
はHCRからHC1まで弱くなる。そこで、例えば、光ビー
ムBのパワーを高パワーPH として光スポット内の記録
層101の温度をT1 まで上昇させておき、同時にHC1
より強いバイアス磁界Hb を印加したとすると、記録層
101のうち温度がT1 以上となっている部分の磁化の
方向がバイアス磁界Hb の方向に変化することとなる。
ここで、バイアス磁界Hb の方向は、記録マークMを形
成して記録情報の“1”に対応する情報を記録する際の
磁化の方向である上向きであるので、記録層101のう
ち温度がT1 以上となっている部分には記録マークMが
形成されることとなり、情報の記録が行われる。
度の関係が図12に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームBの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図12のT1 になったとすると、保磁力
はHCRからHC1まで弱くなる。そこで、例えば、光ビー
ムBのパワーを高パワーPH として光スポット内の記録
層101の温度をT1 まで上昇させておき、同時にHC1
より強いバイアス磁界Hb を印加したとすると、記録層
101のうち温度がT1 以上となっている部分の磁化の
方向がバイアス磁界Hb の方向に変化することとなる。
ここで、バイアス磁界Hb の方向は、記録マークMを形
成して記録情報の“1”に対応する情報を記録する際の
磁化の方向である上向きであるので、記録層101のう
ち温度がT1 以上となっている部分には記録マークMが
形成されることとなり、情報の記録が行われる。
【0011】一方、記録マークMを形成しない場合、す
なわち、記録情報の“0”に対応する領域を形成する場
合には、光ビームBは低パワーPL とされる。この低パ
ワーPL は、記録層101の温度が記録層101の保磁
力をバイアス磁界Hb より強いまま維持できる温度とさ
れる。より具体的には、記録層101の温度が図12に
おいてバイアス磁界Hb に対応する温度Tb より高くな
らないような弱いパワーとされる。この低パワーPL の
光ビームBが照射された場合には、記録層101の保磁
力がバイアス磁界Hb より強いので、記録層101の磁
化が反転することはなく、初期化されたままの状態が維
持される。すなわち、記録情報の“0”に対応する領域
が形成される。
なわち、記録情報の“0”に対応する領域を形成する場
合には、光ビームBは低パワーPL とされる。この低パ
ワーPL は、記録層101の温度が記録層101の保磁
力をバイアス磁界Hb より強いまま維持できる温度とさ
れる。より具体的には、記録層101の温度が図12に
おいてバイアス磁界Hb に対応する温度Tb より高くな
らないような弱いパワーとされる。この低パワーPL の
光ビームBが照射された場合には、記録層101の保磁
力がバイアス磁界Hb より強いので、記録層101の磁
化が反転することはなく、初期化されたままの状態が維
持される。すなわち、記録情報の“0”に対応する領域
が形成される。
【0012】以上のようにして、記録情報に対応して光
ビームBの強度を変調しつつ一定強度のバイアス磁界H
b を印加することにより情報が記録される。更に、光強
度変調方式による他の情報の記録方式として、記録マー
クMを形成する場合、上述の他に、高パワーPH を、記
録層101の温度がそのキュリー温度TC 以上となるよ
うに設定する方法がある。この場合には、記録層101
の磁化は消滅するが、この状態で光スポットの範囲を外
れて降温すると、記録層101がバイアス磁界Hb の方
向に磁化されて記録マークMが形成されることにより情
報が記録される。
ビームBの強度を変調しつつ一定強度のバイアス磁界H
b を印加することにより情報が記録される。更に、光強
度変調方式による他の情報の記録方式として、記録マー
クMを形成する場合、上述の他に、高パワーPH を、記
録層101の温度がそのキュリー温度TC 以上となるよ
うに設定する方法がある。この場合には、記録層101
の磁化は消滅するが、この状態で光スポットの範囲を外
れて降温すると、記録層101がバイアス磁界Hb の方
向に磁化されて記録マークMが形成されることにより情
報が記録される。
【0013】次に、磁界変調記録方式について、図11
を用いて説明する。図11は、磁界変調記録方式を用い
たオーバライト(情報の書き換え)について示してい
る。なお、図11における光磁気ディスクDKにおいて
は、情報の記録に関与する記録層102のみを記載して
いるが、実際の光磁気ディスクDKは、記録層102に
積層して、記録した情報の再生のための中間層(スイッ
チ層)又は再生層を備えており、当該中間層(スイッチ
層)又は再生層の構成は、情報の再生方法によって異な
っている。
を用いて説明する。図11は、磁界変調記録方式を用い
たオーバライト(情報の書き換え)について示してい
る。なお、図11における光磁気ディスクDKにおいて
は、情報の記録に関与する記録層102のみを記載して
いるが、実際の光磁気ディスクDKは、記録層102に
積層して、記録した情報の再生のための中間層(スイッ
チ層)又は再生層を備えており、当該中間層(スイッチ
層)又は再生層の構成は、情報の再生方法によって異な
っている。
【0014】磁界変調記録方式に用いられる光磁気ディ
スクDKにおける記録層102は、垂直磁化により情報
を記録する記録層であり、その垂直磁化の方向が記録す
べき情報の“1”又は“0”に対応するように情報が記
録されている。図11においては、上向きの垂直磁化が
“1”に対応し、下向きの垂直磁化が“0”に対応して
いる。また、この記録層の材質としては、光強度変調方
式の場合と同様に、TbFeCo等が用いられる。
スクDKにおける記録層102は、垂直磁化により情報
を記録する記録層であり、その垂直磁化の方向が記録す
べき情報の“1”又は“0”に対応するように情報が記
録されている。図11においては、上向きの垂直磁化が
“1”に対応し、下向きの垂直磁化が“0”に対応して
いる。また、この記録層の材質としては、光強度変調方
式の場合と同様に、TbFeCo等が用いられる。
【0015】次に、図11に示すように、記録された情
報を書き換える際には、情報が記録されている光磁気デ
ィスクDKの記録層102に対して、一定の強度の光ビ
ームBが照射される。このとき、光ビームBは、光強度
変調方式の場合と同様に、対物レンズRにより光磁気デ
ィスクDK上の情報を記録すべき記録位置に光スポット
を形成するように集光されて照射される。この場合に、
光ビームBを所定の強度に設定すると、光スポット内の
記録層102の温度が上昇する。
報を書き換える際には、情報が記録されている光磁気デ
ィスクDKの記録層102に対して、一定の強度の光ビ
ームBが照射される。このとき、光ビームBは、光強度
変調方式の場合と同様に、対物レンズRにより光磁気デ
ィスクDK上の情報を記録すべき記録位置に光スポット
を形成するように集光されて照射される。この場合に、
光ビームBを所定の強度に設定すると、光スポット内の
記録層102の温度が上昇する。
【0016】ここで、記録層102は、その保磁力と温
度の関係が図12に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームBの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図12のT1 になったとすると、保磁力
はHCRからHC1まで弱くなる。そこで、例えば、光スポ
ット内の記録層102の温度をT1 まで上昇させてお
き、同時にHC1より強い記録外部磁界Hexr を印加した
とすると、記録層102のうち温度がT1 以上となって
いる部分の磁化の方向が記録外部磁界Hexr の方向に変
化することとなる。よって、この記録外部磁界Hexr の
方向を、記録すべき情報に対応して変化させれば(例え
ば、図11では、上向きが“1”に対応し、下向きが
“0”に対応している。)、図11のように、記録すべ
き情報が垂直磁化の方向により記録マークMとして記録
層102に記録されることとなる。
度の関係が図12に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームBの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図12のT1 になったとすると、保磁力
はHCRからHC1まで弱くなる。そこで、例えば、光スポ
ット内の記録層102の温度をT1 まで上昇させてお
き、同時にHC1より強い記録外部磁界Hexr を印加した
とすると、記録層102のうち温度がT1 以上となって
いる部分の磁化の方向が記録外部磁界Hexr の方向に変
化することとなる。よって、この記録外部磁界Hexr の
方向を、記録すべき情報に対応して変化させれば(例え
ば、図11では、上向きが“1”に対応し、下向きが
“0”に対応している。)、図11のように、記録すべ
き情報が垂直磁化の方向により記録マークMとして記録
層102に記録されることとなる。
【0017】更に、磁界変調方式による他の情報の記録
方式として、光スポット内に記録層102のキュリー温
度TC 以上となる領域を形成し、その領域に記録外部磁
界H exr を印加して情報を記録する方法がある。
方式として、光スポット内に記録層102のキュリー温
度TC 以上となる領域を形成し、その領域に記録外部磁
界H exr を印加して情報を記録する方法がある。
【0018】以下、この方法についてより具体的に説明
すると、情報の記録又は書き換えの際には、光ビームB
の強さを適当に調節して光スポット内の記録層102の
温度の最高値を当該記録層102のキュリー温度TC 以
上とし、光スポット内に保磁力が零となって磁区が消滅
する範囲を形成する。この磁区が消滅した範囲は、光磁
気ディスクDKの回転による移動に伴い、光スポットの
範囲からはずれてその温度が下がることとなる。この降
温の際に、記録すべき情報により変調された記録外部磁
界Hexr を印加すれば、降温過程において新たに生じる
磁化の方向が印加された記録外部磁界Hexr の方向とな
り、記録すべき情報が当該磁化の方向により記録される
こととなる。
すると、情報の記録又は書き換えの際には、光ビームB
の強さを適当に調節して光スポット内の記録層102の
温度の最高値を当該記録層102のキュリー温度TC 以
上とし、光スポット内に保磁力が零となって磁区が消滅
する範囲を形成する。この磁区が消滅した範囲は、光磁
気ディスクDKの回転による移動に伴い、光スポットの
範囲からはずれてその温度が下がることとなる。この降
温の際に、記録すべき情報により変調された記録外部磁
界Hexr を印加すれば、降温過程において新たに生じる
磁化の方向が印加された記録外部磁界Hexr の方向とな
り、記録すべき情報が当該磁化の方向により記録される
こととなる。
【0019】以上が、光強度変調方式及び磁界変調記録
方式による情報の記録の基本機構であるが、この場合
に、記録位置に照射される光ビームBの強度を適当に設
定すれば、光ビームBの波長と対物レンズRの開口数よ
り定まる空間周波数を超える周波数で記録マークMを形
成して情報を記録することができるのである。この、い
わゆる超解像記録について、図13を用いて説明する。
なお、図13は、光強度変調方式による超解像記録を例
として示している。
方式による情報の記録の基本機構であるが、この場合
に、記録位置に照射される光ビームBの強度を適当に設
定すれば、光ビームBの波長と対物レンズRの開口数よ
り定まる空間周波数を超える周波数で記録マークMを形
成して情報を記録することができるのである。この、い
わゆる超解像記録について、図13を用いて説明する。
なお、図13は、光強度変調方式による超解像記録を例
として示している。
【0020】一般に、光スポットBPにおいては、その
中の温度分布は、図13に示すように、光スポットBP
の中央部分が最も高い山形の分布となる。そこで、光ス
ポットBP内の最高温度を、温度T1 より高くなるよう
に光ビームBの強度を設定すれば、光スポットBP内に
おける温度T1 以上の領域は、光スポットBPより小さ
くなる。そこで、このとき同時に上述のバイアス磁界H
b を印加すれば、光スポットBP内における温度T1 以
上の領域内の磁化の方向のみがバイアス磁界H b の方向
に揃うこととなる。これにより、記録層101に光スポ
ットBPより小さな、すなわち、光ビームBの波長と対
物レンズRの開口数より定まる空間周波数(記録装置の
光学系の空間周波数)を超える周波数を有する記録マー
クMを形成することができるのである。
中の温度分布は、図13に示すように、光スポットBP
の中央部分が最も高い山形の分布となる。そこで、光ス
ポットBP内の最高温度を、温度T1 より高くなるよう
に光ビームBの強度を設定すれば、光スポットBP内に
おける温度T1 以上の領域は、光スポットBPより小さ
くなる。そこで、このとき同時に上述のバイアス磁界H
b を印加すれば、光スポットBP内における温度T1 以
上の領域内の磁化の方向のみがバイアス磁界H b の方向
に揃うこととなる。これにより、記録層101に光スポ
ットBPより小さな、すなわち、光ビームBの波長と対
物レンズRの開口数より定まる空間周波数(記録装置の
光学系の空間周波数)を超える周波数を有する記録マー
クMを形成することができるのである。
【0021】一方、光スポットBP内の最高温度を記録
層101のキュリー温度TC (図12参照)以上として
情報を記録する場合でも、キュリー温度TC 以上となる
範囲が光スポットBPの範囲より小さくなるように(す
なわち、光スポットBPの範囲内の最低温度がキュリー
温度TC より低くなるように)光ビームBの強度を調節
すれば、降温の際にバイアス磁界Hb に対応した磁化が
発生する範囲が光スポットBPの範囲より小さくなり、
従って、光スポットBPの範囲より小さな記録マークM
が形成されることとなる。
層101のキュリー温度TC (図12参照)以上として
情報を記録する場合でも、キュリー温度TC 以上となる
範囲が光スポットBPの範囲より小さくなるように(す
なわち、光スポットBPの範囲内の最低温度がキュリー
温度TC より低くなるように)光ビームBの強度を調節
すれば、降温の際にバイアス磁界Hb に対応した磁化が
