CN104347088B - 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置 - Google Patents

磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104347088B
CN104347088B CN201410379802.8A CN201410379802A CN104347088B CN 104347088 B CN104347088 B CN 104347088B CN 201410379802 A CN201410379802 A CN 201410379802A CN 104347088 B CN104347088 B CN 104347088B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic
layer
recording media
particle
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410379802.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104347088A (zh
Inventor
井上健
清水谦治
黑川刚平
大桥荣久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN104347088A publication Critical patent/CN104347088A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104347088B publication Critical patent/CN104347088B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

本发明提供一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。磁记录介质的制造方法至少具有：在非磁性基板上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。

Description

磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置。
背景技术
目前，作为磁记录再生装置的一种的硬盘装置(HDD)的记录密度正以每年50％以上的速率进行增加，而且今后也有继续增加的趋势。与此同时，适用于进行高密度记录的磁头及磁记录介质的开发也在进行中。
在目前贩卖的磁记录再生装置中，作为磁记录介质，安装了磁性膜内的易磁化轴主要进行了垂直配向(orientation)的所谓的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质在进行高密度记录时，记录比特(bit)间的边界区域的反磁场(反磁性)的影响较小，可形成鲜明的比特边界，为此，可抑制噪音的增加。而且，垂直磁记录介质在进行高密度记录时，其记录比特体积的减少较少，为此，其热波动特性较好。
另外，为了满足对磁记录介质的更高密度记录化的要求，正在尝试使用单磁极头，其相对于垂直磁性层的写入能力较好。具体而言，提出了一种磁记录介质，其中，通过在作为记录层的垂直磁性层和非磁性基板之间设置被称为衬里层的由软磁性材料构成的层，可使单磁极头和磁记录介质之间的磁通的进出效率得以提高。
另外，为了提高垂直磁记录介质的记录再生特性和热波动特性，提出了一种通过使用配向控制层，形成多层磁性层，并使各磁性层的结晶颗粒成为连续的柱状晶，来提高磁性层的垂直配向性的方案(例如，参照专利文献1)。
另外，专利文献2中记载了，在基板上预先设置结晶配向促进层，并在溅射气压(气体压力)为10Pa以上的条件下介由结晶配向促进层对垂直磁气异方性薄膜进行溅射沉积的方法。
另外，还提出了将Ru使用为配向控制层的方案(例如，参照专利文献3)。Ru的柱状晶的顶部形成圆顶状凸部是熟知的。这样，在由Ru构成的凸状的配向控制层上使磁性层等的结晶颗粒进行成长，并对成长了的结晶颗粒的分离结构进行促进，以使结晶颗粒孤立化，可获得使磁性颗粒成长为柱状的效果。
另外，在基板上按顺序形成了低压氩气环境下(0.6Pa)成膜的含钌层、高压氩气环境下(10Pa)成膜的含钌层、及垂直磁性层的磁记录介质也是熟知的(参照专利文献4)。通过在低溅射气压下形成的Ru层之上藉由高溅射气压形成Ru层，可提高Ru层的配向性，并可提高其上所成长的垂直磁性层的配向性，还可对磁性颗粒进行微细化。
另外，专利文献5中记载了，通过在低气压下形成的Ru层上藉由高气压形成Ru层，并使高气压下形成的Ru层含有Co和氧，可对高气压下所形成的Ru层的结晶颗粒进行微细化。
另外，专利文献5中还公开了，作为颗粒状层中所包含的氧化物使用了B2O3的例子。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]特开2004－310910号公报
[专利文献2]特开平7－244831号公报
[专利文献3]特开2007－272990号公报
[专利文献4]特开2002－197630号公报
[专利文献5]特开2009－238299号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
然而，在为了提高磁记录介质的记录密度，进行在低气压下藉由溅射而形成的Ru层上再形成在高气压下藉由溅射而形成的Ru层的2步骤成膜，以形成具有微细结晶颗粒的配向控制层，并使配向控制层上所形成的垂直磁性层的柱状构造的磁性颗粒微细化的情况下，存在如下的课题。
即，如果在高气压下进行溅射，则溅射颗粒的平均自由行程(stroke)变短，能量降低，并且，成长结晶内还容易混入气体分子，导致所形成的Ru层的结晶性及膜密度下降。为此，在高气压下进行溅射难以形成高硬度的Ru层。
另外，为了形成高硬度的Ru层，也可以考虑不在高气压实施溅射。但是，如果不在高气压下实施溅射，则在构成配向控制层的柱状结晶的顶部难以形成圆顶状的凸部。所以，难以获得通过使配向控制层上所成长的垂直磁性层的结晶颗粒分离，以使垂直磁性层的磁性颗粒微细化的效果。
为此，现有技术中，在使用2步骤成膜形成配向控制层的情况下，为了在构成配向控制层的柱状结晶的顶部形成圆顶状的凸部，只好采用牺牲Ru层的硬度，而在高气压下实施溅射的方式。其结果为，就具有使用了2步骤成膜而形成的配向控制层的磁记录介质而言，其表面硬度不足，磁记录介质的表面容易受伤，不能获得充分的可靠性。
另外，配向控制层的圆顶状的凸部所产生的凸状形状在垂直磁性层的表面上被继承，并在垂直磁性层的表面所形成的保护层上也被继承。这样，高气压下溅射所形成的Ru层的表面凹凸较大。为此，就具有高气压下溅射所形成的Ru层的配向控制层的磁记录介质而言，其表面粗度较高。磁记录介质的表面粗度较高，会导致磁头的浮起高度比以往还降低，成为进行高密度记录时的障碍。
由以上可知，现有技术中需要这样一种制造磁记录介质的制造方法，即：通过对垂直磁性层的柱状构造的磁性颗粒进行微细化，可提高记录密度，并且，通过形成硬度高、表面粗度低的配向控制层，不仅可提高表面耐伤性，以获得更高的可靠性，而且还可进行更高密度的记录。
本发明是鉴于上述而提出的，其目的在于，提供一种不仅可获得高可靠性，而且还可进行更高密度记录的磁记录介质的制造方法。
另外，本发明的目的还在于，提供一种具有由本发明的磁记录介质的制造方法所制造的高可靠性、高记录密度的磁记录介质的磁记录再生装置。
[用于解决课题的手段]
