JPH0991787A - 情報記録方法及び装置 - Google Patents
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- G11B11/10595—Control of operating function
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小さな記録マークを形成するとともに、光ビ
ームの強度が変動しても記録マークの大きさを安定化で
きる情報記録方法を提供する。 【解決手段】 所定温度範囲における変化率が小さい第
１保磁力及び第１キュリー温度を有する第１記録層６
と、第１保磁力より大きい変化率を有し、室温で第１保
磁力より大きい第２保磁力及び第１キュリー温度より低
い第２キュリー温度を有する第２記録層７を備えた光磁
気ディスクに情報を記録する際に、記録マークＭ形成時
の記録温度が第１記録層６のキュリー温度より低く第２
記録層７のキュリー温度より高くなるように光ビームＢ
の強度を設定し、更に、光ビームＢの照射で磁化消失し
ている第２記録層７の領域に対応する第１記録層６の領
域の境界線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対
応する第１記録層６の保磁力より弱く、且つ記録温度に
対応する第１記録層６の保磁力より強い記録外部磁界Ｈ
exr を印加し、第１記録層６に記録マークＭを形成す
る。
ームの強度が変動しても記録マークの大きさを安定化で
きる情報記録方法を提供する。 【解決手段】 所定温度範囲における変化率が小さい第
１保磁力及び第１キュリー温度を有する第１記録層６
と、第１保磁力より大きい変化率を有し、室温で第１保
磁力より大きい第２保磁力及び第１キュリー温度より低
い第２キュリー温度を有する第２記録層７を備えた光磁
気ディスクに情報を記録する際に、記録マークＭ形成時
の記録温度が第１記録層６のキュリー温度より低く第２
記録層７のキュリー温度より高くなるように光ビームＢ
の強度を設定し、更に、光ビームＢの照射で磁化消失し
ている第２記録層７の領域に対応する第１記録層６の領
域の境界線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対
応する第１記録層６の保磁力より弱く、且つ記録温度に
対応する第１記録層６の保磁力より強い記録外部磁界Ｈ
exr を印加し、第１記録層６に記録マークＭを形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録方法及び装置に
関し、より詳細には、記録媒体として超解像再生が可能
な光磁気ディスクを用い、記録方法として光強度変調方
式又は磁界変調記録方式を用いて情報を記録する情報記
録方法及び装置に関する。
関し、より詳細には、記録媒体として超解像再生が可能
な光磁気ディスクを用い、記録方法として光強度変調方
式又は磁界変調記録方式を用いて情報を記録する情報記
録方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクの分野において、近年の
高密度記録への要請に伴い、記録光又は再生光としての
レーザ光の波長と対物レンズの開口数より定まる空間周
波数を超える周波数で情報を記録再生するための超解像
情報記録再生方式が開発されている。
高密度記録への要請に伴い、記録光又は再生光としての
レーザ光の波長と対物レンズの開口数より定まる空間周
波数を超える周波数で情報を記録再生するための超解像
情報記録再生方式が開発されている。
【０００３】従来においては、超解像情報記録再生方法
に用いられる情報記録方式として、記録すべき情報に対
応して記録光としてのレーザ光等の光ビームの強度を変
調して照射し、照射位置に一定の大きさの記録外部磁界
を印加して情報を記録する光強度変調記録方式と、一定
の強度の光ビームを照射し、照射位置に印加される記録
外部磁界を記録すべき情報に対応して変調して記録する
磁界変調記録方式とがある。
に用いられる情報記録方式として、記録すべき情報に対
応して記録光としてのレーザ光等の光ビームの強度を変
調して照射し、照射位置に一定の大きさの記録外部磁界
を印加して情報を記録する光強度変調記録方式と、一定
の強度の光ビームを照射し、照射位置に印加される記録
外部磁界を記録すべき情報に対応して変調して記録する
磁界変調記録方式とがある。
【０００４】この二つの方式のうち、始めに光強度変調
記録方式について、図１０を用いて説明する。なお、図
１０における光磁気ディスクＤＫにおいては、情報の記
録に関与する記録層１０１のみを記載しているが、実際
の光磁気ディスクＤＫは、当該記録層１０１に積層し
て、記録した情報の再生のための中間層（スイッチ層）
又は再生層を備えており、当該中間層（スイッチ層）又
は再生層の構成は、情報の再生方法によって異なってい
る。また、記録層１０１は、希土類金属と遷移金属の合
金で形成され、その温度と保磁力の関係は、図１２に示
す関係であるとする。
記録方式について、図１０を用いて説明する。なお、図
１０における光磁気ディスクＤＫにおいては、情報の記
録に関与する記録層１０１のみを記載しているが、実際
の光磁気ディスクＤＫは、当該記録層１０１に積層し
て、記録した情報の再生のための中間層（スイッチ層）
又は再生層を備えており、当該中間層（スイッチ層）又
は再生層の構成は、情報の再生方法によって異なってい
る。また、記録層１０１は、希土類金属と遷移金属の合
金で形成され、その温度と保磁力の関係は、図１２に示
す関係であるとする。
【０００５】図１０に示すように、光強度変調記録方式
による情報記録に供する光磁気ディスクＤＫは、予め高
パワーＰH の光ビームＢをＤＣ光として連続照射すると
ともに、記録すべき情報において“０”に対応する下向
きのバイアス磁界が印加され、記録層１０１の磁化の方
向を下向きに揃えることにより情報が消去される。
による情報記録に供する光磁気ディスクＤＫは、予め高
パワーＰH の光ビームＢをＤＣ光として連続照射すると
ともに、記録すべき情報において“０”に対応する下向
きのバイアス磁界が印加され、記録層１０１の磁化の方
向を下向きに揃えることにより情報が消去される。
【０００６】そして、記録情報に対応して記録情報の
“１”に対応するとき高パワーＰH となり、記録情報の
“０”に対応するとき低パワーＰL となるように強度変
調された光ビームＢが照射されると同時にバイアス磁界
Ｈb が印加されることにより、記録情報に対応した記録
マークＭが形成されて情報が記録される。
“１”に対応するとき高パワーＰH となり、記録情報の
“０”に対応するとき低パワーＰL となるように強度変
調された光ビームＢが照射されると同時にバイアス磁界
Ｈb が印加されることにより、記録情報に対応した記録
マークＭが形成されて情報が記録される。
【０００７】また、記録層１０１は、垂直磁化により情
報を記録される記録層であり、その垂直磁化の方向が記
録すべき情報の“１”又は“０”に対応するように情報
が記録されている。図１０においては、上向きの垂直磁
化が“１”に対応し、下向きの垂直磁化が“０”に対応
している。
報を記録される記録層であり、その垂直磁化の方向が記
録すべき情報の“１”又は“０”に対応するように情報
が記録されている。図１０においては、上向きの垂直磁
化が“１”に対応し、下向きの垂直磁化が“０”に対応
している。
【０００８】次に、図１０に示す構成を有する光磁気デ
ィスクＤＫに対する光強度変調記録の動作について説明
する。上述のように予め情報が消去された光磁気ディス
クＤＫに対して、次に、光ビームＢを照射すると同時に
バイアス磁界Ｈb を印加することにより新しい情報の記
録（換言すれば、新しい記録情報の“１”に対応する磁
化の形成）が行われる。このとき、光ビームＢは、対物
レンズＲにより光磁気ディスクＤＫ上の情報を記録すべ
き記録位置に光スポットを形成するように集光されて照
射される。
ィスクＤＫに対する光強度変調記録の動作について説明
する。上述のように予め情報が消去された光磁気ディス
クＤＫに対して、次に、光ビームＢを照射すると同時に
バイアス磁界Ｈb を印加することにより新しい情報の記
録（換言すれば、新しい記録情報の“１”に対応する磁
化の形成）が行われる。このとき、光ビームＢは、対物
レンズＲにより光磁気ディスクＤＫ上の情報を記録すべ
き記録位置に光スポットを形成するように集光されて照
射される。
【０００９】すなわち、記録マークＭを形成して新しい
情報を記録する場合には、光ビームＢのパワーは高パワ
ーＰH とされ、記録層１０１の表面に光スポットが形成
され、光スポット内の記録層１０１の温度が上昇する。
情報を記録する場合には、光ビームＢのパワーは高パワ
ーＰH とされ、記録層１０１の表面に光スポットが形成
され、光スポット内の記録層１０１の温度が上昇する。
【００１０】ここで、記録層１０１は、その保磁力と温
度の関係が図１２に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームＢの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図１２のＴ1 になったとすると、保磁力
はＨCRからＨC1まで弱くなる。そこで、例えば、光ビー
ムＢのパワーを高パワーＰH として光スポット内の記録
層１０１の温度をＴ1 まで上昇させておき、同時にＨC1
より強いバイアス磁界Ｈb を印加したとすると、記録層
１０１のうち温度がＴ1 以上となっている部分の磁化の
方向がバイアス磁界Ｈb の方向に変化することとなる。
ここで、バイアス磁界Ｈb の方向は、記録マークＭを形
成して記録情報の“１”に対応する情報を記録する際の
磁化の方向である上向きであるので、記録層１０１のう
ち温度がＴ1 以上となっている部分には記録マークＭが
形成されることとなり、情報の記録が行われる。
度の関係が図１２に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームＢの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図１２のＴ1 になったとすると、保磁力
はＨCRからＨC1まで弱くなる。そこで、例えば、光ビー
ムＢのパワーを高パワーＰH として光スポット内の記録
層１０１の温度をＴ1 まで上昇させておき、同時にＨC1
より強いバイアス磁界Ｈb を印加したとすると、記録層
１０１のうち温度がＴ1 以上となっている部分の磁化の
方向がバイアス磁界Ｈb の方向に変化することとなる。
ここで、バイアス磁界Ｈb の方向は、記録マークＭを形
成して記録情報の“１”に対応する情報を記録する際の
磁化の方向である上向きであるので、記録層１０１のう
ち温度がＴ1 以上となっている部分には記録マークＭが
形成されることとなり、情報の記録が行われる。
【００１１】一方、記録マークＭを形成しない場合、す
なわち、記録情報の“０”に対応する領域を形成する場
合には、光ビームＢは低パワーＰL とされる。この低パ
ワーＰL は、記録層１０１の温度が記録層１０１の保磁
力をバイアス磁界Ｈb より強いまま維持できる温度とさ
れる。より具体的には、記録層１０１の温度が図１２に
おいてバイアス磁界Ｈb に対応する温度Ｔb より高くな
らないような弱いパワーとされる。この低パワーＰL の
光ビームＢが照射された場合には、記録層１０１の保磁
力がバイアス磁界Ｈb より強いので、記録層１０１の磁
化が反転することはなく、初期化されたままの状態が維
持される。すなわち、記録情報の“０”に対応する領域
が形成される。
なわち、記録情報の“０”に対応する領域を形成する場
合には、光ビームＢは低パワーＰL とされる。この低パ
ワーＰL は、記録層１０１の温度が記録層１０１の保磁
力をバイアス磁界Ｈb より強いまま維持できる温度とさ
れる。より具体的には、記録層１０１の温度が図１２に
おいてバイアス磁界Ｈb に対応する温度Ｔb より高くな
らないような弱いパワーとされる。この低パワーＰL の
光ビームＢが照射された場合には、記録層１０１の保磁
力がバイアス磁界Ｈb より強いので、記録層１０１の磁
化が反転することはなく、初期化されたままの状態が維
持される。すなわち、記録情報の“０”に対応する領域
が形成される。
【００１２】以上のようにして、記録情報に対応して光
ビームＢの強度を変調しつつ一定強度のバイアス磁界Ｈ
b を印加することにより情報が記録される。更に、光強
度変調方式による他の情報の記録方式として、記録マー
クＭを形成する場合、上述の他に、高パワーＰH を、記
録層１０１の温度がそのキュリー温度ＴC 以上となるよ
うに設定する方法がある。この場合には、記録層１０１
の磁化は消滅するが、この状態で光スポットの範囲を外
れて降温すると、記録層１０１がバイアス磁界Ｈb の方
向に磁化されて記録マークＭが形成されることにより情
報が記録される。
ビームＢの強度を変調しつつ一定強度のバイアス磁界Ｈ
b を印加することにより情報が記録される。更に、光強
度変調方式による他の情報の記録方式として、記録マー
クＭを形成する場合、上述の他に、高パワーＰH を、記
録層１０１の温度がそのキュリー温度ＴC 以上となるよ
うに設定する方法がある。この場合には、記録層１０１
の磁化は消滅するが、この状態で光スポットの範囲を外
れて降温すると、記録層１０１がバイアス磁界Ｈb の方
向に磁化されて記録マークＭが形成されることにより情
報が記録される。
【００１３】次に、磁界変調記録方式について、図１１
を用いて説明する。図１１は、磁界変調記録方式を用い
たオーバライト（情報の書き換え）について示してい
る。なお、図１１における光磁気ディスクＤＫにおいて
は、情報の記録に関与する記録層１０２のみを記載して
いるが、実際の光磁気ディスクＤＫは、記録層１０２に
積層して、記録した情報の再生のための中間層（スイッ
チ層）又は再生層を備えており、当該中間層（スイッチ
層）又は再生層の構成は、情報の再生方法によって異な
っている。
を用いて説明する。図１１は、磁界変調記録方式を用い
たオーバライト（情報の書き換え）について示してい
る。なお、図１１における光磁気ディスクＤＫにおいて
は、情報の記録に関与する記録層１０２のみを記載して
いるが、実際の光磁気ディスクＤＫは、記録層１０２に
積層して、記録した情報の再生のための中間層（スイッ
チ層）又は再生層を備えており、当該中間層（スイッチ
層）又は再生層の構成は、情報の再生方法によって異な
っている。
【００１４】磁界変調記録方式に用いられる光磁気ディ
スクＤＫにおける記録層１０２は、垂直磁化により情報
を記録する記録層であり、その垂直磁化の方向が記録す
べき情報の“１”又は“０”に対応するように情報が記
録されている。図１１においては、上向きの垂直磁化が
“１”に対応し、下向きの垂直磁化が“０”に対応して
いる。また、この記録層の材質としては、光強度変調方
式の場合と同様に、ＴｂＦｅＣｏ等が用いられる。
スクＤＫにおける記録層１０２は、垂直磁化により情報
を記録する記録層であり、その垂直磁化の方向が記録す
べき情報の“１”又は“０”に対応するように情報が記
録されている。図１１においては、上向きの垂直磁化が
“１”に対応し、下向きの垂直磁化が“０”に対応して
いる。また、この記録層の材質としては、光強度変調方
式の場合と同様に、ＴｂＦｅＣｏ等が用いられる。
【００１５】次に、図１１に示すように、記録された情
報を書き換える際には、情報が記録されている光磁気デ
ィスクＤＫの記録層１０２に対して、一定の強度の光ビ
ームＢが照射される。このとき、光ビームＢは、光強度
変調方式の場合と同様に、対物レンズＲにより光磁気デ
ィスクＤＫ上の情報を記録すべき記録位置に光スポット
を形成するように集光されて照射される。この場合に、
