JPH0785516A - 光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置 - Google Patents
光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 時間軸方向ばかりでなく、ディスクの半径方
向にも記録密度を向上させることができる光磁気ディス
ク及び光磁気ディスク再生装置を提供する。 【構成】 第１の発明は、垂直磁化状態で情報を記録し
た記録層と、常温で面内磁化状態となるとともに、所定
の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ層と、ス
イッチ層を介して記録層と交換結合可能に設けられた再
生層と、を備える。第２の発明は、光磁気ディスクの再
生位置に再生光を照射する再生光照射手段と、再生位置
に対応するスイッチ層の温度が再生温度以上となるよう
に再生光の出力パワーを制御する再生出力制御手段と、
再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための磁化
方向初期化手段と、再生位置からの再生光を受光して記
録情報の再生を行う再生手段と、を備える。
向にも記録密度を向上させることができる光磁気ディス
ク及び光磁気ディスク再生装置を提供する。 【構成】 第１の発明は、垂直磁化状態で情報を記録し
た記録層と、常温で面内磁化状態となるとともに、所定
の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ層と、ス
イッチ層を介して記録層と交換結合可能に設けられた再
生層と、を備える。第２の発明は、光磁気ディスクの再
生位置に再生光を照射する再生光照射手段と、再生位置
に対応するスイッチ層の温度が再生温度以上となるよう
に再生光の出力パワーを制御する再生出力制御手段と、
再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための磁化
方向初期化手段と、再生位置からの再生光を受光して記
録情報の再生を行う再生手段と、を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録により情報
が記録された光磁気ディスク及びその再生装置に係り、
特に再生時の再生光の波長および対物レンズの開口数に
より規定される空間周波数を越える空間周波数を有する
情報を記録した高密度記録の光磁気ディスク及びその再
生装置に関する。
が記録された光磁気ディスク及びその再生装置に係り、
特に再生時の再生光の波長および対物レンズの開口数に
より規定される空間周波数を越える空間周波数を有する
情報を記録した高密度記録の光磁気ディスク及びその再
生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８に従来の光磁気ディスクの情報記録
面の構成を示す。従来の光磁気ディスクには、略同心円
状の案内溝であるグルーブＧが形成されており、このグ
ルーブＧに沿ってランドＬが形成されている。通常の場
合にはランドＬに情報ピット（記録マーク）が形成さ
れ、グルーブＧは情報ピットを誤りなく読み出すために
何も記録されていない状態となっている。
面の構成を示す。従来の光磁気ディスクには、略同心円
状の案内溝であるグルーブＧが形成されており、このグ
ルーブＧに沿ってランドＬが形成されている。通常の場
合にはランドＬに情報ピット（記録マーク）が形成さ
れ、グルーブＧは情報ピットを誤りなく読み出すために
何も記録されていない状態となっている。
【０００３】仮に従来の光磁気ディスクにおいて、ラン
ドＬ及びグルーブＧの双方に情報ピットを形成した場合
を考慮してみると、クロストークが生じ情報ピットが読
めなくなってしまうという課題が生じる。
ドＬ及びグルーブＧの双方に情報ピットを形成した場合
を考慮してみると、クロストークが生じ情報ピットが読
めなくなってしまうという課題が生じる。
【０００４】上記課題を解決するため、従来では、ＭＳ
Ｒ（Magnetically induced Super Resolution ）等の超
解像再生が提案されている。ここで、ＭＳＲについて説
明する。
Ｒ（Magnetically induced Super Resolution ）等の超
解像再生が提案されている。ここで、ＭＳＲについて説
明する。
【０００５】従来より、顕微鏡の世界では、物体の位置
にピンホールのような光学的マスクを設けることにより
解像力が上がることが知られていた。そこで、ＭＳＲは
光磁気ディスクの媒体面に物理的なマスクを設けるので
はなく、媒体上の温度分布を利用して、媒体内に実効的
なマスクをつくりだし、実効的に再生限界の空間周波数
を大きくするものであり、記録密度を１．５〜３倍程度
向上させることができる（より詳細については、「超解
像光磁気ディスク」、日本応用磁気学会誌、Vol.15,No.
5.1991等を参照。）。
にピンホールのような光学的マスクを設けることにより
解像力が上がることが知られていた。そこで、ＭＳＲは
光磁気ディスクの媒体面に物理的なマスクを設けるので
はなく、媒体上の温度分布を利用して、媒体内に実効的
なマスクをつくりだし、実効的に再生限界の空間周波数
を大きくするものであり、記録密度を１．５〜３倍程度
向上させることができる（より詳細については、「超解
像光磁気ディスク」、日本応用磁気学会誌、Vol.15,No.
5.1991等を参照。）。
【０００６】このようなＭＳＲを応用した光磁気ディス
クは、様々提案されており、その一例の構成を図９に示
す。光磁気ディスク１Ｐは、図９（ａ）に示すように、
比較的保磁力の小さな再生層Ｐ’と、比較的保磁力が大
きく、垂直磁化状態で情報が記録された記録層Ｒ’と、
再生層Ｐ’と記録層Ｒ’との間の交換結合力を制御する
ためのスイッチ層Ｓ’と、を備えて構成されている。
クは、様々提案されており、その一例の構成を図９に示
す。光磁気ディスク１Ｐは、図９（ａ）に示すように、
比較的保磁力の小さな再生層Ｐ’と、比較的保磁力が大
きく、垂直磁化状態で情報が記録された記録層Ｒ’と、
再生層Ｐ’と記録層Ｒ’との間の交換結合力を制御する
ためのスイッチ層Ｓ’と、を備えて構成されている。
【０００７】ここで上記光磁気ディスクの再生動作を説
明する。再生光であるレーザビームの出力パワーを適当
に設定すると、図９（ｂ）に示すように光スポットの後
方部分に温度の高い領域（以下、高温領域という）がで
きる。
明する。再生光であるレーザビームの出力パワーを適当
に設定すると、図９（ｂ）に示すように光スポットの後
方部分に温度の高い領域（以下、高温領域という）がで
きる。
【０００８】この高温領域においてスイッチ層Ｓ’がそ
のキュリー温度以上になると、スイッチ層Ｓ’の磁区が
消失し、すなわち、保磁力が零になって、再生層Ｐ’と
記録層Ｒ’の交換結合力が弱くなる。これと同時に外部
から再生磁界Ｈr を印加すると、保磁力の小さな再生層
Ｐ’の磁化方向は再生磁界Ｈr の磁化方向に揃えられて
しまう。
のキュリー温度以上になると、スイッチ層Ｓ’の磁区が
消失し、すなわち、保磁力が零になって、再生層Ｐ’と
記録層Ｒ’の交換結合力が弱くなる。これと同時に外部
から再生磁界Ｈr を印加すると、保磁力の小さな再生層
Ｐ’の磁化方向は再生磁界Ｈr の磁化方向に揃えられて
しまう。
【０００９】従って、高温領域は記録層Ｒ’の記録情報
が読み出せないマスク領域となり、記録層Ｒ’の記録情
報は光スポット内の三日月型の低温領域からとなり、実
質的にスポットの大きさを小さくすることができ、光ス
ポットの物理的な空間周波数よりも高い空間周波数を有
する情報を再生することができる。すなわち、超解像再
生を行うことができるのである。
が読み出せないマスク領域となり、記録層Ｒ’の記録情
報は光スポット内の三日月型の低温領域からとなり、実
質的にスポットの大きさを小さくすることができ、光ス
ポットの物理的な空間周波数よりも高い空間周波数を有
する情報を再生することができる。すなわち、超解像再