为了解决上述课题，本发明人对采用溅射法形成配向控制层的条件进行了研究。结果发现，通过将配向控制层设计为具有由Ru或以Ru为主成分的材料所组成的颗粒状结构，并且，作为形成颗粒状结构的材料，采用包含融点为1000℃以下的氧化物的材料，如以下所述，可对配向控制层的柱状构造进行微细化，并且，可获得由原子力显微镜(AtomicForce Microscope；AFM)对磁记录介质的表面进行测定时其表面粗度(Ra)为3埃以下的表面粗度较低的配向控制层。
即，本发明人研究的结果为，在采用溅射法形成具有Ru或以Ru为主成分的材料、以及、包含融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构的颗粒状层的情况下，由于融点为1000℃以下的氧化物容易对Ru的周围进行包围，所以可容易地获得Ru颗粒的偏析结构。为此，即使优选在5Pa以下的较低的溅射气压下来形成上述颗粒状层，也可促进Ru或以Ru为主成分的颗粒的偏析结构，这样，可使结晶颗粒容易进行分离，并可获得微细的结晶粒。
另外，即使对其上所形成的垂直磁性层而言，通过设计为包含融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构，也可将磁记录介质的表面粗度(Ra)降低至2埃以下。即，在采用溅射法形成基于磁性颗粒以及对其颗粒的周围进行围绕的融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状层的情况下，由于融点为1000℃以下的氧化物容易对磁性颗粒的周围进行包围，所以可容易地获得磁性颗粒的偏析结构。为此，即使优选在3Pa以下的较低的气压下采用溅射法来形成上述颗粒状结构的磁性层(以下，有时也记为“颗粒状结构层”)，也可对磁性颗粒的偏析结构进行促进，这样，容易使磁性颗粒进行分离，并可获得微细的磁性颗粒以及包含该微细的磁性颗粒的平坦性较高的垂直磁性层。
本发明提供以下的技术手段。
(1)一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，至少具有：在非磁性基板之上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤。其中，形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射(sputtering)法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状(granular)结构层的步骤。形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法形成包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤。所述磁性颗粒以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
(2)如上述(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述垂直磁性层包含多个(即：2个以上)颗粒状结构层，所述多个颗粒状结构层都为包含磁性颗粒以及融点为1000℃以下的氧化物的层。
(3)如上述(1)或(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在包含所述磁性颗粒及融点为1000℃以下的氧化物的多个颗粒状结构层中，各颗粒状结构层中所包含的融点为1000℃以下的氧化物的体积％(体积百分比)为越往上层越高。
(4)如上述(1)～(3)的任1项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述融点为1000℃以下的氧化物是氧化硼。
(5)如上述(1)～(4)的任1项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在5Pa以下的溅射气压下，对包含所述Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层进行成膜。
(6)如上述(1)～(5)的任1项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在3Pa以下的溅射气压下，对包含所述磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层进行成膜。
(7)一种磁记录介质，其特征在于，至少具有：在非磁性基板之上对正上层的配向性进行控制的配向控制层；及易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层。其中，所述配向控制层具有：包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层。所述垂直磁性层具有：包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层。所述磁性颗粒是包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并沿厚度方向连续的柱状晶。所述磁记录介质表面的由原子力显微镜所测定的表面粗度(Ra)为2埃以下。
(8)一种磁记录再生装置，其特征在于，具有：如上述(7)所述的磁记录介质；及对所述磁记录介质进行信息记录和再生(replay)的磁头。
[发明的效果]
本发明的磁记录介质的制造方法可使配向控制层及配向控制层之上所成长的垂直磁性层的柱状构造的磁性颗粒微细化，并可获得适于进行高密度记录的信号/噪音比(SNR)的磁记录介质。
另外，本发明的磁记录介质的制造方法可在较低的溅射气压下形成颗粒状层，并可获得硬度较高的配向控制层和垂直磁性层。所以，根据本发明的磁记录介质的制造方法，可制造表面耐伤性较好、可靠性较高的磁记录介质。
再有，在本发明的磁记录介质的制造方法中，通过在较低的溅射气压下形成颗粒状层，可获得粗度被降低了的配向控制层和垂直磁性层。所以，可制造具有由原子力显微镜对表面所测定的表面粗度(Ra)为2埃以下的平滑表面的磁记录介质。
因此，具有由本发明的磁记录介质的制造方法所制造的磁记录介质、及对所述磁记录介质进行信息记录和再生的磁头的磁记录再生装置可进行更高密度的记录并且具有优良的可靠性。
附图说明
[图1]图1示出了使用本发明所制造的磁记录介质的一例。
[图2]图2是用于对配向控制层和垂直磁性层的积层结构进行说明的放大模式图，是对各层的柱状晶相对于基板面进行了垂直成长的状态进行表示的截面图。
[图3]图3是对构成垂直磁性层的磁性层和非磁性层的积层结构进行了放大表示的截面图。
[图4]图4示出了使用本发明的磁记录再生装置的一例。
[符号说明]
1…非磁性基板
2…软磁性底层
3…配向控制层
3a…低气压层
3b…高气压层
4…垂直磁性层
4a…下层磁性层
4b…中层磁性层
4c…上层磁性层
5…保护层
6…润滑层
7…非磁性层
7a…下层非磁性层
7b…上层非磁性层
8…非磁性底层
15…氧化物
S1、S2、S3…柱状晶
S1a…凹凸面
41…氧化物
42…磁性颗粒
50…磁记录介质
51…介质驱动部
52…磁头
53…磁头驱动部
54…信号记录再生处理系统。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式的磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置进行详细说明。这里需要说明的是，为了容易理解本发明，在以下叙述中所使用的附图中，为了便于说明，有时对作为特征的部分进行了放大表示，即，就各构成要素的尺寸比例等而言，并不限定于与实际相同。
(磁记录介质)