光ビームＢを所定の強度に設定すると、光スポット内の
記録層１０２の温度が上昇する。
報を書き換える際には、情報が記録されている光磁気デ
ィスクＤＫの記録層１０２に対して、一定の強度の光ビ
ームＢが照射される。このとき、光ビームＢは、光強度
変調方式の場合と同様に、対物レンズＲにより光磁気デ
ィスクＤＫ上の情報を記録すべき記録位置に光スポット
を形成するように集光されて照射される。この場合に、
光ビームＢを所定の強度に設定すると、光スポット内の
記録層１０２の温度が上昇する。
【００１６】ここで、記録層１０２は、その保磁力と温
度の関係が図１２に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームＢの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図１２のＴ1 になったとすると、保磁力
はＨCRからＨC1まで弱くなる。そこで、例えば、光スポ
ット内の記録層１０２の温度をＴ1 まで上昇させてお
き、同時にＨC1より強い記録外部磁界Ｈexr を印加した
とすると、記録層１０２のうち温度がＴ1 以上となって
いる部分の磁化の方向が記録外部磁界Ｈexr の方向に変
化することとなる。よって、この記録外部磁界Ｈexr の
方向を、記録すべき情報に対応して変化させれば（例え
ば、図１１では、上向きが“１”に対応し、下向きが
“０”に対応している。）、図１１のように、記録すべ
き情報が垂直磁化の方向により記録マークＭとして記録
層１０２に記録されることとなる。
度の関係が図１２に示すような単調減少の関係を有する
ので、光ビームＢの照射によりその温度が上昇して、例
えば、室温から図１２のＴ1 になったとすると、保磁力
はＨCRからＨC1まで弱くなる。そこで、例えば、光スポ
ット内の記録層１０２の温度をＴ1 まで上昇させてお
き、同時にＨC1より強い記録外部磁界Ｈexr を印加した
とすると、記録層１０２のうち温度がＴ1 以上となって
いる部分の磁化の方向が記録外部磁界Ｈexr の方向に変
化することとなる。よって、この記録外部磁界Ｈexr の
方向を、記録すべき情報に対応して変化させれば（例え
ば、図１１では、上向きが“１”に対応し、下向きが
“０”に対応している。）、図１１のように、記録すべ
き情報が垂直磁化の方向により記録マークＭとして記録
層１０２に記録されることとなる。
【００１７】更に、磁界変調方式による他の情報の記録
方式として、光スポット内に記録層１０２のキュリー温
度ＴC 以上となる領域を形成し、その領域に記録外部磁
界Ｈ exr を印加して情報を記録する方法がある。
方式として、光スポット内に記録層１０２のキュリー温
度ＴC 以上となる領域を形成し、その領域に記録外部磁
界Ｈ exr を印加して情報を記録する方法がある。
【００１８】以下、この方法についてより具体的に説明
すると、情報の記録又は書き換えの際には、光ビームＢ
の強さを適当に調節して光スポット内の記録層１０２の
温度の最高値を当該記録層１０２のキュリー温度ＴC 以
上とし、光スポット内に保磁力が零となって磁区が消滅
する範囲を形成する。この磁区が消滅した範囲は、光磁
気ディスクＤＫの回転による移動に伴い、光スポットの
範囲からはずれてその温度が下がることとなる。この降
温の際に、記録すべき情報により変調された記録外部磁
界Ｈexr を印加すれば、降温過程において新たに生じる
磁化の方向が印加された記録外部磁界Ｈexr の方向とな
り、記録すべき情報が当該磁化の方向により記録される
こととなる。
すると、情報の記録又は書き換えの際には、光ビームＢ
の強さを適当に調節して光スポット内の記録層１０２の
温度の最高値を当該記録層１０２のキュリー温度ＴC 以
上とし、光スポット内に保磁力が零となって磁区が消滅
する範囲を形成する。この磁区が消滅した範囲は、光磁
気ディスクＤＫの回転による移動に伴い、光スポットの
範囲からはずれてその温度が下がることとなる。この降
温の際に、記録すべき情報により変調された記録外部磁
界Ｈexr を印加すれば、降温過程において新たに生じる
磁化の方向が印加された記録外部磁界Ｈexr の方向とな
り、記録すべき情報が当該磁化の方向により記録される
こととなる。
【００１９】以上が、光強度変調方式及び磁界変調記録
方式による情報の記録の基本機構であるが、この場合
に、記録位置に照射される光ビームＢの強度を適当に設
定すれば、光ビームＢの波長と対物レンズＲの開口数よ
り定まる空間周波数を超える周波数で記録マークＭを形
成して情報を記録することができるのである。この、い
わゆる超解像記録について、図１３を用いて説明する。
なお、図１３は、光強度変調方式による超解像記録を例
として示している。
方式による情報の記録の基本機構であるが、この場合
に、記録位置に照射される光ビームＢの強度を適当に設
定すれば、光ビームＢの波長と対物レンズＲの開口数よ
り定まる空間周波数を超える周波数で記録マークＭを形
成して情報を記録することができるのである。この、い
わゆる超解像記録について、図１３を用いて説明する。
なお、図１３は、光強度変調方式による超解像記録を例
として示している。
【００２０】一般に、光スポットＢＰにおいては、その
中の温度分布は、図１３に示すように、光スポットＢＰ
の中央部分が最も高い山形の分布となる。そこで、光ス
ポットＢＰ内の最高温度を、温度Ｔ1 より高くなるよう
に光ビームＢの強度を設定すれば、光スポットＢＰ内に
おける温度Ｔ1 以上の領域は、光スポットＢＰより小さ
くなる。そこで、このとき同時に上述のバイアス磁界Ｈ
b を印加すれば、光スポットＢＰ内における温度Ｔ1 以
上の領域内の磁化の方向のみがバイアス磁界Ｈ b の方向
に揃うこととなる。これにより、記録層１０１に光スポ
ットＢＰより小さな、すなわち、光ビームＢの波長と対
物レンズＲの開口数より定まる空間周波数（記録装置の
光学系の空間周波数）を超える周波数を有する記録マー
クＭを形成することができるのである。
中の温度分布は、図１３に示すように、光スポットＢＰ
の中央部分が最も高い山形の分布となる。そこで、光ス
ポットＢＰ内の最高温度を、温度Ｔ1 より高くなるよう
に光ビームＢの強度を設定すれば、光スポットＢＰ内に
おける温度Ｔ1 以上の領域は、光スポットＢＰより小さ
くなる。そこで、このとき同時に上述のバイアス磁界Ｈ
b を印加すれば、光スポットＢＰ内における温度Ｔ1 以
上の領域内の磁化の方向のみがバイアス磁界Ｈ b の方向
に揃うこととなる。これにより、記録層１０１に光スポ
ットＢＰより小さな、すなわち、光ビームＢの波長と対
物レンズＲの開口数より定まる空間周波数（記録装置の
光学系の空間周波数）を超える周波数を有する記録マー
クＭを形成することができるのである。
【００２１】一方、光スポットＢＰ内の最高温度を記録
層１０１のキュリー温度ＴC （図１２参照）以上として
情報を記録する場合でも、キュリー温度ＴC 以上となる
範囲が光スポットＢＰの範囲より小さくなるように（す
なわち、光スポットＢＰの範囲内の最低温度がキュリー
温度ＴC より低くなるように）光ビームＢの強度を調節
すれば、降温の際にバイアス磁界Ｈb に対応した磁化が
発生する範囲が光スポットＢＰの範囲より小さくなり、
従って、光スポットＢＰの範囲より小さな記録マークＭ
が形成されることとなる。
層１０１のキュリー温度ＴC （図１２参照）以上として
情報を記録する場合でも、キュリー温度ＴC 以上となる
範囲が光スポットＢＰの範囲より小さくなるように（す
なわち、光スポットＢＰの範囲内の最低温度がキュリー
温度ＴC より低くなるように）光ビームＢの強度を調節
すれば、降温の際にバイアス磁界Ｈb に対応した磁化が
発生する範囲が光スポットＢＰの範囲より小さくなり、
従って、光スポットＢＰの範囲より小さな記録マークＭ
が形成されることとなる。
【００２２】この超解像記録は、磁界変調方式の場合で
も、印加磁界のスイッチ速度を速くすれば、光磁気ディ
スクの回転接線方向の超解像記録を実現することができ
る。また、光スポットＢＰ内の最高温度を図１２に示す
温度Ｔ1 又は記録層１０２のキュリー温度ＴC 以上と
し、その最低温度を温度Ｔ1 又はキュリー温度ＴC 以下
することにより、光磁気ディスクの半径方向の超解像記
録も同様に可能となる。
も、印加磁界のスイッチ速度を速くすれば、光磁気ディ
スクの回転接線方向の超解像記録を実現することができ
る。また、光スポットＢＰ内の最高温度を図１２に示す
温度Ｔ1 又は記録層１０２のキュリー温度ＴC 以上と
し、その最低温度を温度Ｔ1 又はキュリー温度ＴC 以下
することにより、光磁気ディスクの半径方向の超解像記
録も同様に可能となる。
【００２３】上記の超解像記録によれば、光磁気ディス
クＤＫに対して記録装置の光学系の空間周波数を越えた
空間周波数の記録マークＭを形成することができる。
クＤＫに対して記録装置の光学系の空間周波数を越えた
空間周波数の記録マークＭを形成することができる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光磁気ディスクＤＫを用いた情報の超解像記録において
は、図１２に示すように、記録層１０１又は１０２にお
ける温度と保磁力の関係が単調減少の関係であったの
で、光ビームＢの強度が変動することにより光スポット
ＢＰ内の温度が変動すると、保磁力が弱められる（又は
磁化が消滅する）記録層１０１又は１０２の領域の大き
さも変動することとなり、安定な大きさの記録マークの
形成ができないという問題点があった。
光磁気ディスクＤＫを用いた情報の超解像記録において
は、図１２に示すように、記録層１０１又は１０２にお
ける温度と保磁力の関係が単調減少の関係であったの
で、光ビームＢの強度が変動することにより光スポット
ＢＰ内の温度が変動すると、保磁力が弱められる（又は
磁化が消滅する）記録層１０１又は１０２の領域の大き
さも変動することとなり、安定な大きさの記録マークの
形成ができないという問題点があった。
【００２５】すなわち、光強度変調の場合について検討
すると、光ビームＢの強度が変動することにより光スポ
ットＢＰ内の温度が変動すると、例えば、光スポットＢ
Ｐ内における温度Ｔ1 以上の領域の大きさも変動するこ
ととなる。これに伴い、バイアス磁界Ｈb により磁化の
方向が揃えられる領域（記録マークＭ（図１３符号Ｍ参
照）に対応する。）の大きさも変動することなり、安定
した大きさの記録マークＭが形成されないのである。そ
して、この問題点を解消するためには、光ビームＢの強
度を厳密に制御する必要があり、そのためのパワーマー
ジン（強度変動許容範囲）が小さくなるともに、光ビー
ムＢを記録位置に集光するためのフォーカスサーボのマ
ージン（集光度変動許容範囲）も減少してしまい、この
ため、光ビーム強度制御装置及びフォーカスサーボ装置
の構成及び設計が複雑になるという問題点があった。
すると、光ビームＢの強度が変動することにより光スポ
ットＢＰ内の温度が変動すると、例えば、光スポットＢ
Ｐ内における温度Ｔ1 以上の領域の大きさも変動するこ
ととなる。これに伴い、バイアス磁界Ｈb により磁化の
方向が揃えられる領域（記録マークＭ（図１３符号Ｍ参
照）に対応する。）の大きさも変動することなり、安定
した大きさの記録マークＭが形成されないのである。そ
して、この問題点を解消するためには、光ビームＢの強
度を厳密に制御する必要があり、そのためのパワーマー
ジン（強度変動許容範囲）が小さくなるともに、光ビー
ムＢを記録位置に集光するためのフォーカスサーボのマ
ージン（集光度変動許容範囲）も減少してしまい、この
ため、光ビーム強度制御装置及びフォーカスサーボ装置
の構成及び設計が複雑になるという問題点があった。
【００２６】この問題点は、光スポットＢＰ内の最高温
度を記録層１０１のキュリー温度Ｔ C 以上として情報を
記録する場合にも同様に存在し、光ビームＢの強度が変
動すると、キュリー温度ＴC 以上となる範囲の大きさも
変動し、安定した大きさの記録マークＭが形成されず、
その解消のために光ビームＢの強度を厳密に制御する必
要が出てくるのである。
度を記録層１０１のキュリー温度Ｔ C 以上として情報を
記録する場合にも同様に存在し、光ビームＢの強度が変
動すると、キュリー温度ＴC 以上となる範囲の大きさも
変動し、安定した大きさの記録マークＭが形成されず、
その解消のために光ビームＢの強度を厳密に制御する必
要が出てくるのである。
【００２７】そこで、本発明は上記の問題点に鑑みて成
されたもので、その課題は、光ビームの強度が変動して
も安定してより小さな大きさの記録マークを形成するこ
とが可能な情報記録方法及び装置を提供することであ
る。
されたもので、その課題は、光ビームの強度が変動して
も安定してより小さな大きさの記録マークを形成するこ
とが可能な情報記録方法及び装置を提供することであ
る。
【００２８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、垂直磁化状態で記録情
報が記録されるとともに、所定温度範囲における変化率
の範囲が所定範囲内である第１の保磁力及び第１のキュ
リー温度を有する第１記録層と、垂直磁化状態で前記第
１記録層と同一の前記記録情報が記録されるとともに、
前記温度範囲において前記第１の保磁力の前記変化率よ
り大きい変化率を有し、且つ、室温で前記第１の保磁力
より大きい第２の保磁力及び前記第１のキュリー温度よ
り低い第２のキュリー温度を有する第２記録層とを少な
くとも備えた光磁気ディスクに対して前記記録情報を記
録する情報記録方法において、前記光磁気ディスク上の
前記記録情報を記録すべき記録位置の温度が前記第２の
キュリー温度より高く前記第１のキュリー温度より低い
記録温度となるようにレーザ光等の記録光の出力パワー
を制御するとともに、当該記録光を前記記録位置に照射
する照射工程と、少なくとも前記光磁気ディスクに対す
る前記記録光の照射中に、前記記録温度に対応する前記
第１の保磁力よりも強く、且つ、前記記録光の照射によ
り前記第２の保磁力が零となっている前記第２記録層の
領域に対応する前記第１記録層の領域の境界線の内側で
あって、当該境界線近傍の温度に対応する前記第１の保
磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を前記記録位置に
印加し、残存している前記第１記録層の磁化の方向を前
記記録外部磁界の方向とすることにより前記記録情報に
対応する記録マークを形成する記録外部磁界印加工程
と、を備えて構成される。
めに、請求項１に記載の発明は、垂直磁化状態で記録情
報が記録されるとともに、所定温度範囲における変化率
の範囲が所定範囲内である第１の保磁力及び第１のキュ
リー温度を有する第１記録層と、垂直磁化状態で前記第
１記録層と同一の前記記録情報が記録されるとともに、
前記温度範囲において前記第１の保磁力の前記変化率よ
り大きい変化率を有し、且つ、室温で前記第１の保磁力
より大きい第２の保磁力及び前記第１のキュリー温度よ
り低い第２のキュリー温度を有する第２記録層とを少な
くとも備えた光磁気ディスクに対して前記記録情報を記
録する情報記録方法において、前記光磁気ディスク上の
前記記録情報を記録すべき記録位置の温度が前記第２の
キュリー温度より高く前記第１のキュリー温度より低い
記録温度となるようにレーザ光等の記録光の出力パワー
を制御するとともに、当該記録光を前記記録位置に照射
する照射工程と、少なくとも前記光磁気ディスクに対す
る前記記録光の照射中に、前記記録温度に対応する前記
第１の保磁力よりも強く、且つ、前記記録光の照射によ
り前記第２の保磁力が零となっている前記第２記録層の
領域に対応する前記第１記録層の領域の境界線の内側で
あって、当該境界線近傍の温度に対応する前記第１の保
磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を前記記録位置に
印加し、残存している前記第１記録層の磁化の方向を前
記記録外部磁界の方向とすることにより前記記録情報に
対応する記録マークを形成する記録外部磁界印加工程
と、を備えて構成される。
【００２９】請求項１に記載の発明の作用によれば、照
射工程において、光磁気ディスク上の記録位置の温度が
第２のキュリー温度より高く第１のキュリー温度より低
い記録温度となるように記録光の出力パワーを制御する
とともに、当該記録光を記録位置に照射する。
射工程において、光磁気ディスク上の記録位置の温度が
第２のキュリー温度より高く第１のキュリー温度より低
い記録温度となるように記録光の出力パワーを制御する
とともに、当該記録光を記録位置に照射する。
【００３０】これと並行して、記録外部磁界印加工程に
おいて、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照
射中に、記録温度に対応する第１の保磁力よりも強く、
且つ、記録光の照射により第２の保磁力が零となってい
る第２記録層の領域に対応する第１記録層の領域の境界
線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第
１の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置
に印加し、残存している第１記録層の磁化の方向を記録
外部磁界の方向に変えることにより記録情報に対応する
記録マークを形成して記録情報を記録する。
おいて、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照
射中に、記録温度に対応する第１の保磁力よりも強く、
且つ、記録光の照射により第２の保磁力が零となってい
る第２記録層の領域に対応する第１記録層の領域の境界
線の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第
１の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置
に印加し、残存している第１記録層の磁化の方向を記録
外部磁界の方向に変えることにより記録情報に対応する
記録マークを形成して記録情報を記録する。
【００３１】そして、光磁気ディスクの回転により記録
位置の温度が低下すると、第１記録層の磁化が保磁力の
大きい第２記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
位置の温度が低下すると、第１記録層の磁化が保磁力の
大きい第２記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
【００３２】よって、第２の保磁力が零となっている第
２記録層の領域に対応する第１記録層の領域より小さい
範囲に対応する第１記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第２記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第１のキュリー温度及び第２
のキュリー温度より高くして第１記録層及び第２記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
２記録層の領域に対応する第１記録層の領域より小さい
範囲に対応する第１記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第２記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第１のキュリー温度及び第２
のキュリー温度より高くして第１記録層及び第２記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
【００３３】更に、所定温度範囲における第１の保磁力
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層において磁化の方向が
外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークの大き
さ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動し
ても安定した大きさの記録マークが形成される。
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層において磁化の方向が
外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークの大き
さ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動し
ても安定した大きさの記録マークが形成される。
【００３４】上記の課題を解決するために請求項２に記
載の発明は、垂直磁化状態で記録情報が記録されるとと
もに、所定温度範囲における変化率の範囲が所定範囲内
である第１の保磁力及び第１のキュリー温度を有する第
１記録層と、垂直磁化状態で前記第１記録層と同一の前
記記録情報が記録されるとともに、前記温度範囲におい
て前記第１の保磁力の前記変化率より大きい変化率を有
し、且つ、室温で前記第１の保磁力より大きい第２の保
磁力及び前記第１のキュリー温度より低い第２のキュリ
ー温度を有する第２記録層とを少なくとも備えた光磁気
ディスクに対して前記記録情報を記録する情報記録装置
において、前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録
すべき記録位置にレーザ光等の記録光を照射するレーザ
ダイオード等の照射手段と、前記記録光の出力パワー
を、前記記録位置の温度が前記第２のキュリー温度より
高く前記第１のキュリー温度より低い記録温度となるよ
うに制御するＡＰＣ（Automatic Power Control ）回路
等の制御手段と、少なくとも前記光磁気ディスクに対す
る前記記録光の照射中に、前記記録温度に対応する前記
第１の保磁力よりも強く、且つ、前記記録光の照射によ
り前記第２の保磁力が零となっている前記第２記録層の
領域に対応する前記第１記録層の領域の境界線の内側で
あって、当該境界線近傍の温度に対応する前記第１の保
磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を前記記録位置に
印加し、残存している前記第１記録層の磁化の方向を前
記記録外部磁界の方向とすることにより前記記録情報に
対応する記録マークを形成する磁気ヘッド等の記録外部
磁界印加手段と、を備えて構成される。
載の発明は、垂直磁化状態で記録情報が記録されるとと
もに、所定温度範囲における変化率の範囲が所定範囲内
である第１の保磁力及び第１のキュリー温度を有する第
１記録層と、垂直磁化状態で前記第１記録層と同一の前
記記録情報が記録されるとともに、前記温度範囲におい
て前記第１の保磁力の前記変化率より大きい変化率を有
し、且つ、室温で前記第１の保磁力より大きい第２の保
磁力及び前記第１のキュリー温度より低い第２のキュリ
ー温度を有する第２記録層とを少なくとも備えた光磁気
ディスクに対して前記記録情報を記録する情報記録装置
において、前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録
すべき記録位置にレーザ光等の記録光を照射するレーザ
ダイオード等の照射手段と、前記記録光の出力パワー
を、前記記録位置の温度が前記第２のキュリー温度より
高く前記第１のキュリー温度より低い記録温度となるよ
うに制御するＡＰＣ（Automatic Power Control ）回路
等の制御手段と、少なくとも前記光磁気ディスクに対す
る前記記録光の照射中に、前記記録温度に対応する前記
第１の保磁力よりも強く、且つ、前記記録光の照射によ
り前記第２の保磁力が零となっている前記第２記録層の
領域に対応する前記第１記録層の領域の境界線の内側で
あって、当該境界線近傍の温度に対応する前記第１の保
磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を前記記録位置に
印加し、残存している前記第１記録層の磁化の方向を前
記記録外部磁界の方向とすることにより前記記録情報に
対応する記録マークを形成する磁気ヘッド等の記録外部
磁界印加手段と、を備えて構成される。
【００３５】請求項２に記載の発明の作用によれば、照
射手段は、光磁気ディスク上の記録位置に記録光を照射
する。このとき、制御手段は、記録光の出力パワーを、
記録位置の温度が第２のキュリー温度より高く第１のキ
ュリー温度より低い記録温度となるように制御する。
射手段は、光磁気ディスク上の記録位置に記録光を照射
する。このとき、制御手段は、記録光の出力パワーを、
記録位置の温度が第２のキュリー温度より高く第１のキ
ュリー温度より低い記録温度となるように制御する。
【００３６】これと並行して、記録外部磁界印加手段
は、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照射中
に、記録温度に対応する第１の保磁力よりも強く、且
つ、記録光の照射により第２の保磁力が零となっている
第２記録層の領域に対応する第１記録層の領域の境界線
の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第１
の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置に
印加し、残存している第１記録層の磁化の方向を記録外
部磁界の方向とすることにより記録情報に対応する記録
マークを形成して記録情報を記録する。
は、少なくとも光磁気ディスクに対する記録光の照射中
に、記録温度に対応する第１の保磁力よりも強く、且
つ、記録光の照射により第２の保磁力が零となっている
第２記録層の領域に対応する第１記録層の領域の境界線
の内側であって、当該境界線近傍の温度に対応する第１
の保磁力よりも小さい強さの記録外部磁界を記録位置に
印加し、残存している第１記録層の磁化の方向を記録外
部磁界の方向とすることにより記録情報に対応する記録
マークを形成して記録情報を記録する。
【００３７】そして、光磁気ディスクの回転により記録
位置の温度が低下すると、第１記録層の磁化が保磁力の
大きい第２記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
位置の温度が低下すると、第１記録層の磁化が保磁力の
大きい第２記録層に転写され、室温において記録マーク
として記録情報が保持される。
【００３８】よって、第２の保磁力が零となっている第
２記録層の領域に対応する第１記録層の領域より小さい
範囲に対応する第１記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第２記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第１のキュリー温度及び第２
のキュリー温度より高くして第１記録層及び第２記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
２記録層の領域に対応する第１記録層の領域より小さい
範囲に対応する第１記録層の磁化を記録外部磁界の方向
として記録マークが形成されて記録情報が記録され、当
該記録マークが第２記録層に転写されて保持されること
により、記録位置の温度を第１のキュリー温度及び第２
のキュリー温度より高くして第１記録層及び第２記録層
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークの大きさが小さくなる。
【００３９】更に、所定温度範囲における第１の保磁力
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層において磁化の方向が
外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークの大き
さ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動し
ても安定した大きさの記録マークが形成される。
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層において磁化の方向が
外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークの大き
さ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動し
ても安定した大きさの記録マークが形成される。
【００４０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施形態を
図面を参照して説明する。 （Ｉ）光磁気ディスクの構造 始めに、本実施形態に係る光磁気ディスクの構造につい
て、図１を用いて説明する。
図面を参照して説明する。 （Ｉ）光磁気ディスクの構造 始めに、本実施形態に係る光磁気ディスクの構造につい
て、図１を用いて説明する。
【００４１】図１に示す実施形態に係る光磁気ディスク
１は、記録光としての光ビームＢの照射側から順に、光
磁気ディスク１の本体たる基板２と、後述の光記録再生
層を保護するための誘電体保護層３と、室温において後
述の中間層５を介した後述の第１記録層６との交換結合
により第１記録層６及び後述の第２記録層７と同一の磁
化方向（記録マークＭ）を保持するとともに、再生時に
おいては、光ビームＢの照射により加熱されて後述の中
間層５を介した後述の第１記録層６との交換結合が切れ
た部分が再生外部磁界Ｈexp の方向に磁化され、第１記
録層６の磁化が転写されないマスク層となる再生層４
と、後述の動作により垂直磁化状態で磁化の方向により
記録マークＭが形成され、情報が記録される第１記録層
６及び第２記録層７と、後述の光記録再生層を保護する
ための誘電体保護層８と、光磁気ディスク１をコーティ
ングして保護するための２Ｐオーバコート等で形成され
る樹脂保護膜９とを積層して構成される。上記の構成に
おいて、実質的に実施形態の記録動作に関与するのは第
１記録層６及び第２記録層７であり、更に、記録された
情報の再生動作に関与するのは、再生層４、中間層５、
第１記録層６及び第２記録層７である。そこで、今後、
記録及び再生に関与する各層をまとめて光記録再生層と
いうことにする。
１は、記録光としての光ビームＢの照射側から順に、光
磁気ディスク１の本体たる基板２と、後述の光記録再生
層を保護するための誘電体保護層３と、室温において後
述の中間層５を介した後述の第１記録層６との交換結合
により第１記録層６及び後述の第２記録層７と同一の磁
化方向（記録マークＭ）を保持するとともに、再生時に
おいては、光ビームＢの照射により加熱されて後述の中
間層５を介した後述の第１記録層６との交換結合が切れ
た部分が再生外部磁界Ｈexp の方向に磁化され、第１記
録層６の磁化が転写されないマスク層となる再生層４
と、後述の動作により垂直磁化状態で磁化の方向により
記録マークＭが形成され、情報が記録される第１記録層
６及び第２記録層７と、後述の光記録再生層を保護する
ための誘電体保護層８と、光磁気ディスク１をコーティ
ングして保護するための２Ｐオーバコート等で形成され
る樹脂保護膜９とを積層して構成される。上記の構成に
おいて、実質的に実施形態の記録動作に関与するのは第
１記録層６及び第２記録層７であり、更に、記録された
情報の再生動作に関与するのは、再生層４、中間層５、
第１記録層６及び第２記録層７である。そこで、今後、