生を行うことができるのである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来に
おける光磁気ディスクの再生動作においては、マスク領
域となるのは高温領域であり、再生は三日月型の低温領
域からであるので、時間軸方向には記録密度を向上させ
ることが可能であるが、時間軸方向とは直交するディス
クの半径方向には記録密度を向上させることができな
い。
おける光磁気ディスクの再生動作においては、マスク領
域となるのは高温領域であり、再生は三日月型の低温領
域からであるので、時間軸方向には記録密度を向上させ
ることが可能であるが、時間軸方向とは直交するディス
クの半径方向には記録密度を向上させることができな
い。
【００１１】従って、もし仮に上記再生方法を用いてト
ラックピッチを狭めた場合には、クロストークが生じ、
正確の情報再生を行うことができないという問題点があ
った。
ラックピッチを狭めた場合には、クロストークが生じ、
正確の情報再生を行うことができないという問題点があ
った。
【００１２】そこで、本発明の目的は、時間軸方向ばか
りでなく、ディスクの半径方向にも記録密度を向上させ
ることができる光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生
装置を提供することにある。
りでなく、ディスクの半径方向にも記録密度を向上させ
ることができる光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生
装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１の発明は、垂直磁化状態で情報を記録した記録
層と、常温で垂直磁気異方性が小さくなるとともに、所
定の再生温度近傍で垂直磁気異方性が大きくなるスイッ
チ層と、前記スイッチ層を介して前記記録層と交換結合
可能に設けられた再生層と、を備えて構成する。
め、第１の発明は、垂直磁化状態で情報を記録した記録
層と、常温で垂直磁気異方性が小さくなるとともに、所
定の再生温度近傍で垂直磁気異方性が大きくなるスイッ
チ層と、前記スイッチ層を介して前記記録層と交換結合
可能に設けられた再生層と、を備えて構成する。
【００１４】また、第２の発明は、第１の発明の光磁気
ディスクの記録情報を再生する光磁気ディスク再生装置
において、前記光磁気ディスクの再生位置に再生光を照
射する再生光照射手段と、前記再生位置に対応する前記
スイッチ層の温度が前記再生温度以上となるように前記
再生光の出力パワーを制御する再生出力制御手段と、前
記再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための磁
化方向初期化手段と、前記再生位置からの再生光を受光
して記録情報の再生を行う再生手段と、を備えて構成す
る。
ディスクの記録情報を再生する光磁気ディスク再生装置
において、前記光磁気ディスクの再生位置に再生光を照
射する再生光照射手段と、前記再生位置に対応する前記
スイッチ層の温度が前記再生温度以上となるように前記
再生光の出力パワーを制御する再生出力制御手段と、前
記再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための磁
化方向初期化手段と、前記再生位置からの再生光を受光
して記録情報の再生を行う再生手段と、を備えて構成す
る。
【００１５】
【作用】第１の発明の光磁気ディスクによれば、外部の
初期化磁界により再生層を初期化後に、再生位置のスイ
ッチ層の温度が再生温度近傍になるように再生光を照射
する。
初期化磁界により再生層を初期化後に、再生位置のスイ
ッチ層の温度が再生温度近傍になるように再生光を照射
する。
【００１６】この結果、スイッチ層は垂直磁気異方性が
大きくなり、再生層はスイッチ層を介して記録層との間
で交換結合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態が
転写される。
大きくなり、再生層はスイッチ層を介して記録層との間
で交換結合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態が
転写される。
【００１７】従って、スイッチ層の垂直磁気異方性が大
きくなっている位置に対応する再生位置でのみ記録層の
記録情報が転写されるので、初期化状態のままの再生層
からの情報を検出しないように、すなわち、再生位置か
らの情報を検出するように光学系を構成することにより
再生光のスポット径よりも小さな領域からの情報を再生
することができ、超解像再生を行うことができる。
きくなっている位置に対応する再生位置でのみ記録層の
記録情報が転写されるので、初期化状態のままの再生層
からの情報を検出しないように、すなわち、再生位置か
らの情報を検出するように光学系を構成することにより
再生光のスポット径よりも小さな領域からの情報を再生
することができ、超解像再生を行うことができる。
【００１８】また、第２の発明によれば、磁化方向初期
化手段は、光磁気ディスクの再生に先立ち、再生層の垂
直磁化方向を所定の方向に揃える。一方、再生出力制御
手段は、再生光照射手段を制御して、再生位置に対応す
るスイッチ層の温度が再生温度以上となるように再生光
の出力パワーを制御する。
化手段は、光磁気ディスクの再生に先立ち、再生層の垂
直磁化方向を所定の方向に揃える。一方、再生出力制御
手段は、再生光照射手段を制御して、再生位置に対応す
るスイッチ層の温度が再生温度以上となるように再生光
の出力パワーを制御する。
【００１９】この結果、スイッチ層は垂直磁化状態とな
り、再生層はスイッチ層を介して記録層との間で交換結
合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態が転写され
る。従って、スイッチ層の垂直磁気異方性が大きくなっ
ている位置、すなわち、再生位置でのみ記録層の記録情
報が転写されるので、再生手段により再生位置からの再
生光を受光して記録情報の再生を行うことにより、再生
光のスポット径よりも小さな領域からの情報を再生する
ことができ、超解像再生を行うことができる。
り、再生層はスイッチ層を介して記録層との間で交換結
合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態が転写され
る。従って、スイッチ層の垂直磁気異方性が大きくなっ
ている位置、すなわち、再生位置でのみ記録層の記録情
報が転写されるので、再生手段により再生位置からの再
生光を受光して記録情報の再生を行うことにより、再生
光のスポット径よりも小さな領域からの情報を再生する
ことができ、超解像再生を行うことができる。
【００２０】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の好適な実施例
を説明する。第１実施例 図１に光磁気ディスクの断面図を示す。
を説明する。第１実施例 図１に光磁気ディスクの断面図を示す。
【００２１】光磁気ディスク１は、光磁気層を保護する
ための保護層ＰＲと、垂直磁化状態で情報を記録した記
録層Ｒと、常温で面内磁化状態となるとともに、所定の
再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ層Ｓと、ス
イッチ層Ｓを介して記録層Ｒと交換結合可能に設けられ
た再生層Ｐと、を備えて構成されている。
ための保護層ＰＲと、垂直磁化状態で情報を記録した記
録層Ｒと、常温で面内磁化状態となるとともに、所定の
再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ層Ｓと、ス
イッチ層Ｓを介して記録層Ｒと交換結合可能に設けられ
た再生層Ｐと、を備えて構成されている。
【００２２】ここで、記録層Ｒ、スイッチ層Ｓ及び再生
層Ｐの具体的構成について説明する。以下の説明におい
ては、再生層Ｐを単独で設けた場合の保磁力をＨC1、記
録層Ｒを単独で設けた場合の保磁力をＨC3、再生層Ｐが
スイッチ層Ｓから受ける交換結合力をＨW1、記録層Ｒが
スイッチ層Ｓから受ける交換結合力をＨW3、再生層Ｐ及