発生する範囲が光スポットBPの範囲より小さくなり、
従って、光スポットBPの範囲より小さな記録マークM
が形成されることとなる。
【0022】この超解像記録は、磁界変調方式の場合で
も、印加磁界のスイッチ速度を速くすれば、光磁気ディ
スクの回転接線方向の超解像記録を実現することができ
る。また、光スポットBP内の最高温度を図12に示す
温度T1 又は記録層102のキュリー温度TC 以上と
し、その最低温度を温度T1 又はキュリー温度TC 以下
することにより、光磁気ディスクの半径方向の超解像記
録も同様に可能となる。
も、印加磁界のスイッチ速度を速くすれば、光磁気ディ
スクの回転接線方向の超解像記録を実現することができ
る。また、光スポットBP内の最高温度を図12に示す
温度T1 又は記録層102のキュリー温度TC 以上と
し、その最低温度を温度T1 又はキュリー温度TC 以下
することにより、光磁気ディスクの半径方向の超解像記
録も同様に可能となる。
【0023】上記の超解像記録によれば、光磁気ディス
クDKに対して記録装置の光学系の空間周波数を越えた
空間周波数の記録マークMを形成することができる。
クDKに対して記録装置の光学系の空間周波数を越えた
空間周波数の記録マークMを形成することができる。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光磁気ディスクDKを用いた情報の超解像記録において
は、図12に示すように、記録層101又は102にお
ける温度と保磁力の関係が単調減少の関係であったの
で、光ビームBの強度が変動することにより光スポット
BP内の温度が変動すると、保磁力が弱められる(又は
磁化が消滅する)記録層101又は102の領域の大き
さも変動することとなり、安定な大きさの記録マークの
形成ができないという問題点があった。
光磁気ディスクDKを用いた情報の超解像記録において
は、図12に示すように、記録層101又は102にお
ける温度と保磁力の関係が単調減少の関係であったの
で、光ビームBの強度が変動することにより光スポット
BP内の温度が変動すると、保磁力が弱められる(又は
磁化が消滅する)記録層101又は102の領域の大き
さも変動することとなり、安定な大きさの記録マークの
形成ができないという問題点があった。
【0025】すなわち、光強度変調の場合について検討
すると、光ビームBの強度が変動することにより光スポ
ットBP内の温度が変動すると、例えば、光スポットB
P内における温度T1 以上の領域の大きさも変動するこ
ととなる。これに伴い、バイアス磁界Hb により磁化の
方向が揃えられる領域(記録マークM(図13符号M参
照)に対応する。)の大きさも変動することなり、安定
した大きさの記録マークMが形成されないのである。そ
して、この問題点を解消するためには、光ビームBの強
度を厳密に制御する必要があり、そのためのパワーマー
ジン(強度変動許容範囲)が小さくなるともに、光ビー
ムBを記録位置に集光するためのフォーカスサーボのマ
ージン(集光度変動許容範囲)も減少してしまい、この
ため、光ビーム強度制御装置及びフォーカスサーボ装置
の構成及び設計が複雑になるという問題点があった。
すると、光ビームBの強度が変動することにより光スポ
ットBP内の温度が変動すると、例えば、光スポットB
P内における温度T1 以上の領域の大きさも変動するこ
ととなる。これに伴い、バイアス磁界Hb により磁化の
方向が揃えられる領域(記録マークM(図13符号M参
照)に対応する。)の大きさも変動することなり、安定
した大きさの記録マークMが形成されないのである。そ
して、この問題点を解消するためには、光ビームBの強
度を厳密に制御する必要があり、そのためのパワーマー
ジン(強度変動許容範囲)が小さくなるともに、光ビー
ムBを記録位置に集光するためのフォーカスサーボのマ
ージン(集光度変動許容範囲)も減少してしまい、この
ため、光ビーム強度制御装置及びフォーカスサーボ装置
の構成及び設計が複雑になるという問題点があった。
【0026】この問題点は、光スポットBP内の最高温
度を記録層101のキュリー温度T C 以上として情報を
記録する場合にも同様に存在し、光ビームBの強度が変
動すると、キュリー温度TC 以上となる範囲の大きさも
変動し、安定した大きさの記録マークMが形成されず、
その解消のために光ビームBの強度を厳密に制御する必
要が出てくるのである。
度を記録層101のキュリー温度T C 以上として情報を
記録する場合にも同様に存在し、光ビームBの強度が変
動すると、キュリー温度TC 以上となる範囲の大きさも
変動し、安定した大きさの記録マークMが形成されず、
その解消のために光ビームBの強度を厳密に制御する必
要が出てくるのである。
【0027】そこで、本発明は上記の問題点に鑑みて成
されたもので、その課題は、光ビームの強度が変動して
も安定してより小さな大きさの記録マークを形成するこ
とが可能な情報記録方法及び情報記録装置を提供するこ
とである。
されたもので、その課題は、光ビームの強度が変動して
も安定してより小さな大きさの記録マークを形成するこ
とが可能な情報記録方法及び情報記録装置を提供するこ
とである。
【0028】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明は、垂直磁化状態で記録情
報が記録されるとともに、第1の保磁力及び第1のキュ
リー温度を有する第1記録層と、垂直磁化状態で前記第
1記録層と同一の前記記録情報が記録されるとともに、
室温で前記第1の保磁力より大きい第2の保磁力及び前
記第1のキュリー温度より低い第2のキュリー温度を有
する第2記録層とを少なくとも備えた光磁気ディスクに
対して前記記録情報を記録する情報記録方法において、
前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録すべき記録
位置の温度が前記第2のキュリー温度より高く前記第1
のキュリー温度より低い記録温度となるように記録光の
出力パワーを制御するとともに、当該記録光を前記記録
位置に照射する照射工程と、少なくとも前記光磁気ディ
スクに対する前記記録光の照射中に、前記記録温度に対
応する前記第1の保磁力よりも強く、且つ、前記記録光
の照射により前記第2の保磁力が零となっている前記第
2記録層の領域に対応する前記第1記録層の領域の境界
線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する前
記第1の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を前記
記録位置に印加し、残存している前記第1記録層の磁化
の方向を前記記録外部磁界の方向とすることにより前記
記録情報に対応する記録マークを形成する記録外部磁界
印加工程と、を備えて構成される。
めに、請求項1に記載の発明は、垂直磁化状態で記録情
報が記録されるとともに、第1の保磁力及び第1のキュ
リー温度を有する第1記録層と、垂直磁化状態で前記第
1記録層と同一の前記記録情報が記録されるとともに、
室温で前記第1の保磁力より大きい第2の保磁力及び前
記第1のキュリー温度より低い第2のキュリー温度を有
する第2記録層とを少なくとも備えた光磁気ディスクに
対して前記記録情報を記録する情報記録方法において、
前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録すべき記録
位置の温度が前記第2のキュリー温度より高く前記第1
のキュリー温度より低い記録温度となるように記録光の
出力パワーを制御するとともに、当該記録光を前記記録
位置に照射する照射工程と、少なくとも前記光磁気ディ
スクに対する前記記録光の照射中に、前記記録温度に対
応する前記第1の保磁力よりも強く、且つ、前記記録光
の照射により前記第2の保磁力が零となっている前記第
2記録層の領域に対応する前記第1記録層の領域の境界
線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する前
記第1の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を前記
記録位置に印加し、残存している前記第1記録層の磁化
の方向を前記記録外部磁界の方向とすることにより前記
記録情報に対応する記録マークを形成する記録外部磁界
印加工程と、を備えて構成される。
【0029】請求項1に記載の発明の作用によれば、照
射工程において、光磁気ディスク上の記録位置の温度が
第2のキュリー温度より高く第1のキュリー温度より低
い記録温度となるように記録光の出力パワーを制御する
とともに、当該記録光を記録位置に照射する。
射工程において、光磁気ディスク上の記録位置の温度が
第2のキュリー温度より高く第1のキュリー温度より低
い記録温度となるように記録光の出力パワーを制御する
とともに、当該記録光を記録位置に照射する。
【0030】これと並行して、記録外部磁界印加工程に
おいて、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照
射中に、記録温度に対応する第1の保磁力よりも強く、
且つ、記録光の照射により第2の保磁力が零となってい
る第2記録層の領域に対応する第1記録層の領域の境界
線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第
1の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置
に印加し、残存している第1記録層の磁化の方向を記録
外部磁界の方向に変えることにより記録情報に対応する
記録マークを形成して記録情報を記録する。
おいて、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照
射中に、記録温度に対応する第1の保磁力よりも強く、
且つ、記録光の照射により第2の保磁力が零となってい
る第2記録層の領域に対応する第1記録層の領域の境界
線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第
1の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置
に印加し、残存している第1記録層の磁化の方向を記録
外部磁界の方向に変えることにより記録情報に対応する
記録マークを形成して記録情報を記録する。
【0031】そして、光磁気ディスクの回転により記録
位置の温度が低下すると、第1記録層の磁化が保磁力の
大きい第2記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
位置の温度が低下すると、第1記録層の磁化が保磁力の
大きい第2記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
【0032】よって、第2の保磁力が零となっている第
2記録層の領域に対応する第1記録層の領域より小さい
範囲に対応する第1記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第2記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第1のキュリー温度及び第2
のキュリー温度より高くして第1記録層及び第2記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
2記録層の領域に対応する第1記録層の領域より小さい
範囲に対応する第1記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第2記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第1のキュリー温度及び第2
のキュリー温度より高くして第1記録層及び第2記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
【0033】
【0034】上記の課題を解決するために請求項2に記
載の発明は、垂直磁化状態で記録情報が記録されるとと
もに、第1の保磁力及び第1のキュリー温度を有する第
1記録層と、垂直磁化状態で前記第1記録層と同一の前
記記録情報が記録されるとともに、室温で前記第1の保
磁力より大きい第2の保磁力及び前記第1のキュリー温
度より低い第2のキュリー温度を有する第2記録層とを
少なくとも備えた光磁気ディスクに対して前記記録情報
を記録する情報記録装置において、前記光磁気ディスク
上の前記記録情報を記録すべき記録位置にレーザ光等の
記録光を照射するレーザダイオード等の照射手段と、前
記記録光の出力パワーを、前記記録位置の温度が前記第
2のキュリー温度より高く前記第1のキュリー温度より
低い記録温度となるように制御するAPC(Automatic
Power Control)回路等の制御手段と、少なくとも前
記光磁気ディスクに対する前記記録光の照射中に、前記
記録温度に対応する前記第1の保磁力よりも強く、且
つ、前記記録光の照射により前記第2の保磁力が零とな
っている前記第2記録層の領域に対応する前記第1記録
層の領域の境界線の内側であって、当該境界線近傍の温
度に対応する前記第1の保磁力よりも小さい強さの記録
外部磁界を前記記録位置に印加し、残存している前記第
1記録層の磁化の方向を前記記録外部磁界の方向とする
ことにより前記記録情報に対応する記録マークを形成す
る磁気ヘッド等の記録外部磁界印加手段と、を備えて構
成される。
載の発明は、垂直磁化状態で記録情報が記録されるとと
もに、第1の保磁力及び第1のキュリー温度を有する第
1記録層と、垂直磁化状態で前記第1記録層と同一の前
記記録情報が記録されるとともに、室温で前記第1の保
磁力より大きい第2の保磁力及び前記第1のキュリー温
度より低い第2のキュリー温度を有する第2記録層とを
少なくとも備えた光磁気ディスクに対して前記記録情報
を記録する情報記録装置において、前記光磁気ディスク
上の前記記録情報を記録すべき記録位置にレーザ光等の
記録光を照射するレーザダイオード等の照射手段と、前
記記録光の出力パワーを、前記記録位置の温度が前記第
2のキュリー温度より高く前記第1のキュリー温度より
低い記録温度となるように制御するAPC(Automatic
Power Control)回路等の制御手段と、少なくとも前