記録及び再生に関与する各層をまとめて光記録再生層と
いうことにする。
【００４２】次に、各層の働き、組成及び膜厚について
説明する。基板２は、光磁気ディスク１全体を支持する
働きをし、その材質としては、光ビームＢを透過し、且
つ、屈折させ難い材質が用いられ、具体的には、ガラス
等が用いられる。また、その厚さは、光磁気ディスク１
を支持するのに充分な強度を有し、且つ、光ビームＢの
透過に影響を与えない膜厚であればよい。具体的には、
０．６乃至１．２mm程度とされる。
説明する。基板２は、光磁気ディスク１全体を支持する
働きをし、その材質としては、光ビームＢを透過し、且
つ、屈折させ難い材質が用いられ、具体的には、ガラス
等が用いられる。また、その厚さは、光磁気ディスク１
を支持するのに充分な強度を有し、且つ、光ビームＢの
透過に影響を与えない膜厚であればよい。具体的には、
０．６乃至１．２mm程度とされる。
【００４３】誘電体保護層３及び８は、光ビームＢを透
過するとともに、光記録再生層を保護する働きをする。
この膜の性質としては、光ビームＢの透過に影響を与え
ないように透明であって、且つ、光記録再生層の動作に
影響を与えないように水分等を透過させない緻密な組成
を有する必要がある。この性質を有する組成としては、
ＳｉＮx 、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 等が使用可能である。膜
厚としては、経年変化や酸化に対して抵抗できる程度の
厚さ（例えば、２０nm程度）以上の厚さは必要で、熱伝
導特性や光透過特性に影響を与えない程度の厚さ（例え
ば、１００nm程度）以下であることが好ましい。
過するとともに、光記録再生層を保護する働きをする。
この膜の性質としては、光ビームＢの透過に影響を与え
ないように透明であって、且つ、光記録再生層の動作に
影響を与えないように水分等を透過させない緻密な組成
を有する必要がある。この性質を有する組成としては、
ＳｉＮx 、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 等が使用可能である。膜
厚としては、経年変化や酸化に対して抵抗できる程度の
厚さ（例えば、２０nm程度）以上の厚さは必要で、熱伝
導特性や光透過特性に影響を与えない程度の厚さ（例え
ば、１００nm程度）以下であることが好ましい。
【００４４】中間層５は、室温で第１記録層６と再生層
４とを交換結合して第１記録層６に形成された記録マー
クＭを再生層４に転写する必要があることから、室温で
高い保磁力を有する必要がある。更に、再生時には、光
ビームＢの照射による加熱により第１記録層６と再生層
４との交換結合力を遮断する必要があるので、加熱時に
中間層５の磁区が消失する必要があるため、当該中間層
５のキュリー温度（以下、ＴCSとする。）が加熱時の到
達温度より低いことが必要である。同時に、再生時に光
記録再生層を構成する他の磁性層の磁化が消失しないこ
とが必要なので、キュリー温度ＴCSについては、光記録
再生層を構成する他の磁性層（再生層４、第１記録層６
及び第２記録層７）の各キュリー温度のうち、いずれの
キュリー温度よりも低いことが必要である。
４とを交換結合して第１記録層６に形成された記録マー
クＭを再生層４に転写する必要があることから、室温で
高い保磁力を有する必要がある。更に、再生時には、光
ビームＢの照射による加熱により第１記録層６と再生層
４との交換結合力を遮断する必要があるので、加熱時に
中間層５の磁区が消失する必要があるため、当該中間層
５のキュリー温度（以下、ＴCSとする。）が加熱時の到
達温度より低いことが必要である。同時に、再生時に光
記録再生層を構成する他の磁性層の磁化が消失しないこ
とが必要なので、キュリー温度ＴCSについては、光記録
再生層を構成する他の磁性層（再生層４、第１記録層６
及び第２記録層７）の各キュリー温度のうち、いずれの
キュリー温度よりも低いことが必要である。
【００４５】これらの条件を満足する中間層の組成とし
ては、例えば、 Ｔｂ22Ｆｅ78〔at% 〕 とされ、その厚さは、１０nm程度であることが望まし
い。
ては、例えば、 Ｔｂ22Ｆｅ78〔at% 〕 とされ、その厚さは、１０nm程度であることが望まし
い。
【００４６】ここで、組成式中の数値は２種の合金の原
子数量比を表すもので、原子パーセントという。例え
ば、 Ａn Ｂm 〔at% 〕 という表示では、 n ＋m ＝１００ であり、この式は、全原子の個数中ｎ％のＡ原子および
ｍ％のＢ原子によってこの物質が組成されることを意味
する。
子数量比を表すもので、原子パーセントという。例え
ば、 Ａn Ｂm 〔at% 〕 という表示では、 n ＋m ＝１００ であり、この式は、全原子の個数中ｎ％のＡ原子および
ｍ％のＢ原子によってこの物質が組成されることを意味
する。
【００４７】再生層４は、室温で中間層５を介した交換
結合力により第１記録層６の記録マークＭが転写される
とともに、再生時には、光ビームＢの照射による加熱に
伴う昇温により、中間層５の磁区が消失して第１記録層
６との交換結合が切れた部分が再生外部磁界Ｈexp の方
向に磁化され、当該部分は第１記録層６の磁化が転写さ
れず情報が読み出せないマスク領域として動作する。こ
の時、再生における昇温時のマスク領域の到達温度（以
下、再生温度という。）は、第１記録層６の記録マーク
Ｍを保持するために第１記録層６のキュリー温度（以
下、ＴCR1 とする。）より低く、且つ、中間層５のキュ
リー温度ＴCSより高く設定される。また、再生層４にお
いては、再生時において磁化の方向が再生外部磁界Ｈ
exp （通常は３００エルステッド程度）により当該再生
外部磁界Ｈexp の方向に揃えられることによりマスク領
域が形成されるので、再生温度において磁化が消失する
ことなく、且つ、当該再生温度において印加される再生
外部磁界Ｈexp より小さい保磁力を備える必要がある。
結合力により第１記録層６の記録マークＭが転写される
とともに、再生時には、光ビームＢの照射による加熱に
伴う昇温により、中間層５の磁区が消失して第１記録層
６との交換結合が切れた部分が再生外部磁界Ｈexp の方
向に磁化され、当該部分は第１記録層６の磁化が転写さ
れず情報が読み出せないマスク領域として動作する。こ
の時、再生における昇温時のマスク領域の到達温度（以
下、再生温度という。）は、第１記録層６の記録マーク
Ｍを保持するために第１記録層６のキュリー温度（以
下、ＴCR1 とする。）より低く、且つ、中間層５のキュ
リー温度ＴCSより高く設定される。また、再生層４にお
いては、再生時において磁化の方向が再生外部磁界Ｈ
exp （通常は３００エルステッド程度）により当該再生
外部磁界Ｈexp の方向に揃えられることによりマスク領
域が形成されるので、再生温度において磁化が消失する
ことなく、且つ、当該再生温度において印加される再生
外部磁界Ｈexp より小さい保磁力を備える必要がある。
【００４８】更に、再生外部磁界Ｈexp の強さは、第１
記録層６の記録マークＭを保持するために、再生温度に
おける第１記録層６及び第２記録層７の保磁力より弱く
されるので、再生層４の再生温度における保磁力も第１
記録層６及び第２記録層７の保磁力より弱くする必要が
ある。
記録層６の記録マークＭを保持するために、再生温度に
おける第１記録層６及び第２記録層７の保磁力より弱く
されるので、再生層４の再生温度における保磁力も第１
記録層６及び第２記録層７の保磁力より弱くする必要が
ある。
【００４９】以上の条件から、再生層４のキュリー温度
ＴCP及び保磁力（以下、ＨCPという。）については、以
下の条件を満たすことが必要である。 ＴCP＞ＴCS ……（１） 及び、再生温度付近において、 ＨCP＜ＨCR1 、且つ、ＨCP＜１キロエルステッド ……（２） ここで、ＨCR1 は、第１記録層６の保磁力である。
ＴCP及び保磁力（以下、ＨCPという。）については、以
下の条件を満たすことが必要である。 ＴCP＞ＴCS ……（１） 及び、再生温度付近において、 ＨCP＜ＨCR1 、且つ、ＨCP＜１キロエルステッド ……（２） ここで、ＨCR1 は、第１記録層６の保磁力である。
【００５０】以上の条件に適した再生層４の組成として
は、 Ｇｄx1（Ｆｅ100-y1Ｃｏy1）100-x1〔at% 〕 の組成式において、 ２０＜ｘ１＜２５、且つ、５＜ｙ１＜４０ とされ、より好ましくは、図１に示すように、 ｘ１＝２４、且つ、ｙ１＝３０ とされる。
は、 Ｇｄx1（Ｆｅ100-y1Ｃｏy1）100-x1〔at% 〕 の組成式において、 ２０＜ｘ１＜２５、且つ、５＜ｙ１＜４０ とされ、より好ましくは、図１に示すように、 ｘ１＝２４、且つ、ｙ１＝３０ とされる。
【００５１】また、再生層４の膜厚は、３０nm程度であ
ることが望ましいが、１０nm以上６０nmの範囲であれば
よい。第１記録層６は、後述の記録動作において、最初
に記録外部磁界Ｈexr により記録マークＭが形成される
記録層である。この層の性質としては、垂直磁化を有す
る磁性材料であって、キュリー温度ＴCR1 が第２記録層
７のそれより高く、且つ、所定温度範囲に対する保磁力
ＨCR1 の変化が十分に小さい所定の範囲（より具体的に
は、例えば、１３０度以上における保磁力ＨCR1 が０か
ら５００エルステッド未満の範囲となる）である必要が
ある。また、再生時には、光磁気ディスク１の光ビーム
Ｂの照射範囲の一部（マスク領域）が再生温度に到達し
たときでも記録情報（磁化の方向）が消失しないことが
必要である。
ることが望ましいが、１０nm以上６０nmの範囲であれば
よい。第１記録層６は、後述の記録動作において、最初
に記録外部磁界Ｈexr により記録マークＭが形成される
記録層である。この層の性質としては、垂直磁化を有す
る磁性材料であって、キュリー温度ＴCR1 が第２記録層
７のそれより高く、且つ、所定温度範囲に対する保磁力
ＨCR1 の変化が十分に小さい所定の範囲（より具体的に
は、例えば、１３０度以上における保磁力ＨCR1 が０か
ら５００エルステッド未満の範囲となる）である必要が
ある。また、再生時には、光磁気ディスク１の光ビーム
Ｂの照射範囲の一部（マスク領域）が再生温度に到達し
たときでも記録情報（磁化の方向）が消失しないことが
必要である。
【００５２】以上の条件から、第１記録層６のキュリー
温度ＴCR1 は第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 より高
く、保磁力ＨCR1 については、上式（２）の条件を満た
すことが必要である。
温度ＴCR1 は第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 より高
く、保磁力ＨCR1 については、上式（２）の条件を満た
すことが必要である。
【００５３】以上の条件に適した第１記録層６の組成と
しては、 Ｇｄx2（Ｆｅ100-y2Ｃｏy2）100-x2〔at% 〕 の組成式において、 １９≦ｘ２≦３０、且つ、５≦ｙ２≦３０ とされ、より好ましくは、図１に示すように、 ｘ２＝２２、且つ、ｙ２＝３０ とされる。この組成の場合には、第１記録層６のキュリ
ー温度ＴCR1 は、２００℃乃至４００℃よりも高くな
る。
しては、 Ｇｄx2（Ｆｅ100-y2Ｃｏy2）100-x2〔at% 〕 の組成式において、 １９≦ｘ２≦３０、且つ、５≦ｙ２≦３０ とされ、より好ましくは、図１に示すように、 ｘ２＝２２、且つ、ｙ２＝３０ とされる。この組成の場合には、第１記録層６のキュリ
ー温度ＴCR1 は、２００℃乃至４００℃よりも高くな
る。
【００５４】また、第１記録層６の膜厚ｔR1は、２０nm
程度であることが望ましいが、これ以外にも、５nm＜ｔ
R1＜１００nmの範囲で、且つ、後述の第２記録層７と合
わせた膜厚が１０nmより厚く１５０nmより薄い範囲であ
ればよい。この膜厚は、膜の均一性及び熱容量の増大に
基づき決定されるものである。すなわち、あまり薄すぎ
ると均一に膜が形成されず、逆に厚すぎると熱容量の増
大により微小な記録マークＭの形成が困難となるので、
これらを考慮して上記の範囲とされる。
程度であることが望ましいが、これ以外にも、５nm＜ｔ
R1＜１００nmの範囲で、且つ、後述の第２記録層７と合
わせた膜厚が１０nmより厚く１５０nmより薄い範囲であ
ればよい。この膜厚は、膜の均一性及び熱容量の増大に
基づき決定されるものである。すなわち、あまり薄すぎ
ると均一に膜が形成されず、逆に厚すぎると熱容量の増
大により微小な記録マークＭの形成が困難となるので、
これらを考慮して上記の範囲とされる。
【００５５】第２記録層７は、後述の記録動作におい
て、第１記録層６に形成された記録マークＭが、光磁気
ディスク１の回転に伴う降温時に転写されて保持される
記録層である。この層の性質としては、第１記録層６と
同様に、垂直磁化を有する磁性材料であって、キュリー
温度ＴCR1 が第１記録層６のそれより低く、且つ、室温
における保磁力ＨCR2 が、記録マークＭの保持が可能な
程度に十分に大きい必要がある。すなわち、第１記録層
６に比して、保磁力の変化が急峻であり、且つ、キュリ
ー温度が低いことが必要である。また、再生時には、光
磁気ディスク１の光ビームＢの照射範囲の一部（マスク
領域）が再生温度に到達したときでも記録情報（磁化の
方向）が消失しないことが必要である。
て、第１記録層６に形成された記録マークＭが、光磁気
ディスク１の回転に伴う降温時に転写されて保持される
記録層である。この層の性質としては、第１記録層６と
同様に、垂直磁化を有する磁性材料であって、キュリー
温度ＴCR1 が第１記録層６のそれより低く、且つ、室温
における保磁力ＨCR2 が、記録マークＭの保持が可能な
程度に十分に大きい必要がある。すなわち、第１記録層
６に比して、保磁力の変化が急峻であり、且つ、キュリ
ー温度が低いことが必要である。また、再生時には、光
磁気ディスク１の光ビームＢの照射範囲の一部（マスク
領域）が再生温度に到達したときでも記録情報（磁化の
方向）が消失しないことが必要である。
【００５６】更に、第１記録層６に形成された記録マー
クＭが降温過程において転写されるという本実施形態に
おける記録マークＭの保持の仕組みにより、第２記録層
７における構成元素の組成は、第２記録層７の補償点温
度ＴCOMP（第２記録層７を構成する構成元素間の磁化の
バランスから、キュリー温度より低い温度で磁化が一時
的に零となる温度）が室温から１００度の範囲であるよ
うな組成とされる。
クＭが降温過程において転写されるという本実施形態に
おける記録マークＭの保持の仕組みにより、第２記録層
７における構成元素の組成は、第２記録層７の補償点温
度ＴCOMP（第２記録層７を構成する構成元素間の磁化の
バランスから、キュリー温度より低い温度で磁化が一時
的に零となる温度）が室温から１００度の範囲であるよ
うな組成とされる。
【００５７】以上の条件に適した第２記録層７の組成の
具体例としては、 Ｔｂx3（Ｆｅ100-y3Ｃｏy3）100-x3〔at% 〕 の組成式において、 ｘ３＝２３、且つ、ｙ３＝１０ とされる。この組成の場合には、第２記録層７のキュリ
ー温度ＴCR2 は、１７０℃となるが、第２記録層７のキ
ュリー温度ＴCR2 としては、１２０℃乃至１７０℃とさ
れるのが適切である。
具体例としては、 Ｔｂx3（Ｆｅ100-y3Ｃｏy3）100-x3〔at% 〕 の組成式において、 ｘ３＝２３、且つ、ｙ３＝１０ とされる。この組成の場合には、第２記録層７のキュリ
ー温度ＴCR2 は、１７０℃となるが、第２記録層７のキ
ュリー温度ＴCR2 としては、１２０℃乃至１７０℃とさ
れるのが適切である。
【００５８】また、第２記録層７の膜厚ｔR2は、３０nm
程度であることが望ましいが、上述の第１記録層６にお
ける膜厚の条件と同様の理由で、５nm＜ｔR2＜１００nm