びスイッチ層Ｓの間の界面磁壁エネルギーをσ1 、記録
層Ｒ及びスイッチ層Ｓの間の界面磁壁エネルギーを
σ2 、再生層Ｐの磁化をＭS1、再生層Ｐの膜厚をｈ 1 、
記録層Ｒの磁化をＭS3、記録層Ｒの膜厚をｈ3 、初期化
磁界をＨini とすると、以下の（１）〜（３）式が成立
する必要がある。
層Ｐの具体的構成について説明する。以下の説明におい
ては、再生層Ｐを単独で設けた場合の保磁力をＨC1、記
録層Ｒを単独で設けた場合の保磁力をＨC3、再生層Ｐが
スイッチ層Ｓから受ける交換結合力をＨW1、記録層Ｒが
スイッチ層Ｓから受ける交換結合力をＨW3、再生層Ｐ及
びスイッチ層Ｓの間の界面磁壁エネルギーをσ1 、記録
層Ｒ及びスイッチ層Ｓの間の界面磁壁エネルギーを
σ2 、再生層Ｐの磁化をＭS1、再生層Ｐの膜厚をｈ 1 、
記録層Ｒの磁化をＭS3、記録層Ｒの膜厚をｈ3 、初期化
磁界をＨini とすると、以下の（１）〜（３）式が成立
する必要がある。
【００２３】すなわち、室温において、 ＨC3−ＨW3＞Ｈini ＞ＨC1 …（１） が成立し、 再生温度において、 ＨW1＞ＨC1 …（２） が成立し、再生中の最高到達温度において、 ＨC3−ＨW1＞０ が成立する必要がある。
【００２４】但し、 ＨW1＝σ1 ／（ＭS1・ｈ1 ） ＨW3＝σ2 ／（ＭS3・ｈ3 ） である。
【００２５】（１）式は、室温で再生層Ｐを初期化でき
るための条件、かつ、初期化磁界Ｈ ini によって記録層
Ｒの記録磁界が消失しない条件である。また、（２）式
は、再生温度で記録層Ｒの磁化状態がスイッチ層Ｓを介
して再生層Ｐに交換結合力により転写され得るための条
件である。
るための条件、かつ、初期化磁界Ｈ ini によって記録層
Ｒの記録磁界が消失しない条件である。また、（２）式
は、再生温度で記録層Ｒの磁化状態がスイッチ層Ｓを介
して再生層Ｐに交換結合力により転写され得るための条
件である。
【００２６】さらに、（３）式は、再生時の温度上昇に
より記録層の磁区が消失しないための条件である。この
（３）式において、右辺は厳密には零ではなく正の値を
取るが、これは記録層自身のもれ磁束によるもので、組
成、膜厚に依存した値となる。
より記録層の磁区が消失しないための条件である。この
（３）式において、右辺は厳密には零ではなく正の値を
取るが、これは記録層自身のもれ磁束によるもので、組
成、膜厚に依存した値となる。
【００２７】上記各条件を満たす、より具体的な層組成
について説明する。記録層Ｒとしては、例えば、Ｔｂ22
（Ｆｅ90Ｃｏ10）78〔at％〕を用い、厚さ５０ｎｍとす
る。
について説明する。記録層Ｒとしては、例えば、Ｔｂ22
（Ｆｅ90Ｃｏ10）78〔at％〕を用い、厚さ５０ｎｍとす
る。
【００２８】スイッチ層Ｓとしては、例えば、補償点記
録材料であるＧｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72〔at％〕を用
い、厚さ１５ｎｍとする。再生層Ｐとしては、例えば、
Ｔｂ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72〔at％〕を用い、厚さ３５ｎ
ｍとする。
録材料であるＧｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72〔at％〕を用
い、厚さ１５ｎｍとする。再生層Ｐとしては、例えば、
Ｔｂ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72〔at％〕を用い、厚さ３５ｎ
ｍとする。
【００２９】図２に光磁気ディスクに記録されたディジ
タルデータに基づいてアナログ信号として再生する光デ
ィスク再生装置の概要構成ブロック図を示す。光ディス
ク再生装置１００は、光磁気ディスク１を回転駆動する
ためのスピンドルモータ２と、図示しないレーザダイオ
ード、アクチュエータ及び偏向ビームスプリッタを有
し、回転する光磁気ディスク１にレーザビームを照射
し、このレーザビームが光磁気ディスク１の磁性層にお
いて、磁気カー効果により偏光面が僅かに回転して反射
され戻ってきたビーム中の信号成分をＲＦ（Radio Freq
uency ）信号として出力する光ピックアップ３と、ＲＦ
信号を適当なレベルにまで増幅するためのＲＦアンプ４
と、増幅されたＲＦ信号から記録情報に対応する変調信
号を復調するためのデコーダ５と、デコーダ５により復
調されたディジタルデータをアナログ情報信号に変換す
るためのＤ／Ａコンバータ６と、光ピックアップ３を光
磁気ディスク１の半径方向に駆動するためのキャリッジ
７と、スピンドルモータ２、キャリッジ７及び図示しな
いアクチュエータをサーボ制御するためのサーボコント
ロール回路８と、光ディスク再生装置１００全体の制御
を行うシステムコントローラ９と、システムコントロー
ラ９に外部から操作指令を与えるためのキー入力部１０
と、情報再生状態等を表示するための表示部１１と、再
生時に再生層を初期化するための初期化磁界を印加する
初期化磁石１２と、を備えて構成されている。
タルデータに基づいてアナログ信号として再生する光デ
ィスク再生装置の概要構成ブロック図を示す。光ディス
ク再生装置１００は、光磁気ディスク１を回転駆動する
ためのスピンドルモータ２と、図示しないレーザダイオ
ード、アクチュエータ及び偏向ビームスプリッタを有
し、回転する光磁気ディスク１にレーザビームを照射
し、このレーザビームが光磁気ディスク１の磁性層にお
いて、磁気カー効果により偏光面が僅かに回転して反射
され戻ってきたビーム中の信号成分をＲＦ（Radio Freq
uency ）信号として出力する光ピックアップ３と、ＲＦ
信号を適当なレベルにまで増幅するためのＲＦアンプ４
と、増幅されたＲＦ信号から記録情報に対応する変調信
号を復調するためのデコーダ５と、デコーダ５により復
調されたディジタルデータをアナログ情報信号に変換す
るためのＤ／Ａコンバータ６と、光ピックアップ３を光
磁気ディスク１の半径方向に駆動するためのキャリッジ
７と、スピンドルモータ２、キャリッジ７及び図示しな
いアクチュエータをサーボ制御するためのサーボコント
ロール回路８と、光ディスク再生装置１００全体の制御
を行うシステムコントローラ９と、システムコントロー
ラ９に外部から操作指令を与えるためのキー入力部１０
と、情報再生状態等を表示するための表示部１１と、再
生時に再生層を初期化するための初期化磁界を印加する
初期化磁石１２と、を備えて構成されている。
【００３０】サーボコントロール回路８は、光ピックア
ップ３内の図示しないレーザダイオード内に設けられた
モニター用フォトダイオードにより出力光を受光し、レ
ーザダイオードへの駆動電流を制御することによりその
光出力を所定の再生出力に保つＡＰＣ（Automatic Powe
r Control ）回路８Ａを備えて構成されている。
ップ３内の図示しないレーザダイオード内に設けられた
モニター用フォトダイオードにより出力光を受光し、レ
ーザダイオードへの駆動電流を制御することによりその
光出力を所定の再生出力に保つＡＰＣ（Automatic Powe
r Control ）回路８Ａを備えて構成されている。
【００３１】次に図３を参照して、再生動作について説
明する。情報再生時には、図３に示すように、再生に先
立って初期化磁石１２により再生層Ｐの磁化方向を一定
（図３では上向き）に揃える。
明する。情報再生時には、図３に示すように、再生に先
立って初期化磁石１２により再生層Ｐの磁化方向を一定
（図３では上向き）に揃える。
【００３２】次に再生位置ＰＰを含む所定の領域ＢＰに
再生光である直線偏光のレーザビームをピックアップ３
により照射し、当該再生位置ＰＰの温度をスイッチ層Ｓ
が垂直磁化状態となる再生温度とする。この再生温度
は、スイッチ層Ｓの補償温度近傍の温度である。
再生光である直線偏光のレーザビームをピックアップ３
により照射し、当該再生位置ＰＰの温度をスイッチ層Ｓ
が垂直磁化状態となる再生温度とする。この再生温度
は、スイッチ層Ｓの補償温度近傍の温度である。
【００３３】この結果、スイッチ層Ｓは垂直磁化状態と