以下，作为本发明的磁记录介质的一例，以图1所示的磁记录介质为例进行说明。
图1示出了使用本发明的磁记录介质的制造方法所制造的磁记录介质的一例。图1所示的磁记录介质具有按顺序对位于非磁性基板1之上的软磁性底层2、对正上层的配向性进行控制的配向控制层3、非磁性底层8、易磁化轴相对于非磁性基板1主要进行了垂直配向的垂直磁性层4、保护层5、及润滑层6进行积层了的结构。
本发明的磁记录介质的表面的由原子力显微镜(AFM)所测定的表面粗度(Ra)为2埃以下，该表面粗度越平滑越好。由于本实施方式的磁记录介质表面的表面粗度(Ra)为2埃以下，所以，可使磁头和垂直磁性层的距离降低，并可获得适于进行高密度记录的信号/噪音比(SNR)。这里需要说明的是，在本发明中，采用原子力显微镜对磁记录介质的表面粗度进行了测定，另外，也可先除去磁记录介质最表面的润滑层，然后再进行测定。
「非磁性基板」
作为非磁性基板1，可以使用由铝或铝合金等金属材料组成的金属基板，也可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅或碳等非金属材料组成的非金属基板。另外，作为非磁性基板1，也可以采用在这些金属基板或非金属基板的表面上使用例如电镀法或溅射法等形成了NiP层或NiP合金层的基板。
作为玻璃基板，例如，可使用非晶体玻璃或结晶化玻璃(晶体玻璃)等。作为非晶体玻璃，例如，可使用通用的钠钙玻璃(soda-lime glass)或铝硅酸盐玻璃等(alumino-silicate glass)。作为结晶化玻璃，例如，可使用锂系结晶化玻璃等。
作为陶瓷基板，例如，可使用通用的以氧化铝、氮化铝、或氮化硅等为主成分的烧结体或它们的纤维强化物等。
非磁性基板1的平均表面粗度(Ra)为2nm()以下，优选为1nm以下，从适于进行磁头浮起较低的高密度记录这点来看是较好的。
另外，非磁性基板1的表面微小波动(Wa)为0.3nm以下(优选为0.25nm以下)，从适于进行磁头浮起较低的高密度记录这点来看是较好的。这里需要说明的是，就微小波动(Wa)的测定而言，例如可使用表面荒粗度测定装置P－12(KLM－Tencor公司制)，将测定范围为80μm内的表面平均粗度作为微小波动。
另外，作为非磁性基板1，可使用端面的倒角(chamfer)部和侧面部的至少一个的表面平均粗度(Ra)为10nm以下(优选为9.5nm以下)的基板，从确保磁头的飞行稳定性来看是较好的。
非磁性基板1与以Co或Fe为主成分的软磁性底层2相接时，表面吸着的气体、水分的影响或基板成分的扩散等可能会导致出现腐蚀。为了对这些进行抑制，可在非磁性基板1和软磁性底层2之间设置密着层。作为密着层的材料，例如，可适当地选择Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。密着层的厚度优选为2nm()以上。
「软磁性底层」
非磁性基板之上形成了软磁性底层2。设置软磁性底层2的目的在于，使磁头所发生的磁通的相对于基板面的垂直方向的成分增大，并且，将记录信息的垂直磁性层4的磁化方向更牢固地固定在垂直于非磁性基板1的方向上。其效果尤其是在将垂直记录用单磁极头作为记录再生用磁头来使用时更为显著。
作为软磁性底层2，例如，可使用包含Fe、Ni、或Co等的软磁性材料。作为具体的软磁性材料，例如可列举出：CoFe系合金(CoFeTaZr、CoFeZrNb等)、FeCo系合金(FeCo、FeCoV等)、FeNi系合金(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi等)、FeAl系合金(FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO等)、FeCr系合金(FeCr、FeCrTi、FeCrCu等)、FeTa系合金(FeTa、FeTaC、FeTaN等)、FeMg系合金(FeMgO等)、FeZr系合金(FeZrN等)、FeC系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金等。
作为软磁性底层2，可使用含有60at％(原子％)以上的Fe的FeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrN等的微结晶结构、或微细结晶颗粒分散在基体(matrix)中的颗粒状结构的材料。
另外，作为软磁性底层2，也可以使用含有80at％以上的Co，还含由Zr、Nb、Ta、Cr、Mo等中的至少1种，并具有非晶体结构的Co合金。作为具有非晶体结构的Co合金，较好的例如可列举出CoZr、CoZrNb、CoZrTa、CoZrCr、CoZrMo系合金等。
软磁性底层2的保磁力Hc为100(Oe)以下(优选为20(Oe)以下)。这里需要说明的是，1Oe为79A/m。如果软磁性底层2的保磁力Hc超过上述范围，则软磁气特性不充分，再生波形可能会从所谓的矩形波变为失真波(带有歪斜的波形)。
软磁性底层2的饱和磁通密度Bs为0.6T以上(优选为1T以上)。如果软磁性底层2的Bs小于上述范围，则再生波形会从所谓的矩形波变为失真波。
另外，软磁性底层2的饱和磁通密度Bs(T)和软磁性底层2的层厚t(nm)的积Bs·t(T·nm)为15(T·nm)以上(优选为25(T·nm)以上)。如果软磁性底层2的Bs·t小于上述范围，则再生波形会带有歪斜(出现失真)，并会使OW(Over Write)特性(记录特性)恶化。
软磁性底层2优选为由2层软磁性膜构成，并且，2层软磁性膜之间优选为设置Ru膜。通过对Ru膜的膜厚在0.4～1.0nm或者1.6～2.6nm的范围内进行调整，2层软磁性膜可为AFC(反强磁性结合)结构。在软磁性底层2采用了这样的AFC结构的情况下，可对所谓的波尖(spike)噪音进行抑制。
在软磁性底层2的最表面(配向控制层3侧的面)，优选为，构成磁性底层2的材料被部分或完全氧化。具体而言，例如，优选为，在软磁性底层2的表面(配向控制层3侧的面)及其近傍(附近)配置将构成软磁性底层2的材料进行了部分氧化的材料、或上述材料的氧化物。据此，可对软磁性底层2的表面磁气波动进行抑制，并可通过降低磁气波动所导致的噪音，来改善磁记录介质的记录再生特性。
软磁性底层2和配向控制层3之间也可设置种晶层。种晶层可对配向控制层3的结晶粒径进行控制。种晶层的材料可使用NiW合金。另外，作为种晶层，还可使用具有fcc结构的层等，具体而言，例如可使用包含Ni、Cu、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Al的层。
「配向控制层」
软磁性底层2之上形成了对垂直磁性层4的配向性进行控制的配向控制层3。配向控制层3用于对垂直磁性层4的结晶粒进行微细化，并用于改善记录再生特性。
为了对垂直磁性层4的磁性颗粒进行微细化，配向控制层3如图1所示，优选为由软磁性底层2之上所形成的低气压层3a、及低气压层3a上所形成的高气压层(颗粒状层)3b构成。
低气压层3a用于提高配向控制层3的核发生密度。
低气压层3a由Ru或以Ru为主成分的材料构成。作为构成低气压层3a的以Ru为主成分的材料，可列举出Ru系合金。
在本实施方式中，低气压层3a由Ru或以Ru为主成分的材料构成，所以，在构成低气压层3a的柱状晶的顶部会形成圆顶状的凸部。据此，通过在低气压层3a上依次形成高气压层3b及垂直磁性层4，在低气压层3a的圆顶状的凸部上可使高气压层3b及垂直磁性层4的结晶颗粒进行成长。这样，本实施方式的配向控制层3可对垂直磁性层4的结晶颗粒的分离进行促进，并具有可使结晶颗粒孤立化并可使其成长为柱状的优良的配向性。
低气压层3a优选为层厚在8nm～12nm的范围内。低气压层3a的层厚在8nm～12nm的范围内时，记录时的磁头和软磁性底层2的距离较小，不会降低再生信号的分解能，进而可提高记录再生特性。