の範囲で、且つ、第１記録層６と合わせた膜厚が１０nm
より厚く１５０nmより薄い範囲であればよい。
程度であることが望ましいが、上述の第１記録層６にお
ける膜厚の条件と同様の理由で、５nm＜ｔR2＜１００nm
の範囲で、且つ、第１記録層６と合わせた膜厚が１０nm
より厚く１５０nmより薄い範囲であればよい。
【００５９】ここで、本実施形態の光磁気ディスク１に
おける第１記録層６と第２記録層７を一の記録層とみな
した場合の温度と保磁力の変化について、図２を用いて
説明する。
おける第１記録層６と第２記録層７を一の記録層とみな
した場合の温度と保磁力の変化について、図２を用いて
説明する。
【００６０】本実施形態の光磁気ディスク１の記録層
（第１記録層６と第２記録層７）においては、温度と保
磁力の関係を示すグラフは、図２に示すように、一の変
曲点Ｗを有する。この場合、図２に符号ａで示すよう
に、当該変曲点Ｗに対応する温度Ｘより低い温度範囲で
は、第２記録層７（保磁力の変化が第１記録層６に比し
て急峻であり、且つキュリー温度ＴCR2 が低い）の影響
を受けて、光磁気ディスク１の記録層の保磁力の変化も
急峻となっている。また、図２に符号ｂで示すように、
当該変曲点Ｗに対応する温度Ｘより高い温度範囲では、
第１記録層６（保磁力の変化が緩慢（１３０度以上にお
ける保磁力ＨCR1 が５００エルステッド未満）であり、
且つキュリー温度ＴCR1 が高い）の影響を受けて、光磁
気ディスク１の記録層の保磁力の変化も緩慢で、ほぼ零
に近くなっている。
（第１記録層６と第２記録層７）においては、温度と保
磁力の関係を示すグラフは、図２に示すように、一の変
曲点Ｗを有する。この場合、図２に符号ａで示すよう
に、当該変曲点Ｗに対応する温度Ｘより低い温度範囲で
は、第２記録層７（保磁力の変化が第１記録層６に比し
て急峻であり、且つキュリー温度ＴCR2 が低い）の影響
を受けて、光磁気ディスク１の記録層の保磁力の変化も
急峻となっている。また、図２に符号ｂで示すように、
当該変曲点Ｗに対応する温度Ｘより高い温度範囲では、
第１記録層６（保磁力の変化が緩慢（１３０度以上にお
ける保磁力ＨCR1 が５００エルステッド未満）であり、
且つキュリー温度ＴCR1 が高い）の影響を受けて、光磁
気ディスク１の記録層の保磁力の変化も緩慢で、ほぼ零
に近くなっている。
【００６１】本実施形態における記録マークＭの形成に
よる情報の記録時には、上記の保磁力の変化を示す光磁
気ディスク１に対して、記録マークＭを形成すべき光磁
気ディスク１上の記録位置の温度が、略図２に符号Ａで
示す範囲となるように、記録光としての光ビームＢの強
度が制御されて記録が行われる。詳細な記録動作につい
ては後述する。 （II）装置構成 次に、実施形態に係る光磁気ディスク情報記録再生装置
の構成について図３を用いて説明する。なお、図３に示
す光磁気ディスク情報記録再生装置においては、外部か
らの記録データを処理して後述の記録動作により光磁気
ディスク１に記録マークＭを形成して情報を記録するの
みならず、光磁気ディスク１の記録された情報の再生も
可能である。また、図３に示す光磁気ディスク情報記録
再生装置においては、光強度変調方式を例として説明す
る。図３に示すように、実施形態に係る光磁気ディスク
情報記録再生装置Ｓは、光磁気ディスク１を回転駆動す
るためのスピンドルモータ１０と、図示しないレーザダ
イオード、アクチュエータ及び偏光ビームスプリッタを
有し、回転する光磁気ディスク１に対して記録光又は再
生光としてのレーザ光等の光ビームＢを照射し、この光
ビームＢが光磁気ディスク１の再生層４において、磁気
カー効果により偏光面が僅かに回転して反射され戻って
きた光ビームＢ中の信号成分をＲＦ（Radio Frequency
）信号として出力する照射手段としての光ピックアッ
プ１１と、上記ＲＦ信号を所定のレベルにまで増幅する
ＲＦアンプ１２と、上記ＲＦ信号中からウォブリング周
波数を検出することにより情報未記録時（又は記録マー
クＭの未形成部分に光ビームＢを照射しているとき）に
おいても光磁気ディスク１における時間的位置が検出可
能なデコーダ１３と、増幅された上記ＲＦ信号から記録
情報に対応する変調信号を抽出して復調するとともに、
外部から入力された記録情報に対応する変調データを出
力するためのエンコーダ・デコーダ１４と、情報記録時
において、記録すべき情報（“０”又は“１”）に対応
して変調された記録光としての光ビームＢにより昇温さ
れた第１記録層６の記録位置に、後述する一定強度の記
録外部磁界を印加し、当該第１記録層６に記録マークＭ
を形成するための記録外部磁界印加手段としての磁気ヘ
ッド１５と、この磁気ヘッド１５を駆動するためのヘッ
ド駆動回路１６と、情報記録時に外部から入力される記
録情報としてのアナログ情報信号をディジタルデータに
変換するためのＡ／Ｄコンバータ１７と、情報再生時に
エンコーダ・デコーダ１４により復調され出力されたデ
ィジタルデータをアナログ情報信号に変換するためのＤ
／Ａコンバータ１８と、光ピックアップ１１を光磁気デ
ィスク１の半径方向に移動するためのキャリッジ１９
と、スピンドルモータ１０、キャリッジ１９及び図示し
ないアクチュエータをサーボ制御するサーボコントロー
ル回路２０と、光磁気ディスク情報記録再生装置Ｓ全体
を制御するマイコン等よりなる制御手段としてのシステ
ムコントローラ２１と、システムコントローラ２１に外
部から所定の操作指令を与えるためのキー入力部２２
と、情報再生状態等の必要な情報を表示するための表示
部２３と、を備えて構成されている。
よる情報の記録時には、上記の保磁力の変化を示す光磁
気ディスク１に対して、記録マークＭを形成すべき光磁
気ディスク１上の記録位置の温度が、略図２に符号Ａで
示す範囲となるように、記録光としての光ビームＢの強
度が制御されて記録が行われる。詳細な記録動作につい
ては後述する。 （II）装置構成 次に、実施形態に係る光磁気ディスク情報記録再生装置
の構成について図３を用いて説明する。なお、図３に示
す光磁気ディスク情報記録再生装置においては、外部か
らの記録データを処理して後述の記録動作により光磁気
ディスク１に記録マークＭを形成して情報を記録するの
みならず、光磁気ディスク１の記録された情報の再生も
可能である。また、図３に示す光磁気ディスク情報記録
再生装置においては、光強度変調方式を例として説明す
る。図３に示すように、実施形態に係る光磁気ディスク
情報記録再生装置Ｓは、光磁気ディスク１を回転駆動す
るためのスピンドルモータ１０と、図示しないレーザダ
イオード、アクチュエータ及び偏光ビームスプリッタを
有し、回転する光磁気ディスク１に対して記録光又は再
生光としてのレーザ光等の光ビームＢを照射し、この光
ビームＢが光磁気ディスク１の再生層４において、磁気
カー効果により偏光面が僅かに回転して反射され戻って
きた光ビームＢ中の信号成分をＲＦ（Radio Frequency
）信号として出力する照射手段としての光ピックアッ
プ１１と、上記ＲＦ信号を所定のレベルにまで増幅する
ＲＦアンプ１２と、上記ＲＦ信号中からウォブリング周
波数を検出することにより情報未記録時（又は記録マー
クＭの未形成部分に光ビームＢを照射しているとき）に
おいても光磁気ディスク１における時間的位置が検出可
能なデコーダ１３と、増幅された上記ＲＦ信号から記録
情報に対応する変調信号を抽出して復調するとともに、
外部から入力された記録情報に対応する変調データを出
力するためのエンコーダ・デコーダ１４と、情報記録時
において、記録すべき情報（“０”又は“１”）に対応
して変調された記録光としての光ビームＢにより昇温さ
れた第１記録層６の記録位置に、後述する一定強度の記
録外部磁界を印加し、当該第１記録層６に記録マークＭ
を形成するための記録外部磁界印加手段としての磁気ヘ
ッド１５と、この磁気ヘッド１５を駆動するためのヘッ
ド駆動回路１６と、情報記録時に外部から入力される記
録情報としてのアナログ情報信号をディジタルデータに
変換するためのＡ／Ｄコンバータ１７と、情報再生時に
エンコーダ・デコーダ１４により復調され出力されたデ
ィジタルデータをアナログ情報信号に変換するためのＤ
／Ａコンバータ１８と、光ピックアップ１１を光磁気デ
ィスク１の半径方向に移動するためのキャリッジ１９
と、スピンドルモータ１０、キャリッジ１９及び図示し
ないアクチュエータをサーボ制御するサーボコントロー
ル回路２０と、光磁気ディスク情報記録再生装置Ｓ全体
を制御するマイコン等よりなる制御手段としてのシステ
ムコントローラ２１と、システムコントローラ２１に外
部から所定の操作指令を与えるためのキー入力部２２
と、情報再生状態等の必要な情報を表示するための表示
部２３と、を備えて構成されている。
【００６２】また、サーボコントロール回路２０は、光
ピックアップ１１内の図示しないレーザダイオード内に
設けられたモニター用フォトダイオードにより検出され
た光ビームＢの強度に基づいて、レーザダイオードへの
駆動電流を制御することにより、当該光ビームＢの強度
を、記録時において記録すべき情報に対応して変調され
た出力パワーに設定するとともに再生時において後述の
出力パワーに保つためのＡＰＣ回路２０Ａを備えてい
る。
ピックアップ１１内の図示しないレーザダイオード内に
設けられたモニター用フォトダイオードにより検出され
た光ビームＢの強度に基づいて、レーザダイオードへの
駆動電流を制御することにより、当該光ビームＢの強度
を、記録時において記録すべき情報に対応して変調され
た出力パワーに設定するとともに再生時において後述の
出力パワーに保つためのＡＰＣ回路２０Ａを備えてい
る。
【００６３】更に、情報記録時においては、光ビームＢ
の強度は、より具体的には、後述の記録動作における強
度になるように、システムコントローラ２１により、Ａ
ＰＣ回路２０Ａを制御することで制御される。 （III ）記録動作 次に、図４を参照して、本実施形態における記録動作に
ついて説明する。なお、図４は、本実施形態の記録動作
により記録マークＭが形成されて情報が記録される様子
を時間を追って模式的に示したものであり、情報の記録
動作に関与しない中間層５、再生層４、基板２、誘電体
保護層３及び８並びに樹脂保護膜９の図示は省略してい
る。また、図４中の各図における矢印の長さは、磁化の
強さに対応している。
の強度は、より具体的には、後述の記録動作における強
度になるように、システムコントローラ２１により、Ａ
ＰＣ回路２０Ａを制御することで制御される。 （III ）記録動作 次に、図４を参照して、本実施形態における記録動作に
ついて説明する。なお、図４は、本実施形態の記録動作
により記録マークＭが形成されて情報が記録される様子
を時間を追って模式的に示したものであり、情報の記録
動作に関与しない中間層５、再生層４、基板２、誘電体
保護層３及び８並びに樹脂保護膜９の図示は省略してい
る。また、図４中の各図における矢印の長さは、磁化の
強さに対応している。
【００６４】本実施形態においては、記録マークＭは、
上述のように、先ず第１記録層６に形成され、その後、
降温過程において第２記録層７に転写されることにより
室温において当該記録マークＭが保持される。
上述のように、先ず第１記録層６に形成され、その後、
降温過程において第２記録層７に転写されることにより
室温において当該記録マークＭが保持される。
【００６５】始めに、情報の記録前には、第１記録層６
及び第２記録層７の磁化の向きは、記録時と反対方向の
バイアス磁界Ｈb を印加しつつ、高パワーＰH の連続光
を照射することにより、一方向に揃えられ、情報の消去
が行なわれる。より具体的には、図４において全て下向
きに揃えられる。
及び第２記録層７の磁化の向きは、記録時と反対方向の
バイアス磁界Ｈb を印加しつつ、高パワーＰH の連続光
を照射することにより、一方向に揃えられ、情報の消去
が行なわれる。より具体的には、図４において全て下向
きに揃えられる。
【００６６】次に、本実施形態の記録動作においては、
先ず、図４（ａ）に示すように、記録マークＭを形成す
べき光磁気ディスク１の記録位置に対して光ビームＢが
照射される。ここで、光ビームＢの照射当初において
は、第１記録層６及び第２記録層７ともに昇温されてい
ないので、双方の保磁力は強く、また磁化の方向も同じ
方向（下向き）となっている。
先ず、図４（ａ）に示すように、記録マークＭを形成す
べき光磁気ディスク１の記録位置に対して光ビームＢが
照射される。ここで、光ビームＢの照射当初において
は、第１記録層６及び第２記録層７ともに昇温されてい
ないので、双方の保磁力は強く、また磁化の方向も同じ
方向（下向き）となっている。
【００６７】このとき、照射される光ビームＢの強度
（出力パワー）については、記録すべき情報の“１”に
対応して記録マークＭを形成する場合には、当該形成す
べき記録位置の温度が、第１記録層のキュリー温度Ｔ
CR1 より低く、且つ、第２記録層７のキュリー温度Ｔ
CR2 より高い温度、より具体的には、例えば、図２に符
号Ａで示す範囲の温度となるように、当該出力パワーが
システムコントローラ２１の制御のもと、ＡＰＣ２０Ａ
により制御される。また、記録マークＭを形成しない部
分（記録すべき情報の“０”に対応する部分）に照射さ
れる光ビームＢの強度は、照射された領域の温度が第２
記録層７のキュリー温度ＴCR2 より低い温度であって、
その温度のときの保磁力（図２参照）が後述の記録外部
磁界Ｈexr よりも強くなる温度になるような強度とされ
る。
（出力パワー）については、記録すべき情報の“１”に
対応して記録マークＭを形成する場合には、当該形成す
べき記録位置の温度が、第１記録層のキュリー温度Ｔ
CR1 より低く、且つ、第２記録層７のキュリー温度Ｔ
CR2 より高い温度、より具体的には、例えば、図２に符
号Ａで示す範囲の温度となるように、当該出力パワーが
システムコントローラ２１の制御のもと、ＡＰＣ２０Ａ
により制御される。また、記録マークＭを形成しない部
分（記録すべき情報の“０”に対応する部分）に照射さ
れる光ビームＢの強度は、照射された領域の温度が第２
記録層７のキュリー温度ＴCR2 より低い温度であって、
その温度のときの保磁力（図２参照）が後述の記録外部
磁界Ｈexr よりも強くなる温度になるような強度とされ
る。
【００６８】上記のように記録すべき情報に対応して出
力パワーが変調された光ビームＢが照射されると、記録
マークＭを形成すべく照射された範囲に対応する第２記
録層７の領域は、図４（ｂ）に示すように、第２記録層
７のキュリー温度ＴCR2 以上となるので、当該領域（図
４（ｂ）中、符号Ｈで示す。）の磁化が消滅し、第１記
録層６に対して交換結合力等の作用を発揮することがで
きなくなる。
力パワーが変調された光ビームＢが照射されると、記録
マークＭを形成すべく照射された範囲に対応する第２記
録層７の領域は、図４（ｂ）に示すように、第２記録層
７のキュリー温度ＴCR2 以上となるので、当該領域（図
４（ｂ）中、符号Ｈで示す。）の磁化が消滅し、第１記
録層６に対して交換結合力等の作用を発揮することがで
きなくなる。
【００６９】一方、第１記録層６においては、当該記録
位置の温度は第１記録層６のキュリー温度ＴCR1 以下で
あるので磁化は消滅しないが、光ビームＢの照射範囲の
中心部ほど温度が高いので、図４（ｂ）に示すように当
該中心部ほど保磁力は弱くなる。
位置の温度は第１記録層６のキュリー温度ＴCR1 以下で
あるので磁化は消滅しないが、光ビームＢの照射範囲の
中心部ほど温度が高いので、図４（ｂ）に示すように当
該中心部ほど保磁力は弱くなる。
【００７０】光ビームＢの照射により、図４（ｂ）に示
す状態となるまで昇温されると、次に、図４（ｃ）に示
すように、記録位置に対して、記録マークＭを形成する
場合と形成しない場合とで一定強度とされた記録外部磁