記光磁気ディスクに対する前記記録光の照射中に、前記
記録温度に対応する前記第1の保磁力よりも強く、且
つ、前記記録光の照射により前記第2の保磁力が零とな
っている前記第2記録層の領域に対応する前記第1記録
層の領域の境界線の内側であって、当該境界線近傍の温
度に対応する前記第1の保磁力よりも小さい強さの記録
外部磁界を前記記録位置に印加し、残存している前記第
1記録層の磁化の方向を前記記録外部磁界の方向とする
ことにより前記記録情報に対応する記録マークを形成す
る磁気ヘッド等の記録外部磁界印加手段と、を備えて構
成される。
【0035】請求項2に記載の発明の作用によれば、照
射手段は、光磁気ディスク上の記録位置に記録光を照射
する。このとき、制御手段は、記録光の出力パワーを、
記録位置の温度が第2のキュリー温度より高く第1のキ
ュリー温度より低い記録温度となるように制御する。
射手段は、光磁気ディスク上の記録位置に記録光を照射
する。このとき、制御手段は、記録光の出力パワーを、
記録位置の温度が第2のキュリー温度より高く第1のキ
ュリー温度より低い記録温度となるように制御する。
【0036】これと並行して、記録外部磁界印加手段
は、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照射中
に、記録温度に対応する第1の保磁力よりも強く、且
つ、記録光の照射により第2の保磁力が零となっている
第2記録層の領域に対応する第1記録層の領域の境界線
の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第1
の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置に
印加し、残存している第1記録層の磁化の方向を記録外
部磁界の方向とすることにより記録情報に対応する記録
マークを形成して記録情報を記録する。
は、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照射中
に、記録温度に対応する第1の保磁力よりも強く、且
つ、記録光の照射により第2の保磁力が零となっている
第2記録層の領域に対応する第1記録層の領域の境界線
の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第1
の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置に
印加し、残存している第1記録層の磁化の方向を記録外
部磁界の方向とすることにより記録情報に対応する記録
マークを形成して記録情報を記録する。
【0037】そして、光磁気ディスクの回転により記録
位置の温度が低下すると、第1記録層の磁化が保磁力の
大きい第2記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
位置の温度が低下すると、第1記録層の磁化が保磁力の
大きい第2記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
【0038】よって、第2の保磁力が零となっている第
2記録層の領域に対応する第1記録層の領域より小さい
範囲に対応する第1記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第2記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第1のキュリー温度及び第2
のキュリー温度より高くして第1記録層及び第2記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
2記録層の領域に対応する第1記録層の領域より小さい
範囲に対応する第1記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第2記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第1のキュリー温度及び第2
のキュリー温度より高くして第1記録層及び第2記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
【0039】
【0040】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施形態を
図面を参照して説明する。 (I)光磁気ディスクの構造 始めに、本実施形態に係る光磁気ディスクの構造につい
て、図1を用いて説明する。
図面を参照して説明する。 (I)光磁気ディスクの構造 始めに、本実施形態に係る光磁気ディスクの構造につい
て、図1を用いて説明する。
【0041】図1に示す実施形態に係る光磁気ディスク
1は、記録光としての光ビームBの照射側から順に、光
磁気ディスク1の本体たる基板2と、後述の光記録再生
層を保護するための誘電体保護層3と、室温において後
述の中間層5を介した後述の第1記録層6との交換結合
により第1記録層6及び後述の第2記録層7と同一の磁
化方向(記録マークM)を保持するとともに、再生時に
おいては、光ビームBの照射により加熱されて後述の中
間層5を介した後述の第1記録層6との交換結合が切れ
た部分が再生外部磁界Hexp の方向に磁化され、第1記
録層6の磁化が転写されないマスク層となる再生層4
と、後述の動作により垂直磁化状態で磁化の方向により
記録マークMが形成され、情報が記録される第1記録層
6及び第2記録層7と、後述の光記録再生層を保護する
ための誘電体保護層8と、光磁気ディスク1をコーティ
ングして保護するための2Pオーバコート等で形成され
る樹脂保護膜9とを積層して構成される。上記の構成に
おいて、実質的に実施形態の記録動作に関与するのは第
1記録層6及び第2記録層7であり、更に、記録された
情報の再生動作に関与するのは、再生層4、中間層5、
第1記録層6及び第2記録層7である。そこで、今後、
記録及び再生に関与する各層をまとめて光記録再生層と
いうことにする。
1は、記録光としての光ビームBの照射側から順に、光
磁気ディスク1の本体たる基板2と、後述の光記録再生
層を保護するための誘電体保護層3と、室温において後
述の中間層5を介した後述の第1記録層6との交換結合
により第1記録層6及び後述の第2記録層7と同一の磁
化方向(記録マークM)を保持するとともに、再生時に
おいては、光ビームBの照射により加熱されて後述の中
間層5を介した後述の第1記録層6との交換結合が切れ
た部分が再生外部磁界Hexp の方向に磁化され、第1記
録層6の磁化が転写されないマスク層となる再生層4
と、後述の動作により垂直磁化状態で磁化の方向により
記録マークMが形成され、情報が記録される第1記録層
6及び第2記録層7と、後述の光記録再生層を保護する
ための誘電体保護層8と、光磁気ディスク1をコーティ
ングして保護するための2Pオーバコート等で形成され
る樹脂保護膜9とを積層して構成される。上記の構成に
おいて、実質的に実施形態の記録動作に関与するのは第
1記録層6及び第2記録層7であり、更に、記録された
情報の再生動作に関与するのは、再生層4、中間層5、
第1記録層6及び第2記録層7である。そこで、今後、
記録及び再生に関与する各層をまとめて光記録再生層と
いうことにする。
【0042】次に、各層の働き、組成及び膜厚について
説明する。基板2は、光磁気ディスク1全体を支持する
働きをし、その材質としては、光ビームBを透過し、且
つ、屈折させ難い材質が用いられ、具体的には、ガラス
等が用いられる。また、その厚さは、光磁気ディスク1
を支持するのに充分な強度を有し、且つ、光ビームBの
透過に影響を与えない膜厚であればよい。具体的には、
0.6乃至1.2mm程度とされる。
説明する。基板2は、光磁気ディスク1全体を支持する
働きをし、その材質としては、光ビームBを透過し、且
つ、屈折させ難い材質が用いられ、具体的には、ガラス
等が用いられる。また、その厚さは、光磁気ディスク1
を支持するのに充分な強度を有し、且つ、光ビームBの
透過に影響を与えない膜厚であればよい。具体的には、
0.6乃至1.2mm程度とされる。
【0043】誘電体保護層3及び8は、光ビームBを透
過するとともに、光記録再生層を保護する働きをする。
この膜の性質としては、光ビームBの透過に影響を与え
ないように透明であって、且つ、光記録再生層の動作に
影響を与えないように水分等を透過させない緻密な組成
を有する必要がある。この性質を有する組成としては、
SiNx 、AlN、Ta2 O5 等が使用可能である。膜
厚としては、経年変化や酸化に対して抵抗できる程度の
厚さ(例えば、20nm程度)以上の厚さは必要で、熱伝
導特性や光透過特性に影響を与えない程度の厚さ(例え
ば、100nm程度)以下であることが好ましい。
過するとともに、光記録再生層を保護する働きをする。
この膜の性質としては、光ビームBの透過に影響を与え
ないように透明であって、且つ、光記録再生層の動作に
影響を与えないように水分等を透過させない緻密な組成
を有する必要がある。この性質を有する組成としては、
SiNx 、AlN、Ta2 O5 等が使用可能である。膜
厚としては、経年変化や酸化に対して抵抗できる程度の
厚さ(例えば、20nm程度)以上の厚さは必要で、熱伝
導特性や光透過特性に影響を与えない程度の厚さ(例え
ば、100nm程度)以下であることが好ましい。
【0044】中間層5は、室温で第1記録層6と再生層
4とを交換結合して第1記録層6に形成された記録マー
クMを再生層4に転写する必要があることから、室温で
高い保磁力を有する必要がある。更に、再生時には、光
ビームBの照射による加熱により第1記録層6と再生層
4との交換結合力を遮断する必要があるので、加熱時に
中間層5の磁区が消失する必要があるため、当該中間層
5のキュリー温度(以下、TCSとする。)が加熱時の到
達温度より低いことが必要である。同時に、再生時に光
記録再生層を構成する他の磁性層の磁化が消失しないこ
とが必要なので、キュリー温度TCSについては、光記録
再生層を構成する他の磁性層(再生層4、第1記録層6
及び第2記録層7)の各キュリー温度のうち、いずれの
キュリー温度よりも低いことが必要である。
4とを交換結合して第1記録層6に形成された記録マー
クMを再生層4に転写する必要があることから、室温で
高い保磁力を有する必要がある。更に、再生時には、光
ビームBの照射による加熱により第1記録層6と再生層
4との交換結合力を遮断する必要があるので、加熱時に
中間層5の磁区が消失する必要があるため、当該中間層
5のキュリー温度(以下、TCSとする。)が加熱時の到
達温度より低いことが必要である。同時に、再生時に光
記録再生層を構成する他の磁性層の磁化が消失しないこ
とが必要なので、キュリー温度TCSについては、光記録
再生層を構成する他の磁性層(再生層4、第1記録層6
及び第2記録層7)の各キュリー温度のうち、いずれの
キュリー温度よりも低いことが必要である。
【0045】これらの条件を満足する中間層の組成とし
ては、例えば、 Tb22Fe78〔at% 〕 とされ、その厚さは、10nm程度であることが望まし
い。
ては、例えば、 Tb22Fe78〔at% 〕 とされ、その厚さは、10nm程度であることが望まし
い。
【0046】ここで、組成式中の数値は2種の合金の原
子数量比を表すもので、原子パーセントという。例え
ば、 An Bm 〔at% 〕 という表示では、 n +m =100 であり、この式は、全原子の個数中n%のA原子および
m%のB原子によってこの物質が組成されることを意味
する。
子数量比を表すもので、原子パーセントという。例え
ば、 An Bm 〔at% 〕 という表示では、 n +m =100 であり、この式は、全原子の個数中n%のA原子および
m%のB原子によってこの物質が組成されることを意味
する。
【0047】再生層4は、室温で中間層5を介した交換
結合力により第1記録層6の記録マークMが転写される
とともに、再生時には、光ビームBの照射による加熱に
伴う昇温により、中間層5の磁区が消失して第1記録層
6との交換結合が切れた部分が再生外部磁界Hexp の方
向に磁化され、当該部分は第1記録層6の磁化が転写さ
れず情報が読み出せないマスク領域として動作する。こ
の時、再生における昇温時のマスク領域の到達温度(以
下、再生温度という。)は、第1記録層6の記録マーク
Mを保持するために第1記録層6のキュリー温度(以
下、TCR1 とする。)より低く、且つ、中間層5のキュ
リー温度TCSより高く設定される。また、再生層4にお
いては、再生時において磁化の方向が再生外部磁界H
exp (通常は300エルステッド程度)により当該再生
外部磁界Hexp の方向に揃えられることによりマスク領
域が形成されるので、再生温度において磁化が消失する
ことなく、且つ、当該再生温度において印加される再生
外部磁界Hexp より小さい保磁力を備える必要がある。
結合力により第1記録層6の記録マークMが転写される
とともに、再生時には、光ビームBの照射による加熱に
伴う昇温により、中間層5の磁区が消失して第1記録層
6との交換結合が切れた部分が再生外部磁界Hexp の方
向に磁化され、当該部分は第1記録層6の磁化が転写さ
れず情報が読み出せないマスク領域として動作する。こ
の時、再生における昇温時のマスク領域の到達温度(以
下、再生温度という。)は、第1記録層6の記録マーク
Mを保持するために第1記録層6のキュリー温度(以
下、TCR1 とする。)より低く、且つ、中間層5のキュ
リー温度TCSより高く設定される。また、再生層4にお
いては、再生時において磁化の方向が再生外部磁界H
exp (通常は300エルステッド程度)により当該再生
外部磁界Hexp の方向に揃えられることによりマスク領
域が形成されるので、再生温度において磁化が消失する
ことなく、且つ、当該再生温度において印加される再生
外部磁界Hexp より小さい保磁力を備える必要がある。
【0048】更に、再生外部磁界Hexp の強さは、第1
記録層6の記録マークMを保持するために、再生温度に
おける第1記録層6及び第2記録層7の保磁力より弱く
されるので、再生層4の再生温度における保磁力も第1
記録層6及び第2記録層7の保磁力より弱くする必要が
ある。
記録層6の記録マークMを保持するために、再生温度に
おける第1記録層6及び第2記録層7の保磁力より弱く