如果低气压层3a的层厚小于上述范围，则提高垂直磁性层4的配向性，并使构成垂直磁性层4的磁性颗粒42的微细化的效果不充分，难以获得良好的S/N比。另外，如果低气压层3a的层厚超过上述范围，则记录时的磁头和软磁性底层2的距离较大，这样，磁头和软磁性底层2的磁气结合较弱，难以获得适于进行高密度记录的记录特性(OW)。
高气压层3b具有包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构。这样，就高气压层3b而言，在现有技术中，使用Ru系合金并在溅射气压为8Pa以上的条件下进行了成膜，但是，在本发明中，即使在5Pa以下(优选为1～4Pa的范围内的较低压力)的条件下采用溅射法来进行成膜，结晶颗粒也可被分离，并且，其上所成长的垂直磁性层4的柱状构造的磁性颗粒也可进行微细化。
作为高气压层3b中所含的融点为1000℃以下的氧化物，可列举出In2O3、TeO2、Sb2O3、B2O3等，优选为B2O3(氧化硼)，因为其融点很低。只要高气压层3b中所含的氧化物的整体的融点为1000℃以下，也可为由2种类以上的氧化物所组成的混合物，例如，为In2O3、TeO2、Sb2O3、B2O3等融点为1000℃以下的氧化物和SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5、Nb2O5等融点超过1000℃的氧化物的混合物。表1示出了作为高气压层的材料而使用的氧化物的融点。
[表1]
材料 融点(℃)
In2O3 850
TeO2 733
Sb2O3 656
B2O3 450
TiO2 1870
Cr2O3 2435
SiO2 1650
Ta2O5 1468
Nb2O5 1520
另外，作为构成高气压层3b的以Ru为主成分的材料，可列举出Ru系合金。
就高气压层3b而言，其中的融点为1000℃以下的氧化物合计在2体积％～35体积％的范围内为较好，优选为在15体积％～30体积％的范围内。高气压层3b中的融点为1000℃以下的氧化物合计在2体积％～35体积％的范围内，尤其是在15体积％～30体积％的范围内的情况下，配向控制层3具有更优良的配向性。
如果高气压层3b中的融点为1000℃以下的氧化物的含量超过上述范围，则高气压层3b的金属颗粒中会有残留的氧化物，这会有损于金属颗粒的结晶性及配向性，另外，还会有损于配向控制层3上所形成的垂直磁性层4的结晶性及配向性。另外，如果高气压层3b中的融点为1000℃以下的氧化物的含量小于上述范围，则藉由使高气压层3b中含有融点为1000℃以下的氧化物来使结晶颗粒分离的分离效果不充分，并非较好的。
这里，参照附图，对本实施方式的磁记录介质中的、构成配向控制层3的结晶颗粒和构成垂直磁性层4的磁性颗粒之间的关系进行说明。
图2是用于对配向控制层3和垂直磁性层4的积层结构进行说明的放大模式图，是示出了各层的柱状晶相对于基板面进行了垂直成长的状态的截面图。这里需要说明的是，图2中，对构成配向控制层3的低气压层3a和高气压层3b、及垂直磁性层4以外的部分进行了省略表示。
如图2所示，低气压层3a上形成了凹凸面S1a，其中，构成低气压层3a的柱状晶S1的顶部为圆顶状的凸部。在低气压层3a的凹凸面S1a上，从凹凸面S1a沿厚度方向，构成高气压层3b的结晶颗粒变为柱状晶S2并进行成长。这里需要说明的是，高气压层3b具有颗粒状结构，所以，在构成高气压层3b的柱状晶S2的周围形成了氧化物15(例如，氧化硼。)。之后，在构成高气压层3b的柱状晶S2之上，垂直磁性层4的结晶颗粒变为柱状晶S3并沿厚度方向进行成长，另外，在该柱状晶S3的周围形成了氧化物15(例如，氧化硼)。
这样，在本实施方式的磁记录介质中，在低气压层3a的柱状晶S1上，高气压层3b的柱状晶S2和垂直磁性层4的柱状晶S3变为连续的柱状晶并进行(epitaxy)成长。这里需要说明的是，在本实施方式中，可对垂直磁性层4进行多层化，此时，构成垂直磁性层4各层的结晶颗粒从配向控制层3开始至最上层的垂直磁性层4为止，反复地进行磊晶成长，以成为连续的柱状晶。所以，在本实施方式中，通过使构成低气压层3a的结晶颗粒微细化，并使柱状晶S1高密度化，可使从柱状晶S1的顶部沿厚度方向成长为柱状的高气压层3b的柱状晶S2及垂直磁性层4的柱状晶S3也高密度化。
「非磁性底层」
在本实施方式的磁记录介质中，配向控制层3和垂直磁性层4之间还设置了非磁性底层8。这里需要说明的是，在配向控制层3和垂直磁性层4之间，尽管优选为设置非磁性底层8，但是，也可以不设置非磁性底层8。配向控制层3正上面的垂直磁性层4的初始部分中容易发生结晶成长的紊乱，这会成为噪音的原因，而通过设置非磁性底层8，可对该噪音的发生进行抑制。
本实施方式的非磁性底层8为与配向控制层3的低气压层3a及高气压层3b的柱状晶连续的柱状晶，是由磊晶成长所得到的。
非磁性底层8的厚度优选为0.2nm以上且3nm以下。如果非磁性底层8的厚度超过3nm，则易使Hc及Hn降低。
非磁性底层8优选为由包含Cr和氧化物的材料组成。Cr的含量优选为25at％(原子％)以上且50at％以下。作为氧化物，例如优选使用In、Te、Sb、B、Cr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Co等的氧化物，其中，In2O3、TeO2、Sb2O3、B2O3为较好的，优选使用B2O3。作为氧化物的含量，可为在2体积％～35体积％的范围内，优选为在15体积％～30体积％的范围内。非磁性底层8中的氧化物的含量在上述范围内为较好的原因在于，形成非磁性底层8时，非磁性颗粒的周围会析出氧化物，这样，可实现非磁性颗粒的孤立化及微细化，另外，还可实现成长面的平坦化。
「垂直磁性层」
非磁性底层8之上形成了垂直磁性层4。如图1所示，垂直磁性层4从非磁性基板1侧开始包含下层磁性层4a、中层磁性层4b、以及上层磁性层4c这3层。在本实施方式的磁记录介质中，磁性层4a和磁性层4b之间包含下层非磁性层7a，磁性层4b和磁性层4c之间包含上层非磁性层7b，据此，可具有对这些磁性层4a～4c和非磁性层7a、7b进行了交互积层的结构。
构成各磁性层4a～4c及非磁性层7a、7b的结晶颗粒与构成配向控制层3的结晶颗粒一起沿厚度方向形成连续的柱状晶。垂直磁性层4(磁性层4a～4c及非磁性层7a、7b)在非磁性底层8上磊晶成长为与配向控制层3的低气压层3a及高气压层3b的柱状晶连着的柱状晶。
作为非磁性层7a、7b，对其并无特别的限定，例如，可列举出由Ru或Ru合金组成的层；作为Ru合金，例如，可为RuCo。特别地，通过使非磁性层7a、7b的层厚位于0.6nm以上且1.2nm以下的范围内，可使磁性层4a、4b、4c进行AFC结合(反强磁性交换结合)。另外，在本发明中，也可对各磁性层4a、4b、4c采用FC结合(强磁性交换结合)以进行静磁结合。
图3是对构成垂直磁性层的磁性层和非磁性层的积层结构进行放大表示的截面图。如图3所示，构成垂直磁性层4(4a、4b、4c)的磁性层4a、4b为颗粒状结构的磁性层，优选为包含含有Co、Cr、Pt的磁性颗粒(具有磁性的结晶颗粒)42及氧化物41。另外，构成垂直磁性层4的磁性层4c为非颗粒状结构的磁性层(非颗粒状磁性层)。
本发明中，垂直磁性层4为包含多个颗粒状结构层(4a、4b)的结构，该多个颗粒状结构层(4a、4b)都优选为包含磁性颗粒42和融点为1000℃以下的氧化物41的层。据此，配向控制层所获得的成长表面的平滑性可被原样地继承至垂直磁性层并可被维持，另外，还可对磁性颗粒的偏析结构进行促进，以使磁性颗粒容易分离，这样，就可以获得微细的磁性颗粒以及包含该微细的磁性颗粒的、具有比配向控制层的平坦性还好的成长表面的垂直磁性层。