なり、再生層Ｐ及び記録層Ｒの間に交換結合力が働くこ
ととなり、記録層Ｒの記録情報が再生層Ｐに転写され
る。具体的には、図３の場合、記録層Ｒにおける下向き
の磁化状態が再生層Ｐに転写され、上向きに初期化され
ていた再生層Ｐの磁化状態が下向きになる。
なり、再生層Ｐ及び記録層Ｒの間に交換結合力が働くこ
ととなり、記録層Ｒの記録情報が再生層Ｐに転写され
る。具体的には、図３の場合、記録層Ｒにおける下向き
の磁化状態が再生層Ｐに転写され、上向きに初期化され
ていた再生層Ｐの磁化状態が下向きになる。
【００３４】これにより、再生位置ＰＰの再生層Ｐに照
射されたレーザビームの偏光面はその垂直磁化方向に応
じた方向に回転され、偏光面の回転角である磁気カー回
転角をピックアップ３により検出し、その回転方向によ
りＲＦアンプ４、デコーダ５及びＤ／Ａコンバータ１０
を介して情報を再生することができる。
射されたレーザビームの偏光面はその垂直磁化方向に応
じた方向に回転され、偏光面の回転角である磁気カー回
転角をピックアップ３により検出し、その回転方向によ
りＲＦアンプ４、デコーダ５及びＤ／Ａコンバータ１０
を介して情報を再生することができる。
【００３５】すなわち、読出光のレーザビームの照射領
域ＢＰ中、再生層Ｐが垂直磁化状態となった再生位置Ｐ
Ｐに対応する記録層Ｒの領域Ｒ1 の情報のみを再生でき
ることとなり、超解像再生を行うことができる。さらに
この時の再生領域は高温領域であるので、時間軸方向ば
かりでなくトラック方向にも記録密度を上げることがで
き、本実施例の光磁気ディスクには高密度記録が行え
る。
域ＢＰ中、再生層Ｐが垂直磁化状態となった再生位置Ｐ
Ｐに対応する記録層Ｒの領域Ｒ1 の情報のみを再生でき
ることとなり、超解像再生を行うことができる。さらに
この時の再生領域は高温領域であるので、時間軸方向ば
かりでなくトラック方向にも記録密度を上げることがで
き、本実施例の光磁気ディスクには高密度記録が行え
る。
【００３６】ところで、再生層Ｐは保磁力がスイッチ層
Ｓよりも大きいため、一旦交換結合力により記録層Ｒの
磁化状態が転写されると、その後スイッチ層Ｓの温度が
下がり面内磁化状態となり、交換結合力が小さくなって
も転写された磁化状態を保持することとなるが、光磁気
ディスクがさらに回転し、ほぼ１回転した状態で再び初
期化されるので再生上の影響はない。第２実施例 上記第１実施例は、高温領域と低温領域（マスク領域）
の２つの領域に分け、高温領域からの情報に基づいて再
生を行っていたが、本第２実施例は、高温領域及び低温
領域の双方をマスク領域とし、両者の中間温度の領域で
ある中温領域を再生領域とするものであり、さらに時間
軸方向に記録密度を上げても再生が可能となるものであ
る。
Ｓよりも大きいため、一旦交換結合力により記録層Ｒの
磁化状態が転写されると、その後スイッチ層Ｓの温度が
下がり面内磁化状態となり、交換結合力が小さくなって
も転写された磁化状態を保持することとなるが、光磁気
ディスクがさらに回転し、ほぼ１回転した状態で再び初
期化されるので再生上の影響はない。第２実施例 上記第１実施例は、高温領域と低温領域（マスク領域）
の２つの領域に分け、高温領域からの情報に基づいて再
生を行っていたが、本第２実施例は、高温領域及び低温
領域の双方をマスク領域とし、両者の中間温度の領域で
ある中温領域を再生領域とするものであり、さらに時間
軸方向に記録密度を上げても再生が可能となるものであ
る。
【００３７】本第２実施例の光磁気ディスクの層構成及
び光ディスク再生装置の構成は第１実施例と同様である
ので、詳細な説明は省略する。本第２実施例が第１実施
例と異なるのは、サーボコントロール回路８のＡＰＣ回
路８Ａを制御して、再生時のレーザ出力パワーを上げる
ことにより、再生層Ｐの保磁力を低下させ、かつ、スイ
ッチ層Ｓの温度を補償温度ＴCOMP以上に上げる点であ
る。
び光ディスク再生装置の構成は第１実施例と同様である
ので、詳細な説明は省略する。本第２実施例が第１実施
例と異なるのは、サーボコントロール回路８のＡＰＣ回
路８Ａを制御して、再生時のレーザ出力パワーを上げる
ことにより、再生層Ｐの保磁力を低下させ、かつ、スイ
ッチ層Ｓの温度を補償温度ＴCOMP以上に上げる点であ
る。
【００３８】この結果、光スポット内の温度分布は図４
に示すようなものとなり、中温領域においては、スイッ
チ層Ｓが補償温度ＴCOMP近傍の温度となり、垂直磁化状
態となる。
に示すようなものとなり、中温領域においては、スイッ
チ層Ｓが補償温度ＴCOMP近傍の温度となり、垂直磁化状
態となる。
【００３９】従って、中温領域における再生層Ｐ及び記
録層Ｒの間には交換結合力が強く働き、記録層Ｒの記録
情報が再生層Ｐに転写され、第１実施例と同様にして再
生が可能となる。
録層Ｒの間には交換結合力が強く働き、記録層Ｒの記録
情報が再生層Ｐに転写され、第１実施例と同様にして再
生が可能となる。
【００４０】一方、高温領域及び低温領域は、スイッチ
層Ｓが面内磁化状態であるので、記録層Ｒの情報は再生
層Ｐに転写されずマスク状態となる。このときの、高温
領域の磁化方向は、初期化された再生層Ｐの洩れ込み磁
界により低温領域の磁化方向と逆方向となる。この場
合、再生磁界Ｈr を与えることで、高温マスク領域が安
定に形成され、より低ノイズになる。第３実施例 本第３実施例は、上記第２実施例と同様に、光スポット
内を３つの領域に分け、そのうち２つの領域をマスク領
域として（以下、ダブルマスク化という。）時間軸方向
に記録密度を向上させる実施例である。
層Ｓが面内磁化状態であるので、記録層Ｒの情報は再生
層Ｐに転写されずマスク状態となる。このときの、高温
領域の磁化方向は、初期化された再生層Ｐの洩れ込み磁
界により低温領域の磁化方向と逆方向となる。この場
合、再生磁界Ｈr を与えることで、高温マスク領域が安
定に形成され、より低ノイズになる。第３実施例 本第３実施例は、上記第２実施例と同様に、光スポット
内を３つの領域に分け、そのうち２つの領域をマスク領
域として（以下、ダブルマスク化という。）時間軸方向
に記録密度を向上させる実施例である。
【００４１】本第３実施例が、上記第２実施例と異なる
点は、所定の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッ
チ層のキュリー温度を制御することにより、容易かつ確
実にダブルマスク化を図る点と、初期化磁界の印加が不
要（すなわち、初期化磁石１２が不要；図２参照）であ
る点である。
点は、所定の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッ
チ層のキュリー温度を制御することにより、容易かつ確
実にダブルマスク化を図る点と、初期化磁界の印加が不
要（すなわち、初期化磁石１２が不要；図２参照）であ
る点である。
【００４２】図５（ａ）に第３実施例の光磁気ディスク
の断面図を示す。光磁気ディスク１Ａは、光磁気層を保
護するための保護層ＰＲと、垂直磁化状態で情報を記録
した記録層ＲＡと、常温で面内磁化状態となるととも
に、所定の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ
層ＳＡと、スイッチ層ＳＡを介して記録層ＲＡと交換結
合可能に設けられた再生層ＰＡと、を備えて構成されて
いる。
の断面図を示す。光磁気ディスク１Ａは、光磁気層を保
護するための保護層ＰＲと、垂直磁化状態で情報を記録
した記録層ＲＡと、常温で面内磁化状態となるととも
に、所定の再生温度以上で垂直磁化状態となるスイッチ
層ＳＡと、スイッチ層ＳＡを介して記録層ＲＡと交換結
合可能に設けられた再生層ＰＡと、を備えて構成されて
いる。
【００４３】ここで、スイッチ層ＳＡ及び再生層ＰＡに
ついて詳細に説明する。スイッチ層ＳＡの保磁力ＨC の
発散する温度（＝補償温度Ｔcomp）は、ＧｄＦｅＣｏ系
光磁気膜においてはＧｄ組成により決定される。また、
垂直磁化状態となる範囲、すなわち、角形比が１となる
範囲は、成膜条件、下地膜、希土類の種類等で異なる。
ついて詳細に説明する。スイッチ層ＳＡの保磁力ＨC の