されるので、再生層4の再生温度における保磁力も第1
記録層6及び第2記録層7の保磁力より弱くする必要が
ある。
【0049】以上の条件から、再生層4のキュリー温度
TCP及び保磁力(以下、HCPという。)については、以
下の条件を満たすことが必要である。 TCP>TCS ……(1) 及び、再生温度付近において、 HCP<HCR1 、且つ、HCP<1キロエルステッド ……(2) ここで、HCR1 は、第1記録層6の保磁力である。
TCP及び保磁力(以下、HCPという。)については、以
下の条件を満たすことが必要である。 TCP>TCS ……(1) 及び、再生温度付近において、 HCP<HCR1 、且つ、HCP<1キロエルステッド ……(2) ここで、HCR1 は、第1記録層6の保磁力である。
【0050】以上の条件に適した再生層4の組成として
は、 Gdx1(Fe100-y1Coy1)100-x1〔at% 〕 の組成式において、 20<x1<25、且つ、5<y1<40 とされ、より好ましくは、図1に示すように、 x1=24、且つ、y1=30 とされる。
は、 Gdx1(Fe100-y1Coy1)100-x1〔at% 〕 の組成式において、 20<x1<25、且つ、5<y1<40 とされ、より好ましくは、図1に示すように、 x1=24、且つ、y1=30 とされる。
【0051】また、再生層4の膜厚は、30nm程度であ
ることが望ましいが、10nm以上60nmの範囲であれば
よい。第1記録層6は、後述の記録動作において、最初
に記録外部磁界Hexr により記録マークMが形成される
記録層である。この層の性質としては、垂直磁化を有す
る磁性材料であって、キュリー温度TCR1 が第2記録層
7のそれより高く、且つ、所定温度範囲に対する保磁力
HCR1 の変化が十分に小さい所定の範囲(より具体的に
は、例えば、130度以上における保磁力HCR1 が0か
ら500エルステッド未満の範囲となる)である必要が
ある。また、再生時には、光磁気ディスク1の光ビーム
Bの照射範囲の一部(マスク領域)が再生温度に到達し
たときでも記録情報(磁化の方向)が消失しないことが
必要である。
ることが望ましいが、10nm以上60nmの範囲であれば
よい。第1記録層6は、後述の記録動作において、最初
に記録外部磁界Hexr により記録マークMが形成される
記録層である。この層の性質としては、垂直磁化を有す
る磁性材料であって、キュリー温度TCR1 が第2記録層
7のそれより高く、且つ、所定温度範囲に対する保磁力
HCR1 の変化が十分に小さい所定の範囲(より具体的に
は、例えば、130度以上における保磁力HCR1 が0か
ら500エルステッド未満の範囲となる)である必要が
ある。また、再生時には、光磁気ディスク1の光ビーム
Bの照射範囲の一部(マスク領域)が再生温度に到達し
たときでも記録情報(磁化の方向)が消失しないことが
必要である。
【0052】以上の条件から、第1記録層6のキュリー
温度TCR1 は第2記録層7のキュリー温度TCR2 より高
く、保磁力HCR1 については、上式(2)の条件を満た
すことが必要である。
温度TCR1 は第2記録層7のキュリー温度TCR2 より高
く、保磁力HCR1 については、上式(2)の条件を満た
すことが必要である。
【0053】以上の条件に適した第1記録層6の組成と
しては、 Gdx2(Fe100-y2Coy2)100-x2〔at% 〕 の組成式において、 19≦x2≦30、且つ、5≦y2≦30 とされ、より好ましくは、図1に示すように、 x2=22、且つ、y2=30 とされる。この組成の場合には、第1記録層6のキュリ
ー温度TCR1 は、200℃乃至400℃よりも高くな
る。
しては、 Gdx2(Fe100-y2Coy2)100-x2〔at% 〕 の組成式において、 19≦x2≦30、且つ、5≦y2≦30 とされ、より好ましくは、図1に示すように、 x2=22、且つ、y2=30 とされる。この組成の場合には、第1記録層6のキュリ
ー温度TCR1 は、200℃乃至400℃よりも高くな
る。
【0054】また、第1記録層6の膜厚tR1は、20nm
程度であることが望ましいが、これ以外にも、5nm<t
R1<100nmの範囲で、且つ、後述の第2記録層7と合
わせた膜厚が10nmより厚く150nmより薄い範囲であ
ればよい。この膜厚は、膜の均一性及び熱容量の増大に
基づき決定されるものである。すなわち、あまり薄すぎ
ると均一に膜が形成されず、逆に厚すぎると熱容量の増
大により微小な記録マークMの形成が困難となるので、
これらを考慮して上記の範囲とされる。
程度であることが望ましいが、これ以外にも、5nm<t
R1<100nmの範囲で、且つ、後述の第2記録層7と合
わせた膜厚が10nmより厚く150nmより薄い範囲であ
ればよい。この膜厚は、膜の均一性及び熱容量の増大に
基づき決定されるものである。すなわち、あまり薄すぎ
ると均一に膜が形成されず、逆に厚すぎると熱容量の増
大により微小な記録マークMの形成が困難となるので、
これらを考慮して上記の範囲とされる。
【0055】第2記録層7は、後述の記録動作におい
て、第1記録層6に形成された記録マークMが、光磁気
ディスク1の回転に伴う降温時に転写されて保持される
記録層である。この層の性質としては、第1記録層6と
同様に、垂直磁化を有する磁性材料であって、キュリー
温度TCR1 が第1記録層6のそれより低く、且つ、室温
における保磁力HCR2 が、記録マークMの保持が可能な
程度に十分に大きい必要がある。すなわち、第1記録層
6に比して、保磁力の変化が急峻であり、且つ、キュリ
ー温度が低いことが必要である。また、再生時には、光
磁気ディスク1の光ビームBの照射範囲の一部(マスク
領域)が再生温度に到達したときでも記録情報(磁化の
方向)が消失しないことが必要である。
て、第1記録層6に形成された記録マークMが、光磁気
ディスク1の回転に伴う降温時に転写されて保持される
記録層である。この層の性質としては、第1記録層6と
同様に、垂直磁化を有する磁性材料であって、キュリー
温度TCR1 が第1記録層6のそれより低く、且つ、室温
における保磁力HCR2 が、記録マークMの保持が可能な
程度に十分に大きい必要がある。すなわち、第1記録層
6に比して、保磁力の変化が急峻であり、且つ、キュリ
ー温度が低いことが必要である。また、再生時には、光
磁気ディスク1の光ビームBの照射範囲の一部(マスク
領域)が再生温度に到達したときでも記録情報(磁化の
方向)が消失しないことが必要である。
【0056】更に、第1記録層6に形成された記録マー
クMが降温過程において転写されるという本実施形態に
おける記録マークMの保持の仕組みにより、第2記録層
7における構成元素の組成は、第2記録層7の補償点温
度TCOMP(第2記録層7を構成する構成元素間の磁化の
バランスから、キュリー温度より低い温度で磁化が一時
的に零となる温度)が室温から100度の範囲であるよ
うな組成とされる。
クMが降温過程において転写されるという本実施形態に
おける記録マークMの保持の仕組みにより、第2記録層
7における構成元素の組成は、第2記録層7の補償点温
度TCOMP(第2記録層7を構成する構成元素間の磁化の
バランスから、キュリー温度より低い温度で磁化が一時
的に零となる温度)が室温から100度の範囲であるよ
うな組成とされる。
【0057】以上の条件に適した第2記録層7の組成の
具体例としては、 Tbx3(Fe100-y3Coy3)100-x3〔at% 〕 の組成式において、 x3=23、且つ、y3=10 とされる。この組成の場合には、第2記録層7のキュリ
ー温度TCR2 は、170℃となるが、第2記録層7のキ
ュリー温度TCR2 としては、120℃乃至170℃とさ
れるのが適切である。
具体例としては、 Tbx3(Fe100-y3Coy3)100-x3〔at% 〕 の組成式において、 x3=23、且つ、y3=10 とされる。この組成の場合には、第2記録層7のキュリ
ー温度TCR2 は、170℃となるが、第2記録層7のキ
ュリー温度TCR2 としては、120℃乃至170℃とさ
れるのが適切である。
【0058】また、第2記録層7の膜厚tR2は、30nm
程度であることが望ましいが、上述の第1記録層6にお
ける膜厚の条件と同様の理由で、5nm<tR2<100nm
の範囲で、且つ、第1記録層6と合わせた膜厚が10nm
より厚く150nmより薄い範囲であればよい。
程度であることが望ましいが、上述の第1記録層6にお
ける膜厚の条件と同様の理由で、5nm<tR2<100nm
の範囲で、且つ、第1記録層6と合わせた膜厚が10nm
より厚く150nmより薄い範囲であればよい。
【0059】ここで、本実施形態の光磁気ディスク1に
おける第1記録層6と第2記録層7を一の記録層とみな
した場合の温度と保磁力の変化について、図2を用いて
説明する。
おける第1記録層6と第2記録層7を一の記録層とみな
した場合の温度と保磁力の変化について、図2を用いて
説明する。
【0060】本実施形態の光磁気ディスク1の記録層
(第1記録層6と第2記録層7)においては、温度と保
磁力の関係を示すグラフは、図2に示すように、一の変
曲点Wを有する。この場合、図2に符号aで示すよう
に、当該変曲点Wに対応する温度Xより低い温度範囲で
は、第2記録層7(保磁力の変化が第1記録層6に比し
て急峻であり、且つキュリー温度TCR2 が低い)の影響
を受けて、光磁気ディスク1の記録層の保磁力の変化も
急峻となっている。また、図2に符号bで示すように、
当該変曲点Wに対応する温度Xより高い温度範囲では、
第1記録層6(保磁力の変化が緩慢(130度以上にお
ける保磁力HCR1 が500エルステッド未満)であり、
且つキュリー温度TCR1 が高い)の影響を受けて、光磁
気ディスク1の記録層の保磁力の変化も緩慢で、ほぼ零
に近くなっている。
(第1記録層6と第2記録層7)においては、温度と保
磁力の関係を示すグラフは、図2に示すように、一の変
曲点Wを有する。この場合、図2に符号aで示すよう
に、当該変曲点Wに対応する温度Xより低い温度範囲で
は、第2記録層7(保磁力の変化が第1記録層6に比し
て急峻であり、且つキュリー温度TCR2 が低い)の影響
を受けて、光磁気ディスク1の記録層の保磁力の変化も
急峻となっている。また、図2に符号bで示すように、
当該変曲点Wに対応する温度Xより高い温度範囲では、
第1記録層6(保磁力の変化が緩慢(130度以上にお
ける保磁力HCR1 が500エルステッド未満)であり、
且つキュリー温度TCR1 が高い)の影響を受けて、光磁
気ディスク1の記録層の保磁力の変化も緩慢で、ほぼ零
に近くなっている。
【0061】本実施形態における記録マークMの形成に
よる情報の記録時には、上記の保磁力の変化を示す光磁
気ディスク1に対して、記録マークMを形成すべき光磁
気ディスク1上の記録位置の温度が、略図2に符号Aで
示す範囲となるように、記録光としての光ビームBの強
度が制御されて記録が行われる。詳細な記録動作につい
ては後述する。 (II)装置構成 次に、実施形態に係る光磁気ディスク情報記録再生装置
の構成について図3を用いて説明する。なお、図3に示
す光磁気ディスク情報記録再生装置においては、外部か
らの記録データを処理して後述の記録動作により光磁気
ディスク1に記録マークMを形成して情報を記録するの
みならず、光磁気ディスク1の記録された情報の再生も
可能である。また、図3に示す光磁気ディスク情報記録
再生装置においては、光強度変調方式を例として説明す
る。図3に示すように、実施形態に係る光磁気ディスク
情報記録再生装置Sは、光磁気ディスク1を回転駆動す
るためのスピンドルモータ10と、図示しないレーザダ
イオード、アクチュエータ及び偏光ビームスプリッタを
有し、回転する光磁気ディスク1に対して記録光又は再
生光としてのレーザ光等の光ビームBを照射し、この光
ビームBが光磁気ディスク1の再生層4において、磁気
カー効果により偏光面が僅かに回転して反射され戻って
きた光ビームB中の信号成分をRF(Radio Frequency
)信号として出力する照射手段としての光ピックアッ
プ11と、上記RF信号を所定のレベルにまで増幅する
RFアンプ12と、上記RF信号中からウォブリング周
波数を検出することにより情報未記録時(又は記録マー
クMの未形成部分に光ビームBを照射しているとき)に
おいても光磁気ディスク1における時間的位置が検出可
能なデコーダ13と、増幅された上記RF信号から記録
情報に対応する変調信号を抽出して復調するとともに、
外部から入力された記録情報に対応する変調データを出
力するためのエンコーダ・デコーダ14と、情報記録時
において、記録すべき情報(“0”又は“1”)に対応
して変調された記録光としての光ビームBにより昇温さ
れた第1記録層6の記録位置に、後述する一定強度の記
録外部磁界を印加し、当該第1記録層6に記録マークM
を形成するための記録外部磁界印加手段としての磁気ヘ
ッド15と、この磁気ヘッド15を駆動するためのヘッ
ド駆動回路16と、情報記録時に外部から入力される記
録情報としてのアナログ情報信号をディジタルデータに
変換するためのA/Dコンバータ17と、情報再生時に
エンコーダ・デコーダ14により復調され出力されたデ
ィジタルデータをアナログ情報信号に変換するためのD
/Aコンバータ18と、光ピックアップ11を光磁気デ
ィスク1の半径方向に移動するためのキャリッジ19
と、スピンドルモータ10、キャリッジ19及び図示し
ないアクチュエータをサーボ制御するサーボコントロー
ル回路20と、光磁気ディスク情報記録再生装置S全体
を制御するマイコン等よりなる制御手段としてのシステ
ムコントローラ21と、システムコントローラ21に外
部から所定の操作指令を与えるためのキー入力部22
と、情報再生状態等の必要な情報を表示するための表示
部23と、を備えて構成されている。
よる情報の記録時には、上記の保磁力の変化を示す光磁
気ディスク1に対して、記録マークMを形成すべき光磁
気ディスク1上の記録位置の温度が、略図2に符号Aで
示す範囲となるように、記録光としての光ビームBの強
度が制御されて記録が行われる。詳細な記録動作につい
ては後述する。 (II)装置構成 次に、実施形態に係る光磁気ディスク情報記録再生装置
の構成について図3を用いて説明する。なお、図3に示
す光磁気ディスク情報記録再生装置においては、外部か