氧化物41是融点为1000℃以下的氧化物，具体而言，可列举出In2O3、TeO2、Sb2O3、B2O3等，优选为B2O3，因为其融点很低。另外，只要磁性层4a、4b中所含的氧化物的整体的融点在1000℃以下，也可为由2种以上的氧化物所组成的混合物，例如，可为由In2O3、TeO2、Sb2O3、B2O3等融点为1000℃以下的氧化物和SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5、Nb2O5等融点超过1000℃的氧化物的混合物。
磁性颗粒42优选为分散在磁性层4a、4b中。磁性颗粒42优选被形成为，上下贯穿磁性层4a、4b再贯穿磁性层4c的柱状结构。藉由具有这样的结构，可提高磁性层4a、4b、4c的配向性及结晶性，进而可获得适于进行高密度记录的信号/噪音比(S/N比)。
磁性层4a、4b中所含的氧化物41的含量较好在2体积％～35体积％的范围内，优选为在15体积％～30体积％的范围内。磁性层4a、4b中的氧化物41的含量在上述范围内为较好的原因在于，形成磁性层4a、4b时，磁性颗粒42的周围会析出氧化物41，这样，可实现磁性颗粒42的孤立化及微细化，另外，还可实现成长面的平坦化。
另一方面，如果氧化物41的含量超过上述范围，则氧化物41会在磁性颗粒42中进行残留，这会有损于磁性颗粒42的配向性及结晶性，另外，磁性颗粒42上下的析出氧化物41还会导致难以形成磁性颗粒42上下贯穿磁性层4a～4c的柱状构造。如果氧化物41的含量小于上述范围，则磁性颗粒42的分离及微细化不充分，结果会导致记录再生时的噪音增大，难以获得适于进行高密度记录的信号/噪音比(S/N比)。
另外，在本发明中，就磁性层4a、4b中所含的氧化物41的含量而言，优选为，越往上层越高，即，相对于磁性层4a而言，磁性层4b的含量较高。通过采用这样的结构，可使本发明的磁性层表面的平坦化效果越往上层越高。
磁性层4a、4b中的Cr的含量较好为4at％以上且19at％以下(优选为6at％以上且17at％以下)。在使磁性层4a、4b中的Cr的含量位于上述范围内的情况下，磁性颗粒42的磁气异方性常数Ku不会下降太大，另外，还会维持较高的磁化，这样，可获得适于进行高密度记录的记录再生特性以及充分热波动特性。
另一方面，如果磁性层4a、4b中的Cr的含量超过上述范围，则磁性颗粒42的磁气异方性常数Ku会变小，并会导致热波动特性恶化；磁性颗粒42的结晶性及配向性的恶化进而会导致记录再生特性恶。如果Cr的含量小于上述范围，则磁性颗粒42的磁气异方性常数Ku会变高，会导致垂直保磁力过高；记录数据时，磁头不能进行充分的写入，进而会导致得到不适于进行高密度记录的记录特性(OW)。
磁性层4a、4b中的Pt的含量优选为8at％以上且20at％以下。如果Pt的含量小于8at％，则难以获得垂直磁性层4所需的磁气异方性常数Ku，以可获得适于进行高密度记录的热波动特性。如果Pt的含量超过20at％，则磁性颗粒42的内部会发生积层缺陷，结果会导致磁气异方性常数Ku变低。如果Pt的含量超过上述范围，则磁性颗粒42中会形成fcc结构的层，这会有损于结晶性及配向性。所以，为了获得适于进行高密度记录的热波动特性和记录再生特性，磁性层4a中的Pt的含量优选为位于上述范围内。
磁性层4a、4b的磁性颗粒42中可包含从Co、Cr、Pt、及B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re中所选的1种以上的元素。通过含有上述元素，可对磁性颗粒42的微细化进行促进，或者，可提高结晶性或配向性，进而可获得更适于进行高密度记录的记录再生特性和热波动特性。
另外，磁性颗粒42中所含的Co、Cr、Pt之外的其他上述元素的合计含量优选为8at％以下。如果上述元素的合计含量超过8at％，则磁性颗粒42中会形成hcp相(phase)以外的相，导致磁性颗粒42的结晶性及配向性发生紊乱，进而导致难以获得适于进行高密度记录的记录再生特性和热波动特性。
作为适于磁性层4a、4b的材料，例如，可列举出80(Co14Cr18Pt)－20(B2O3){Cr含有量为14at％、Pt含有量为18at％、由残部Co所组成的磁性颗粒为80体积％、B2O3为20体积％。下同。}、75(Co8Cr14Pt4Nb)－25(B2O3)、以及、(CoCrPtMo)－(B2O3)、(CoCrPtW)－(B2O3)、(CoCrPtB)－(B2O3)、(CoCrPtTaNd)－(B2O3)、(CoCrPtBCu)－(B2O3)、(CoCrPtRu)－(B2O3)等的组成物。
磁性层4a、4b具有包含磁性颗粒和融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构。这样的磁性层4a、4b可在溅射气压为3Pa以下(优选为0.5～2Pa的范围内的低压力)的条件下采用溅射法来形成，这样，可实现结晶颗粒的分离，另外，还可实现磁性颗粒的微细化，并可实现其成长面的平坦化。
构成垂直磁性层4的磁性层4c如图3所示，优选为，具有包含Co、Cr的磁性颗粒(即：具有磁性的结晶颗粒)42，而不包含氧化物41。磁性层4c中的磁性颗粒42优选为，从磁性层4a中的磁性颗粒42磊晶成长为柱状。此时，磁性层4a～4c的磁性颗粒42优选为在各层以1对1的方式对应地磊晶成长为柱状。另外，磁性层4b的磁性颗粒42从磁性层4a中的磁性颗粒42进行磊晶成长，这样，可对磁性层4c的磁性颗粒42进行微细化，另外，还可提高结晶性及配向性。
磁性层4c中的Cr的含有量优选为10at％以上且24at％以下。通过将Cr的含有量设定在上述范围，可充分地确保数据再生时的输出，另外，还可获得良好的热波动特性。另一方面，如果Cr的含有量超过上述范围，则磁性层4c的磁化会变得过小，并非较好。另外，如果Cr含有量小于上述范围，则不能充分地进行磁性颗粒42的分离及微细化，这样，记录再生时的噪音会增大，不会获得适于进行高密度记录的信号/噪音比(S/N比)，也并非较好。
另外，在构成磁性层4c的磁性颗粒42为除了Co、Cr还包含Pt的材料的情况下，磁性层4c中的Pt的含有量优选为8at％以上且20at％以下。如果Pt的含有量位于上述范围，则可以获得适于进行高记录密度的充分的保磁力，另外，还可以对记录再生时的高再生输出进行维持，这样，可以获得适于进行高密度记录的记录再生特性及热波动特性。另一方面，如果磁性层4c中的Pt的含有量超过上述范围，则磁性层4c中会形成fcc结构的相(phase)，这会有损于结晶性及配向性，并非较好。另外，如果Pt的含有量小于上述范围，则不能获得为了适于进行高密度记录的热波动特性的磁气异方性常数Ku，也并非较好。
构成磁性层4c的磁性颗粒42为非颗粒状结构的磁性层，可包含从Co、Cr、Pt、及B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re、Mn中所选的1种以上的元素。通过包含上述元素，可对磁性颗粒42的微细化进行促进，或者，可提高结晶性或配向性，这样就可以获得适于进行更高密度记录的记录再生特性及热波动特性。
另外，磁性层4c的磁性颗粒42中所含的Co、Cr、Pt之外的上述元素的合计含有量优选为16at％以下。如果上述元素的合计含有量超过16at％，则磁性颗粒42中会形成hcp相以外的相，这样，磁性颗粒42的结晶性及配向性会发生紊乱，结果会导致不能获得适于进行高密度记录的记录再生特性和热波动特性。
作为适于磁性层4c的材料，特别是可列举出CoCrPt系、CoCrPtB系。在为CoCrPtB系时，Cr和B的合计含有量优选为18at％以上且28at％以下。