発散する温度（＝補償温度Ｔcomp）は、ＧｄＦｅＣｏ系
光磁気膜においてはＧｄ組成により決定される。また、
垂直磁化状態となる範囲、すなわち、角形比が１となる
範囲は、成膜条件、下地膜、希土類の種類等で異なる。
【００４４】そこで、本実施例においては、スイッチ層
ＳＡのＣｏを減少し、あるいはＡｌを加えることにより
角形比＝１となる範囲を狭くしている。より具体的に
は、スイッチ層ＳＡをＧｄ28（Ｆｅ98Ｃｏ2 ）72にした
場合、図６に示すように、第１実施例のスイッチ層Ｓ
［Ｇｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72］の場合（キュリー温度Ｔ
C ’）と比較して、キュリー温度ＴC2（＜ＴC ’）が低
くなっており、実質的に角形比＝１の範囲が狭くなって
いる。
ＳＡのＣｏを減少し、あるいはＡｌを加えることにより
角形比＝１となる範囲を狭くしている。より具体的に
は、スイッチ層ＳＡをＧｄ28（Ｆｅ98Ｃｏ2 ）72にした
場合、図６に示すように、第１実施例のスイッチ層Ｓ
［Ｇｄ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72］の場合（キュリー温度Ｔ
C ’）と比較して、キュリー温度ＴC2（＜ＴC ’）が低
くなっており、実質的に角形比＝１の範囲が狭くなって
いる。
【００４５】この結果、光スポット内の温度分布（温度
勾配）によりスイッチ層ＳＡが３つの領域に分けられ、
後述するようにダブルマスク化が図れることとなる。さ
らに、スイッチ層ＳＡは、図７に示すように、室温では
垂直方向の保磁力がほぼ零となり、面内磁化状態となっ
ているので、記録層ＲＡから再生層ＰＡに交換結合力を
伝達できないことから初期化磁界が不要となっている。
勾配）によりスイッチ層ＳＡが３つの領域に分けられ、
後述するようにダブルマスク化が図れることとなる。さ
らに、スイッチ層ＳＡは、図７に示すように、室温では
垂直方向の保磁力がほぼ零となり、面内磁化状態となっ
ているので、記録層ＲＡから再生層ＰＡに交換結合力を
伝達できないことから初期化磁界が不要となっている。
【００４６】より詳細には、再生磁界を印加すること
で、光スポットの通過直後、再生層ＰＡの記録マークは
消去されている（図７の高温領域）。この領域が冷却さ
れることにより、中温領域（図７参照）となると、スイ
ッチ層ＳＡの垂直磁気異方性が増大し、一端、記録層Ｒ
Ａ→スイッチ層ＳＡ→再生層ＰＡの順番で記録マークが
転写される。
で、光スポットの通過直後、再生層ＰＡの記録マークは
消去されている（図７の高温領域）。この領域が冷却さ
れることにより、中温領域（図７参照）となると、スイ
ッチ層ＳＡの垂直磁気異方性が増大し、一端、記録層Ｒ
Ａ→スイッチ層ＳＡ→再生層ＰＡの順番で記録マークが
転写される。
【００４７】さらに冷却が進み、低温領域（図７参照）
となると、スイッチ層ＳＡの垂直磁気異方性が消失し、
交換結合力が伝達されなくなり、再生層ＰＡのみかけの
保磁力が低下する。
となると、スイッチ層ＳＡの垂直磁気異方性が消失し、
交換結合力が伝達されなくなり、再生層ＰＡのみかけの
保磁力が低下する。
【００４８】このため、再生磁界により再び再生層ＰＡ
は一様に磁化され、記録マークが消失して初期化が行わ
れることとなり、改めて初期化磁界を印加する必要がな
いのである。
は一様に磁化され、記録マークが消失して初期化が行わ
れることとなり、改めて初期化磁界を印加する必要がな
いのである。
【００４９】上述したように、本実施例のスイッチ層Ｓ
Ａを用いれば、初期化磁界は不要となるが、より初期化
を容易にするため、再生層ＰＡを以下のように構成す
る。一般に垂直磁化膜の最小安定磁区直径ｄMIN は、磁
壁エネルギーをσw 、当該垂直磁化膜の磁化をＭS 、当
該垂直磁化膜を単独で設けた場合の保磁力をＨC とする
と、 ｄMIN ＝σw ／（ＭS ・ＨC ） となる。
Ａを用いれば、初期化磁界は不要となるが、より初期化
を容易にするため、再生層ＰＡを以下のように構成す
る。一般に垂直磁化膜の最小安定磁区直径ｄMIN は、磁
壁エネルギーをσw 、当該垂直磁化膜の磁化をＭS 、当
該垂直磁化膜を単独で設けた場合の保磁力をＨC とする
と、 ｄMIN ＝σw ／（ＭS ・ＨC ） となる。
【００５０】そこで、再生層ＰＡとして、最小安定磁区
直径ｄMIN の大きな材料を使用する。これにより、スイ
ッチ層ＳＡが交換結合力を伝達する温度領域では、最小
安定磁区直径ｄMIN は小さくなるが、それ以外の温度領
域では、再生層ＰＡを単独で設けた場合の最小安定磁区
直径ｄMIN が現われることとなるので、再生層ＰＡの記
録マークをこの最小磁区直径ｄMIN よりさらに小さくし
ておくのである。
直径ｄMIN の大きな材料を使用する。これにより、スイ
ッチ層ＳＡが交換結合力を伝達する温度領域では、最小
安定磁区直径ｄMIN は小さくなるが、それ以外の温度領
域では、再生層ＰＡを単独で設けた場合の最小安定磁区
直径ｄMIN が現われることとなるので、再生層ＰＡの記
録マークをこの最小磁区直径ｄMIN よりさらに小さくし
ておくのである。
【００５１】この結果、交換結合力が伝達されなくなる
と、再生層ＰＡの記録マークは、磁区の安定性を保持す
ることができなくなり収縮し自然に消去されるので、初
期化が容易となる。
と、再生層ＰＡの記録マークは、磁区の安定性を保持す
ることができなくなり収縮し自然に消去されるので、初
期化が容易となる。
【００５２】上記各条件を満たす、より具体的な層構成
について図５（ａ）を参照して説明する。記録層ＲＡと
しては、例えば、Ｔｂ20（Ｆｅ80Ｃｏ20）80［at％］を
用い、厚さ５０ｎｍとする。
について図５（ａ）を参照して説明する。記録層ＲＡと
しては、例えば、Ｔｂ20（Ｆｅ80Ｃｏ20）80［at％］を
用い、厚さ５０ｎｍとする。
【００５３】スイッチ層ＳＡとしては、例えば、補償点
記録材料であるＧｄ28（Ｆｅ98Ｃｏ 2 ）69Ａｌ3 ［at
％］を用い、厚さ３０ｎｍとする。この場合において、
第１実施例の光磁気ディスク１のスイッチ層Ｓとして、
Ｃｏの含有量を減らし、Ａｌを添加しているのは、スイ
ッチ層ＳＡのキュリー温度を低くするためであり、 ０［at％］≦Ｃｏ≦５［at％］ または、 ０［at％］≦Ａｌ≦５［at％］ とするのが好ましい。但し、Ａｌをあまり増やすと磁気
特性が劣化する。
記録材料であるＧｄ28（Ｆｅ98Ｃｏ 2 ）69Ａｌ3 ［at
％］を用い、厚さ３０ｎｍとする。この場合において、
第１実施例の光磁気ディスク１のスイッチ層Ｓとして、
Ｃｏの含有量を減らし、Ａｌを添加しているのは、スイ
ッチ層ＳＡのキュリー温度を低くするためであり、 ０［at％］≦Ｃｏ≦５［at％］ または、 ０［at％］≦Ａｌ≦５［at％］ とするのが好ましい。但し、Ａｌをあまり増やすと磁気
特性が劣化する。
【００５４】次に図２及び図５を参照して再生動作を説
明する。この場合において、本実施例では、初期化磁石
１２は不要となるが、これに代えて、再生磁界Ｈｒを印
加する再生磁石を設ける必要がある。
明する。この場合において、本実施例では、初期化磁石
１２は不要となるが、これに代えて、再生磁界Ｈｒを印
加する再生磁石を設ける必要がある。
【００５５】再生位置を含む所定の領域に再生光である
直線変更のレーザビームをピックアップ３により照射
し、当該再生位置の温度をスイッチ層ＳＡが垂直磁化状
態となる再生温度とする。この再生温度は、第１実施例
の場合と同様に、スイッチ層ＳＡの補償温度近傍の温度
である。
直線変更のレーザビームをピックアップ３により照射
し、当該再生位置の温度をスイッチ層ＳＡが垂直磁化状
態となる再生温度とする。この再生温度は、第１実施例
の場合と同様に、スイッチ層ＳＡの補償温度近傍の温度
である。
【００５６】この結果、光スポット内の温度分布は、図
５（ｂ）に示すようなものとなり、中温領域において
は、スイッチ層ＳＡが補償温度ＴCOMP近傍の温度とな
り、垂直磁化状態となる。
５（ｂ）に示すようなものとなり、中温領域において
は、スイッチ層ＳＡが補償温度ＴCOMP近傍の温度とな