らの記録データを処理して後述の記録動作により光磁気
ディスク1に記録マークMを形成して情報を記録するの
みならず、光磁気ディスク1の記録された情報の再生も
可能である。また、図3に示す光磁気ディスク情報記録
再生装置においては、光強度変調方式を例として説明す
る。図3に示すように、実施形態に係る光磁気ディスク
情報記録再生装置Sは、光磁気ディスク1を回転駆動す
るためのスピンドルモータ10と、図示しないレーザダ
イオード、アクチュエータ及び偏光ビームスプリッタを
有し、回転する光磁気ディスク1に対して記録光又は再
生光としてのレーザ光等の光ビームBを照射し、この光
ビームBが光磁気ディスク1の再生層4において、磁気
カー効果により偏光面が僅かに回転して反射され戻って
きた光ビームB中の信号成分をRF(Radio Frequency
)信号として出力する照射手段としての光ピックアッ
プ11と、上記RF信号を所定のレベルにまで増幅する
RFアンプ12と、上記RF信号中からウォブリング周
波数を検出することにより情報未記録時(又は記録マー
クMの未形成部分に光ビームBを照射しているとき)に
おいても光磁気ディスク1における時間的位置が検出可
能なデコーダ13と、増幅された上記RF信号から記録
情報に対応する変調信号を抽出して復調するとともに、
外部から入力された記録情報に対応する変調データを出
力するためのエンコーダ・デコーダ14と、情報記録時
において、記録すべき情報(“0”又は“1”)に対応
して変調された記録光としての光ビームBにより昇温さ
れた第1記録層6の記録位置に、後述する一定強度の記
録外部磁界を印加し、当該第1記録層6に記録マークM
を形成するための記録外部磁界印加手段としての磁気ヘ
ッド15と、この磁気ヘッド15を駆動するためのヘッ
ド駆動回路16と、情報記録時に外部から入力される記
録情報としてのアナログ情報信号をディジタルデータに
変換するためのA/Dコンバータ17と、情報再生時に
エンコーダ・デコーダ14により復調され出力されたデ
ィジタルデータをアナログ情報信号に変換するためのD
/Aコンバータ18と、光ピックアップ11を光磁気デ
ィスク1の半径方向に移動するためのキャリッジ19
と、スピンドルモータ10、キャリッジ19及び図示し
ないアクチュエータをサーボ制御するサーボコントロー
ル回路20と、光磁気ディスク情報記録再生装置S全体
を制御するマイコン等よりなる制御手段としてのシステ
ムコントローラ21と、システムコントローラ21に外
部から所定の操作指令を与えるためのキー入力部22
と、情報再生状態等の必要な情報を表示するための表示
部23と、を備えて構成されている。
【0062】また、サーボコントロール回路20は、光
ピックアップ11内の図示しないレーザダイオード内に
設けられたモニター用フォトダイオードにより検出され
た光ビームBの強度に基づいて、レーザダイオードへの
駆動電流を制御することにより、当該光ビームBの強度
を、記録時において記録すべき情報に対応して変調され
た出力パワーに設定するとともに再生時において後述の
出力パワーに保つためのAPC回路20Aを備えてい
る。
ピックアップ11内の図示しないレーザダイオード内に
設けられたモニター用フォトダイオードにより検出され
た光ビームBの強度に基づいて、レーザダイオードへの
駆動電流を制御することにより、当該光ビームBの強度
を、記録時において記録すべき情報に対応して変調され
た出力パワーに設定するとともに再生時において後述の
出力パワーに保つためのAPC回路20Aを備えてい
る。
【0063】更に、情報記録時においては、光ビームB
の強度は、より具体的には、後述の記録動作における強
度になるように、システムコントローラ21により、A
PC回路20Aを制御することで制御される。 (III )記録動作 次に、図4を参照して、本実施形態における記録動作に
ついて説明する。なお、図4は、本実施形態の記録動作
により記録マークMが形成されて情報が記録される様子
を時間を追って模式的に示したものであり、情報の記録
動作に関与しない中間層5、再生層4、基板2、誘電体
保護層3及び8並びに樹脂保護膜9の図示は省略してい
る。また、図4中の各図における矢印の長さは、磁化の
強さに対応している。
の強度は、より具体的には、後述の記録動作における強
度になるように、システムコントローラ21により、A
PC回路20Aを制御することで制御される。 (III )記録動作 次に、図4を参照して、本実施形態における記録動作に
ついて説明する。なお、図4は、本実施形態の記録動作
により記録マークMが形成されて情報が記録される様子
を時間を追って模式的に示したものであり、情報の記録
動作に関与しない中間層5、再生層4、基板2、誘電体
保護層3及び8並びに樹脂保護膜9の図示は省略してい
る。また、図4中の各図における矢印の長さは、磁化の
強さに対応している。
【0064】本実施形態においては、記録マークMは、
上述のように、先ず第1記録層6に形成され、その後、
降温過程において第2記録層7に転写されることにより
室温において当該記録マークMが保持される。
上述のように、先ず第1記録層6に形成され、その後、
降温過程において第2記録層7に転写されることにより
室温において当該記録マークMが保持される。
【0065】始めに、情報の記録前には、第1記録層6
及び第2記録層7の磁化の向きは、記録時と反対方向の
バイアス磁界Hb を印加しつつ、高パワーPH の連続光
を照射することにより、一方向に揃えられ、情報の消去
が行なわれる。より具体的には、図4において全て下向
きに揃えられる。
及び第2記録層7の磁化の向きは、記録時と反対方向の
バイアス磁界Hb を印加しつつ、高パワーPH の連続光
を照射することにより、一方向に揃えられ、情報の消去
が行なわれる。より具体的には、図4において全て下向
きに揃えられる。
【0066】次に、本実施形態の記録動作においては、
先ず、図4(a)に示すように、記録マークMを形成す
べき光磁気ディスク1の記録位置に対して光ビームBが
照射される。ここで、光ビームBの照射当初において
は、第1記録層6及び第2記録層7ともに昇温されてい
ないので、双方の保磁力は強く、また磁化の方向も同じ
方向(下向き)となっている。
先ず、図4(a)に示すように、記録マークMを形成す
べき光磁気ディスク1の記録位置に対して光ビームBが
照射される。ここで、光ビームBの照射当初において
は、第1記録層6及び第2記録層7ともに昇温されてい
ないので、双方の保磁力は強く、また磁化の方向も同じ
方向(下向き)となっている。
【0067】このとき、照射される光ビームBの強度
(出力パワー)については、記録すべき情報の“1”に
対応して記録マークMを形成する場合には、当該形成す
べき記録位置の温度が、第1記録層のキュリー温度T
CR1 より低く、且つ、第2記録層7のキュリー温度T
CR2 より高い温度、より具体的には、例えば、図2に符
号Aで示す範囲の温度となるように、当該出力パワーが
システムコントローラ21の制御のもと、APC20A
により制御される。また、記録マークMを形成しない部
分(記録すべき情報の“0”に対応する部分)に照射さ
れる光ビームBの強度は、照射された領域の温度が第2
記録層7のキュリー温度TCR2 より低い温度であって、
その温度のときの保磁力(図2参照)が後述の記録外部
磁界Hexr よりも強くなる温度になるような強度とされ
る。
(出力パワー)については、記録すべき情報の“1”に
対応して記録マークMを形成する場合には、当該形成す
べき記録位置の温度が、第1記録層のキュリー温度T
CR1 より低く、且つ、第2記録層7のキュリー温度T
CR2 より高い温度、より具体的には、例えば、図2に符
号Aで示す範囲の温度となるように、当該出力パワーが
システムコントローラ21の制御のもと、APC20A
により制御される。また、記録マークMを形成しない部
分(記録すべき情報の“0”に対応する部分)に照射さ
れる光ビームBの強度は、照射された領域の温度が第2
記録層7のキュリー温度TCR2 より低い温度であって、
その温度のときの保磁力(図2参照)が後述の記録外部
磁界Hexr よりも強くなる温度になるような強度とされ
る。
【0068】上記のように記録すべき情報に対応して出
力パワーが変調された光ビームBが照射されると、記録
マークMを形成すべく照射された範囲に対応する第2記
録層7の領域は、図4(b)に示すように、第2記録層
7のキュリー温度TCR2 以上となるので、当該領域(図
4(b)中、符号Hで示す。)の磁化が消滅し、第1記
録層6に対して交換結合力等の作用を発揮することがで
きなくなる。
力パワーが変調された光ビームBが照射されると、記録
マークMを形成すべく照射された範囲に対応する第2記
録層7の領域は、図4(b)に示すように、第2記録層
7のキュリー温度TCR2 以上となるので、当該領域(図
4(b)中、符号Hで示す。)の磁化が消滅し、第1記
録層6に対して交換結合力等の作用を発揮することがで
きなくなる。
【0069】一方、第1記録層6においては、当該記録
位置の温度は第1記録層6のキュリー温度TCR1 以下で
あるので磁化は消滅しないが、光ビームBの照射範囲の
中心部ほど温度が高いので、図4(b)に示すように当
該中心部ほど保磁力は弱くなる。
位置の温度は第1記録層6のキュリー温度TCR1 以下で
あるので磁化は消滅しないが、光ビームBの照射範囲の
中心部ほど温度が高いので、図4(b)に示すように当
該中心部ほど保磁力は弱くなる。
【0070】光ビームBの照射により、図4(b)に示
す状態となるまで昇温されると、次に、図4(c)に示
すように、記録位置に対して、記録マークMを形成する
場合と形成しない場合とで一定強度とされた記録外部磁
界Hexr が、磁気ヘッド15により印加される。このと
きの記録外部磁界Hexr の強さは、記録位置の中央部
(光ビームBの照射範囲の中央部)の温度に対応する第
1記録層6の保磁力より強く、且つ、磁化が消失してい
る第2記録層7の領域(図4(c)符号B参照)に対応
する第1記録層6の領域の境界線の内側であって、当該
境界線近傍の温度における第1記録層6の保磁力より弱
い強さとされる。具体的には、記録位置の中央部の温度
に対応する第1記録層6の保磁力より強く、且つ、当該
第1記録層6の保磁力近傍の値とされ、より具体的に
は、略200乃至300エルステッドの間の値とされ
る。この強さの記録外部磁界Hexr が印加されると、第
1記録層6の内、記録位置の中央部の磁化の方向のみが
印加された記録外部磁界Hexr の方向となり、この磁化
の方向の変化により、図4(c)に示すような記録マー
クMが形成される。
す状態となるまで昇温されると、次に、図4(c)に示
すように、記録位置に対して、記録マークMを形成する
場合と形成しない場合とで一定強度とされた記録外部磁
界Hexr が、磁気ヘッド15により印加される。このと
きの記録外部磁界Hexr の強さは、記録位置の中央部
(光ビームBの照射範囲の中央部)の温度に対応する第
1記録層6の保磁力より強く、且つ、磁化が消失してい
る第2記録層7の領域(図4(c)符号B参照)に対応
する第1記録層6の領域の境界線の内側であって、当該
境界線近傍の温度における第1記録層6の保磁力より弱
い強さとされる。具体的には、記録位置の中央部の温度
に対応する第1記録層6の保磁力より強く、且つ、当該
第1記録層6の保磁力近傍の値とされ、より具体的に
は、略200乃至300エルステッドの間の値とされ
る。この強さの記録外部磁界Hexr が印加されると、第
1記録層6の内、記録位置の中央部の磁化の方向のみが
印加された記録外部磁界Hexr の方向となり、この磁化
の方向の変化により、図4(c)に示すような記録マー
クMが形成される。
【0071】この場合、記録マークMの大きさは、磁化
が消失している第2記録層7の領域の大きさよりも小さ
なものとなる。次に、第1記録層6に記録マークMが形
成されると、光磁気ディスク1の回転により記録位置に
対する光ビームBの照射がなくなり、当該記録位置が降
温する。すると、図4(d)に示すように、第1記録層
6の保磁力が暫時増大するとともに、第2記録層7の温
度が当該第2記録層7のキュリー温度TCR2 より低くな
るので、当該第2記録層7に磁化が現出するが、この
際、第1記録層6の磁化が第2記録層7に対して外部磁
界として作用するので、第2記録層7も第1記録層6と
同じ状態で磁化が発生し、第1記録層6に形成された記
録マークMと同様の記録マークMが形成される。
が消失している第2記録層7の領域の大きさよりも小さ
なものとなる。次に、第1記録層6に記録マークMが形
成されると、光磁気ディスク1の回転により記録位置に
対する光ビームBの照射がなくなり、当該記録位置が降
温する。すると、図4(d)に示すように、第1記録層
6の保磁力が暫時増大するとともに、第2記録層7の温
度が当該第2記録層7のキュリー温度TCR2 より低くな
るので、当該第2記録層7に磁化が現出するが、この
際、第1記録層6の磁化が第2記録層7に対して外部磁
界として作用するので、第2記録層7も第1記録層6と
同じ状態で磁化が発生し、第1記録層6に形成された記
録マークMと同様の記録マークMが形成される。
【0072】そして、更に降温されると、図4(e)に
示すように、第1記録層6の保磁力より第2記録層7の
保磁力の方が強くなるので、これにより、室温おいても
記録マークM消失することなく第1記録層6及び第2記
録層7において記録マークMが保持され、情報が記録さ
れることとなる。
示すように、第1記録層6の保磁力より第2記録層7の
保磁力の方が強くなるので、これにより、室温おいても
記録マークM消失することなく第1記録層6及び第2記
録層7において記録マークMが保持され、情報が記録さ
れることとなる。
【0073】なお、記録マークMを形成しない場合に
は、上記の強度の記録外部磁界Hexrは引続き印加され
るものの、そのときの光ビームBの出力パワーが、上述
のように、照射された領域の温度が第2記録層7のキュ
リー温度TCR2 より低い温度であって、その温度のとき
の保磁力(図2参照)が上記の記録外部磁界Hexr より
も強くなる温度になるような強度とされるので、第2記
録層7の磁化が反転されることがなく初期化されたまま
に保持されることとなる。よって、その状態で降温する
ことにより第1記録層6にも第2記録層7の磁化が転写
され、記録マークは形成されない。