界Ｈexr が、磁気ヘッド１５により印加される。このと
きの記録外部磁界Ｈexr の強さは、記録位置の中央部
（光ビームＢの照射範囲の中央部）の温度に対応する第
１記録層６の保磁力より強く、且つ、磁化が消失してい
る第２記録層７の領域（図４（ｃ）符号Ｂ参照）に対応
する第１記録層６の領域の境界線の内側であって、当該
境界線近傍の温度における第１記録層６の保磁力より弱
い強さとされる。具体的には、記録位置の中央部の温度
に対応する第１記録層６の保磁力より強く、且つ、当該
第１記録層６の保磁力近傍の値とされ、より具体的に
は、略２００乃至３００エルステッドの間の値とされ
る。この強さの記録外部磁界Ｈexr が印加されると、第
１記録層６の内、記録位置の中央部の磁化の方向のみが
印加された記録外部磁界Ｈexr の方向となり、この磁化
の方向の変化により、図４（ｃ）に示すような記録マー
クＭが形成される。
す状態となるまで昇温されると、次に、図４（ｃ）に示
すように、記録位置に対して、記録マークＭを形成する
場合と形成しない場合とで一定強度とされた記録外部磁
界Ｈexr が、磁気ヘッド１５により印加される。このと
きの記録外部磁界Ｈexr の強さは、記録位置の中央部
（光ビームＢの照射範囲の中央部）の温度に対応する第
１記録層６の保磁力より強く、且つ、磁化が消失してい
る第２記録層７の領域（図４（ｃ）符号Ｂ参照）に対応
する第１記録層６の領域の境界線の内側であって、当該
境界線近傍の温度における第１記録層６の保磁力より弱
い強さとされる。具体的には、記録位置の中央部の温度
に対応する第１記録層６の保磁力より強く、且つ、当該
第１記録層６の保磁力近傍の値とされ、より具体的に
は、略２００乃至３００エルステッドの間の値とされ
る。この強さの記録外部磁界Ｈexr が印加されると、第
１記録層６の内、記録位置の中央部の磁化の方向のみが
印加された記録外部磁界Ｈexr の方向となり、この磁化
の方向の変化により、図４（ｃ）に示すような記録マー
クＭが形成される。
【００７１】この場合、記録マークＭの大きさは、磁化
が消失している第２記録層７の領域の大きさよりも小さ
なものとなる。次に、第１記録層６に記録マークＭが形
成されると、光磁気ディスク１の回転により記録位置に
対する光ビームＢの照射がなくなり、当該記録位置が降
温する。すると、図４（ｄ）に示すように、第１記録層
６の保磁力が暫時増大するとともに、第２記録層７の温
度が当該第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 より低くな
るので、当該第２記録層７に磁化が現出するが、この
際、第１記録層６の磁化が第２記録層７に対して外部磁
界として作用するので、第２記録層７も第１記録層６と
同じ状態で磁化が発生し、第１記録層６に形成された記
録マークＭと同様の記録マークＭが形成される。
が消失している第２記録層７の領域の大きさよりも小さ
なものとなる。次に、第１記録層６に記録マークＭが形
成されると、光磁気ディスク１の回転により記録位置に
対する光ビームＢの照射がなくなり、当該記録位置が降
温する。すると、図４（ｄ）に示すように、第１記録層
６の保磁力が暫時増大するとともに、第２記録層７の温
度が当該第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 より低くな
るので、当該第２記録層７に磁化が現出するが、この
際、第１記録層６の磁化が第２記録層７に対して外部磁
界として作用するので、第２記録層７も第１記録層６と
同じ状態で磁化が発生し、第１記録層６に形成された記
録マークＭと同様の記録マークＭが形成される。
【００７２】そして、更に降温されると、図４（ｅ）に
示すように、第１記録層６の保磁力より第２記録層７の
保磁力の方が強くなるので、これにより、室温おいても
記録マークＭ消失することなく第１記録層６及び第２記
録層７において記録マークＭが保持され、情報が記録さ
れることとなる。
示すように、第１記録層６の保磁力より第２記録層７の
保磁力の方が強くなるので、これにより、室温おいても
記録マークＭ消失することなく第１記録層６及び第２記
録層７において記録マークＭが保持され、情報が記録さ
れることとなる。
【００７３】なお、記録マークＭを形成しない場合に
は、上記の強度の記録外部磁界Ｈexrは引続き印加され
るものの、そのときの光ビームＢの出力パワーが、上述
のように、照射された領域の温度が第２記録層７のキュ
リー温度ＴCR2 より低い温度であって、その温度のとき
の保磁力（図２参照）が上記の記録外部磁界Ｈexr より
も強くなる温度になるような強度とされるので、第２記
録層７の磁化が反転されることがなく初期化されたまま
に保持されることとなる。よって、その状態で降温する
ことにより第１記録層６にも第２記録層７の磁化が転写
され、記録マークは形成されない。
は、上記の強度の記録外部磁界Ｈexrは引続き印加され
るものの、そのときの光ビームＢの出力パワーが、上述
のように、照射された領域の温度が第２記録層７のキュ
リー温度ＴCR2 より低い温度であって、その温度のとき
の保磁力（図２参照）が上記の記録外部磁界Ｈexr より
も強くなる温度になるような強度とされるので、第２記
録層７の磁化が反転されることがなく初期化されたまま
に保持されることとなる。よって、その状態で降温する
ことにより第１記録層６にも第２記録層７の磁化が転写
され、記録マークは形成されない。
【００７４】次に、本実施形態において、記録マークＭ
を形成するときにおける光ビームＢの出力パワーが変動
した場合、すなわち、記録位置の温度（以下、記録温度
という。）が変動した場合の記録マークＭの変化につい
て図５及び図６を用いて説明する。
を形成するときにおける光ビームＢの出力パワーが変動
した場合、すなわち、記録位置の温度（以下、記録温度
という。）が変動した場合の記録マークＭの変化につい
て図５及び図６を用いて説明する。
【００７５】ここで、図５における（ａ）乃至（ｆ）
は、横軸を記録温度の変化、縦軸を記録外部磁界Ｈexr
の強さの変化とした場合の、各記録層の磁化の方向の変
化、すなわち、記録マークＭの形成状況を示したもので
ある。また、図６は、記録時の光ビームＢの出力パワー
（Recording Power ）と再生ＲＦ信号におけるゲインの
関係を示すグラフであって、図５の（ａ）乃至（ｆ）に
対応する記録温度及び記録外部磁界Ｈexr により上述の
記録動作を実行した光磁気ディスク１の記録情報を再生
した場合の、記録時の光ビームＢの出力パワーとゲイン
の関係に対応する部分を符号（ａ）乃至符号（ｆ）で示
したものである。図６のグラフにおいては、記録外部磁
界Ｈexr の強さがパラメータとなっており、更に、縦軸
のゲインは、そのまま、記録マークＭの大きさに置き換
えることができる。
は、横軸を記録温度の変化、縦軸を記録外部磁界Ｈexr
の強さの変化とした場合の、各記録層の磁化の方向の変
化、すなわち、記録マークＭの形成状況を示したもので
ある。また、図６は、記録時の光ビームＢの出力パワー
（Recording Power ）と再生ＲＦ信号におけるゲインの
関係を示すグラフであって、図５の（ａ）乃至（ｆ）に
対応する記録温度及び記録外部磁界Ｈexr により上述の
記録動作を実行した光磁気ディスク１の記録情報を再生
した場合の、記録時の光ビームＢの出力パワーとゲイン
の関係に対応する部分を符号（ａ）乃至符号（ｆ）で示
したものである。図６のグラフにおいては、記録外部磁
界Ｈexr の強さがパラメータとなっており、更に、縦軸
のゲインは、そのまま、記録マークＭの大きさに置き換
えることができる。
【００７６】始めに、図５において、図５（ａ）は初期
状態であり、記録位置が十分に昇温されていないので、
記録マークＭは形成されず、図６においてもゲインは零
に近い。すなわち、図５（ａ）は、図４（ａ）に対応し
ている。
状態であり、記録位置が十分に昇温されていないので、
記録マークＭは形成されず、図６においてもゲインは零
に近い。すなわち、図５（ａ）は、図４（ａ）に対応し
ている。
【００７７】次に、図５（ｃ）及び図５（ｄ）が本実施
形態による記録マークＭの形成に対応しており、とも
に、図４（ｃ）に対応する。このときの記録外部磁界Ｈ
exr の強さは約２００乃至３００エルステッドである。
形態による記録マークＭの形成に対応しており、とも
に、図４（ｃ）に対応する。このときの記録外部磁界Ｈ
exr の強さは約２００乃至３００エルステッドである。
【００７８】図５（ｃ）及び図５（ｄ）においては、記
録位置の温度は、第１記録層６のキュリー温度ＴCR1 と
第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 の間の温度であり、
第２記録層７の磁化は消滅している。従って、第２記録
層７からの磁場の影響がないため、第１記録層６におい
て、上述のように、第２記録層７の磁化が消滅している
領域の大きさよりも小さい記録マークＭが形成されてい
る。
録位置の温度は、第１記録層６のキュリー温度ＴCR1 と
第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 の間の温度であり、
第２記録層７の磁化は消滅している。従って、第２記録
層７からの磁場の影響がないため、第１記録層６におい
て、上述のように、第２記録層７の磁化が消滅している
領域の大きさよりも小さい記録マークＭが形成されてい
る。
【００７９】ここで、図５（ｃ）の場合と図５（ｄ）の
場合を比較すると、図５（ｄ）の場合の方が記録温度が
高いのであるが、上述のように第１記録層６における温
度の変化に対する保磁力の変化が極めて小さいため、記
録温度が上昇した場合でも保磁力の変化が少なく、よっ
て、保磁力が弱くなる領域は広がらない。従って、記録
外部磁界Ｈexr の強さが同じであれば、記録温度が変化
しても記録マークＭの大きさはほとんど変化しない。す
なわち、図５（ｃ）の場合と図５（ｄ）の場合では、記
録温度が変動しても記録マークＭの大きさは変化しない
のである。このことは、図６において、符号（ｃ）及び
（ｄ）で示される位置のゲインが、光ビームＢの出力パ
ワーが変動しているのにも拘らずほとんど変化していな
いことに対応している。
場合を比較すると、図５（ｄ）の場合の方が記録温度が
高いのであるが、上述のように第１記録層６における温
度の変化に対する保磁力の変化が極めて小さいため、記
録温度が上昇した場合でも保磁力の変化が少なく、よっ
て、保磁力が弱くなる領域は広がらない。従って、記録
外部磁界Ｈexr の強さが同じであれば、記録温度が変化
しても記録マークＭの大きさはほとんど変化しない。す
なわち、図５（ｃ）の場合と図５（ｄ）の場合では、記
録温度が変動しても記録マークＭの大きさは変化しない
のである。このことは、図６において、符号（ｃ）及び
（ｄ）で示される位置のゲインが、光ビームＢの出力パ
ワーが変動しているのにも拘らずほとんど変化していな
いことに対応している。
【００８０】なお、図５（ｂ）は、外部磁界が図５
（ｃ）の場合又は図５（ｄ）の場合に比して強い場合と
示しており、具体的には、５００エルステッド以上の場
合を示している。この場合には、第１記録層６の保磁力
が上述のように、１３０度以上の温度範囲で５００エル
ステッド未満であるため、第２記録層７の磁化の影響を
受けない範囲の全てが記録外部磁界Ｈexr の方向に揃え
られてしまうので、記録マークＭの大きさも、磁化が消
失している第２記録層７の領域の大きさと同じ大きさと
なり、図５（ｃ）の場合又は図５（ｄ）の場合より大き
い記録マークＭが形成されることとなる。このことは、
図６において、符号（ｂ）で示される位置のゲインが、
符号（ｃ）又は符号（ｄ）で示される位置のゲインより
大きいことに対応している。
（ｃ）の場合又は図５（ｄ）の場合に比して強い場合と
示しており、具体的には、５００エルステッド以上の場
合を示している。この場合には、第１記録層６の保磁力
が上述のように、１３０度以上の温度範囲で５００エル
ステッド未満であるため、第２記録層７の磁化の影響を
受けない範囲の全てが記録外部磁界Ｈexr の方向に揃え
られてしまうので、記録マークＭの大きさも、磁化が消
失している第２記録層７の領域の大きさと同じ大きさと
なり、図５（ｃ）の場合又は図５（ｄ）の場合より大き
い記録マークＭが形成されることとなる。このことは、
図６において、符号（ｂ）で示される位置のゲインが、
符号（ｃ）又は符号（ｄ）で示される位置のゲインより
大きいことに対応している。
【００８１】また、図５（ｅ）は、記録外部磁界Ｈexr
が図５（ｃ）の場合又は図５（ｄ）の場合に比して弱い
場合を示しており、具体的には、１００乃至２００エル
ステッド未満の場合を示している。この場合には、第２
記録層７の磁化が消滅しているので、第２記録層７から
の影響は受けないが、記録外部磁界Ｈexr が記録位置の
中央部の温度に対応する第１記録層６の保磁力より弱い
ので、記録位置の第１記録層６の磁化の方向が記録外部
磁界Ｈexr の方向に揃えられることがなく、記録マーク
Ｍは形成されない。このことは、図６において、符号
（ｅ）で示される位置のゲインがほぼ零に近いことに対
応している。
が図５（ｃ）の場合又は図５（ｄ）の場合に比して弱い
場合を示しており、具体的には、１００乃至２００エル
ステッド未満の場合を示している。この場合には、第２
記録層７の磁化が消滅しているので、第２記録層７から
の影響は受けないが、記録外部磁界Ｈexr が記録位置の
中央部の温度に対応する第１記録層６の保磁力より弱い
ので、記録位置の第１記録層６の磁化の方向が記録外部
磁界Ｈexr の方向に揃えられることがなく、記録マーク
Ｍは形成されない。このことは、図６において、符号
（ｅ）で示される位置のゲインがほぼ零に近いことに対
応している。
【００８２】更に、図５（ｆ）は、記録温度を第１記録
層６のキュリー温度ＴCR1 以上となるように加熱した場
合であり、上述の従来技術に対応する場合である。この
場合には、第１記録層６及び第２記録層７の磁化が完全
に消滅するので、降温過程においては、弱い記録外部磁
界Ｈexr でも、磁化が消失した領域の大きさに対応する
記録マークＭが形成されることとなる。このときの記録
マークＭの大きさは、図５（ｃ）の場合又は図５（ｄ）
の場合より大きくなる。このことは、図６において、符
号（ｆ）で示される位置のゲインが、弱い外部磁界の場
合でも符号（ｃ）又は符号（ｄ）で示される位置のゲイ
ンより大きいことに対応している。
層６のキュリー温度ＴCR1 以上となるように加熱した場
合であり、上述の従来技術に対応する場合である。この
場合には、第１記録層６及び第２記録層７の磁化が完全
に消滅するので、降温過程においては、弱い記録外部磁
界Ｈexr でも、磁化が消失した領域の大きさに対応する
記録マークＭが形成されることとなる。このときの記録
マークＭの大きさは、図５（ｃ）の場合又は図５（ｄ）
の場合より大きくなる。このことは、図６において、符
号（ｆ）で示される位置のゲインが、弱い外部磁界の場
合でも符号（ｃ）又は符号（ｄ）で示される位置のゲイ
ンより大きいことに対応している。
【００８３】次に、第２記録層７の組成を変化させた場
合の本実施形態の適用について、図７を用いて説明す
る。ここで、図７は、第２記録層７を構成する元素の
内、テルビュウム（Ｔｂ）の元素比を変化させた３種類
の光磁気ディスク１を用いて上述の記録動作を行った場
合について、光ビームＢの出力パワーと再生ＲＦ信号に
おけるゲインの関係を示したものであり、図６と同様
に、縦軸のゲインはそのまま記録マークＭの大きさに置
き換えることができる。なお、第２記録層７におけるそ
の他の元素組成及び第１記録層６の組成については、第
１記録層６は、Ｇｄ24（Ｆｅ95Ｃｏ5 ）76とし、第２記