作为适于磁性层4c的材料，例如，在CoCrPt系中，优选为Co14～24Cr8～22Pt{Cr含有量为14～24at％，Pt含有量为8～22at％，剩余为Co}，在CoCrPtB系中，优选为Co10～24Cr8～22Pt0～16B{Cr含有量为10～24at％，Pt含有量为8～22at％，B含有量为0～16at％，剩余为残部Co}。
作为适于磁性层4c的其他材料，例如，在CoCrPtTa系中，可为Co10～24Cr8～22Pt1～5Ta{Cr含有量为10～24at％，Pt含有量为8～22at％，Ta含有量为1～5at％，剩余为Co}，在CoCrPtTaB系中，可为Co10～24Cr8～22Pt1～5Ta1～10B{Cr含有量为10～24at％，Pt含有量为8～22at％，Ta含有量为1～5at％，B含有量为1～10at％，剩余为Co}，另外，还可CoCrPtBNd系、CoCrPtTaNd系、CoCrPtNb系、CoCrPtBW系、CoCrPtMo系、CoCrPtCuRu系、CoCrPtRe系等的材料。
「保护层」
垂直磁性层4上形成保护层5。设置保护层5的目的在于可防止垂直磁性层4的腐蚀，还可防止磁头与磁记录介质接触时的介质表面的损伤。作为保护层5，可使用现有技术中的熟知的材料，并可采用熟知的成膜方法来形成，例如，可使用包含硬质非晶体碳、SiO2、ZrO2的材料。保护层5的厚度为1～10nm，这样，因为可使磁头和磁记录介质的距离较小，所以从高记录密度这点来看是较好的。
「润滑层」
保护层5上形成润滑层6。润滑层6优选使用例如全氟聚醚(per fluoro polyether)、氟化醇(fluorinated alcohol)、氟代羧酸(fluorinated carboxylic acid)等润滑剂。
(磁记录再生装置)
图4示出了使用本发明的磁记录再生装置的一例。
该磁记录再生装置包含了由上述制造方法所制造的如图1所示的磁记录介质50；对磁记录介质50进行旋转驱动的介质驱动部51；对磁记录介质50的进行信息记录和再生的磁头52；使磁头52相对于磁记录介质50进行相对运动的磁头驱动部53；及信号记录再生处理系统54。
信号记录再生处理系统54可对从外部输入的数据进行处理并将记录信号送至磁头52，还可对来自磁头52的再生信号进行处理并将数据送至外部。作为磁头52，可采用具有利用了巨大磁气抵抗效果(GMR)的GMR元件等的、适于进行更高记录密度的磁头。
就图4所示的磁记录再生装置而言，因为其具有由本发明的磁记录介质的制造方法所制造的如图1所示的磁记录介质50、及对磁记录介质50进行信息记录和再生的磁头52，所以，其优点在于，具备了可进行更高密度记录的、可靠性较高的磁记录介质50。
[实施例]
下面，通过实施例对本发明的效果进行更明确的说明。这里需要说明的是，本发明并不限定于以下所述实施例，在其技术范围内可进行各种各样的变更。
(实施例1)
通过下面所示的制造方法制作了实施例1的磁记录介质。
首先，将清洗后的玻璃基板(KONICA MINOLTA公司制，外形为2.5英寸)放入DC磁控溅射装置(ANELVA公司制C－3040)的成膜室内，至到达真空度1×10－5Pa为止，对成膜室进行排气。
之后，在该玻璃基板之上，采用Cr靶材，并藉由溅射法(气压为0.8Pa，气体使用了Ar)，进行了层厚为10nm的密着层的成膜。
接下来，在密着层之上，使用Co－20Fe－5Zr－5Ta{Fe含有量为20at％，Zr含有量为5at％，Ta含有量为5at％，剩余为Co}的靶材，并在100℃以下的基板温度下，藉由溅射法(气压为0.8Pa)，进行了层厚为25nm的软磁性层的成膜，然后在其之上，作为Ru层，进行了层厚为0.7nm的成膜，之后再进行由Co－20Fe－5Zr－5Ta组成的、层厚为25nm的软磁性层的成膜，将此作为软磁性底层。
接下来，在软磁性底层之上，作为种晶层，进行了层厚为10nm的由Ni5W组成的膜的成膜，其中，该成膜是藉由溅射法(气压为0.8Pa，气体使用了Ar)来进行的。
接下来，在种晶层之上，作为配向控制层，形成了低气压层和高气压层。
首先，在种晶层之上，作为低气压层，进行了层厚为10nm的Ru的、藉由溅射法(气压为0.8Pa，气体使用了Ar)的成膜。
接下来，在低气压层之上，作为层厚为10nm的高气压层，藉由Ru－17(B2O3)(包含17体积％的B2O3的颗粒状结构的Ru)和溅射法(气压为3Pa，气体使用了Ar)进行了成膜。
接下来，在配向控制层上形成垂直磁性层。
首先，对层厚为9nm的(Co7Cr22Pt)－20(B2O3)(Cr含有量为7at％、Pt含有量为22at％、剩余的Co的磁性颗粒为80体积％，B2O3为20体积％的颗粒状结构的磁性层)藉由溅射法(气压为1.5Pa，气体使用了Ar)进行成膜。
接下来，藉由溅射法(气压为0.8Pa，气体为Ar)进行成膜，以形成RuCo组成的层厚为0.3nm的非磁性层。
接下来，对层厚为9nm的(Co10Cr8Pt3Ru)－21(B2O3)(Cr含有量为10at％、Pt含有量为8at％、Ru含有量为3at％、剩余的Co的磁性颗粒为79体积％、B2O3为21体积％的颗粒状结构的磁性层)藉由溅射法(气压为1.5Pa，气体使用了Ar)进行成膜。
接下来，作为由RuCo组成的层厚为0.3nm的非磁性层，藉由溅射法(气压为0.8Pa，气体使用了Ar)进行成膜。
接下来，对层厚为9nm的(Co10Cr13Pt10Ru)－23(B2O3)(Cr含有量为10at％、Pt含有量为13at％、Ru含有量为10at％、剩余的Co的磁性颗粒为67体积％、B2O3为23体积％的颗粒状结构的磁性层)藉由溅射法(气压为1.5Pa，气体使用了Ar)进行成膜。
接下来，对层厚为7nm的Co15Cr16Pt6Ru(Cr含有量为15at％、Pt含有量为16at％、Ru含有量为6at％、剩余为Co的非颗粒状结构的磁性层)藉由溅射法(气压为0.6Pa，气体使用了Ar)进行成膜。
接下来，藉由离子束法，对层厚为3.0nm的由非晶体碳所组成的保护层进行成膜，接下来，藉有浸渍(dipping)法，对由全氟聚醚(per fluoro poly ether)所组成的层厚为2nm的润滑层进行成膜，据此，制成了实施例1的磁记录介质。
对在上述条件下所制成的实施例1的磁记录介质的最上层的颗粒状结构的磁性层的结晶粒径进行了测定。具体而言，对实施例1的磁记录介质而言，在形成由(Co10Cr13Pt10Ru)－23(B2O3)所组成的颗粒状结构的磁性层后，将基板从溅射装置内取出，藉由TEM的截面观察，对中层的颗粒状结构的磁性层的进行了磁结合的平均结晶粒径进行了测定。
另外，就实施例1的磁记录介质而言，采用美国GUZIK公司制的读写分析仪(reqdwrite analyzer)RWA1632及自旋支架(spinstand)S1701MP，对作为记录再生特性的SNR(信号/噪音比(S/N比))进行了评价。
这里需要说明的是，就磁头而言，写入侧使用了单极(single pole)磁极，读出侧使用了采用TMR元件的磁头。就信号/噪音比(S/N比)而言，以记录密度为750kFCI进行了测定。对记录特性(OW)而言，首先，写入750kFCI的信号，然后，覆盖100kFCI的信号，接下来，藉由频率滤波器取出高频成分，并采用其残留比率对数据的写入能力进行了评价。
另外，对实施例1的磁记录介质的表面粗度采用了原子力显微镜(AFM)进行了测定。
另外，对实施例1的磁记录介质的耐伤(scratch)性也进行了评价。具体而言，采用Kubota Comps公司制的SAF Tester及Candela公司制的光学式表面检查装置(OSA)，在磁盘的旋转数为5000rpm、气压为100Torr、及室温的测定条件下，由SAFTester对磁头进行加载(load)的同时并保持了2000秒，之后，由OSA对受伤的根数进行了计数统计。这些结果示于下面的表2中。
(实施例2～6及比较例1～3)