は、上記の強度の記録外部磁界Hexrは引続き印加され
るものの、そのときの光ビームBの出力パワーが、上述
のように、照射された領域の温度が第2記録層7のキュ
リー温度TCR2 より低い温度であって、その温度のとき
の保磁力(図2参照)が上記の記録外部磁界Hexr より
も強くなる温度になるような強度とされるので、第2記
録層7の磁化が反転されることがなく初期化されたまま
に保持されることとなる。よって、その状態で降温する
ことにより第1記録層6にも第2記録層7の磁化が転写
され、記録マークは形成されない。
【0074】次に、本実施形態において、記録マークM
を形成するときにおける光ビームBの出力パワーが変動
した場合、すなわち、記録位置の温度(以下、記録温度
という。)が変動した場合の記録マークMの変化につい
て図5及び図6を用いて説明する。
を形成するときにおける光ビームBの出力パワーが変動
した場合、すなわち、記録位置の温度(以下、記録温度
という。)が変動した場合の記録マークMの変化につい
て図5及び図6を用いて説明する。
【0075】ここで、図5における(a)乃至(f)
は、横軸を記録温度の変化、縦軸を記録外部磁界Hexr
の強さの変化とした場合の、各記録層の磁化の方向の変
化、すなわち、記録マークMの形成状況を示したもので
ある。また、図6は、記録時の光ビームBの出力パワー
(Recording Power )と再生RF信号におけるゲインの
関係を示すグラフであって、図5の(a)乃至(f)に
対応する記録温度及び記録外部磁界Hexr により上述の
記録動作を実行した光磁気ディスク1の記録情報を再生
した場合の、記録時の光ビームBの出力パワーとゲイン
の関係に対応する部分を符号(a)乃至符号(f)で示
したものである。図6のグラフにおいては、記録外部磁
界Hexr の強さがパラメータとなっており、更に、縦軸
のゲインは、そのまま、記録マークMの大きさに置き換
えることができる。
は、横軸を記録温度の変化、縦軸を記録外部磁界Hexr
の強さの変化とした場合の、各記録層の磁化の方向の変
化、すなわち、記録マークMの形成状況を示したもので
ある。また、図6は、記録時の光ビームBの出力パワー
(Recording Power )と再生RF信号におけるゲインの
関係を示すグラフであって、図5の(a)乃至(f)に
対応する記録温度及び記録外部磁界Hexr により上述の
記録動作を実行した光磁気ディスク1の記録情報を再生
した場合の、記録時の光ビームBの出力パワーとゲイン
の関係に対応する部分を符号(a)乃至符号(f)で示
したものである。図6のグラフにおいては、記録外部磁
界Hexr の強さがパラメータとなっており、更に、縦軸
のゲインは、そのまま、記録マークMの大きさに置き換
えることができる。
【0076】始めに、図5において、図5(a)は初期
状態であり、記録位置が十分に昇温されていないので、
記録マークMは形成されず、図6においてもゲインは零
に近い。すなわち、図5(a)は、図4(a)に対応し
ている。
状態であり、記録位置が十分に昇温されていないので、
記録マークMは形成されず、図6においてもゲインは零
に近い。すなわち、図5(a)は、図4(a)に対応し
ている。
【0077】次に、図5(c)及び図5(d)が本実施
形態による記録マークMの形成に対応しており、とも
に、図4(c)に対応する。このときの記録外部磁界H
exr の強さは約200乃至300エルステッドである。
形態による記録マークMの形成に対応しており、とも
に、図4(c)に対応する。このときの記録外部磁界H
exr の強さは約200乃至300エルステッドである。
【0078】図5(c)及び図5(d)においては、記
録位置の温度は、第1記録層6のキュリー温度TCR1 と
第2記録層7のキュリー温度TCR2 の間の温度であり、
第2記録層7の磁化は消滅している。従って、第2記録
層7からの磁場の影響がないため、第1記録層6におい
て、上述のように、第2記録層7の磁化が消滅している
領域の大きさよりも小さい記録マークMが形成されてい
る。
録位置の温度は、第1記録層6のキュリー温度TCR1 と
第2記録層7のキュリー温度TCR2 の間の温度であり、
第2記録層7の磁化は消滅している。従って、第2記録
層7からの磁場の影響がないため、第1記録層6におい
て、上述のように、第2記録層7の磁化が消滅している
領域の大きさよりも小さい記録マークMが形成されてい
る。
【0079】ここで、図5(c)の場合と図5(d)の
場合を比較すると、図5(d)の場合の方が記録温度が
高いのであるが、上述のように第1記録層6における温
度の変化に対する保磁力の変化が極めて小さいため、記
録温度が上昇した場合でも保磁力の変化が少なく、よっ
て、保磁力が弱くなる領域は広がらない。従って、記録
外部磁界Hexr の強さが同じであれば、記録温度が変化
しても記録マークMの大きさはほとんど変化しない。す
なわち、図5(c)の場合と図5(d)の場合では、記
録温度が変動しても記録マークMの大きさは変化しない
のである。このことは、図6において、符号(c)及び
(d)で示される位置のゲインが、光ビームBの出力パ
ワーが変動しているのにも拘らずほとんど変化していな
いことに対応している。
場合を比較すると、図5(d)の場合の方が記録温度が
高いのであるが、上述のように第1記録層6における温
度の変化に対する保磁力の変化が極めて小さいため、記
録温度が上昇した場合でも保磁力の変化が少なく、よっ
て、保磁力が弱くなる領域は広がらない。従って、記録
外部磁界Hexr の強さが同じであれば、記録温度が変化
しても記録マークMの大きさはほとんど変化しない。す
なわち、図5(c)の場合と図5(d)の場合では、記
録温度が変動しても記録マークMの大きさは変化しない
のである。このことは、図6において、符号(c)及び
(d)で示される位置のゲインが、光ビームBの出力パ
ワーが変動しているのにも拘らずほとんど変化していな
いことに対応している。
【0080】なお、図5(b)は、外部磁界が図5
(c)の場合又は図5(d)の場合に比して強い場合と
示しており、具体的には、500エルステッド以上の場
合を示している。この場合には、第1記録層6の保磁力
が上述のように、130度以上の温度範囲で500エル
ステッド未満であるため、第2記録層7の磁化の影響を
受けない範囲の全てが記録外部磁界Hexr の方向に揃え
られてしまうので、記録マークMの大きさも、磁化が消
失している第2記録層7の領域の大きさと同じ大きさと
なり、図5(c)の場合又は図5(d)の場合より大き
い記録マークMが形成されることとなる。このことは、
図6において、符号(b)で示される位置のゲインが、
符号(c)又は符号(d)で示される位置のゲインより
大きいことに対応している。
(c)の場合又は図5(d)の場合に比して強い場合と
示しており、具体的には、500エルステッド以上の場
合を示している。この場合には、第1記録層6の保磁力
が上述のように、130度以上の温度範囲で500エル
ステッド未満であるため、第2記録層7の磁化の影響を
受けない範囲の全てが記録外部磁界Hexr の方向に揃え
られてしまうので、記録マークMの大きさも、磁化が消
失している第2記録層7の領域の大きさと同じ大きさと
なり、図5(c)の場合又は図5(d)の場合より大き
い記録マークMが形成されることとなる。このことは、
図6において、符号(b)で示される位置のゲインが、
符号(c)又は符号(d)で示される位置のゲインより
大きいことに対応している。
【0081】また、図5(e)は、記録外部磁界Hexr
が図5(c)の場合又は図5(d)の場合に比して弱い
場合を示しており、具体的には、100乃至200エル
ステッド未満の場合を示している。この場合には、第2
記録層7の磁化が消滅しているので、第2記録層7から
の影響は受けないが、記録外部磁界Hexr が記録位置の
中央部の温度に対応する第1記録層6の保磁力より弱い
ので、記録位置の第1記録層6の磁化の方向が記録外部
磁界Hexr の方向に揃えられることがなく、記録マーク
Mは形成されない。このことは、図6において、符号
(e)で示される位置のゲインがほぼ零に近いことに対
応している。
が図5(c)の場合又は図5(d)の場合に比して弱い
場合を示しており、具体的には、100乃至200エル
ステッド未満の場合を示している。この場合には、第2
記録層7の磁化が消滅しているので、第2記録層7から
の影響は受けないが、記録外部磁界Hexr が記録位置の
中央部の温度に対応する第1記録層6の保磁力より弱い
ので、記録位置の第1記録層6の磁化の方向が記録外部
磁界Hexr の方向に揃えられることがなく、記録マーク
Mは形成されない。このことは、図6において、符号
(e)で示される位置のゲインがほぼ零に近いことに対
応している。
【0082】更に、図5(f)は、記録温度を第1記録
層6のキュリー温度TCR1 以上となるように加熱した場
合であり、上述の従来技術に対応する場合である。この
場合には、第1記録層6及び第2記録層7の磁化が完全
に消滅するので、降温過程においては、弱い記録外部磁
界Hexr でも、磁化が消失した領域の大きさに対応する
記録マークMが形成されることとなる。このときの記録
マークMの大きさは、図5(c)の場合又は図5(d)
の場合より大きくなる。このことは、図6において、符
号(f)で示される位置のゲインが、弱い外部磁界の場
合でも符号(c)又は符号(d)で示される位置のゲイ
ンより大きいことに対応している。
層6のキュリー温度TCR1 以上となるように加熱した場
合であり、上述の従来技術に対応する場合である。この
場合には、第1記録層6及び第2記録層7の磁化が完全
に消滅するので、降温過程においては、弱い記録外部磁
界Hexr でも、磁化が消失した領域の大きさに対応する
記録マークMが形成されることとなる。このときの記録
マークMの大きさは、図5(c)の場合又は図5(d)
の場合より大きくなる。このことは、図6において、符
号(f)で示される位置のゲインが、弱い外部磁界の場
合でも符号(c)又は符号(d)で示される位置のゲイ
ンより大きいことに対応している。
【0083】次に、第2記録層7の組成を変化させた場
合の本実施形態の適用について、図7を用いて説明す
る。ここで、図7は、第2記録層7を構成する元素の
内、テルビュウム(Tb)の元素比を変化させた3種類
の光磁気ディスク1を用いて上述の記録動作を行った場
合について、光ビームBの出力パワーと再生RF信号に
おけるゲインの関係を示したものであり、図6と同様
に、縦軸のゲインはそのまま記録マークMの大きさに置
き換えることができる。なお、第2記録層7におけるそ
の他の元素組成及び第1記録層6の組成については、第
1記録層6は、Gd24(Fe95Co5 )76とし、第2記
録層7については、Tbx (Fe95Co5 )10 0-x とし
ている。
合の本実施形態の適用について、図7を用いて説明す
る。ここで、図7は、第2記録層7を構成する元素の
内、テルビュウム(Tb)の元素比を変化させた3種類
の光磁気ディスク1を用いて上述の記録動作を行った場
合について、光ビームBの出力パワーと再生RF信号に
おけるゲインの関係を示したものであり、図6と同様
に、縦軸のゲインはそのまま記録マークMの大きさに置
き換えることができる。なお、第2記録層7におけるそ
の他の元素組成及び第1記録層6の組成については、第
1記録層6は、Gd24(Fe95Co5 )76とし、第2記
録層7については、Tbx (Fe95Co5 )10 0-x とし
ている。
【0084】図7に示すように、第2記録層7におい
て、テルビュウムの元素比が23〔at% 〕及び24〔at
% 〕のとき(図7(a)及び図7(b)に示す。)に
は、図6と同様の特性が得られ、グラフの階段状の部分
で従来技術よりも小さい記録マークMが形成され、且
つ、当該階段状の部分(概ね、光ビームBの出力パワー
が8.5mW乃至9.5mWの範囲)では、光ビームB
の出力パワーを変化させても記録マークMの大きさが変
化しないことがわかる。
て、テルビュウムの元素比が23〔at% 〕及び24〔at
% 〕のとき(図7(a)及び図7(b)に示す。)に
は、図6と同様の特性が得られ、グラフの階段状の部分
で従来技術よりも小さい記録マークMが形成され、且
つ、当該階段状の部分(概ね、光ビームBの出力パワー
が8.5mW乃至9.5mWの範囲)では、光ビームB
の出力パワーを変化させても記録マークMの大きさが変
化しないことがわかる。
【0085】しかしながら、テルビュウムの元素比が2
5〔at% 〕の場合(図7(c)に示す。)には、上述の
階段部分が現出せず、すなわち、光ビームBの出力パワ
ー及び記録外部磁界Hexr を、テルビュウムの元素比が
23〔at% 〕又は24〔at%〕の場合と同様の条件とし
ても記録マークのMの形成が行われないことがわかる。
5〔at% 〕の場合(図7(c)に示す。)には、上述の
階段部分が現出せず、すなわち、光ビームBの出力パワ
ー及び記録外部磁界Hexr を、テルビュウムの元素比が
23〔at% 〕又は24〔at%〕の場合と同様の条件とし
ても記録マークのMの形成が行われないことがわかる。
【0086】これは、テルビュウムの元素比が25〔at
% 〕の場合には、第2記録層7における補償温度TCOMP
が100℃を越えてしまうので、上述の記録動作におい
て、第1記録層6に形成された記録マークMが第2記録
層7に転写されず、且つ、第1記録層6自体の保磁力が
室温において低いので、一旦第1記録層6に記録マーク
Mが形成されてもそれが消失してしまい、結局記録マー
クMとして保持されないことによるものである。
% 〕の場合には、第2記録層7における補償温度TCOMP
が100℃を越えてしまうので、上述の記録動作におい
て、第1記録層6に形成された記録マークMが第2記録
層7に転写されず、且つ、第1記録層6自体の保磁力が
室温において低いので、一旦第1記録層6に記録マーク
Mが形成されてもそれが消失してしまい、結局記録マー
クMとして保持されないことによるものである。
【0087】ここで、第2記録層7における補償温度T
COMPが室温から100℃の範囲以外では本実施形態にお
ける記録マークMが形成されない(第1記録層6から第
2記録層7に転写されない)理由は以下の通りである。
すなわち、第2記録層7におけるテルビュウムの元素比