録層７については、Ｔｂx （Ｆｅ95Ｃｏ5 ）10 0-x とし
ている。
合の本実施形態の適用について、図７を用いて説明す
る。ここで、図７は、第２記録層７を構成する元素の
内、テルビュウム（Ｔｂ）の元素比を変化させた３種類
の光磁気ディスク１を用いて上述の記録動作を行った場
合について、光ビームＢの出力パワーと再生ＲＦ信号に
おけるゲインの関係を示したものであり、図６と同様
に、縦軸のゲインはそのまま記録マークＭの大きさに置
き換えることができる。なお、第２記録層７におけるそ
の他の元素組成及び第１記録層６の組成については、第
１記録層６は、Ｇｄ24（Ｆｅ95Ｃｏ5 ）76とし、第２記
録層７については、Ｔｂx （Ｆｅ95Ｃｏ5 ）10 0-x とし
ている。
【００８４】図７に示すように、第２記録層７におい
て、テルビュウムの元素比が２３〔at% 〕及び２４〔at
% 〕のとき（図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す。）に
は、図６と同様の特性が得られ、グラフの階段状の部分
で従来技術よりも小さい記録マークＭが形成され、且
つ、当該階段状の部分（概ね、光ビームＢの出力パワー
が８．５ｍＷ乃至９．５ｍＷの範囲）では、光ビームＢ
の出力パワーを変化させても記録マークＭの大きさが変
化しないことがわかる。
て、テルビュウムの元素比が２３〔at% 〕及び２４〔at
% 〕のとき（図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す。）に
は、図６と同様の特性が得られ、グラフの階段状の部分
で従来技術よりも小さい記録マークＭが形成され、且
つ、当該階段状の部分（概ね、光ビームＢの出力パワー
が８．５ｍＷ乃至９．５ｍＷの範囲）では、光ビームＢ
の出力パワーを変化させても記録マークＭの大きさが変
化しないことがわかる。
【００８５】しかしながら、テルビュウムの元素比が２
５〔at% 〕の場合（図７（ｃ）に示す。）には、上述の
階段部分が現出せず、すなわち、光ビームＢの出力パワ
ー及び記録外部磁界Ｈexr を、テルビュウムの元素比が
２３〔at% 〕又は２４〔at%〕の場合と同様の条件とし
ても記録マークのＭの形成が行われないことがわかる。
５〔at% 〕の場合（図７（ｃ）に示す。）には、上述の
階段部分が現出せず、すなわち、光ビームＢの出力パワ
ー及び記録外部磁界Ｈexr を、テルビュウムの元素比が
２３〔at% 〕又は２４〔at%〕の場合と同様の条件とし
ても記録マークのＭの形成が行われないことがわかる。
【００８６】これは、テルビュウムの元素比が２５〔at
% 〕の場合には、第２記録層７における補償温度ＴCOMP
が１００℃を越えてしまうので、上述の記録動作におい
て、第１記録層６に形成された記録マークＭが第２記録
層７に転写されず、且つ、第１記録層６自体の保磁力が
室温において低いので、一旦第１記録層６に記録マーク
Ｍが形成されてもそれが消失してしまい、結局記録マー
クＭとして保持されないことによるものである。
% 〕の場合には、第２記録層７における補償温度ＴCOMP
が１００℃を越えてしまうので、上述の記録動作におい
て、第１記録層６に形成された記録マークＭが第２記録
層７に転写されず、且つ、第１記録層６自体の保磁力が
室温において低いので、一旦第１記録層６に記録マーク
Ｍが形成されてもそれが消失してしまい、結局記録マー
クＭとして保持されないことによるものである。
【００８７】ここで、第２記録層７における補償温度Ｔ
COMPが室温から１００℃の範囲以外では本実施形態にお
ける記録マークＭが形成されない（第１記録層６から第
２記録層７に転写されない）理由は以下の通りである。
すなわち、第２記録層７におけるテルビュウムの元素比
が２５〔at% 〕以上となると、当該第２記録層７の補償
温度（ＴCOMP）が１００℃を越えて、そのキュリー温度
ＴCR2 に接近することとなる。すると、第１記録層６に
形成された記録マークＭが第２記録層７に転写されると
き、２層間の転写が弱くなるのである。これは、転写温
度において、第１記録層６がＴＭ−rich（遷移金属元素
の部分磁化が希土類金属元素の部分磁化より強い状態）
となり、第２記録層７がＲＥ−rich（希土類金属元素の
部分磁化が遷移金属元素の部分磁化より強い状態）とな
るので、二つの層の間に界面磁壁が生じることにより、
第１記録層６に小さく形成された記録マークＭが第２記
録層７に転写されなくなるものである。
COMPが室温から１００℃の範囲以外では本実施形態にお
ける記録マークＭが形成されない（第１記録層６から第
２記録層７に転写されない）理由は以下の通りである。
すなわち、第２記録層７におけるテルビュウムの元素比
が２５〔at% 〕以上となると、当該第２記録層７の補償
温度（ＴCOMP）が１００℃を越えて、そのキュリー温度
ＴCR2 に接近することとなる。すると、第１記録層６に
形成された記録マークＭが第２記録層７に転写されると
き、２層間の転写が弱くなるのである。これは、転写温
度において、第１記録層６がＴＭ−rich（遷移金属元素
の部分磁化が希土類金属元素の部分磁化より強い状態）
となり、第２記録層７がＲＥ−rich（希土類金属元素の
部分磁化が遷移金属元素の部分磁化より強い状態）とな
るので、二つの層の間に界面磁壁が生じることにより、
第１記録層６に小さく形成された記録マークＭが第２記
録層７に転写されなくなるものである。
【００８８】以上述べた理由により、第２記録層７とし
ては、補償温度ＴCOMPが、室温から１００℃の範囲であ
るような磁性膜とする必要があるのである。以上説明し
たように、本実施形態の記録動作によれば、光ビームＢ
の出力パワーを、記録温度が第１記録層のキュリー温度
ＴCR1 と第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 の間の温度
となるように制御され、更に記録外部磁界Ｈexr の強さ
が略２００乃至３００エルステッドの間の値とされるの
で、従来技術よりも小さい記録マークＭを形成して情報
を記録することができる。
ては、補償温度ＴCOMPが、室温から１００℃の範囲であ
るような磁性膜とする必要があるのである。以上説明し
たように、本実施形態の記録動作によれば、光ビームＢ
の出力パワーを、記録温度が第１記録層のキュリー温度
ＴCR1 と第２記録層７のキュリー温度ＴCR2 の間の温度
となるように制御され、更に記録外部磁界Ｈexr の強さ
が略２００乃至３００エルステッドの間の値とされるの
で、従来技術よりも小さい記録マークＭを形成して情報
を記録することができる。
【００８９】更に、記録マークＭ形成時の光ビームＢの
出力パワーが変動しても記録マークＭの大きさが変動せ
ず、安定して記録マークＭの形成を行い得るので、光ビ
ームＢの出力パワーの変動に対するマージン（許容範
囲）を大きくすることができる。
出力パワーが変動しても記録マークＭの大きさが変動せ
ず、安定して記録マークＭの形成を行い得るので、光ビ
ームＢの出力パワーの変動に対するマージン（許容範
囲）を大きくすることができる。
【００９０】なお、上述の実施形態においては、光強度
変調方式について本発明を適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限られるもではなく、磁界変調方
式による情報記録についても適用可能である。この場合
には、光ビームＢの出力パワーは、上述の記録動作の説
明における記録マークＭ形成時の出力パワーで一定とさ
れ、更に記録外部磁界Ｈexr は、その強さは上述の強さ
とされ、その磁界の方向が記録すべき情報（“０”また
は“１”）に対応して変調される。記録外部磁界Ｈexr
の磁界の方向についてより具体的には、記録すべき情報
の“１”に対応する領域（タイミング）では上向きとさ
れ、記録すべき情報の“０”に対応する領域（タイミン
グ）では下向きとされる。これにより、上向きの磁化に
より第１記録層６及び第２記録層７に記録マークＭが形
成されて情報が記録されることとなる。 （IV）再生動作 次に、上述の記録動作により記録マークＭが形成されて
情報が記録された光磁気ディスク１の当該情報を再生す
る再生動作について、図８及び図９を用いて説明する。
なお図８（ｂ）において、情報の再生動作に関与しない
基板２、誘電体保護層３及び８、樹脂保護膜９の図示は
省略している。また、光磁気ディスク１を用いた再生動
作においては、いわゆるＦＡＤ方式（Forword Aperture
Detection；前方開口方式）の超解像再生が行われる。
変調方式について本発明を適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限られるもではなく、磁界変調方
式による情報記録についても適用可能である。この場合
には、光ビームＢの出力パワーは、上述の記録動作の説
明における記録マークＭ形成時の出力パワーで一定とさ
れ、更に記録外部磁界Ｈexr は、その強さは上述の強さ
とされ、その磁界の方向が記録すべき情報（“０”また
は“１”）に対応して変調される。記録外部磁界Ｈexr
の磁界の方向についてより具体的には、記録すべき情報
の“１”に対応する領域（タイミング）では上向きとさ
れ、記録すべき情報の“０”に対応する領域（タイミン
グ）では下向きとされる。これにより、上向きの磁化に
より第１記録層６及び第２記録層７に記録マークＭが形
成されて情報が記録されることとなる。 （IV）再生動作 次に、上述の記録動作により記録マークＭが形成されて
情報が記録された光磁気ディスク１の当該情報を再生す
る再生動作について、図８及び図９を用いて説明する。
なお図８（ｂ）において、情報の再生動作に関与しない
基板２、誘電体保護層３及び８、樹脂保護膜９の図示は
省略している。また、光磁気ディスク１を用いた再生動
作においては、いわゆるＦＡＤ方式（Forword Aperture
Detection；前方開口方式）の超解像再生が行われる。
【００９１】再生動作においては、始めに、情報が記録
された光磁気ディスク１に対して再生光としての光ビー
ムＢが照射される。このときの光ビームＢの出力パワー
は、光ビームＢの照射により形成される光スポットＢＰ
における再生温度が、中間層５のキュリー温度ＴCSより
高く、且つ、再生層４のキュリー温度ＴCPより低くなる
とともに、当該再生温度において再生外部磁界Ｈexp を
印加したときに、再生層４の磁化の方向が再生外部磁界
Ｈexp の方向に揃う程度に当該再生層４の保磁力を弱め
られるような温度となるような出力パワーに制御され
る。
された光磁気ディスク１に対して再生光としての光ビー
ムＢが照射される。このときの光ビームＢの出力パワー
は、光ビームＢの照射により形成される光スポットＢＰ
における再生温度が、中間層５のキュリー温度ＴCSより
高く、且つ、再生層４のキュリー温度ＴCPより低くなる
とともに、当該再生温度において再生外部磁界Ｈexp を
印加したときに、再生層４の磁化の方向が再生外部磁界
Ｈexp の方向に揃う程度に当該再生層４の保磁力を弱め
られるような温度となるような出力パワーに制御され
る。
【００９２】上述のように出力パワーが制御された光ビ
ームＢが照射されると、光スポットＢＰ内の温度は上昇
するが、このとき、光磁気ディスク１自体が図８に示す
方向に回転しているので、この結果、図８にその平面図
を示すように、光磁気ディスク１の回転方向に対して光
スポットＢＰの後方部分に、再生温度が中間層５のキュ
リー温度ＴCSより高く、且つ、再生層４のキュリー温度
ＴCPより低くなるマスク領域ＡM が現出する。このマス
ク領域ＡM においては、図８の断面図で示すように、中
間層５がキュリー温度ＴCS以上となって磁化が消失し、
第１記録層６と再生層４の交換結合力が消失することと
なる。
ームＢが照射されると、光スポットＢＰ内の温度は上昇
するが、このとき、光磁気ディスク１自体が図８に示す
方向に回転しているので、この結果、図８にその平面図
を示すように、光磁気ディスク１の回転方向に対して光
スポットＢＰの後方部分に、再生温度が中間層５のキュ
リー温度ＴCSより高く、且つ、再生層４のキュリー温度
ＴCPより低くなるマスク領域ＡM が現出する。このマス
ク領域ＡM においては、図８の断面図で示すように、中
間層５がキュリー温度ＴCS以上となって磁化が消失し、
第１記録層６と再生層４の交換結合力が消失することと
なる。
【００９３】次に、昇温されたマスク領域ＡM に対し
て、昇温された再生層４の保磁力より強い再生外部磁界
Ｈexp （例えば、約３００エルステッドの強さ）を磁気
ヘッド１５により印加すれば、再生層４の磁化の方向は
印加された再生外部磁界Ｈexpの方向に揃えられ、記録
マークＭが消失し、マスク領域ＡM においては情報が読
み出せなくなる。このとき、再生外部磁界Ｈexp の強さ
は、昇温されたマスク領域ＡM に対応する第１記録層６
及び第２記録層７の保磁力より弱い強さで印加される。
このマスク領域ＡM が存在することにより、記録マーク
Ｍに対応する情報の読み出しは、光スポットＢＰ内のマ
スク領域ＡM 以外の領域からのみとなり、光ビームＢの
空間周波数を越えた大きさの記録マークＭにより記録さ
れた情報を再生する、いわゆる超解像再生が可能とな
る。
て、昇温された再生層４の保磁力より強い再生外部磁界
Ｈexp （例えば、約３００エルステッドの強さ）を磁気
ヘッド１５により印加すれば、再生層４の磁化の方向は
印加された再生外部磁界Ｈexpの方向に揃えられ、記録
マークＭが消失し、マスク領域ＡM においては情報が読
み出せなくなる。このとき、再生外部磁界Ｈexp の強さ
は、昇温されたマスク領域ＡM に対応する第１記録層６
及び第２記録層７の保磁力より弱い強さで印加される。
このマスク領域ＡM が存在することにより、記録マーク
Ｍに対応する情報の読み出しは、光スポットＢＰ内のマ
スク領域ＡM 以外の領域からのみとなり、光ビームＢの
空間周波数を越えた大きさの記録マークＭにより記録さ
れた情報を再生する、いわゆる超解像再生が可能とな
る。
【００９４】なお、光磁気ディスク１が更に回転する
と、マスク領域ＡM は降温され、中間層５の磁化も再度
現れるので、第１記録層６に形成された記録マークＭが
再び再生層４に転写され、再生層４にもとの記録マーク
Ｍが再形成される。
と、マスク領域ＡM は降温され、中間層５の磁化も再度
現れるので、第１記録層６に形成された記録マークＭが
再び再生層４に転写され、再生層４にもとの記録マーク
Ｍが再形成される。
【００９５】次に、上述の再生動作により実際に再生し
た再生ＲＦ信号について図９を用いて説明する。ここ
で、図９は、図５又は図６における符号（ｃ）、（ｇ）
及び（ｆ）に対応する出力パワー及び記録外部磁界Ｈ
exr の条件のもとで情報を記録した光磁気ディスク１を
再生したときの再生ＲＦ信号のレベルを比較したもので
ある。
た再生ＲＦ信号について図９を用いて説明する。ここ
で、図９は、図５又は図６における符号（ｃ）、（ｇ）
及び（ｆ）に対応する出力パワー及び記録外部磁界Ｈ
exr の条件のもとで情報を記録した光磁気ディスク１を
再生したときの再生ＲＦ信号のレベルを比較したもので
ある。
【００９６】図９から明らかなように、従来技術より記
録温度を低くした（出力パワーを弱くした）場合（符号
（ｃ）に対応）には、記録温度が第１記録層６のキュリ
ー温度ＴCR1 より高い高温の場合（符号（ｇ）又は
（ｆ）に対応）に比して、再生ＲＦ信号のレベル自体は
低いものの、記録マークＭに対応する再生ＲＦ信号が確
実に得られ、情報の再生が可能であることがわかる。こ
のことは、本実施形態の記録動作により、従来技術より
小さい記録マークＭが確実に形成され、より小さい記録
マークＭで情報を記録することが可能であることを示し
ている。