与实施例1同样地制作了磁记录介质并对其进行了评价。这里，颗粒状结构层为表2所示的组成成分。磁记录介质的评价结果也示于下面的表2中。
[表2]
以上对本发明的较佳实施方式及实施例进行了详述，但是，本发明并不限定于上述的实施方式及实施例，只要不脱离权利要求书所记载的范围，可以对上述实施方式及实施例进行各种各样的变形和置换。

Claims (7)

1.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，至少具有：
在非磁性基板之上形成对正上层的配向性进行控制的配向控制层的步骤；及
形成易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层的步骤，
其中，形成所述配向控制层的步骤具有：采用溅射法形成包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层的步骤，
形成所述垂直磁性层的步骤具有：采用溅射法，在3Pa以下的溅射气压下，对包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层进行成膜的步骤，
所述磁性颗粒是包含Co、Cr、Pt的hcp结构，以包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式结晶成长。
2.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：
所述垂直磁性层包含多个颗粒状结构层，所述多个颗粒状结构层都为包含磁性颗粒及融点为1000℃以下的氧化物的层。
3.如权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：
在包含所述磁性颗粒及融点为1000℃以下的氧化物的多个颗粒状结构层中，各颗粒状结构层中所包含的融点为1000℃以下的氧化物的体积％为越往上层越高。
4.如权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：
所述融点为1000℃以下的氧化物是氧化硼。
5.如权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：
在5Pa以下的溅射气压下，对包含所述Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层进行成膜。
6.一种磁记录介质，其特征在于，至少具有：
在非磁性基板之上对正上层的配向性进行控制的配向控制层；及
易磁化轴相对于所述非磁性基板主要进行了垂直配向的垂直磁性层，
其中，所述配向控制层具有：包含Ru或以Ru为主成分的材料、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层，
所述垂直磁性层具有：包含磁性颗粒、及融点为1000℃以下的氧化物的颗粒状结构层，
所述磁性颗粒是包含Co、Cr、Pt的hcp结构，包含构成所述配向控制层的结晶颗粒并沿厚度方向连续的柱状晶，
所述磁记录介质的表面的由原子力显微镜所测定的表面粗度为2埃以下。
7.一种磁记录再生装置，其特征在于，具有：
如权利要求6所述的磁记录介质；及
对所述磁记录介质进行信息记录和再生的磁头。
CN201410379802.8A 2013-08-05 2014-08-04 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置 Active CN104347088B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013162332A JP6144570B2 (ja) 2013-08-05 2013-08-05 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP2013-162332 2013-08-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104347088A CN104347088A (zh) 2015-02-11
CN104347088B true CN104347088B (zh) 2018-01-05

Family

ID=52427440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410379802.8A Active CN104347088B (zh) 2013-08-05 2014-08-04 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9959895B2 (zh)
JP (1) JP6144570B2 (zh)
CN (1) CN104347088B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5896889B2 (ja) * 2012-12-07 2016-03-30 株式会社豊田自動織機 光学選択膜
JP6197833B2 (ja) * 2015-06-30 2017-09-20 株式会社豊田自動織機 太陽熱集熱管及び太陽熱発電装置
CN109923610B (zh) * 2016-11-01 2021-01-29 田中贵金属工业株式会社 磁记录介质用溅射靶
US20230078748A1 (en) * 2021-09-10 2023-03-16 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording media with metal-doped capping layer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1637870A (zh) * 2003-12-24 2005-07-13 日立环球储存科技荷兰有限公司 重直磁记录介质及使用该介质的磁存储设备
CN1648997A (zh) * 2004-01-28 2005-08-03 富士电机电子设备技术株式会社 垂直磁记录介质及制造该垂直磁记录介质的方法
CN101606197A (zh) * 2007-02-06 2009-12-16 昭和电工株式会社 垂直磁记录介质、制造该介质的方法及磁记录和再现装置
CN101836255A (zh) * 2007-08-31 2010-09-15 昭和电工株式会社 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07244831A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Akita Pref Gov 磁気記録媒体の製造法
JP2002197630A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP4074181B2 (ja) * 2002-11-28 2008-04-09 株式会社東芝 垂直磁気記録媒体
JP4185391B2 (ja) 2003-04-07 2008-11-26 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
US7470474B2 (en) 2003-04-07 2008-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus including both oxide and non-oxide perpendicular magnetic layers