が25〔at% 〕以上となると、当該第2記録層7の補償
温度(TCOMP)が100℃を越えて、そのキュリー温度
TCR2 に接近することとなる。すると、第1記録層6に
形成された記録マークMが第2記録層7に転写されると
き、2層間の転写が弱くなるのである。これは、転写温
度において、第1記録層6がTM−rich(遷移金属元素
の部分磁化が希土類金属元素の部分磁化より強い状態)
となり、第2記録層7がRE−rich(希土類金属元素の
部分磁化が遷移金属元素の部分磁化より強い状態)とな
るので、二つの層の間に界面磁壁が生じることにより、
第1記録層6に小さく形成された記録マークMが第2記
録層7に転写されなくなるものである。
COMPが室温から100℃の範囲以外では本実施形態にお
ける記録マークMが形成されない(第1記録層6から第
2記録層7に転写されない)理由は以下の通りである。
すなわち、第2記録層7におけるテルビュウムの元素比
が25〔at% 〕以上となると、当該第2記録層7の補償
温度(TCOMP)が100℃を越えて、そのキュリー温度
TCR2 に接近することとなる。すると、第1記録層6に
形成された記録マークMが第2記録層7に転写されると
き、2層間の転写が弱くなるのである。これは、転写温
度において、第1記録層6がTM−rich(遷移金属元素
の部分磁化が希土類金属元素の部分磁化より強い状態)
となり、第2記録層7がRE−rich(希土類金属元素の
部分磁化が遷移金属元素の部分磁化より強い状態)とな
るので、二つの層の間に界面磁壁が生じることにより、
第1記録層6に小さく形成された記録マークMが第2記
録層7に転写されなくなるものである。
【0088】以上述べた理由により、第2記録層7とし
ては、補償温度TCOMPが、室温から100℃の範囲であ
るような磁性膜とする必要があるのである。以上説明し
たように、本実施形態の記録動作によれば、光ビームB
の出力パワーを、記録温度が第1記録層のキュリー温度
TCR1 と第2記録層7のキュリー温度TCR2 の間の温度
となるように制御され、更に記録外部磁界Hexr の強さ
が略200乃至300エルステッドの間の値とされるの
で、従来技術よりも小さい記録マークMを形成して情報
を記録することができる。
ては、補償温度TCOMPが、室温から100℃の範囲であ
るような磁性膜とする必要があるのである。以上説明し
たように、本実施形態の記録動作によれば、光ビームB
の出力パワーを、記録温度が第1記録層のキュリー温度
TCR1 と第2記録層7のキュリー温度TCR2 の間の温度
となるように制御され、更に記録外部磁界Hexr の強さ
が略200乃至300エルステッドの間の値とされるの
で、従来技術よりも小さい記録マークMを形成して情報
を記録することができる。
【0089】更に、記録マークM形成時の光ビームBの
出力パワーが変動しても記録マークMの大きさが変動せ
ず、安定して記録マークMの形成を行い得るので、光ビ
ームBの出力パワーの変動に対するマージン(許容範
囲)を大きくすることができる。
出力パワーが変動しても記録マークMの大きさが変動せ
ず、安定して記録マークMの形成を行い得るので、光ビ
ームBの出力パワーの変動に対するマージン(許容範
囲)を大きくすることができる。
【0090】なお、上述の実施形態においては、光強度
変調方式について本発明を適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限られるもではなく、磁界変調方
式による情報記録についても適用可能である。この場合
には、光ビームBの出力パワーは、上述の記録動作の説
明における記録マークM形成時の出力パワーで一定とさ
れ、更に記録外部磁界Hexr は、その強さは上述の強さ
とされ、その磁界の方向が記録すべき情報(“0”また
は“1”)に対応して変調される。記録外部磁界Hexr
の磁界の方向についてより具体的には、記録すべき情報
の“1”に対応する領域(タイミング)では上向きとさ
れ、記録すべき情報の“0”に対応する領域(タイミン
グ)では下向きとされる。これにより、上向きの磁化に
より第1記録層6及び第2記録層7に記録マークMが形
成されて情報が記録されることとなる。 (IV)再生動作 次に、上述の記録動作により記録マークMが形成されて
情報が記録された光磁気ディスク1の当該情報を再生す
る再生動作について、図8及び図9を用いて説明する。
なお図8(b)において、情報の再生動作に関与しない
基板2、誘電体保護層3及び8、樹脂保護膜9の図示は
省略している。また、光磁気ディスク1を用いた再生動
作においては、いわゆるFAD方式(Forword Aperture
Detection;前方開口方式)の超解像再生が行われる。
変調方式について本発明を適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限られるもではなく、磁界変調方
式による情報記録についても適用可能である。この場合
には、光ビームBの出力パワーは、上述の記録動作の説
明における記録マークM形成時の出力パワーで一定とさ
れ、更に記録外部磁界Hexr は、その強さは上述の強さ
とされ、その磁界の方向が記録すべき情報(“0”また
は“1”)に対応して変調される。記録外部磁界Hexr
の磁界の方向についてより具体的には、記録すべき情報
の“1”に対応する領域(タイミング)では上向きとさ
れ、記録すべき情報の“0”に対応する領域(タイミン
グ)では下向きとされる。これにより、上向きの磁化に
より第1記録層6及び第2記録層7に記録マークMが形
成されて情報が記録されることとなる。 (IV)再生動作 次に、上述の記録動作により記録マークMが形成されて
情報が記録された光磁気ディスク1の当該情報を再生す
る再生動作について、図8及び図9を用いて説明する。
なお図8(b)において、情報の再生動作に関与しない
基板2、誘電体保護層3及び8、樹脂保護膜9の図示は
省略している。また、光磁気ディスク1を用いた再生動
作においては、いわゆるFAD方式(Forword Aperture
Detection;前方開口方式)の超解像再生が行われる。
【0091】再生動作においては、始めに、情報が記録
された光磁気ディスク1に対して再生光としての光ビー
ムBが照射される。このときの光ビームBの出力パワー
は、光ビームBの照射により形成される光スポットBP
における再生温度が、中間層5のキュリー温度TCSより
高く、且つ、再生層4のキュリー温度TCPより低くなる
とともに、当該再生温度において再生外部磁界Hexp を
印加したときに、再生層4の磁化の方向が再生外部磁界
Hexp の方向に揃う程度に当該再生層4の保磁力を弱め
られるような温度となるような出力パワーに制御され
る。
された光磁気ディスク1に対して再生光としての光ビー
ムBが照射される。このときの光ビームBの出力パワー
は、光ビームBの照射により形成される光スポットBP
における再生温度が、中間層5のキュリー温度TCSより
高く、且つ、再生層4のキュリー温度TCPより低くなる
とともに、当該再生温度において再生外部磁界Hexp を
印加したときに、再生層4の磁化の方向が再生外部磁界
Hexp の方向に揃う程度に当該再生層4の保磁力を弱め
られるような温度となるような出力パワーに制御され
る。
【0092】上述のように出力パワーが制御された光ビ
ームBが照射されると、光スポットBP内の温度は上昇
するが、このとき、光磁気ディスク1自体が図8に示す
方向に回転しているので、この結果、図8にその平面図
を示すように、光磁気ディスク1の回転方向に対して光
スポットBPの後方部分に、再生温度が中間層5のキュ
リー温度TCSより高く、且つ、再生層4のキュリー温度
TCPより低くなるマスク領域AM が現出する。このマス
ク領域AM においては、図8の断面図で示すように、中
間層5がキュリー温度TCS以上となって磁化が消失し、
第1記録層6と再生層4の交換結合力が消失することと
なる。
ームBが照射されると、光スポットBP内の温度は上昇
するが、このとき、光磁気ディスク1自体が図8に示す
方向に回転しているので、この結果、図8にその平面図
を示すように、光磁気ディスク1の回転方向に対して光
スポットBPの後方部分に、再生温度が中間層5のキュ
リー温度TCSより高く、且つ、再生層4のキュリー温度
TCPより低くなるマスク領域AM が現出する。このマス
ク領域AM においては、図8の断面図で示すように、中
間層5がキュリー温度TCS以上となって磁化が消失し、
第1記録層6と再生層4の交換結合力が消失することと
なる。
【0093】次に、昇温されたマスク領域AM に対し
て、昇温された再生層4の保磁力より強い再生外部磁界
Hexp (例えば、約300エルステッドの強さ)を磁気
ヘッド15により印加すれば、再生層4の磁化の方向は
印加された再生外部磁界Hexpの方向に揃えられ、記録
マークMが消失し、マスク領域AM においては情報が読
み出せなくなる。このとき、再生外部磁界Hexp の強さ
は、昇温されたマスク領域AM に対応する第1記録層6
及び第2記録層7の保磁力より弱い強さで印加される。
このマスク領域AM が存在することにより、記録マーク
Mに対応する情報の読み出しは、光スポットBP内のマ
スク領域AM 以外の領域からのみとなり、光ビームBの
空間周波数を越えた大きさの記録マークMにより記録さ
れた情報を再生する、いわゆる超解像再生が可能とな
る。
て、昇温された再生層4の保磁力より強い再生外部磁界
Hexp (例えば、約300エルステッドの強さ)を磁気
ヘッド15により印加すれば、再生層4の磁化の方向は
印加された再生外部磁界Hexpの方向に揃えられ、記録
マークMが消失し、マスク領域AM においては情報が読
み出せなくなる。このとき、再生外部磁界Hexp の強さ
は、昇温されたマスク領域AM に対応する第1記録層6
及び第2記録層7の保磁力より弱い強さで印加される。
このマスク領域AM が存在することにより、記録マーク
Mに対応する情報の読み出しは、光スポットBP内のマ
スク領域AM 以外の領域からのみとなり、光ビームBの
空間周波数を越えた大きさの記録マークMにより記録さ
れた情報を再生する、いわゆる超解像再生が可能とな
る。
【0094】なお、光磁気ディスク1が更に回転する
と、マスク領域AM は降温され、中間層5の磁化も再度
現れるので、第1記録層6に形成された記録マークMが
再び再生層4に転写され、再生層4にもとの記録マーク
Mが再形成される。
と、マスク領域AM は降温され、中間層5の磁化も再度
現れるので、第1記録層6に形成された記録マークMが
再び再生層4に転写され、再生層4にもとの記録マーク
Mが再形成される。
【0095】次に、上述の再生動作により実際に再生し
た再生RF信号について図9を用いて説明する。ここ
で、図9は、図5又は図6における符号(c)、(g)
及び(f)に対応する出力パワー及び記録外部磁界H
exr の条件のもとで情報を記録した光磁気ディスク1を
再生したときの再生RF信号のレベルを比較したもので
ある。
た再生RF信号について図9を用いて説明する。ここ
で、図9は、図5又は図6における符号(c)、(g)
及び(f)に対応する出力パワー及び記録外部磁界H
exr の条件のもとで情報を記録した光磁気ディスク1を
再生したときの再生RF信号のレベルを比較したもので
ある。
【0096】図9から明らかなように、従来技術より記
録温度を低くした(出力パワーを弱くした)場合(符号
(c)に対応)には、記録温度が第1記録層6のキュリ
ー温度TCR1 より高い高温の場合(符号(g)又は
(f)に対応)に比して、再生RF信号のレベル自体は
低いものの、記録マークMに対応する再生RF信号が確
実に得られ、情報の再生が可能であることがわかる。こ
のことは、本実施形態の記録動作により、従来技術より
小さい記録マークMが確実に形成され、より小さい記録
マークMで情報を記録することが可能であることを示し
ている。
録温度を低くした(出力パワーを弱くした)場合(符号
(c)に対応)には、記録温度が第1記録層6のキュリ
ー温度TCR1 より高い高温の場合(符号(g)又は
(f)に対応)に比して、再生RF信号のレベル自体は
低いものの、記録マークMに対応する再生RF信号が確
実に得られ、情報の再生が可能であることがわかる。こ
のことは、本実施形態の記録動作により、従来技術より
小さい記録マークMが確実に形成され、より小さい記録
マークMで情報を記録することが可能であることを示し
ている。
【0097】なお、上記の再生動作の説明においては、
FAD方式の超解像再生について説明したが、本発明の
適用はこれに限られるものではなく、本発明によって情
報が記録された光磁気ディスク1を用いて、いわゆるR
AD方式(Rear Aperture Detection ;後方開口方式)
の超解像再生を行うことも可能である。この場合には、
図1に示す再生層4及び中間層5の磁化の向きを下向き
に揃え、再生時に所定の再生磁界を印加すると、第1記
録層6及び第2記録層7の記録磁化が再生層4及び中間
層5に転写され、超解像再生が可能となる。
FAD方式の超解像再生について説明したが、本発明の
適用はこれに限られるものではなく、本発明によって情
報が記録された光磁気ディスク1を用いて、いわゆるR
AD方式(Rear Aperture Detection ;後方開口方式)
の超解像再生を行うことも可能である。この場合には、
図1に示す再生層4及び中間層5の磁化の向きを下向き
に揃え、再生時に所定の再生磁界を印加すると、第1記
録層6及び第2記録層7の記録磁化が再生層4及び中間
層5に転写され、超解像再生が可能となる。
【0098】以上説明したように、実施形態によれば、
保磁力HCR2 が零となっている第2記録層7の領域に対
応する第1記録層6の領域より小さい範囲に対応する第
1記録層の磁化を記録外部磁界Hexr の方向として記録
マークMが形成されて記録情報が記録され、当該記録マ
ークMが第2記録層7に転写されて保持されることによ
り、記録位置の温度をキュリー温度TCR1 及びキュリー
温度TCR2 より高くして第1記録層6及び第2記録層7
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークMの大きさを小さくすることができ、更
に、当該記録マークMに対応する記録情報をFAD方式
又はRAD方式を用いて安定に再生することができる。
保磁力HCR2 が零となっている第2記録層7の領域に対
応する第1記録層6の領域より小さい範囲に対応する第
1記録層の磁化を記録外部磁界Hexr の方向として記録
マークMが形成されて記録情報が記録され、当該記録マ
ークMが第2記録層7に転写されて保持されることによ
り、記録位置の温度をキュリー温度TCR1 及びキュリー
温度TCR2 より高くして第1記録層6及び第2記録層7
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークMの大きさを小さくすることができ、更
に、当該記録マークMに対応する記録情報をFAD方式
又はRAD方式を用いて安定に再生することができる。
【0099】更に、所定温度範囲における保磁力HCR1
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第1記録層6において磁化の方向
が外部磁化の方向となる領域の広さ(記録マークMの大
きさ)の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動
しても安定した大きさの記録マークMを形成することが
できる。
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第1記録層6において磁化の方向
が外部磁化の方向となる領域の広さ(記録マークMの大
きさ)の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動
しても安定した大きさの記録マークMを形成することが
できる。
【0100】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1又は2に
記載の発明によれば、第2の保磁力が零となっている第
2記録層の領域に対応する第1記録層より小さい範囲の
第1記録層の磁化を記録外部磁界の方向として記録マー
クが形成されて記録情報が記録され、当該記録マークが
第2記録層に転写されて保持されることにより、記録位
置の温度を第1のキュリー温度及び第2のキュリー温度
より高くして第1記録層及び第2記録層の磁化を消失さ
せ、降温過程において当該記録位置に記録外部磁界を印
加して情報を記録する場合に比して、上記記録マークの
大きさを小さくすることができる。
記載の発明によれば、第2の保磁力が零となっている第
2記録層の領域に対応する第1記録層より小さい範囲の
第1記録層の磁化を記録外部磁界の方向として記録マー
クが形成されて記録情報が記録され、当該記録マークが
第2記録層に転写されて保持されることにより、記録位
置の温度を第1のキュリー温度及び第2のキュリー温度
より高くして第1記録層及び第2記録層の磁化を消失さ
せ、降温過程において当該記録位置に記録外部磁界を印
加して情報を記録する場合に比して、上記記録マークの
大きさを小さくすることができる。
【0101】従って、従来よりも小さい記録マークを形
成することにより、記録情報の記録密度を向上させるこ
とができる。
成することにより、記録情報の記録密度を向上させるこ
とができる。
【0102】
【図1】実施形態の光磁気ディスクの構成を示す図であ
る。
る。
【図2】実施形態の光磁気ディスクにおける温度と非磁
力の関係を示すグラフ図である。
力の関係を示すグラフ図である。
【図3】実施形態の光磁気ディスク情報記録再生装置の
概要構成ブロック図である。
概要構成ブロック図である。
【図4】記録動作の説明図である。
【図5】記録温度の変化と記録マークの大きさの関係を
示す図である。
示す図である。
【図6】光ビームの出力パワーとき六マークの大きさの
関係を示すグラフ図である。
関係を示すグラフ図である。
【図7】各組成例の光磁気ディスクにおける光ビームパ
ワー(記録温度)と信号出力(記録マークの大きさ)と
の関係を示すグラフ図であり、(a)は第2記録層にお
けるテルビュウムの元素比が23〔at% 〕の場合であ
り、(b)は第2記録層におけるテルビュウムの元素比
が24〔at% 〕の場合であり、(c)は第2記録層にお
けるテルビュウムの元素比が25〔at% 〕の場合であ
る。
ワー(記録温度)と信号出力(記録マークの大きさ)と
の関係を示すグラフ図であり、(a)は第2記録層にお
けるテルビュウムの元素比が23〔at% 〕の場合であ
り、(b)は第2記録層におけるテルビュウムの元素比
が24〔at% 〕の場合であり、(c)は第2記録層にお
けるテルビュウムの元素比が25〔at% 〕の場合であ
る。
【図8】再生動作を説明する図である。
【図9】光ビームの出力パワーと再生RF信号の波形の
関係を示すグラフ図である。
関係を示すグラフ図である。
【図10】従来技術の光強度変調方式による情報記録を
説明する図である。
説明する図である。
【図11】従来技術の磁界変調方式オーバライトを説明
する図である。
する図である。
【図12】従来技術の記録層における温度と保磁力の関
係を示すグラフ図である。
係を示すグラフ図である。
【図13】光スポットより小さな記録マークの形成を説
明する図である。
明する図である。
1、DK…光磁気ディスク
2…基板
3、8…誘電体保護層
4…再生層
5…中間層
6…第1記録層
7…第2記録層
9…樹脂保護膜
10…スピンドルモータ
11…光ピックアップ
12…RFアンプ
13…ATIPデコーダ
14…エンコーダ・デコーダ
15…磁気ヘッド
16…ヘッド駆動回路
17…A/Dコンバータ
18…D/Aコンバータ
19…キャリッジ
20…サーボコントロール回路
20A…APC回路
21…システムコントローラ
22…キー入力部
23…表示部
101、102…記録層
AM …マスク領域
B…光ビーム
BP…光スポット
Hexr …記録外部磁界
Hexp …再生外部磁界
M…記録マーク
R…対物レンズ
TR…情報トラック
W…変曲点
Claims (2)
- 【請求項1】 垂直磁化状態で記録情報が記録されると
ともに、第1の保磁力及び第1のキュリー温度を有する
第1記録層と、垂直磁化状態で前記第1記録層と同一の
前記記録情報が記録されるとともに、室温で前記第1の
保磁力より大きい第2の保磁力及び前記第1のキュリー
温度より低い第2のキュリー温度を有する第2記録層と
を少なくとも備えた光磁気ディスクに対して前記記録情
報を記録する情報記録方法において、 前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録すべき記録
位置の温度が前記第2のキュリー温度より高く前記第1
のキュリー温度より低い記録温度となるように記録光の
出力パワーを制御するとともに、当該記録光を前記記録
位置に照射する照射工程と、 少なくとも前記光磁気ディスクに対する前記記録光の照
射中に、前記記録温度に対応する前記第1の保磁力より
も強く、且つ、前記記録光の照射により前記第2の保磁
力が零となっている前記第2記録層の領域に対応する前
記第1記録層の領域の境界線の内側であって、当該境界
線近傍の温度に対応する前記第1の保磁力よりも小さい
強さの記録外部磁界を前記記録位置に印加し、残存して
いる前記第1記録層の磁化の方向を前記記録外部磁界の
方向とすることにより前記記録情報に対応する記録マー
クを形成する記録外部磁界印加工程と、 を備えたことを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項2】 垂直磁化状態で記録情報が記録されると
ともに、第1の保磁力及び第1のキュリー温度を有する
第1記録層と、垂直磁化状態で前記第1記録層と同一の
前記記録情報が記録されるとともに、室温で前記第1の
保磁力より大きい第2の保磁力及び前記第1のキュリー
温度より低い第2のキュリー温度を有する第2記録層と
を少なくとも備えた光磁気ディスクに対して前記記録情
報を記録する情報記録装置において、 前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録すべき記録
位置に記録光を照射する照射手段と、 前記記録光の出力パワーを、前記記録位置 の温度が前記
第2のキュリー温度より高く前記第1のキュリー温度よ
り低い記録温度となるように制御する制御手段 と、 少なくとも前記光磁気ディスクに対する前記記録光の照
射中に、前記記録温度に対応する前記第1の保磁力より
も強く、且つ、前記記録光の照射により前記第2の保磁
力が零となっている前記第2記録層の領域に対応する前
記第1記録層の領域の境界線の内側であって、当該境界
線近傍の温度に対応する前記第1の保磁力よりも小さい
強さの記録外部磁界を前記記録位置に印加し、残存して
いる前記第1記録層の磁化の方向を前記記録外部磁界の
方向とすることにより前記記録情報に対応する記録マー
クを形成する記録外部磁界印加手段と、 を備えたことを特徴とする情報記録装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25163995A JP3527801B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 情報記録方法及び情報記録装置 |
US08/721,740 US5757736A (en) | 1995-09-28 | 1996-09-27 | Method of and apparatus for recording information to magneto optical disc having plural recording layers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25163995A JP3527801B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 情報記録方法及び情報記録装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0991787A JPH0991787A (ja) | 1997-04-04 |
JP3527801B2 true JP3527801B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17225818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25163995A Expired - Fee Related JP3527801B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 情報記録方法及び情報記録装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5757736A (ja) |
JP (1) | JP3527801B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10134437A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Sony Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
US6430116B1 (en) * | 1999-05-11 | 2002-08-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical storage medium having first and second recording layers |
US6590836B1 (en) * | 1999-09-29 | 2003-07-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto optical recording medium capable of preventing a reproduction layer from having a degraded characteristic |
JP4540811B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2010-09-08 | シャープ株式会社 | 磁気信号記録方法および磁気記録再生装置 |
KR100817241B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2008-03-27 | 조병대 | 사과 또는 버섯을 숙성시켜 향료를 투입시키는 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5239524A (en) * | 1985-06-11 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
US5458987A (en) * | 1985-06-11 | 1995-10-17 | Nikon Corporation | Multilayered magnetooptical recording medium |
US5163031A (en) * | 1988-12-07 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording tetra-value signal on magneto-optical recording medium with plural magnetic layers |
US5168482A (en) * | 1989-08-31 | 1992-12-01 | Sony Corporation | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25163995A patent/JP3527801B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-27 US US08/721,740 patent/US5757736A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5757736A (en) | 1998-05-26 |
JPH0991787A (ja) | 1997-04-04 |
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