録温度を低くした（出力パワーを弱くした）場合（符号
（ｃ）に対応）には、記録温度が第１記録層６のキュリ
ー温度ＴCR1 より高い高温の場合（符号（ｇ）又は
（ｆ）に対応）に比して、再生ＲＦ信号のレベル自体は
低いものの、記録マークＭに対応する再生ＲＦ信号が確
実に得られ、情報の再生が可能であることがわかる。こ
のことは、本実施形態の記録動作により、従来技術より
小さい記録マークＭが確実に形成され、より小さい記録
マークＭで情報を記録することが可能であることを示し
ている。
【００９７】なお、上記の再生動作の説明においては、
ＦＡＤ方式の超解像再生について説明したが、本発明の
適用はこれに限られるものではなく、本発明によって情
報が記録された光磁気ディスク１を用いて、いわゆるＲ
ＡＤ方式（Rear Aperture Detection ；後方開口方式）
の超解像再生を行うことも可能である。この場合には、
図１に示す再生層４及び中間層５の磁化の向きを下向き
に揃え、再生時に所定の再生磁界を印加すると、第１記
録層６及び第２記録層７の記録磁化が再生層４及び中間
層５に転写され、超解像再生が可能となる。
ＦＡＤ方式の超解像再生について説明したが、本発明の
適用はこれに限られるものではなく、本発明によって情
報が記録された光磁気ディスク１を用いて、いわゆるＲ
ＡＤ方式（Rear Aperture Detection ；後方開口方式）
の超解像再生を行うことも可能である。この場合には、
図１に示す再生層４及び中間層５の磁化の向きを下向き
に揃え、再生時に所定の再生磁界を印加すると、第１記
録層６及び第２記録層７の記録磁化が再生層４及び中間
層５に転写され、超解像再生が可能となる。
【００９８】以上説明したように、実施形態によれば、
保磁力ＨCR2 が零となっている第２記録層７の領域に対
応する第１記録層６の領域より小さい範囲に対応する第
１記録層の磁化を記録外部磁界Ｈexr の方向として記録
マークＭが形成されて記録情報が記録され、当該記録マ
ークＭが第２記録層７に転写されて保持されることによ
り、記録位置の温度をキュリー温度ＴCR1 及びキュリー
温度ＴCR2 より高くして第１記録層６及び第２記録層７
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークＭの大きさを小さくすることができ、更
に、当該記録マークＭに対応する記録情報をＦＡＤ方式
又はＲＡＤ方式を用いて安定に再生することができる。
保磁力ＨCR2 が零となっている第２記録層７の領域に対
応する第１記録層６の領域より小さい範囲に対応する第
１記録層の磁化を記録外部磁界Ｈexr の方向として記録
マークＭが形成されて記録情報が記録され、当該記録マ
ークＭが第２記録層７に転写されて保持されることによ
り、記録位置の温度をキュリー温度ＴCR1 及びキュリー
温度ＴCR2 より高くして第１記録層６及び第２記録層７
の磁化を消失させ、降温過程において当該記録位置に記
録外部磁界を印加して情報を記録する場合に比して、上
記記録マークＭの大きさを小さくすることができ、更
に、当該記録マークＭに対応する記録情報をＦＡＤ方式
又はＲＡＤ方式を用いて安定に再生することができる。
【００９９】更に、所定温度範囲における保磁力ＨCR1
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層６において磁化の方向
が外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークＭの大
きさ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動
しても安定した大きさの記録マークＭを形成することが
できる。
の変化率が所定範囲内であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層６において磁化の方向
が外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークＭの大
きさ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動
しても安定した大きさの記録マークＭを形成することが
できる。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１又は２に
記載の発明によれば、第２の保磁力が零となっている第
２記録層の領域に対応する第１記録層より小さい範囲の
第１記録層の磁化を記録外部磁界の方向として記録マー
クが形成されて記録情報が記録され、当該記録マークが
第２記録層に転写されて保持されることにより、記録位
置の温度を第１のキュリー温度及び第２のキュリー温度
より高くして第１記録層及び第２記録層の磁化を消失さ
せ、降温過程において当該記録位置に記録外部磁界を印
加して情報を記録する場合に比して、上記記録マークの
大きさを小さくすることができる。
記載の発明によれば、第２の保磁力が零となっている第
２記録層の領域に対応する第１記録層より小さい範囲の
第１記録層の磁化を記録外部磁界の方向として記録マー
クが形成されて記録情報が記録され、当該記録マークが
第２記録層に転写されて保持されることにより、記録位
置の温度を第１のキュリー温度及び第２のキュリー温度
より高くして第１記録層及び第２記録層の磁化を消失さ
せ、降温過程において当該記録位置に記録外部磁界を印
加して情報を記録する場合に比して、上記記録マークの
大きさを小さくすることができる。
【０１０１】従って、従来よりも小さい記録マークを形
成することにより、記録情報の記録密度を向上させるこ
とができる。更に、所定温度範囲における第１の保磁力
の変化率が所定の範囲であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層において磁化の方向が
外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークの大き
さ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動し
ても安定した大きさの記録マークを形成することができ
る。
成することにより、記録情報の記録密度を向上させるこ
とができる。更に、所定温度範囲における第１の保磁力
の変化率が所定の範囲であるので、記録光の出力パワー
が変動した場合でも、第１記録層において磁化の方向が
外部磁化の方向となる領域の広さ（記録マークの大き
さ）の変動が少なくなり、記録光の出力パワーが変動し
ても安定した大きさの記録マークを形成することができ
る。
【０１０２】従って、記録光の強度を厳密に制御する必
要がなくなるので、強度変動許容範囲を大きくすること
ができると共に、記録光を記録位置に集光するための集
光度の変動許容範囲を大きくすることができ、記録光強
度制御装置及び集光度制御装置（フォーカスサーボ装
置）の構成及び設計における自由度を向上させることが
できる。
要がなくなるので、強度変動許容範囲を大きくすること
ができると共に、記録光を記録位置に集光するための集
光度の変動許容範囲を大きくすることができ、記録光強
度制御装置及び集光度制御装置（フォーカスサーボ装
置）の構成及び設計における自由度を向上させることが
できる。
【図１】実施形態の光磁気ディスクの構成を示す図であ
る。
る。
【図２】実施形態の光磁気ディスクにおける温度と非磁
力の関係を示すグラフ図である。
力の関係を示すグラフ図である。
【図３】実施形態の光磁気ディスク情報記録再生装置の
概要構成ブロック図である。
概要構成ブロック図である。
【図４】記録動作の説明図である。
【図５】記録温度の変化と記録マークの大きさの関係を
示す図である。
示す図である。
【図６】光ビームの出力パワーとき六マークの大きさの
関係を示すグラフ図である。
関係を示すグラフ図である。
【図７】各組成例の光磁気ディスクにおける光ビームパ
ワー（記録温度）と信号出力（記録マークの大きさ）と
の関係を示すグラフ図であり、（ａ）は第２記録層にお
けるテルビュウムの元素比が２３〔at% 〕の場合であ
り、（ｂ）は第２記録層におけるテルビュウムの元素比
が２４〔at% 〕の場合であり、（ｃ）は第２記録層にお
けるテルビュウムの元素比が２５〔at% 〕の場合であ
る。
ワー（記録温度）と信号出力（記録マークの大きさ）と
の関係を示すグラフ図であり、（ａ）は第２記録層にお
けるテルビュウムの元素比が２３〔at% 〕の場合であ
り、（ｂ）は第２記録層におけるテルビュウムの元素比
が２４〔at% 〕の場合であり、（ｃ）は第２記録層にお
けるテルビュウムの元素比が２５〔at% 〕の場合であ
る。
【図８】再生動作を説明する図である。
【図９】光ビームの出力パワーと再生ＲＦ信号の波形の
関係を示すグラフ図である。
関係を示すグラフ図である。
【図１０】従来技術の光強度変調方式による情報記録を
説明する図である。
説明する図である。
【図１１】従来技術の磁界変調方式オーバライトを説明
する図である。
する図である。
【図１２】従来技術の記録層における温度と保磁力の関
係を示すグラフ図である。
係を示すグラフ図である。
【図１３】光スポットより小さな記録マークの形成を説
明する図である。
明する図である。
１、ＤＫ…光磁気ディスク ２…基板 ３、８…誘電体保護層 ４…再生層 ５…中間層 ６…第１記録層 ７…第２記録層 ９…樹脂保護膜 １０…スピンドルモータ １１…光ピックアップ １２…ＲＦアンプ １３…ＡＴＩＰデコーダ １４…エンコーダ・デコーダ １５…磁気ヘッド １６…ヘッド駆動回路 １７…Ａ／Ｄコンバータ １８…Ｄ／Ａコンバータ １９…キャリッジ ２０…サーボコントロール回路 ２０Ａ…ＡＰＣ回路 ２１…システムコントローラ ２２…キー入力部 ２３…表示部 １０１、１０２…記録層 ＡM …マスク領域 Ｂ…光ビーム ＢＰ…光スポット Ｈexr …記録外部磁界 Ｈexp …再生外部磁界 Ｍ…記録マーク Ｒ…対物レンズ ＴＲ…情報トラック Ｗ…変曲点
Claims (2)
- 【請求項１】 垂直磁化状態で記録情報が記録されると
ともに、所定温度範囲における変化率の範囲が所定範囲
内である第１の保磁力及び第１のキュリー温度を有する
第１記録層と、垂直磁化状態で前記第１記録層と同一の
前記記録情報が記録されるとともに、前記温度範囲にお
いて前記第１の保磁力の前記変化率より大きい変化率を
有し、且つ、室温で前記第１の保磁力より大きい第２の
保磁力及び前記第１のキュリー温度より低い第２のキュ
リー温度を有する第２記録層とを少なくとも備えた光磁
気ディスクに対して前記記録情報を記録する情報記録方
法において、 前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録すべき記録
位置の温度が前記第２のキュリー温度より高く前記第１
のキュリー温度より低い記録温度となるように記録光の
出力パワーを制御するとともに、当該記録光を前記記録
位置に照射する照射工程と、 少なくとも前記光磁気ディスクに対する前記記録光の照
射中に、前記記録温度に対応する前記第１の保磁力より
も強く、且つ、前記記録光の照射により前記第２の保磁
力が零となっている前記第２記録層の領域に対応する前
記第１記録層の領域の境界線の内側であって、当該境界
線近傍の温度に対応する前記第１の保磁力よりも小さい
強さの記録外部磁界を前記記録位置に印加し、残存して
いる前記第１記録層の磁化の方向を前記記録外部磁界の
方向とすることにより前記記録情報に対応する記録マー
クを形成する記録外部磁界印加工程と、 を備えたことを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項２】 垂直磁化状態で記録情報が記録されると
ともに、所定温度範囲における変化率の範囲が所定範囲
内である第１の保磁力及び第１のキュリー温度を有する
第１記録層と、垂直磁化状態で前記第１記録層と同一の
前記記録情報が記録されるとともに、前記温度範囲にお
いて前記第１の保磁力の前記変化率より大きい変化率を
有し、且つ、室温で前記第１の保磁力より大きい第２の
保磁力及び前記第１のキュリー温度より低い第２のキュ
リー温度を有する第２記録層とを少なくとも備えた光磁
気ディスクに対して前記記録情報を記録する情報記録装
置において、 前記光磁気ディスク上の前記記録情報を記録すべき記録
位置に記録光を照射する照射手段と、 前記記録光の出力パワーを、前記記録位置の温度が前記
第２のキュリー温度より高く前記第１のキュリー温度よ
り低い記録温度となるように制御する制御手段と、 少なくとも前記光磁気ディスクに対する前記記録光の照
射中に、前記記録温度に対応する前記第１の保磁力より
も強く、且つ、前記記録光の照射により前記第２の保磁
力が零となっている前記第２記録層の領域に対応する前
記第１記録層の領域の境界線の内側であって、当該境界
線近傍の温度に対応する前記第１の保磁力よりも小さい
強さの記録外部磁界を前記記録位置に印加し、残存して
いる前記第１記録層の磁化の方向を前記記録外部磁界の
方向とすることにより前記記録情報に対応する記録マー
クを形成する記録外部磁界印加手段と、 を備えたことを特徴とする情報記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163995A JP3527801B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 情報記録方法及び情報記録装置 |
| US08/721,740 US5757736A (en) | 1995-09-28 | 1996-09-27 | Method of and apparatus for recording information to magneto optical disc having plural recording layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163995A JP3527801B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 情報記録方法及び情報記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991787A true JPH0991787A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3527801B2 JP3527801B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17225818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25163995A Expired - Fee Related JP3527801B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 情報記録方法及び情報記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757736A (ja) |
| JP (1) | JP3527801B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100817241B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2008-03-27 | 조병대 | 사과 또는 버섯을 숙성시켜 향료를 투입시키는 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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