り、垂直磁化状態となる。
【００５７】この結果、対応する記録層ＲＡ及び再生層
ＰＡ間には、交換結合力が働き、当該中温領域は、転写
（可能）領域となって、記録層ＲＡの記録情報が再生層
ＰＡに転写されて、第１実施例と同様にして再生が行わ
れることとなる。
ＰＡ間には、交換結合力が働き、当該中温領域は、転写
（可能）領域となって、記録層ＲＡの記録情報が再生層
ＰＡに転写されて、第１実施例と同様にして再生が行わ
れることとなる。
【００５８】一方、低温領域におけるスイッチ層ＳＡ
は、図５（ａ）に示すように、面内磁化状態であるの
で、記録層ＲＡ及び再生層ＰＡ間の交換結合力が働かな
い。従って、記録層ＲＡの情報は再生層ＰＡに転写され
ず、当該低温領域はマスク領域となる。
は、図５（ａ）に示すように、面内磁化状態であるの
で、記録層ＲＡ及び再生層ＰＡ間の交換結合力が働かな
い。従って、記録層ＲＡの情報は再生層ＰＡに転写され
ず、当該低温領域はマスク領域となる。
【００５９】また、高温領域おけるスイッチ層ＳＡは、
図５（ａ）に示すように、磁区が消失し、低温領域と同
様に交換結合力が働かず、記録層ＲＡの情報は再生層Ｐ
Ａに転写されず、当該低温領域はマスク領域となる。
図５（ａ）に示すように、磁区が消失し、低温領域と同
様に交換結合力が働かず、記録層ＲＡの情報は再生層Ｐ
Ａに転写されず、当該低温領域はマスク領域となる。
【００６０】上述したように、本第３実施例によれば、
ダブルマスク化を容易に行うことができ、時間軸方向に
記録密度を上げて記録を行っても、再生を行うことがで
きる。第４実施例 上記各実施例における光磁気ディスクは、再生層として
青色光（短波長レーザ）領域で、カー回転角の小さくな
る希土類−遷移金属合金を用いていたので、青色光レー
ザを用いて再生を行う場合にはあまり適していない。
ダブルマスク化を容易に行うことができ、時間軸方向に
記録密度を上げて記録を行っても、再生を行うことがで
きる。第４実施例 上記各実施例における光磁気ディスクは、再生層として
青色光（短波長レーザ）領域で、カー回転角の小さくな
る希土類−遷移金属合金を用いていたので、青色光レー
ザを用いて再生を行う場合にはあまり適していない。
【００６１】そこで、本第４実施例は、光源として青色
光レーザを用いた場合でも、カー回転角が小さくなるこ
となく、Ｃ／Ｎ（Carrier to Noise）比を大きく保って
再生することを可能とするものである。
光レーザを用いた場合でも、カー回転角が小さくなるこ
となく、Ｃ／Ｎ（Carrier to Noise）比を大きく保って
再生することを可能とするものである。
【００６２】本第４実施例おける再生層としては、Ｐｔ
／Ｃｏ積層膜またはＰｔＣｏ合金単独で用いることが可
能である。また、再生層を多層構造とし、例えば、２層
構造とする場合、光スポット照射方向にＰｔ／Ｃｏ積層
膜層またはＰｔＣｏ合金層を設け、次に希土類−遷移金
属合金（例えば、ＴｂＦｅＣｏ）を設けるように構成す
ることも可能である。
／Ｃｏ積層膜またはＰｔＣｏ合金単独で用いることが可
能である。また、再生層を多層構造とし、例えば、２層
構造とする場合、光スポット照射方向にＰｔ／Ｃｏ積層
膜層またはＰｔＣｏ合金層を設け、次に希土類−遷移金
属合金（例えば、ＴｂＦｅＣｏ）を設けるように構成す
ることも可能である。
【００６３】本第４実施例によれば、光源として青色光
レーザを用いた場合でも、カー回転角が小さくなること
なく、Ｃ／Ｎ比を大きく保って再生することができる。
以上の各実施例は、光ディスクに外部からのアナログ信
号をディジタルデータとして記録されており、記録され
たディジタルデータに基づいてアナログ信号として再生
する場合のものであったが、ディジタルデータを記録し
た光ディスク及びその光ディスク再生装置並びにアナロ
グ信号を記録した光ディスク及びその光ディスク再生装
置等にも本発明の適用が可能である。
レーザを用いた場合でも、カー回転角が小さくなること
なく、Ｃ／Ｎ比を大きく保って再生することができる。
以上の各実施例は、光ディスクに外部からのアナログ信
号をディジタルデータとして記録されており、記録され
たディジタルデータに基づいてアナログ信号として再生
する場合のものであったが、ディジタルデータを記録し
た光ディスク及びその光ディスク再生装置並びにアナロ
グ信号を記録した光ディスク及びその光ディスク再生装
置等にも本発明の適用が可能である。
【００６４】
【発明の効果】第１の発明の光磁気ディスクによれば、
スイッチ層が垂直磁気異方性が大きくなっている位置に
対応する再生位置でのみ記録層の記録情報が転写される
ので、再生位置からの情報を検出するように光学系を構
成することにより再生光のスポット径よりも小さな領域
からの情報を再生することができ、超解像再生を行うこ
とができるとともに、再生位置はスポット後部の高温領
域となるので、時間軸方向ばかりでなく、トラック方向
にも記録密度を上げて情報を記録することができる。
スイッチ層が垂直磁気異方性が大きくなっている位置に
対応する再生位置でのみ記録層の記録情報が転写される
ので、再生位置からの情報を検出するように光学系を構
成することにより再生光のスポット径よりも小さな領域
からの情報を再生することができ、超解像再生を行うこ
とができるとともに、再生位置はスポット後部の高温領
域となるので、時間軸方向ばかりでなく、トラック方向
にも記録密度を上げて情報を記録することができる。
【００６５】また、第２の発明によれば、スイッチ層が
垂直磁気異方性が大きくなっている再生位置でのみ記録
層の記録情報が転写されるので、再生手段により再生位
置からの再生光を受光して記録情報の再生を行うことに
より、再生光のスポット径よりも小さな領域からの情報
を再生することができ、容易に超解像再生を行うことが
できる。
垂直磁気異方性が大きくなっている再生位置でのみ記録
層の記録情報が転写されるので、再生手段により再生位
置からの再生光を受光して記録情報の再生を行うことに
より、再生光のスポット径よりも小さな領域からの情報
を再生することができ、容易に超解像再生を行うことが
できる。
【図１】光磁気ディスクの構造を示す断面図である。
【図２】光磁気ディスク再生装置の概要構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図３】再生動作を説明するための図である。
【図４】第２実施例の再生動作を説明する図である。
【図５】第３実施例の光磁気ディスクの断面構造及び光
スポット内の温度分布を説明する図である。
スポット内の温度分布を説明する図である。
【図６】第３実施例のスイッチ層の特性を説明する図で
ある。
ある。
【図７】第３実施例のスイッチ層の動作を説明する図で
ある。
ある。
【図８】従来の光磁気ディスクの情報記録面の構成を示
す説明図である。
す説明図である。
【図９】従来の光磁気ディスクの構造を示す断面図であ
る。
る。
１…光磁気ディスク ２…スピンドルモータ ３…光ピックアップ３ ４…ＲＦアンプ ５…デコーダ ６…Ｄ／Ａコンバータ ７…キャリッジ ８…サーボコントロール回路 ８Ａ…ＡＰＣ（Automatic Power Control ）回路 ９…システムコントローラ １０…キー入力部 １１…表示部 Ｂ…基板 ＰＲ…保護層 Ｒ、ＲＡ…記録層 Ｐ、ＰＡ…再生層 Ｓ、ＳＡ…スイッチ層 ＢＰ…照射領域 ＰＰ…再生位置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】この結果、スイッチ層は垂直磁気異方性が
大きくなり、再生層にはスイッチ層を介して記録層との
間で交換結合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態
が転写される。より詳細には、ある媒体の垂直異方性定
数をＫｕとし、磁化をＭｓとした場合に、 Ｋｕ＞２πＭｓ2 が成立すると垂直磁気異方性が大きくなる（垂直磁化状
態となる）。ところで、スイッチ層は、再生温度付近に
補償温度を有しているため、再生温度近傍では磁化Ｍｓ
が小さいこととなる。よって、再生温度近傍ではスイッ
チ層は垂直磁気異方性が大きくなる。一方、交換結合力
は垂直磁化膜同士で強く働くこととなる。したがって、
再生温度近傍でスイッチ層は再生層と記録層との間で交
換結合力を働かせることとなり記録層の垂直磁化状態が
転写されるのである。
大きくなり、再生層にはスイッチ層を介して記録層との
間で交換結合力が働くことにより記録層の垂直磁化状態
が転写される。より詳細には、ある媒体の垂直異方性定
数をＫｕとし、磁化をＭｓとした場合に、 Ｋｕ＞２πＭｓ2 が成立すると垂直磁気異方性が大きくなる（垂直磁化状
態となる）。ところで、スイッチ層は、再生温度付近に
補償温度を有しているため、再生温度近傍では磁化Ｍｓ
が小さいこととなる。よって、再生温度近傍ではスイッ
チ層は垂直磁気異方性が大きくなる。一方、交換結合力
は垂直磁化膜同士で強く働くこととなる。したがって、
再生温度近傍でスイッチ層は再生層と記録層との間で交
換結合力を働かせることとなり記録層の垂直磁化状態が
転写されるのである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】すなわち、室温において、Ｈini ＞Ｈc1＋Ｈw1 …（１） が成立し、Ｈc1＞Ｈw1 …（２） が成立し、Ｈc3−Ｈw3＞Ｈini …（３） が成立する必要がある。この場合において、室温ではス
イッチ層の垂直磁気異方性は小さく、交換結合力Ｈw1、
Ｈw3は小さい。そこで、（１）式及び（３）式をまとめ
て、 Ｈc1＜Ｈini ＜Ｈc3 …（４） とし、（２）式を無視することができる。さらに（２）
式の右辺である交換結合力Ｈw1が小さいので、（４）式
から初期化磁界Ｈini を小さくすることが可能となる。
イッチ層の垂直磁気異方性は小さく、交換結合力Ｈw1、
Ｈw3は小さい。そこで、（１）式及び（３）式をまとめ
て、 Ｈc1＜Ｈini ＜Ｈc3 …（４） とし、（２）式を無視することができる。さらに（２）
式の右辺である交換結合力Ｈw1が小さいので、（４）式
から初期化磁界Ｈini を小さくすることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】但し、 Ｈw1＝σ1 ／（２・ＭS1・ｈ1 ） Ｈw2＝σ2 ／（２・ＭS2・ｈ2 ） である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】（１）式は、室温で再生層Ｐを初期化する
ための条件、（２）式は再生層Ｐが初期化状態を維持す
る条件、（３）式は記録層が初期化磁界で消去されない
ための条件である。
ための条件、（２）式は再生層Ｐが初期化状態を維持す
る条件、（３）式は記録層が初期化磁界で消去されない
ための条件である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】また、再生温度において、 Ｈw1＞Ｈc1 …（５）及び Ｈc3−Ｈw3＞０ …（６）が成立すればよい。 （５）式は、再生層に記録マークが転写されるための条
件、（６）式は記録層の磁区が保持される条件である。
以上をまとめると、室温では（４）式が成立し、再生温
度では（５）式及び（６）式が成立すればよいこととな
る。
件、（６）式は記録層の磁区が保持される条件である。
以上をまとめると、室温では（４）式が成立し、再生温
度では（５）式及び（６）式が成立すればよいこととな
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】スイッチ層Ｓとしては、ＧｄＦｅＣｏ合金
が用いられ、Ｇｄの含有量は２４〜３２［at％］、特に
２６〜２９［at％］が好ましい。また、Ｃｏ／Ｆｅ比
は、５〜４０［％］、特に２０〜３０［％］が好まし
い。この場合にさらに、少量のＴｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｈｏ
等の他の希土類元素を含むようにしてもよい。またＤｙ
ＦｅＣｏ合金を用いることも可能であり、この場合には
Ｄｙを２３〜２９［at％］とする。より具体的には、ス
イッチ層Ｓとして、例えば、補償点記録材料であるＧｄ
28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72〔at％〕を用い、厚さ１５ｎｍと
する。再生層Ｐとしては、Ｔｂ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）
72〔at％〕を用い、厚さ３５ｎｍとする。
が用いられ、Ｇｄの含有量は２４〜３２［at％］、特に
２６〜２９［at％］が好ましい。また、Ｃｏ／Ｆｅ比
は、５〜４０［％］、特に２０〜３０［％］が好まし
い。この場合にさらに、少量のＴｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｈｏ
等の他の希土類元素を含むようにしてもよい。またＤｙ
ＦｅＣｏ合金を用いることも可能であり、この場合には
Ｄｙを２３〜２９［at％］とする。より具体的には、ス
イッチ層Ｓとして、例えば、補償点記録材料であるＧｄ
28（Ｆｅ90Ｃｏ10）72〔at％〕を用い、厚さ１５ｎｍと
する。再生層Ｐとしては、Ｔｂ28（Ｆｅ90Ｃｏ10）
72〔at％〕を用い、厚さ３５ｎｍとする。
Claims (2)
- 【請求項１】 垂直磁化状態で情報を記録した記録層
と、 常温で垂直磁気異方性が小さくなるとともに、所定の再
生温度近傍で垂直磁気異方性が大きくなるスイッチ層
と、 前記スイッチ層を介して前記記録層と交換結合可能に設
けられた再生層と、 を備えたことを特長とする光磁気ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気ディスクの記録情
報を再生する光磁気ディスク再生装置において、 前記光磁気ディスクの再生位置に再生光を照射する再生
光照射手段と、 前記再生位置に対応する前記スイッチ層の温度が前記再
生温度以上となるように前記再生光の出力パワーを制御
する再生出力制御手段と、 前記再生層の垂直磁化方向を所定の方向に揃えるための
磁化方向初期化手段と、 前記再生位置からの再生光を受光して記録情報の再生を
行う再生手段と、 を備えたことを特長とする光磁気ディスク再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27400893A JP3375694B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-11-02 | 光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置 |
| US08/643,410 US5681633A (en) | 1993-07-19 | 1996-05-06 | Magneto optical disc, apparatus for reproducing the same and method of reproducing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-177728 | 1993-07-19 | ||
| JP17772893 | 1993-07-19 | ||
| JP27400893A JP3375694B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-11-02 | 光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785516A true JPH0785516A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3375694B2 JP3375694B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=26498172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27400893A Expired - Fee Related JP3375694B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-11-02 | 光磁気ディスク及び光磁気ディスク再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5681633A (ja) |
| JP (1) | JP3375694B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065465A1 (fr) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magneto-optique |
| US6800348B2 (en) | 1998-06-04 | 2004-10-05 | Sony Corporation | Optical recording medium |
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|---|---|---|---|---|
| JP3088619B2 (ja) * | 1994-01-17 | 2000-09-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| US5949751A (en) * | 1995-09-07 | 1999-09-07 | Pioneer Electronic Corporation | Optical recording medium and a method for reproducing information recorded from same |
| US5815484A (en) * | 1995-12-28 | 1998-09-29 | Hide And Seek Technologies L.L.C. | Copy protectable optical media device and methodology therefor |
| JPH1074344A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-03-17 | So Fukada | 磁気光学データ記録の再生装置 |
| US6011772A (en) | 1996-09-16 | 2000-01-04 | Spectradisc Corporation | Machine-readable optical disc with reading-inhibit agent |
| US6747930B1 (en) | 1996-12-24 | 2004-06-08 | Hide & Seek Technologies, Inc. | Data protection on an optical disk |
| US6147939A (en) | 1997-03-06 | 2000-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having intermediate layer of in-plane magnetization |
| JP3496113B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-02-09 | 富士通株式会社 | 情報記録媒体、情報記録媒体の再生方法および情報記録媒体の再生装置 |
| US6531262B1 (en) | 1998-06-25 | 2003-03-11 | Spectradisc Corporation | Methods and apparatus for rendering an optically encoded medium unreadable and tamper-resistant |
| US6338933B1 (en) | 1998-06-25 | 2002-01-15 | Spectradisc Corporation | Methods and apparatus for rendering an optically encoded medium unreadable |
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| JP4243059B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2009-03-25 | フレックスプレイ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 使捨て式光学記憶媒体とその製造方法 |
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| US6638593B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-10-28 | Verification Technologies, Inc. | Copy-protected optical media and method of manufacture thereof |
| US7660415B2 (en) | 2000-08-03 | 2010-02-09 | Selinfreund Richard H | Method and apparatus for controlling access to storage media |
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| US20070020560A1 (en) * | 2005-05-27 | 2007-01-25 | Larson Lief C | Limited play optical discs |
| US20090075015A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-03-19 | Detty Michael R | Limited Play Optical Discs |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR870006535A (ko) * | 1985-02-27 | 1987-07-13 | 나가이 아쯔시 | 광자기 기록 매체 |
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| EP0304873B1 (en) * | 1987-08-26 | 1991-11-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
| EP0818783A3 (en) * | 1991-07-16 | 1999-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium and method |
-
1993
- 1993-11-02 JP JP27400893A patent/JP3375694B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-05-06 US US08/643,410 patent/US5681633A/en not_active Expired - Lifetime
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| US6844083B2 (en) | 2001-02-14 | 2005-01-18 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium possessing a magnetic assist layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3375694B2 (ja) | 2003-02-10 |
| US5681633A (en) | 1997-10-28 |
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