US7494726B2 (en) 2004-07-07 2009-02-24 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing same, and magnetic recording device
JP2006085742A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
JP2007272990A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体及びその製造方法
JP2009059431A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Showa Denko Kk 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
JP2009099242A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Hoya Corp 垂直磁気記録媒体
US8057926B2 (en) 2007-09-28 2011-11-15 WD Media(Singapore) Pte. Ltd. Perpendicular magnetic recording medium
JP2009238299A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Hoya Corp 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法
JP2011192319A (ja) * 2008-09-29 2011-09-29 Hoya Corp 垂直磁気記録媒体
WO2010035810A1 (ja) 2008-09-25 2010-04-01 Hoya株式会社 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法
JP2011123976A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
JP5660710B2 (ja) * 2010-08-03 2015-01-28 昭和電工株式会社 ターゲットの製造方法、磁気記録媒体の製造方法
JP6265529B2 (ja) * 2013-01-23 2018-01-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1637870A (zh) * 2003-12-24 2005-07-13 日立环球储存科技荷兰有限公司 重直磁记录介质及使用该介质的磁存储设备
CN1648997A (zh) * 2004-01-28 2005-08-03 富士电机电子设备技术株式会社 垂直磁记录介质及制造该垂直磁记录介质的方法
CN101606197A (zh) * 2007-02-06 2009-12-16 昭和电工株式会社 垂直磁记录介质、制造该介质的方法及磁记录和再现装置
CN101836255A (zh) * 2007-08-31 2010-09-15 昭和电工株式会社 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9959895B2 (en) 2018-05-01
CN104347088A (zh) 2015-02-11
US20150036243A1 (en) 2015-02-05
JP6144570B2 (ja) 2017-06-07
JP2015032336A (ja) 2015-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4580817B2 (ja) 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置
CN103534757B (zh) 磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置
JP5250838B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置
JP4751344B2 (ja) 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
JP2007323724A (ja) パターンド媒体およびその製造方法、ならびに磁気記録再生装置
JP2006155861A (ja) 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録再生装置
JP5775720B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
CN104347088B (zh) 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁记录再生装置
JP6265529B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
CN102270459A (zh) 磁记录介质和磁记录再生装置
CN107068168A (zh) 磁记录介质及磁记录再生装置
CN102385870B (zh) 垂直磁记录介质和磁记录再生装置
JP2010176782A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
CN103514896B (zh) 磁性记录介质及磁性记录装置
JP5890756B2 (ja) 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP2011123976A (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
JP5244679B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP5232730B2 (ja) 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
JP2013246856A (ja) 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP2011192326A (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP2005243093A (ja) 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
CN104575529A (zh) 垂直磁记录介质及磁记录再现装置
JP5771427B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置
JP2010262719A (ja) 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
JP4966396B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230706

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Showa electrical materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha