JPS6339127A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

■　発明の背景 技術分野 本発明は、電気記録媒体、特に金属薄膜型の磁気記録媒
体に関する。 先行技術とその問題点 ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、金属薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。 このような金属薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したＣｏ系、Ｃｏ−Ｎｉ系等
からなる蒸着膜が好適である。 このような、磁性層が強磁性金属薄膜層からなる電気記
録媒体は、塗布型の磁気記録媒体に比べて、バインダー
を含まないため薄型化が容易でかつ飽和磁化も大きいこ
とから有利である。　　しかし、反面、非バインダー型
磁気記録媒体は、磁性層が電気メツキ、無電解メツキ、
スパッタリング、真空蒸着、イオンブレーティング等の
方法によって形成され、バインダーを含まないため、磁
気ヘッドとの接触慴動時、例えば磁気信号の記録、再生
、消去を行う際に、磁気ヘッドとの高速相対運動に起因
する摩擦によって磁性層は削りとられるか、あるいは破
壊され易いものである。　また、非バインダー型磁気記
録媒体は、磁性層の表面が腐食し易く、腐食が進行する
とヘッドタッチ、耐摩耗性等の大川特性が低下し、電磁
変換特性にも悪影響を及ぼす傾向にある。 磁気記録媒体の受ける′＆Ｉｓや摩擦を低減させる手段
として、磁性層の表面に潤滑剤を塗布する方法（特公昭
３９−２５２４６号）かある。 また、潤滑剤を継続的に磁性層表面に供給する手段とし
て電気記録媒体の磁性層と反対側の面に液状ないし半固
体状の：ｒＡ滑剤と有機パインダーを主成分とする潤滑
層（バックコート層）を形成する方法（特公昭５７−２
９７６９号）が提案されている。　この方法では、磁気
記録媒体がロール状に巻かわた際に、裏面のバックコー
ト層からにじみ出た潤滑剤が磁性層の表面に移ることに
より、磁性層の表面に潤滑剤を供給することができ、そ
れによって磁性層の耐久性（スリキズやハガレ程度）を
増大し、かつ動摩捺係数の変化に対しても容易に対応す
ることができるとしている。 しかし、特公昭３９−２５２４６号公報に記載されてい
る方法では、潤滑剤は磁気ヘッド等によって取り去られ
るため潤滑剤作用が永続せず、また防錆、耐久性等の効
果は期待すべくもなかった。 また、特公昭５７−２９７６９号公報に記載されている
方法のように、磁性層の表面にトップコート層を形成し
ないでバックコート層に潤滑剤を含有させただけでは、
磁性層表面と磁気ヘッドとのＦ６ｊ擦は依然として大き
く、走行不良にいたりやすく、耐食性、防錆効果におい
ても満足すべき結果が得られない。　さらに、バックコ
ート層の潤滑剤がトップコートされていない磁性層に裏
型転写されると、例えば蒸着膜において酸素を導入しな
い場合（酸素を含有しない金属膜：特公昭５７−２９７
６９号）では顕著ではないか、現在通常行われている酸
素を導入した場合（酸素含有金属膜）では膜か不安定な
状態となり、出力ダウンして目づまりしたり、画像が出
なくなったり５あるいは摩擦抵抗が十分に低下せずに未
だ大きく、時には膜が削りとられるかあるいは破壊され
てしまうという現象が見られた。 さらに、バックコート層に潤滑剤を含４丁させる方法に
対して、トップコート層に潤滑剤を塗！５する方法が容
易に考えられる。　しかし、この方法では、摩擦は低下
するが一時的なもので継続せず、かつ防錆性、耐食性、
耐久性等が著しく劣った磁気記録媒体しか得られない。 また、耐久性や電磁変換特性を向上させるために、強磁
性金属薄膜層を２層以上の多層構成とする旨の提案も種
々行われている（特開昭５４−１４１６０８号、特公昭
５６−２６８９２号、特開昭５７−１３０２２８号等）
。 しかし、現状では、走行性、耐久性、強磁性薄膜強度が
良好でかつ電磁変換特性の面でも不都合の生じない技術
は未だ実現していない。 ■　発明の目的 本発明の目的は、媒体の走行性が良好で、走行による磁
性層のクラックやケズレが少なく、さらにヘッド摩耗量
およびドロップアウトが少なく、電磁変換特性の良好な
金属薄１摸型の磁気記録媒体を提供することにある。 ■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。 すなわち、本発明はプラスチックフィルム基体−ＦにＣ
Ｏを主成分とする強磁性金属薄膜層をイｆし、この強磁
性金属薄膜層が２層以上の層からなる多層構造を有し、
強磁性金属薄膜層被着時の基体法線に対する被着物質の
最小入射角が基体側の最下層設層時は５０°以下、基体
と反対側の最上層設層時は２０°〜９０”であり、最下
層の基体側界面近傍の酸素濃度Ｃ２を最上層の基体と反
対側表面近傍の酸素濃度Ｃ１で除した値が０．３以下で
あり、上記強磁性金属薄膜層の表面上に、融点−２０〜
３０℃の脂肪酸エステルと、放射線感応不飽和二重結合
を有する基とフッ素置換のアルキル基を有する基を有す
る化合物とを含有するトップコート層を有することを特
徴とする磁気記録媒体である。 ■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。 本発明における磁性層としての強磁性金属薄膜層は少な
くとも２層からなる多層構成を有するものである。　そ
して、本発明に用いる強磁性金属薄膜層は、Ｃｏを主成
分とし、これに０を含み、さらに必要に応じＮｉおよび
／またはＣｒが含有される組成を有する。 すなわち、好ましい態様においては、ｃｏ単独からなっ
てもよく、ＣｏとＮｉからなってもよい。　Ｎｉが含ま
れる場合、Ｃｏ　／　Ｎ　ｉの重量比は、１．５以上で
あることが好ましい。 さらに、強磁性金属薄膜層中には、Ｃｒが含有されてい
てもよい。 このような場合、Ｃｒ　／　ＣｏあるいはＣｒ／（Ｃｏ
＋Ｎｉ）の重量比は０．１以下、特に０．００１〜０．
１、より好ましくは、０．００５〜０．０５であること
が好ましい。 さらに、本発明の強磁性金属薄膜中にはＯが含有される
ものである。 強磁性金属薄膜中の層全体の平均酸素量は、原を比、特
にＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）の原子比で、最上
層における平均酸素量ｃ　＋　”は０．１〜０．５程度
、好ましくは０．１〜０．４程度である。 一ゝト均酸素ｆｆ１ｃ、’が、０．１未満では耐食性、
走行性、磁性層のクラック、ケズレ等の点で不充分であ
り、０．５をこえると、表面酸化物層が増大し、ヘッド
とのスペーシングによる出力の低下等の問題を生じる。 そして、最下層のプラスチックフィルムとの界面近傍の
酸素濃度Ｃ２、特に０／（ＣｏまたはＣｏ　＋　Ｎ　ｉ
　）　ｆ（ｌ子比を、最上層のプラスチックフィルムと
反対側の表面近傍での酸素濃度Ｃ８特に０　／　（Ｃｏ
またはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）原子比で除した値Ｃ２／　Ｃ＋
は０．３以下、より好ましくは０．１５以下であること
が好ましい。 この場合、これら酸素濃度は、強磁性金属薄膜をＡ「等
がイオンミリングないしイオンエツチングしながら、オ
ージェ分光分析、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）等を
行い、測定することができる。 すなわち、イオンエツチングを行ないながら０、Ｃｏ、
Ｎｉ等をカウントし、その膜厚方向のプロファイルを比
較する。 そして、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属薄
膜表面のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）をＣＩとする。 　また、最下層については、プラスチックフィルムまで
エツチングが行なわれ、Ｃがカウントされる直前のＯ／
（Ｃ。 またはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）を０２とする。 イオンエツチングおよびオージェ分光分析ないしＳＩＭ
Ｓの測定法は、常法に従えばよい。 このように最上層表面の酸素濃度を相対的に高くするこ
とにより、保磁力Ｈｃが高くなり、また最下層の酸素濃
度を相対的に低くすることにより、最大残留磁束φ、お
よび角形比ＳＱが高くなり、電磁変換特性がきわめて良
好な磁性層となる。また、本発明の磁性層としての強磁
性金属薄膜層では、最上層と隣接する層の最上層との界
面近傍の酸素濃度Ｃ３、特に０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ
１）ｉ子比を最上層のプラスチックフィルムと反対側の
表面近傍での酸素濃度Ｃ１、特にＯ／（ＣｏまたはＣｏ
＋Ｎｉ）原子比で除した値Ｃ３／　ｃ　＋は０．１〜３
．０、より好ましくは０．２〜２．０であることが好ま
しい。 この場合、プラスチックフィルムと反対側の強磁性金属
薄膜表面のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ，は前述と
同様に測定することができる。　また、最上層に隣接す
る層の最上層との界面近傍での酸素濃度Ｃ３については
、最上層の膜厚に対応するエツチング時のカウントから
０／（ｃｏまたはＣｏ＋Ｎ　ｉ　）を算出し、これを０
３とすればよい。　ただ、各層においては、通常の成膜
条件下ではそのフィルム基体反対面で酸素濃度が最大と
なる。　このため、通常は、イオンエツチングを行ない
ながら０をカウントしたとき、膜内での極大値を０３と
すればよい。 このように最上層表面の酸素濃度Ｃ１を相対的に高くす
ることにより、保磁力Ｈｃが高くなり、また最上層の表
面より下の、最上層に隣接する層との近傍までの部分の
酸素濃度を上記ＣＩより相対的に低くすることにより、
最大残留磁束φｒおよび角形比Ｓ０が高くなり、電磁変
換特性がきわめて良好な磁性層となる。　したがって、
中心周波数５ＭＨｚ程度の比較的磁界の浅い信号は、最
上層で有効に保持されるものとなる。 また、最上層に隣接する層の最上層との界面近傍での酸
素濃度Ｃ３を、上記Ｃ８との関係が前述のようにＣ３／
Ｃ１が０．１〜３．０となる範囲において相対的に高く
することにより、この部分での保磁力Ｈｃが高くなり、
また、最上層に隣接する層の最上層との界面近傍から下
の部分の酸素濃度を上記Ｃ３より相対的に低くすること
により、最大残留磁束φ「および角形比Ｓ０が高くなり
、電磁変換特性がきわめて良好な磁性層となる。　した
がって、中心周波数０．７５ＭＨｚ程度の比較的磁界の
深い信号は、最を層に隣接する層以下で有効に保持され
るものとなる。 そして、上記Ｃ１と０３との関係として前述のようにＣ
３／　Ｃｒが０．１〜３．０となるときに、磁性層の電
磁変換特性、耐食性等が最もバランスの良い優れた磁性
層となる。 なお、表面近傍のＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ，は
、一般に０．２〜０．７、好ましくは０．３〜０．６で
ある。 したがフて１、フィルム界面近傍のＯ／（ＣｏまたはＣ
Ｏ＋　Ｎ　ｊ　）　Ｃ２は０．０６〜０．２１．好まし
くは０．０９〜０．１８である。 また、最上層に隣接する層の最上層近傍のＯ／　（Ｃｏ
またはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ３は０．０７〜０．６、好ましく
は０．１〜０．５である。 さらに、最上層の層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ
１）Ｃ１”は０．１〜０．５、より好ましくは０．１〜
０．４であることが好ましい。　また、最下層の層全体
で０／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎ１）Ｃ２”は、０．５以下
、より好ましくは０．３以下であることが好ましい。　
また、最上層に隣接する層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣ
ｏ＋Ｎ　ｉ　）は０．５以下、より好ましくは０．３以
下であることが好ましい。 このとき、電磁変換特性、耐食性、走行耐久性、磁性膜
強度等はきわめて良好となる。 この場合、３層以上の多層構造の場合、それらの各層の
層全体でのＯ／（ＣｏまたはＣｏ＋Ｎｉ）は、一般に、
０．５以下、好ましくは０．３以下とする。 本発明では、強磁性金属薄膜層表面とフィルム側界面と
の酸素濃度を規制するものであり、また、より好ましい
態様として、強磁性金属薄膜層表面と、最上層に隣接す
る層の最上層近傍との酸素濃度を規ｍＪするものであり
、そのとき、本発明所定の効果が実現するものである。 このため、強磁性金属薄膜の膜厚方向の酸素濃度プロフ
ァイルについては、通常、少なくとも最上層と最下層に
隣接する層との界面に酸素分イＩｉのピークが存在する
ものである。 なお、通常、強磁性金属薄膜は２層とすればよいが、必
要に応じ３層以上、特に３〜５層とすることもできる。 なお、このような強磁性金属薄膜中には、さらに他の微
量成分、特に遷移元素、例えばＦｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｔａ；　Ｔｉ。 Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ等が含まれていてもよい。 このような強磁性金属薄膜層は、好ましい態様において
、上記したＣＯを主成分とする柱状結晶粒の集合体から
なる。 この場合、強磁性金属薄膜層の厚さは、総計で０．０５
〜０．５μｍ、好ましくは、０．０７〜０．３μｍとさ
れる。 そして、このような強磁性金属薄膜層の各層の厚さの比
は特に制限はないが、例えば２層構成の場合、上層と下
層の厚さの比は好ましくは０．１〜１０程度、より好ま
しくは０．２〜０．９が好ましい。 そして、柱状の結晶粒は、各層の厚さ方向のほぼ全域に
亘る長さをもち、その長手方向は、基体の主面の法線に
対する最小角度が、最上層では２０〜９０°、より好ま
しくは２０〜５０°の範囲、最下層では５０°以下、よ
り好ましくは０〜４０゛の範囲にて傾斜していることか
好ましい。 この場合、３層以上の構成における中間に位置する各層
では、柱状結晶粒の基体主面法線に対する傾斜角度は、
通常、最上層と最下層における傾斜角度域内にあればよ
く、特に制限はない。 そして、この場合、相隣接する各磁性層の結晶粒の基体
主面法線に対する傾斜の向きは、媒体の長さ方向で同方
向であってよいが、好ましくは相対向する向きであるこ
とが好ましい。 このような、結晶粒の傾斜の向きを２層構成を例として
模式的に例示すると第１図および第２図のようになる。 第１図および第２図において、磁気記録媒体１は、基体
２上に強磁性金属薄膜下層部３および強磁性金属薄膜上
層部４とを有する。　そして、強磁性金属薄膜下層部３
内の下層結晶粒５の傾斜の向き、強磁性金属薄膜上層部
４内の上層結晶粒６の傾斜の向きは、第１図では媒体の
長さ方向ａで相対向する向きであり、第２図では媒体の
長さ方向ａで同方向である。 また、強磁性金属薄１摸上層部４の基体２と反対側表面
にトップコート層７を有し、基体２の磁性層が設層され
ていない面上には、バックコート層８を有するものであ
る。 本発明では、第１図あるいは第２図のいずれの結晶粒傾
斜を有するものであってよいが、好ましくは、第１図に
示される結晶粒傾斜を有するものが好ましい。 なお、酸素は、表面部の柱状の結晶粒の表面に化合物の
形で存在するものである。 また、結晶粒の短径は、５０〜５００λ程度の長さをも
つことが好ましい。 このように、強磁性金属薄膜層が多層構成をなすことに
より、柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため強磁性
金属薄膜層の膜強度が向上する。 また、最上層の柱状結晶粒が基体主面法線に対し２０〜
９０°の傾きを有し、特に５０°以にの傾きを有するも
のかあるため、例えば、比較的浅い磁界を有する中心周
波数５ＭＨｚ程度の信号は最−Ｆ層にて有効に保持され
得るものとなる。 また、最下層の柱状結晶粒が基体主面法線に対し５０°
以下の傾きを有し、基体に対し立っている状態を呈して
いるため、例えば比較的深い磁界を有する中心周波数０
．７５ＭＨｚ程度の信号は最下層等の下層域にて有効に
保持され得るものとなる。 また、さらに、萌述のように最上層の酸素濃度を高くす
ることにより、耐摩耗性に帰れたＣｏ、Ｎｉ等の酸化物
が最上層に形成されるため、多層構造との相乗効果によ
り、強磁性金属薄膜層の膜強度がより高いものとなる。 本発明の磁気記録媒体に用いられる基体の材質としては
、非磁性プラスチックであれば特に制限はないが、通常
は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン２．６
−ナフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、
仝芳香族ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド等を用い
る。 基体のＪソさは特に制限はないが、本発明では特に２０
μｍ以下、さらに８μｍ以下、特に５〜７μｍ程度の薄
いものに好適である。 ８μｍ以下の基体では、媒体の小型化、長時間記録等の
目的が達成される。　ただし、このノアさかあまり薄く
なりすぎると、磁性層を上述のように多層構造として膜
強度を向上させた効果が相殺され、走行性、出力低下、
ヘッド摩耗等の問題が生じる。 そして、本発明の強磁性金属薄膜層の多層構造化による
電磁変換特性向りの効果は、基板の厚さを薄いものにし
た場合に、より顕著に現われるものである。 例えば、２層構岳を例にとれば、基板の厚さ１０μｍに
おいて、強磁性金属薄膜層を従来の単層構造から本発明
の２層構造にすることによる電磁変換特性の向上中は、
０．７５ＭＨｚの低周波領域の信号で＋６（ｄＢ）程度
、５ＭＮ２の高周波領域の信号で＋６（ｄＢ）程度であ
るが、基板の厚さを７μｍとした場合の向上中は、０．
７５ＭＨｚの低周波領域の信号で＋６（ｄＢ）程度で基
板厚１０μｍの場合と同等であるが、５ＭＨｚの高周波
領域の信号では＋７．５　（ｄＢ）程度まで増大する。 このように、１０μｍ厚の基板に比べ、７μｍ厚の基板
における電磁変換特性の向上が著しいのは、基板厚みを
１０μｍから７μｍにすることにより、基板剛度不足に
よるヘッドタッチが急激に悪化し、５ＭＨｚ等の高周波
領域において、この影響かより大きく、このような場合
に本発明の効果が発現されるものである。 本発明において、磁性層はいわゆる斜め蒸着法によって
形成することか好ましい。 この場合、Ｊ、（体性線に対する蒸着物質の最小入射角
は、最下層設層時においては５０°以下、最下層設層時
においては２０”〜９０°、また、３層以上の構造の場
合における中間に位置する層の設層時においては２０〜
５０°とすることが好ましい。 最小入射角がそわぞれ前記の入射角からはずれたものと
なると、電磁変換特性が低下する。 また、磁性層は一工程で２層以上を、連続して設層して
もよいか、通常は、各層毎に蒸着工程に流して設層する
ことが好ましい。 このように、磁性層の設層を各層毎に分けることにより
、前述のように基体法線に対する磁性柱状結晶粒の傾斜
の向きが相隣接する各層間で、媒体の長さ方向で相対向
する向きとなる。 このような磁性層構成とすることにより、電磁変換特性
は極めて良好となる。 なお、蒸着雰囲気は、通常、アルゴン、ヘリウム、真空
等の不活性雰囲気に、酸素ガスを含む雰囲気とし、１０
−５〜１０°Ｐａ程度の圧力とし、また、蒸着距離、基
体搬送方向、キャンやマスクの構造、配置等は公知の条
件と同様にすればよい。 そして、酸素雰囲気での蒸着により、表面に金属酸化物
の被膜が形成される。　なお、金属酸化物が形成される
酸素ガス分圧は、実験から容易に求めることができる。 なお、表面に金属酸化物の被膜を形成するには、各種酸
化処理が可能である。 適用できる酸化処理としては下記のようなものかある。 ｌ）乾式処理 ａ、エネルギー粒子処理 特願昭５８−７６６４０号に記載したように、蒸着の後
期に、イオンガンや中性ガンにより酸素をエネルキー粒
子として磁性層にさしむけるもの。 ｂ、グロー処理 Ｏ□、Ｎ２０，０２　＋）１２０等とＡｒ。 Ｎ２等の不活性ガスとを用い、これをグロー放電してプ
ラズマを生じさせ、このプラズマ中に磁性膜表面をさら
すもの。 Ｃ１酸化性ガス オゾン、加熱水蒸気等の酸化性ガスを吹き付けるもの。 ｄ、加熱処理 加熱によって酸化を行なうもの。　加熱温度は６０〜１
５０℃程度。 ２）湿式処理 ａ、陽極酸化 す、アルカリ処理、 Ｃ９酸処理 クロム酸塩処理、過マンガン酸塩処理、リン酸塩処理等
を用いる。 ｄ、酸化剤処理 Ｎ２０□等を用いる。 このようなプラスチックフィルムの磁性層が設けられて
いない他方の面上には、裏地層を介して、あるいは直接
バックコート層が設層されることが好ましい。 裏地層はＡ２、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の昨−金
属薄膜またはこれらの金属の合金、さらにはこれらの酸
化物等の薄膜であることが好ましい。 このように形成された裏地層の膜厚は ０．０５〜１．５μｍとされる。 さらにこのような必要に応じ設けられる裏地層の上には
、バックコート層が設層される。 バックコート層には顔料および放射線硬化型化合物のバ
インダーが含有される。 顔料としては、 １）導電性のあるカーボンブラック、グラファイト、ま
た、 ２）無機充填剤として５Ｉ０２、ＴｉＯ２、Ａｊ！２０
３　、Ｃｒ２０３　、ＳｉＣ，ＣａＯ１（：ａＣＯ３，
酸化亜鉛、ゲーサイト、αＦｅ２Ｏ３，タルク、カオリ
ン、 ＣａＳＯ４、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、二硫酸モリブデ
ン、ＺｎＳ等があり、中でも ＣａＣＯ３、カオリン、ＺｎＯ、ゲーサイト、ＺｎＳや
カーボンがイ吏用される。 このような無機顔料の使用量は、 １）に関してはバインダー１００重１部に対して２０〜
２００重量部、また ２）に関しては１０〜３００重量部が適当であり、無機
顔料があまり多くなると、塗膜がもろくなり、かえって
ドロップアウトが多くなるという欠点がある。 なお顔料の平均粒径は、０．Ｏ２Ｎ ２．３μｍ程度より好ましくは０．０２〜０．１μｍと
される。 本発明のバックコート層で用いられる放射線硬化系樹脂
のバインダーは、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアル
コール共重合体（カルボン酸導入のものも含む）、また
はアクリル変性塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコ
ール共重合体くカルボン酸導入のものも含む）およびウ
レタンアクリレート等からなるものが好ましい。 放射線硬化系樹脂については、面記の好ましい組み合わ
せのほかに、ラジカル重合性を有する不飽和二重結合を
示すアクリル酸、メタクリル酸あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、 ジアリルフタレートのようなアリル系二重結合、 マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等の、放
射線照射による架橋あるいは重合する基を熱可塑性樹脂
の分子中に含有または導入した樹脂等を用いることがで
きる。 その他、使用可能なバインダー成分としては、単量体と
してアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド等があ
る。 二重結合のあるバインダーとしては、種々のポリエステ
ル、ポリオール、ポリウレタン等をアクリル二重結合を
有する化合物で変性することもできる。　さらに必要に
応じて、多価アルコールと多価カルボン酸を配合するこ
とによって、種々の分子量のものもできる。 放射線感応樹脂として上記のものはその一部であり、こ
れらは混合して用いることもできる。 さらに好ましいのは、 （Ａ）放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を２個
以上有する、分子量５０００〜１０００００のプラスチ
ック状化合物、（Ｂ）放射線により硬化性をもつ不飽和
二重結合を１個以上有するか、または放射線硬化性を有
しない、分子量３０００〜１０００００のゴム状化合物
、および （Ｃ）放射線により硬化性をもつ不飽和二重結合を１個
以上有する、分子量２００〜３０００の化合物を、 （Ａ）２０〜７０重量％、 （Ｂ）２０〜８０重量％、 （Ｃ）１０〜４０重量％の割合で用いた組み合わせであ
る。 これにより、塗膜の破断強度が上り、塗膜の強化がなさ
れ、バックコート削れが少なく、バックコート層から磁
性層への無機充填剤粉末の移転がないためドロップアウ
トの少ない、かつロール状に巻き取った形での硬化の際
の巻きしまりのない、長さ方向で均一の特性を有する磁
気記録媒体が得られる。 本発明の磁気記録媒体の製造において、有機バインダー
が熱硬化型では、製造過程において、バックコート層の
潤滑剤が磁性薄膜に裏型転写し、前述のような不安定な
走行による出力ダウンが発生し、画像が出なくなるとか
、あるいは、摩擦レベルが未だ大きく不十分であり、裏
型転写により強磁性薄膜が取れたり、あるいは破壊され
るという現象が生じ、好ましくない。 そのため、例えば、磁性層上に設層されるトップコート
を最初に行うことが考えられるが、操作上、傷つきやす
く不都合なことが多い。 さらに、熱硬化型の場合、硬化時の巻きしまりによ゛る
バックコート面の裏型転移のため、熱硬化中のジャンボ
ロールの内側、外側での電磁変換特性の差が問題となる
。 これに対して、放射線硬化型樹脂の場合、製造上、連続
硬化が可能であり、硬化時間も短く、上記の裏型転写が
ないので、ドロップアウトが防止でき、その上放射線硬
化およびトップコート処理がオンライン上で処理できる
ので、省エネルギ一対策、製造時の人員の減少にも役立
ち、コストの低減にもつながる。 特性面では熱硬化時の巻きしまりによるドロップアウト
の外に、ロール状に巻かれたときの内外径の個所の圧力
のちがいにより、磁気テープの長さ方向の距離による出
力差が生じることもなくなる。 面記（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）からなる放射線硬化型
樹脂バインダーにおいて、（Ａ）だけでは柔軟性がなく
もろく、（Ｂ）だけでは弾性の欠けたものであり、（Ａ
）、（Ｂ）を組合わせることにより破壊エネルギー大と
なるが、脆性エネルギーを大とするには；ｔ１１１限が
あり、また（Ａ）、（Ｂ）だけでは硬度が低いためか、
高温多湿下で粘着性が生じ、静摩擦が高くなった。 こねに対し、（Ａ）、（Ｂ）さらに（Ｃ）を組合わせる
ことにより、架橋性が増大し、バインダーの引っ張り強
度大、破断エネルギー、脆性エネルギーが大となり、バ
ックコート削れもなく、硬化度が高い強靭な塗膜となる
。 そのため、５０℃、８０％５日間の高温保存下においた
ところ、粘着を生ぜず、摩擦係数も低く、画像ひずみを
生じなかフた。 これは（Ｃ）を加えることによりバックコート膜の架橋
性が増し、硬化度が増したためである。 （Ａ）、（Ｂ）にさらに（Ｃ）を加えることにより、（
Ａ）、（Ｂ）のみよりなる組成の場合に比べ、（Ａ）成
分が低分子量の方まで使えるようになった。　これは（
Ａ）成分よりなるプラスチック状のものを、（Ｃ）成分
を導入することにより可塑性を向上させた硬化度の向上
となるため、粘弾性にとんだ１光性エネルギーの大なる
塗膜となったものである。 本発明にて用いる放射線硬化型樹脂バインダーにおいて
、（Ａ）の分子量５０００未満、（Ｂ）の分子１３５０
０未満では塗膜が固くなってバックコート削わが激しく
、電磁変換特性も低下し、また（Ｂ）の分子量ｔｏｏｏ
ｏ。 を超えると分散不良のため電磁変換特性が低下するとと
もに、（Ｂ）が放射線硬化性の場合にはその特性が低下
して強度低下を生じる。 （Ｃ）については、分子量が３０００を超えると、架橋
性が低下し、塗膜の強度が低下する。 （Ａ）は１００００〜ａｏｏｏｏ、（Ｂ）は３０００〜
８００００、（Ｃ）は２００〜２５００が好ましい分子
量範囲で、（Ｂ）は放射線硬化性のものが、架橋性を上
げ、塗膜強度が大となるので好ましい。 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の配合比率は、（Ａ）が２０〜
７０重量％、好まくは３０〜７９重量％、（Ｂ）が２０
〜８０重量％、好ましくは２０〜６０重晴％、（Ｃ）が
１０〜４ＯｔｆＬ量％、好ましくは１０〜３０重量％で
ある。 上記の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の化合物の分子量は、次
のような測定方法による数平均分子量によっている。 ※ＧＰＣによるバインダーの平均分子量測定Ｇ　Ｐ　Ｃ
（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｌｏｍａｔｏｇ
ｒａｐｈｙ）とは試料中の分子を移動相中のその大きざ
に基ずいて分離する方法で、分子ふるいの役をする多孔
質ガルをカラムに充填し、液体クロマトグラフィーを行
う方法である。 平均分子量を算出するには、標準試料として分子量既知
のポリスチレンを使い、その溶出時間から検量線を作成
する。 これにより、ポリスチレン換算の平均分子９を計算する
。 与えられた高分子量物質中に、分子量Ｍｉである分子が
Ｎｉ個あフたとすると、 で表わせる。 本発明の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の化合物における不飽
和二重結合は、１分子当り（Ａ）は２以上、好ましくは
５以上、（Ｂ）は１以上、好ましくは５以上、（Ｃ）は
１以上、好ましくは３以七である。 本発明で用いる（Ａ）のプラスチック状化合物は、放射
線によりラジカルを発生し、架橋構造を生じるような、
不飽和二重結合を分子鎖中に２個以−ト含むものなので
あり、これはまた熱可塑性樹脂を放射線感応変性するこ
とによっても得ることができる。 放射線硬化性樹脂の具体例としては　ラジカル重合性を
有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアクリルフタレートのようなアリル系二重
結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等
の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を、熱
可塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂であり、
その池数射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を
有する化合物で、分子量が５０００〜ｔｏｏｏｏｏのも
の、好ましくは１００００〜８００００のものであれば
用いることができる。 放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては、次のような不
飽和ポリエステル樹脂かある。 分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記（２）の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合からなる飽和ポリエステル樹脂
で、多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不
飽和二重結合を含有ｆする不飽和ポリエステル樹脂を挙
げることができる。 放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂は、多塩Ｊ、（酸
成分１種以りと、多価アルコール成分１種以−トに、マ
レイン酸、フマル酸等を加え、常法すなわち触媒の存在
下で、１８０〜２００℃、窒素雰囲気下、脱水あるいは
脱アルコール反応の後、２４０〜２８０℃まで昇温し、
０．５〜１＋ｎｍｔ１ｇの減圧下、縮合反応により得る
ことができる。 マレイン酸やフマル酸等の含有量は、製造時の架橋、放
射線硬化性等から酸成分中１〜４０モル％、好ましくは
１０〜３０モル％である。 放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げることができる。 （１）塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニ−“ルー末端ＯＨ側
′Ａｎアルキル基共重合体、たとえばＵＣＣ社製ＶＲＯ
Ｈ，ＶＹＮＣ，ＶＹＢＧＸ、　　ＶＥＲＲ。 ＶＹＥＳ、ＶＭＣＡ、ＶＡＧＨ等が挙げられ、このもの
に後述の手法により、アクリル系二重結合、マレイン酸
系二重結合、アリル系二重結合を導入して、放射線感応
変性を行う。 （２）飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸、のような飽和多塩基酸と、エチ
レングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、
トリメチロールプロパン、１，２プロピレングリコール
、！、３ブタンジオール、ジプロピレングリコール、１
．４ブタンジオール、１，６ヘキサンジオール、ペンタ
エリスリット、ソルビトール、グリセリン、ネオペンチ
ルグリコール、１．４シクロヘキサンジメタツールのよ
うな多価アルコールとのエステル結合により得られる飽
和ポリエステル樹脂、またはこれらのポリエステル樹脂
をＳ　Ｏ−）−Ｎ　ａ等で変性した樹脂（例えばバイロ
ン５３Ｓ）が例として挙げられ、これらも同様にして放
射線感応変性を行う。 （３）ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂およびこれらの成分の共重合体で、
これら樹脂中に含まれる水酸基に対し、後述の手法によ
り放射線感応変性を行う。 （４）エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂ビスフェノー
ルＡとニブクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例えばシェル化学源（エピ
コート１５２゜１５４．８２８，１００１，１００４．
１００７）、ダウケミカル製（ＤＥＮ４３１．ＤＥＲ７
３２、ＤＥＲ５１１，ＤＥＲ３３１）、大日木インキ社
製（エピクロン４００，８００）、さらに上記エポキシ
の高重合度樹脂であるＵＣＣ社製フェノキシ樹脂（Ｐに
ＨＡ、ＰにＨＣ。 ＰにＨＨ）、臭素化ビスフェノールＡとエピクロルヒド
リンの共重合体、大日本インキ化学工業製（エピクロン
１４５，１５２，１５３．１１２０）等がある。 ・これら樹脂中に含まれるエポキシ基を利用して、放射
線感応変性を行う。 （５）繊維素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは、硝化
綿、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、
ブチルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である
。 樹脂中の水酸基を利用して後述の方法により放射線感応
変性を行う。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルボロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステル、およびメタクリエステルを
重合成分として、少なくとも１種含むアクリル系樹脂等
も有効である。 本発明で用いる（Ｂ）の高分子化合物は、熱可塑性エラ
ストマーもしくはプレポリマー、またはこれらを放射線
感応変性したものであり、後者の場合は、より効果的で
ある。 以下にエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げる
。 （１）ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー ウレタン化合物の例としては、イソシアネートとして、
２．４−）ルエンジイソシアネート、２．６−トルエン
ジイソシアネート、１゜３−キシレンジイソシアネート
、１．４−キシレンジイソシアネート、１．５−ナフタ
レンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネー
ト、３．３−ジメチル−４，４−ジフェニルメタンジイ
ソシアネート、４，４−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、３．３−ジメチルビフェニレンジイソシアネート
、４．４−ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート、イソフオロンジイソシアネート
、ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、デスモジ
ュールＬ、デスモジュールＮ等の各種多価イソシアネー
トと、 線状飽和ポリエステル（エチレングリコール、ジエチレ
ングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、
１．４−ブタンジオール、１．６−ヘキサンジオール、
ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペンチルグリ
コール、１．４−シクロヘキサンジメチノールのような
多価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタ
ル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸のような飽和
多塩基酸との縮重合によるもの）、 線状飽和ポリエーテル（ポリエチレングリコール、ポリ
プロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール
）やカプロラクタム、ヒドロキシル含有アクリル酸エス
テル、ヒドロキシ含有メタクリル酸エステル等の各種ポ
リエステル類の縮合物よりなるポリウレタンエラストマ
ー、プレポリマーが有効である。 これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基または水酸基と、アクリル系二重結合またはアリル系
二重結合を有する単量体とを反応させることにより、放
射線感応性に変性することは非常に効果的である。 （２）アクリロニトリル−ブタジェン共重合エラストマ
ー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマー、あるいは日本ゼ
オン社製ハイカー１４３２Ｊ等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生じ
、架橋および重合させるエラストマー成分として適する
。 （３）ポリブタジエンエラストマー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレジ
ンＲ−１５等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが、特に熱可塑性との相溶性の点で好適である。 Ｒ−１５プレポリマーにおいては、分子末端が水酸基と
なっているため、分子末端にアクリル系不飽和二重結合
を付加することにより放射線感応を高めることが可能で
あり、バインダーとしてざらに仔利となる。 また、ポリブタジェンの環化物、日本合成ゴム製ＣＢＲ
−Ｍ９０１も熱可塑性樹脂との組合わせにより、すぐれ
た性質を有している。 その他、熱可塑性エラストマーおよびそのプレポリマー
の系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム
、塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム、およびそ
の環化物（日本合成ゴム製ＣｌＲ７０１）があり、エポ
キシ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル（東洋
紡バイロン＃３００）等のエラストマーも下記に述べる
放射線感応変性処理を施すことにより有効に利用できる
。 本発明で用いられる（Ｃ）放射線硬化性不飽和二重結合
を有する化合物としては、 スチレン、エチルアクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
ジエチレングリコールアクリレート、ジエチレングリコ
ールジメタクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、多
官能オリゴエステルアクリレート（アロニックスＭ−７
１００、東亜合成）、ウレタンエラストマーにツボラン
４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらのものに
Ｃ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 次に、放射線可能性バインダー合成例を説明する。 ａ）塩化ビニール酢酸ビニール共重合系樹脂のアクリル
変性体（放射線感応変性樹脂）の合成ＯＨ基を有する一
部ケン化塩ビー酢ビ共重合体（平均重合度　ｎ＝５００
）７５０部とトルエン１２５０部、シクロへキサノン５
００部を５１の４つ目フラスコに仕込み、加熱溶解し、
８０℃昇温昇温ジトリレンジイソシアネート−ヒドロキ
シエチルメタクリレートアダクト※を６１，４部加え、
さらにオクチル酸スズ０．０１２部、ハイドロキノン０
．０１２部を加え、８０℃てＮ妖気流中、ＮＧＯ反応率
が９０％となるまで反応せしめる。 反応路７′後冷却し、メチルエチルケトン１２５０分を
加え希釈する。

【※トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）の２−とドロ
キシエチルメタクリレ−）−（２ＨＥＭＡ）アダクトの
製法 ＴＤ　Ｉ　３４８部をＮ）−Ｅ気流中１１（７）４ツロ
７ラスコ内で８０℃に加熱後、２−エチレンメタクリレ
ート２６０部、オクチル酸スズ０．０７部、ハイドロキ
ノン０．０５部を反応缶内の温度が８０〜８５℃となる
ように冷却コントロールしながら滴下終了後８０℃で３
時間撹拌し、反応を完結させる。 反応終了後取り出して、冷却後、白色ペースト状のＴＤ
Ｉの２ＨＥＭＡを得た。】 ｂ）ブラチール樹脂アクリル変性体に合成（放射線感応
変性樹Ｎ） ブチラール樹脂積水化学製ＢＭ−Ｓ１００部をトルエン
１９１．２部、シクロへキサノン７１．４部と共に５１
の４つ目フラスコに仕込み、加熱溶解し、８０℃昇温後
ＴＤＩの２ＨＥＭＡアダクト※を７．４部加え、さらに
オクチル酸スズ０．０１５部、ハイドロキノンｏ、ｏ　
ｉ　ｓ部を加、ｔ、８０℃テＮ　）（Ｚ　ｍ　中ＮＧＯ
反応率が９０％以上となるまで反応せしめる。 反応終了後冷却し、メチルエチルケトンにて希釈する。 Ｃ）飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成（放射
線感応変性樹脂） 飽和ポリエステル樹脂（東洋紡バイロンＲＶ−２００）
、１００部をトルエン１１６部、メチルエチルケトン１
１６部に加熱溶解し、８０℃昇温後、ＴＤＩの２ＨＥＭ
Ａアダクト※を３．５５部加え、さらにオクチル酸スズ
０．００７部、ハイドロキノン０．００７部を加え、８
０℃でＮ２気流中ＮＣＯ反応率が９０％以上となるまで
反応せしめる。 ｄ）ｉ）　　エポキシ樹脂アクリル変性体の合成（放射
線感応変性樹脂） エポキシ樹脂（シェル化学製エピコート１００７）４０
０部をトルエン５０部、メチルエチルケトン５０部に加
熱溶解後、Ｎ、Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．００６
部、ハイドロキノン０．００３部を添加し８０℃とし、
アクリル酸６９部を滴下し、８０℃で酸価５以下となる
まで反応せしめる。 ｉｉ）フェノキシ樹脂アクリル変性体の合成（放射線感
応変性樹脂） ＯＨ基を有するフェノキシ樹脂（ＰにＨＨ：ＵＣＣ社製
　分子量３００００）６００部、メチルエチルケトン１
８００部を３１の４つ目フラスコに仕込み、加熱溶解し
、８０℃昇温後、トリレンジイソシアネートの２とドロ
キシエチルメタクリレートアダクトを６．０部加え、さ
らにオクチル酸スズ０．０１２部、ハイドロキノン０．
０１２部を加え、８０℃でＮ妖気流中、ＮＧＯ反応率か
９０％となるまで反応せしめる。 このフェノキシ変性体の分子量は、 ３５０００．１分子当りの二重結合は１個である。 ｅ）ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成（放射
線硬化性エラストマー） 末端イソシアネートのジフェニルメタンジイソシアネー
ト（ＭＤＩ）系ウレタンプレポリマー（日本ポリウレタ
ン製ニツポラン３１１９）２５０部、２ＨＥＭＡ３２．
５部、ハイドロキノン０．０７部、オクチル酸スズ ０．００９部を反応缶にいれ、８０℃に加熱溶解後、Ｔ
ＤＩ４３．５部を反応缶内の温度が８０〜９０℃となる
ように冷却しながら滴下し、滴下終了後、８０℃で反応
率９５％以上となるまで反応せしめる。 ｆ）ポリエーテル系末端ウレタン変性エラストマーアク
リル変性体く放射線硬化性エラストマー）の合成 ロ木ポリウレタン社製ポリエーテルＰＴＧ−５００，２
５０部、２ＨＥＭＡ３２．５部、ハイドロキノン０．０
７部、オクチル酸スズ０．００９部を反応缶にいれ、８
０℃に加熱溶解後、ＴＤＩ４３．５部を反応缶内の温度
が８０〜９０℃となるように冷却しながら滴下し、滴下
終了後、８０℃で反応率９５％以上となるまで反応せし
める。 ｇ）ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合成
（放射線硬化性エラストマー）シンクレアベトロケミカ
ル社製低分子量末端水酸基ポリブタジェンポリＢＤリク
イットレンジンＲ−１５２５０部、２ＨＥＭＡ３２．５
部、ハイドロキノン０．０７部、オクチル酸スズ０．０
０９部を反応缶にいわ、８０℃に加熱溶解後、ＴＤＩ４
３．５部を反応缶内の温度が８０〜９０℃となるように
冷却しながら滴下し、滴下終了後、８０℃で反応率９５
％以上となるまで反応せしめる。 高分子には、放射線照射により崩壊するものと分子間に
架橋を起こすものが知られている。 分子間に架橋を起すものとしては、ビリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル、
ポリアクリルアミド、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、
ポリビニルピロリドンゴム、ポリビニルアルコール、ポ
リスチレンがある。 このような架橋型ポリマーであれば、上記のような変性
を特に施さなくても、架橋反応が起こるので、面記変性
体の他に、これらの樹脂はそのまま放射線架橋用バック
コート樹脂として使用可能である。 さらにまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型の樹脂であっても、短時間で硬化することができるの
で、この上うな樹脂をバックコート用として用いること
ができる。 本発明に用いる放射線硬化性樹脂組成物の、特に好まし
い組合わせとしては、 （Ａ）の化合物が一部ケン化した塩化ビニール−酢酸ビ
ニール共重合体、カルボン酸が導入された塩化ビニール
−酢酸ビニール共重合体、フェノキシ樹脂にポリイソシ
アネート化合物を反応させて得られたイソシアネート基
を有する化合物に、イソシアネート基との反応性を有す
る官能基をもつアクリル化合物、あるいはメタクリル化
合物を反応させてなる化合物であり、（Ｂ）の化合物が
ポリオールにイソシアネート化合物を反応させて得られ
た、イソシアネート化合物またはポリオール（ポリウレ
タンエラストマー）に、反応性を有する官能基をもつア
クリル化合物あるいはメタクリル化合物を反応させてな
る化合物であり、 （Ｃ）が多官能（メタ）クリレートモノマー、オリゴエ
ステルアクリレート、または（Ｂ）の低分子量化合物と
いうものである。 このようなバックコート層の膜厚は０．２〜２．５μｍ
であり、より好ましくは０．３〜１．５μｍ程度とされ
る。　＠厚が０．２μｍ未満であると充分な走行安定性
が得られなくなり、また２、５μｍをこえるとバックコ
ート層のケズレが発生するからである。 なお、バックコート層には、上述したような顔料、打機
バインダーの他に、必要に応じて潤滑剤等の種々の公知
の添加剤を含有させてもよい。 塗布溶剤としては、ＭＥに、シクロヘキサノン、ＭＩＢ
Ｋ等のケトン系、ＩＰＡ等のアルコール系、トルエン等
の芳香族系、ジクロロエタン等のハロゲン系などが用い
られる。 使用に際しては、これらの１種類を単独で用いたり、２
種類以上を混合して用いたり、いずれでもよい。 潤滑剤としては（分散剤をも含めて）、従来この種のバ
ックコート層に用いられる種類のものはいずれも用いる
ことができるが、 カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、
バルミチン酸、ステアリン酸、べへン酸、オレイン酸、
エライジン酸、リール酸、リルン酸、ステアロール酸等
の炭素数１２以１−の脂肪酸（ＲＣＯＯＨ，Ｒは炭素数
１１以上のアルキル基）；前記の脂肪酸のアルカリ金属
（Ｌｉ、Ｎａ、に等）またはアルカリ土類金属（Ｍｇ、
Ｃａ、Ｂａ等）からなる金属石鹸；レシチン等が使用さ
れる。 この他に、炭素数１２以上の高級アルコール、およびこ
れらの硫酸エステル、界面活性剤、チタンカップリング
剤、シランカップリング剤等も使用可能である。 これらの潤滑剤（分散剤）はバインダー１００重量部に
対して１〜２０重量部の範囲で添加される。 潤滑剤としては、上記の他にシリコンオイル、グラファ
イト、二硫化モリブデン、二硫化タングステン、炭素数
１２〜１６個の一塩基性脂肪酸と炭素数３〜１２個の一
価のアルコールからなる脂肪酸エステル類、炭素数１７
個以上の一塩基性脂肪酸とこの脂肪酸の炭素数と合計し
て、炭素数が２１〜２３個よりなる一価のアルコ一ルと
からなる脂肪酸エステル等が使用される。 これらの潤滑剤はバインダー１００重量部に対して０．
２〜２０重量部の範囲で添加される。 また、その他の添加剤としては、この種のバックコート
に用いるものは何にでも用いることができるが、例えば
、帯電防止剤として、サポニンなどの天然界面活性剤； アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシドール
系などのノニオン界面活性剤：高級アルキルアミン類、
第４級アンモニウム塩類、ピリジンその他の複素環類、
ホスホニウムまたはスルホニウム類などのカチオン界面
活性剤： カルポン酸、スルホン酸、リン酸、硫酸エステル基、リ
ン酸エステル基等の酸性基を含むアニオン界面活性剤ニ アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコールの
硫酸またはリン酸エステル類等の両性活性剤などが使用
される。 また、本発明のバックコート層あるいは後述するトップ
コート層に含まれる潤滑剤、酸化防止剤等としては放射
線硬化型のものが好ましい。 このような場合、その架橋に使用する活性エネルギー線
としては、放射線加速器を線源とした電子線、Ｃｏ６０
を線源としたγ−線、５ｒ９０を線源としたβ−線、Ｘ
線発生機を線源としたＸ線、あるいは紫外線が使用され
る。 特に照射線源としては、吸収線量の’ｔｆｉＪ御、製造
工程ラインへの導入、電離放射線の遮断等の見地から、
放射線加熱器により放射線を使用する方法か有利である
。 」二記のバックコート層、および下記のトップコート層
を硬化する際に使用する放射線特性としては、透過力の
面から加速電圧１００〜７５０Ｋｖ、好ましくは１５０
〜３００にＶの放射線加速器を用い、吸収線量を０．５
〜２゜メガラッドになるように照射するのが好都合であ
る。 本発明の放射線硬化に際しては、米国エナージーサイエ
ンス社にて製造されている低線量タイプの放射線加速器
（エレクトロカーテンシステム）等がテープコーティン
グ加エラインへの導入、加速器内部の２次Ｘ線の遮断等
に極めて有利である。 また、従来より放射線加速材として広く活用されている
ことろのファンデグラフ型加速器を使用してもよい。 また、放射線架橋に際しては、Ｎ２ガス、Ｈｅガス等の
不活性ガス気流中で放射線をバックコート層、トップコ
ート層に照射することが重要であり、空気中で放射線を
照射することは、バインダー成分の架橋に際し、放射線
照射による生じた０３等の影響でポリマー中に生じたラ
ジカルが有利に架橋反応に働くことを阻害するので、極
めて不利である。 したがって、活性エネルギー線を照射する部分の雰囲気
は、特に酸素濃度が最大で５％であるＮ２．Ｈｅ、Ｃｏ
□等の不活性ガス雰囲気に保つことが重要となる。 また、バックコート層が設けられる基体ないし裏地層の
表面には、接着強度を向上させる目的でプラズマ処理を
施すことが好ましい。　このようなプラズマ処理は通常
、無機ガスを処理ガスとして行われ、これらの処理ガス
の中では特にＯ，Ｎ、Ｈとを含む処理ガスを用いるのが
好ましい。 プラズマ処理の周波数については特に制限はないが、よ
り好ましくは１０ＫＨｚ〜 ２００にＨｚの周波数で行うのが好適である。 このようなプラズマ処理によって裏地層とバックコート
層の接着強度は格段と向上する。 なお、裏地層を設ける前にプラスチックフィルム上にプ
ラズマ処理を施すこともできる。 以上、述べてきたような磁気記録媒体の磁性層の上には
、さらにトップコート層が設けられる。 トップコート層には、脂肪酸エステルおよび放射線感応
不飽和二重結合を有する基とフッ素置換のアルキル基と
を有する化合物を含有させる。 トップコート層に含有される脂肪酸エステルは、その物
性として融点−２０〜３０℃、より好ましくは一１０〜
２５℃のものを用いるのか好適である。 融点が一２０℃未満のものは、高温での拐滑性が得られ
ず、例えば４０℃の環境下でヘッド目づまりやハリツキ
を生じ、また３０℃をこえるものは低温での１４滑性が
得られず、例えば０℃環境下ではシリンダーへのハリツ
キやナキを発生するという不都合がある。 そのため、このような物性を有する脂肪酸エステルとし
ては、例えば１、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン
酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸などの炭
素数４〜２４の一塩基性脂肪酸と炭素数１〜１２の一価
の飽和アルコールとからなるものであり、この中でも特
に、炭素数６〜２０の一塩基性脂肪酸と一価の飽和アル
コールとからなる合計の炭素数７〜２６の脂肪酸エステ
ル等が好ましい。 トップコート層中に合作されるこのような脂肪酸エステ
ルは、通常１種のものを用いるが、必要に応じて２種以
上を混合して用いてもよい。 以下に一２０〜３０℃の融点をもつ脂肪酸エステルの具
体例を示す。 Ｅｌ　　ラウリン酸メチル（ｍ、ｐ、−５，０℃）Ｒ２
トリカデン酸メチル（ｍ、ｐ＝２０．５℃）Ｒ３ミリス
チン酸メチル（ｍ、ｐ、＝１８．５℃）Ｒ４ペンタデカ
ン酸メチル（ｍ、ｐ＝１８．５℃）Ｒ５マルガリン酸メ
チル（０１，ｐ、−２９，７℃）Ｒ６オレイン酸メチル
（ｌｌＩｌ、ｐ、−１９，９℃）Ｅｌ　　リシノール酸
メチル（ｍ、ｐ、＝−４，５℃）Ｒ８ラウリン酸エチル
（ｍ、ｐ、−１，８℃）Ｒ９トリデカン酸エチル（ｍ、
ｐ、−４，８℃）ＥＩＯミリスチン酸エチル（ｍ、ｐ、
”１２Ｊ℃）Ｅｌｌ　　ペンタデカン酸エチル（ｏ＋、
ｐ、−１４，０℃）Ｅｌ２　　バルミチン酸エチル（ｍ
、ｐ、−２５，０℃）Ｅｌ３　　マル力リン酸エチル（
ｍ、ｐ、−２５，７℃）Ｅｌ５　　ラウリン酸ブチル（
ｍ、ｐ、−４，８℃）Ｅｌ６　　ラウリン酸へブチル（
＋ｎ、ｐ、−２，０℃）Ｅｌ７　　ラウリン酸ドデシル
（ｍ、ｐ、−２１，０℃）Ｅｌ８　　ミリスチン酸ブチ
ル（ＩＩｌ、ｐ、・１．０℃）Ｅｌ９　　バルミチン酸
プロピル（ＩＩｌ、ｐ、＝２０．４℃）Ｒ２０バルミチ
ン酸ブチル（ｍ、ｐ、１８．３℃）Ｒ２１バルミチン酸
アミル（ｍ、ｐ、−１９，４℃）Ｒ２２バルミチン酸オ
クチル（ｍ、ｐ、−２２，５℃）Ｒ２３バルミチン酸デ
シル（ｍ、ｐ、−３０，０℃）Ｒ２４ステアリン酸ブチ
ル（ｍ、ｐ、＝２７．５℃）Ｒ２５ステアリン酸アミル
（ｎ＋、ｐ、−３０，０℃）Ｒ２６ミリスチン酸イソプ
ロピル （［１１，ｐ、−９，０℃） Ｒ２７バルミチン酸イソプロピル （ｍ、ｐ、−１５，０℃） Ｒ２８カプリン酸メチル（ｍ、ｐ、−１８℃）Ｒ２９カ
プリン酸エチル（ｍ、ｐ、＝−１９，９℃）Ｒ３０ウン
デカン酸エチル（ｏ＋、ｐ、−１４，７℃）Ｒ３１カプ
ロン酸ウンデシル （ｍ、ｐ、−−１０，５℃） Ｒ３２カプリン酸へブチル（ｍ、ｐ、−１０−２℃）Ｒ
３３カプリル酸オクチル（Ｉｌｌ、ｌ）、−１５，１℃
）Ｒ３４カプリン酸ブチル（ｍ−ｐ、＝−２０，０’Ｃ
）さらにトップコート層中には、放射線感応不飽和二重
結合を有する基と、フッ素置換のアルキル基とを有する
化合物を含有させる。 この場合、放射線感応不飽和二重結合を有する基として
は、ＣＨ２＝ＣＲ２−ＣＯ−で示される基（Ｒ２は水素
原子またはアルキル基を表わす）が好ましい。 また、フッ素置換のアルキル基としては、炭素原子数２
〜２０のアルキル基であって、その複数の水素原子がフ
ッ素原子によって置換されたものである。　そして、こ
れらのうち、特にＣｎ　Ｆ　２．＋１−で示されるもの
（ｎは２〜２０の整数である）が好ましい。 このような化合物としては、特に下記の式（Ｉ）または
（ｎ）で示される化合物が好ましい。 式（Ｉ） 式（ＩＩ） （上記式（Ｉ）および（Ｉ［）において、Ｒ１はフッ素
置換のアルキル基、ＬｌおよびＲ２はそれぞれ２僅の連
結基、Ｒ２は水素原子またはアルキル基を表わし、ｍは
１または２である。） 上記式（Ｉ）および（ＩＩ）において、Ｒ，は、好まし
くは炭素数２〜２０のフッ素置換のアルキル基を表わし
、特に、 ＣｎＦ　　　−で示される基（ｎは２〜２ｏの整２ｎ＋
１ 数であり、異なる整数の混合体であってもよい）が好ま
しく、例えば、Ｃ４Ｆｇ、 Ｃ３Ｆ１１％Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ＋７、Ｃ
９Ｆ＋９、Ｃｌ０Ｆ２１等が好適である。 Ｌ】およびＬ２は、それぞれ置換または非置換のアルキ
レン基、またはアリーレン基、あるいはこれらと結合し
た基、あるいはこれらと、−〇−１−Ｓ−１−５０２−
１−ＣＯ−１−ＣＯＯ−１−ＯＣＯ−１そわぞれ置換ま
たは非置換の−ＮＨ−１−８０２　ＮＨ−１−ＮＨＳＯ
２−１−ＣＯＮＨ−１−ＮＨＣＯ−等が結合した基が好
ましい。　これらのうちでは、特に炭素原子数１〜４の
非置換のアルキレン基等が好適である。 なお、これらのＬｌとＬ２は同一でも異なっていてもよ
い。 またし＋　、　し２は、さらに他の置換基、例えばアル
キル基、アリール基、ヒドロキシ基、さらｋｌｔｃＨ２
＝ＣＲ２Ｃｏｏ−Ｌｌ　−基等で置換されていてもよい
。 Ｒ２は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基を表わ
し、特に、水素原子、メチル基が好適である。 また、ｍは１または２である。 以下に式（Ｉ）および式（ｎ）で表ねされる化合物の具
体例を挙げる。 Ｆｌ　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｏ■ Ｆ２　　　　　　　　　　　　　　　　０ｃ８Ｆ、７Ｃ
２Ｈ４−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ２Ｆ３　　　　　　　　　
　　　　　　　０鱒 りｒ１Ｕ の　Ｑ ＝１１ Ｕ−。 ０−〇 〇 ＝ ＝ 中 ０−ユ ＝ ニ ― 、′Ｊ３ り このような化合物は公知の方法を用いて容易に製造する
ことかできる。 一例を挙げるならば、式（１）および式（ＩＴ）中のＲ
１としてＣｎＦ　　　基を有するハ２ｎ＋１ ０ゲン化化合物、例えばｃａ　Ｆ１７−Ｃ２Ｈ４１を水
と反応させて対応するアルコール、例えばｃａ　Ｆ、７
−Ｃ２Ｈ，−ＯＨを作る。　強酸を触媒として用いこの
アルコールを不飽和酸、例えばアクリル酸を縮合反応さ
せて所望の化合物、例えば 層 ｃａ　Ｆ、７−Ｃ２Ｈ４−０−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ２を得る
ことができる。 このような式（Ｉ）および式（ＩＩ）で表わされる化合
物は、式（Ｉ）もしくは式（ＩＩ）の化合物の１種のみ
用いてもよく、その２種以上を適当に混合して用いても
よく、その総合Ｗ量は脂肪酸エステル１００重量部に対
して、２００１１ｆ　Ｕｔ部部下下より好ましくは１０
〜１００重量部とされる。　このような範囲をはずれる
と目づまり、ハリツキ、ジッターの増加等の不都合があ
る。 このようなトップコート層は、放射線感応不飽和二重結
合を有する化合物を使用することによって磁性層との接
着力が向上し、このため耐久性が向上する。　好ましく
は活性化エネルギー線を照射して架橋反応を行わせるこ
とによって、トップコート層は磁性層と迅速に結合し、
耐久性がさらに向上する。　また、本発明のトップコー
ト層は例えば、ＣｎＦ　　　（ｎは２ｎ＋１ ２〜２０の間の整数である）等で表わされるフッ素置換
のアルキル基を有する化合物を用いることによって特に
優れた走行安定性を有する。 放射線感応性化合物におけるＣ　ｎ　Ｆ　２ｎ＋Ｉのｎ
か２０をこえるとトップコート層の磁性層への総合力が
弱くなり、またｎが２未満になると潤滑性が著しく低下
するため好ましくない。 さらに、本発明のトップコート層は、放射線感応不飽和
二重結合と例えばＣｎＦ　　　等で表２ｎ＋１ わされるフッ素置換のアルキル基の両方を有する化合物
を使用することにより、走行性はきわめて向上し、ケズ
レやヘッドの目づまりが生じない。 このような組成成分を含有するトップコート層は通常グ
ラビアコート、リバースロールコート、エアーナイフコ
ート、エアードクターコート等を用いて設層され、上述
したように放射線加速器を線源とした電子線、Ｃｏ６０
を線源としたγ−線、５ｒ９０を線源としたβ−線、Ｘ
線発生器を線源としたＸ線あるいは紫外線等の活性化エ
ネルギー線を照射して硬化させられる。　照射量は、０
．５〜２０　Ｍ　ｒ　ａ　ｄの範囲が好ましい。 塗布溶剤としては、前述したバックコート層の場合と同
様にＭＥに、シクロヘキサノン、ＭＩＢに等のケトン系
、ＩＰＡ等のアルコール系、トルエン等の芳香族系、ジ
クロロエタン等のハロゲン系などが用いられる。 使用に際しては、これらの１種類を単独で用いたり、あ
るいは２種類以上を混合して用いたり、いずれでもよい
。 本発明のトップコート層には、必要に応じてさらに公知
の種々の潤滑剤、酸化防止剤、硬化剤等を含有してもよ
い。 潤滑剤としては従来この種の磁気記録媒体に用いられて
いる潤滑剤、例えばシリコーンオイル、フッ素オイル、
アルコール、脂肪酸、パラフィン、流動パラフィン、界
面活性剤等を用いることかできるが、特に脂肪酸が好ま
しい。 脂肪酸としては炭素数１２以上の脂肪酸（ＲＣＯＯＨ，
Ｒは炭素数１１以上のアルキル基）、例えばカプリル酸
、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン
酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、エライジン
酸、リノール酸、リルン酸、ステアロール酸等が好まし
い。 シリコーンオイルとしては脂肪酸変性よりなるもの、一
部フッ素変性されているものが使用される。　アルコー
ルとしては高級アルコールよりなるもの、フッ素オイル
としては電解置換、テロメリゼーション、オリゴメリゼ
ーション等によって得られるものが使用される。 さらに、潤滑剤として放射線硬化型のものを好適に用い
ることができる。　放射線硬化型潤滑剤を使用した場合
、潤滑剤の裏型転写が抑えられ、これにより、ドロップ
アウトの防止、ロール状に巻かれたときの内外径の個所
による出力の差の現象の他、オンライン−トでの製造が
可能である等の利点が生ずる。 放射線硬化型潤滑剤としては、滑性を示す分子鎖とアク
リル系二重結合とを分子中に有する化合物、例えばアク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニル酢酸エ
ステル、アクリル酸アミド系化合物、ビニルアルコール
エステル、メチルビニルアルコールエステル、アリルア
ルコールエステル、グリセライド等があり５これらの潤
滑剤を構造式で表すと、 ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２Ｃ０ＯＲ。 ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＮＨＣＨ２０ＣＯＲ。 ＣＨ２０ＣＯＲ ＲＣＯＯＣＨ＝ＣＨ２、 等（ここで、Ｒは直鎖または分枝状の飽和もしくは不飽
和炭化水素基で、炭素数は７以上、好ましくは１２以上
２３以下であり、これらはフッ素置換体とすることもで
きる）である。 これら放射線硬化型■滑剤の好ましい具体例としては、
ステアリン酸メタクリレート（アクリレート）、ステア
リルアルコールのメタクリレート（アクリレート）、グ
リセリンのメタクリレート（アクリレート）、グリコー
ルのメタクリレート（アクリレート）、シリコーンのメ
タクリレート（アクリレート）等を挙げることかできる
。 本発明のトップコート層に用いる放射線硬化型添加剤の
架橋に使用する活性エネルギー線としては、放射線加速
器を線源とした電子線、Ｃｏ６０をとしたγ−線、５ｒ
９０を線源としたβ−線、Ｘ線発生器を線源としたＸ線
あるいは紫外線等を挙げることができる。　特に照射線
源としては吸収ｌａｍの制御、製造工程ラインへの導入
、電離放射線の遮蔽等の見地から放射線加速器により発
生される放射線を使用する方法が有利である。 本発明においてトップコート層の厚さは５〜２００人が
好ましい。　あまり厚すぎると定時か低下したり、ケズ
ラしたすする。　また、あまり薄すぎると目づまりが発
生する。　　トップコートなしの磁性層の表面粗度は１
００Å以下が好ましいため、この北にトップコート層を
形成する場合、あまり厚すぎるとケズレを生ずることが
わかった。　あまり少なすぎるとトップコート層の吸着
が弱すぎ、目づまりを発生することが予想される。　こ
のようなことは本発明ではじめて判明したものである。 　特に好ましい範囲としては１０〜１００人である。 本発明のトップコートを形成する際に、上述したように
さらに通常用いられる酸化防止剤、硬化剤等を通常用い
られる量で加えることができる。 本発明において硬化剤を用いる場合、硬化剤としては放
射線硬化型子ツマ−およびオリゴマ−が適している。　
放射線硬化型子ツマ−としては分子［２，０００未満の
化合物が、オリゴマ−としては分子ｆｉ５００〜１０，
０００のものが用いられる。　これらはスチレン、エチ
ルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、
エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリ
コールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタク
リレート、１゜６−ヘキサングリコールジアクリレート
、１゜６−ヘキサングリコールジアクリレート等を包含
し、特に好ましくは以下を包含する二Ｎ−ビニルビロリ
ドン、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールトリアクリレート
（メタクリレート）、トリメチロールプロパントリアク
リレート（メタクリレート）、トリメチロールプロパン
ジアクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエス
テルアクリレート（東亜合成（株）製アロニックスＭ−
７１００，Ｍ−５４００，５５００，５７００等）ウレ
タンエラストマーにツボラン４０４０）のアクリル変性
体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入
されたもの、フェノールエチレンオキシド付加物アクリ
レート（メタクリレート）、下記一般式で示されるペン
タエリスリトール縮金環にアクリル基（メタクリル基）
またはε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物
：（ここでｎ＋ｂ＝６） および下記一般式で示される 特殊アクリレート類： （ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２０Ｈ；（ＣＨ
２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３；（ＣＨ２＝
ＣＨＣ０（ＯＣ３Ｈ８）ｎ　−０ＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ３；（ｎ＝１〜３） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （ｎ＝１〜６） ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−ＣＯＣＨ
＝ＣＨ２。 ■ ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ２ ＣＨ２ＣＨ２０−ＣＯ−（ＣＨ２）ｓ　−ＯＣＯＣＨ＝
ＣＨ２ＡＡ Ａニアクリル酸、　　　Ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸 放射線硬化型オリゴマ−の例としては、下記−数式で示
される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタンエ
ラストマーのアクリル変性体あるいはこれらのものにＣ
０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等を挙げることがで
きる：（式中Ｒ１、Ｒ２：アルキル基、ｎ：整数）本発
明においてトップコート層に潤滑剤、酸化防止剤、硬化
剤等を添加する場合、こわらの合計重量は、式（１）お
よび式（ＩＩ）で表ねされるように放射線感応不飽和二
重結合を１個以七有し、かつフッ素置換のアルキル基を
有する化合物の総重量の１０倍以内になるようにするの
か好ましい。　また、酸化防止剤の重量は、潤滑剤＋硬
化剤の重ｔＡをこえないことが好ましい。 また、本発明の磁気記録媒体の表面には、微細な突起が
所定の密度で設けられてもよい。 微細な突起は、３０〜３００人、より好ましくは５０〜
２５０人の高さを有するものである。 すなわち、本発明の突起は、光学顕＠鏡で観察でき、か
つ触針型表面粗さ計で測定できるものではなく、走査型
電子顕微鏡にて観察できる程度のものである。 突起高さが３００人をこえ、光学顕微鏡にて観察できる
ものとなると、電磁変換特性の劣化と、走行安定性の低
下をもたらす。 また、３０人未満となると、物性の向上の実効がない。 そして、その密度は１ｍｍ２あたり平均１０５個以上、
より好ましくは１０５〜１０９個、特に１０６〜１０８
個である。 突起密度が１０５個／　ｍ　ｍ　２未満となると、ノイ
ズが増大し、スチル特性が低下する等物性の低下をきた
し、実用に耐えない。 また、ｔｏ９個／　ｍ　ｍ　２をこえると、物性トの効
果が少なくなってしまう。 なお、突起径は、一般に２００〜１０００人程度とする
。 このような突起を設けるには、通常、基体上に微粒子を
配設すればよい。　微粒子径は、３０〜１０００人にす
ればよく、これにより微粒子径に対応した微細突起が形
成される。 用いる微粒子としては、通常、コロイド粒子として知ら
れているものであって、例えば５ｉｎ２　（コロイダル
シリカ）、Ａ２□０３（アルミナゾル）、ＭｇＯ，Ｔｉ
Ｏ２、ＺｎＯ１Ｆｅ２０３、ジルコニア、Ｃｄ０１Ｎ　
ｉｏ、ＣａＷＯ４，ＣａＣ０，、、ＢａＣＯ３，ＣｏＣ
Ｏ３、ＢａＴｉＯ３、Ｔｉ（チタンブラック）、Ａｕ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、各種ヒドロシルや、樹脂粒子
等が使用可能である。　この場合、特に無機物質を用い
るのが好ましい。 このような微粒子は、各種溶媒を用いて塗布液とし、こ
れを基体上に塗布、乾燥してもよく、あるいは塗布液中
に各種水性エマルジョン等の樹脂分を添加したものを塗
布、乾燥してもよい。 また、樹脂分を用いる場合、これら微粒子にもとず〈微
細突起に重畳してゆるやかな突起を設けることもできる
が、通常はこのようにする必要はない。 もし必要であるならば、強磁性金属薄膜層の最上層と最
下層との間に非磁性金属薄膜層を介在させてもよい。 ■　発明の具体的作用効果 本発明によりば、磁性層が２層以上の層構成をなすこと
により、磁性柱状結晶粒の長さが小さいものとなるため
磁性層の膜強度が向上する。　このため、走行安定性か
きわめて高く、また、走行による磁性層のクラックや磁
性面のケズレの発生がきわめて少なく、ヘッド摩耗量、
ドロップアウトの発生もきわめて少ないものとなる。 また、最上層の柱状結晶粒が基体主面法線に対し、２０
°〜９０°の傾きを有し、特に５０°以上の傾きをイア
するものがあり、同時に最Ｆ層の酸素濃度Ｃ２と最上層
の酸素濃度ＣＩとの比Ｃ２／　ｃ　＋が０．３以下であ
る。　このため、最上層では保磁力Ｈｃが相対的に高く
なり、比較的浅い電界を有する中心周波数が５ＭＨｚ程
度の信号を有効に保持し、かつ分解能が良好なものとな
る。 さらに、最下層の柱状結晶粒が基体主面法線に対して５
０°以下の傾きを有し、基体に対し立っている状態を呈
しており、また、同時に、最下層では最大残留磁束φｒ
、角形比が高く、さらに、最上層に隣接する層の最上層
界面近傍では、保磁力Ｈｃのピークが存在しているため
、比較的深い磁界を有する中心周波数０．７５ＭＨｚ程
度の信号を有効に保持するものである。 しかも所定のトップコート層あるいは所定のバックコー
ト層とトップコート層を設けることにより、種々の環境
において、走行安定性がきわめて高く、ヘッドタッチが
良好で、出力低下やエンベローブ不良がきわめて少ない
。　また、エッヂ折れや片伸び等のテープダメージの発
生もきわめて少ない。　そして、走行ナキやジッターや
保存によるスキューの発生はきわめて小さい。 さらに本発明においては、製造上、連続硬化が可能であ
り、硬化時間も短く、巻きしまりによる裏型転写がない
ので、ドロップアウトが防＋Ｌでき、その上、放射線硬
化およびトップコート処理がオンライン上で処理できる
ので、省エネルギ一対策、製造時の人員の減少にも役立
ち、コストの低減にもつながる。 特性面では熱硬化時の巻きしまりによるドロップアウト
の外に、ロール状に巻かれたときの内外径の箇所の圧力
のちがいにより、磁気テープの長さ方向の距離による出
力差が生じることもなくなる。 ■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。 実施例１ 下記表１に示す厚さのポリエステル（ＰＥＴ）フィルム
を円筒状、冷却キャンの周面に沿わせて移動させ、０２
　＋Ａｒ　（容積比１：１）を毎分８００ｃｃの速さで
流し真空度を１　、　　ＯＸ　１０−’Ｔｏｒｒとした
チャンバー内で、Ｃｏ８０、Ｎｉ２０（重量比）の合金
を溶解し、入射角を表１に示す入射角として、斜め蒸着
により第１図に示されるＣｏ−Ｎｉ−０の２層薄膜を形
成した。　なお、蒸着に先立ち、フィルム面をプラズマ
処理した。 また、比較として、入射角３０〜９０°の部分のみ斜め
蒸着し膜厚０．１５μｌのＣｏ−Ｎｉ−０の単層薄膜を
形成した。 酸素は下層と上層との界面およびベースと反対側の表面
に多く偏在していた。　また、ベースと反対側の表面は
ほぼ酸化物のみで覆われていた。 Ｈｃ＝１０００　０ｅ６　＠中の平均酸素量はＣｏとＮ
ｉに対する原子比 で４０％であった。 表１にはＡｒにてイオンエツチングを行ないながら、オ
ージェ分光分析を行なって得た０／（ＣｏまたはＣｏ＋
Ｎ　ｉ　）原子比のうち、Ｃ＋（表面）、ｃ＋”（上層
平均）、Ｃ２（下層の基体との界面）、Ｃ２”（下層平
均）、Ｃ３（下層の上層との界面近傍）が併記される。 このフィルム裏面をプラズマ処理した後、下記に示すよ
うなバックコート層を設層した。 なお、プラズマ処理条件は、処理ガスを０□ガスとし、
ガス流量１００ｍｆｆ１／分、真空度０．５Ｔｏｒｒ、
電源５０にＨｚ、２００Ｗ、フィルム走行速度３０ｍ／
分とした。 またさらに必要に応じて、磁性層上に下記に示すような
トップコート層を設層した。　なお、これらの設層厚さ
は表１に示すとおりとした。 （１）バックコート層の形成 バックコートと　　　　　　　　　　重量部カーボンブ
ラック　　　　　　　　　　７Ｓ　ｉ　Ｏ２２ アクリル変性塩ビニル− 酢酸ビニル−ビニルアルコール 共重合体　　　　　　　　　　　　３゜アクリル変性ポ
リウレタン エラストマー　　　　　　　　　　　１０アクリルエス
テルオリゴマ−　　　　４分散助剤　　　　　　　　　
　　　　０．４ミリスチン酸　　　　　　　　　　　　
　０．　３ステアリン酸　　　　　　　　　　　０．３
ステアリン酸ブチル　　　　　　　　０．３混合溶剤 ＭＥに／ＭＩＢＫ／トルエン／ シクロヘキサノン ＝　５／２／２／３　　　　　１００ 上記混合物をボールミル中５時間分散させ、プラズマ処
理が施された裏地層上に乾燥厚１μｍになるように塗布
し、エレクトロカーテンタイプ電子線加速装置を用いて
加速電圧１５０にｅＶ、電極電流１０ｍＡ、吸収線量５
Ｍ　ｒ　ａ　ｄ、　Ｎ２ガス中で電子線をバックコート
層に照射した。 （２）トップコート層の形成 以下に示すような組成物を磁性層上に設層した。 糺炭１　　　　　　　　　　　　　　重量部Ｅ−２６（
上記具体例中の 脂肪酸エステルｍ−ｐ、　−９，０℃）０．５Ｆ−２（
上記具体例中の化合物）０．３ＭＥＫ　　　　　　　　
　　　　　　３０シクロへキサノン　　　　　　　　７
０を常温で１時間攪拌混合し、生成した混合物を上記の
磁性層表面に均一な厚さになるようにグラビア塗布を行
い、１００”Ｃで１分間乾燥した後にＮ２ガス中１５０
ＫｅＶ、６ｍＡ、３Ｍｒａｄの条件で電子線照射し、層
厚み２５人のトップコート層を形成した。 此宏上ユ　　　　　　　　　　　　　重量部Ｅ−２４（
上記具体例中の 脂肪酸エステルｍ、ｐ、　−２７，５℃）０．２Ｆ−１
（上月具体例中の化合物）ｏ、２アロニックスＭ７１０
０　　　　　０．２トルエン　　　　　　　　　　　１
００を用い、組成物１の場合と同様にしてトップコート
層を形成した。 順灰春ユ　　　　　　　　　　　　　重量部Ｅ−１８（
上記具体例中の 脂肪酸エステルｍ、ｐ、　＝　１．０　’Ｃ）　　０．
８Ｆ−８（上記具体例中の化合物）０．２ＭＩＢＫ　　
　　　　　　　　　　　８０トルエン　　　　　　　　
　　　　　２゜を用い、組成物１の場合と同様にしてト
ップコート層を形成した。 比」交１Ｌ戊」と」エ　　　　　　　　　　　重量部Ｆ
−２（上記具体例中の化合物）０．２ＭＥに　　　　　
　　　　　　　４０ ＭＩＢに　　　　　　　　　　　６０ を用い、組成物１の場合と同様にしてトップコート層を
形成した。 九Ｌ１五ｌユ　　　　　　　　　　　重量部Ｅ−２６（
上記具体例中の 脂肪酸エステルｍ、ｐ、”９・０℃）　０・８シクロヘ
キサノン　　　　　　　　１０トルエン　　　　　　　
　　　　　　９０を用い、電子線照射を除いて組成物１
の場合と同様にしてトップコート層を形成した。 皿緩凰盈上ユ　　　　　　　　　　　重量部Ｃ８Ｆ１７
　　　Ｃ２Ｈ４ −Ｃ０ＯＨ０，３ Ｅ−２６（上記具体例中の 脂肪酸エステルｍ、ｐ、　＝　９．０℃）０．５ＭＥＫ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１００を用い、組成物１の場合と同様にしてトップコー
ト層を形成した。 匿緩１濾上Ａ　　　　　　　　　　　重量部ステアリン
酸（ｍ、ｐ、　−３９，１’ｅ　）　　　０　、４Ｆ−
２（上記具体例中の化合物）０．４トルエン　　　　　
　　　　　　　　４０ＭＩＢＫ　　　　　　　　　　　
　　　６０を用い、組成物１の場合と同様にしてトップ
コート層を形成した。 このようにして作成した下記表１に示す各サンプルにつ
き下記の測定を行フた。　なお、媒体走行方向と下層の
基体法線に対する磁性結晶粒の傾きの方向を同一方向と
した。 １）スチル耐久性 温度０℃の条件下で出力が５ｄＢ低下するまでの時間を
求めた。 使用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００ （スチル解除機構をはずして イ吏用した） ヘッド：スパッタ　センダスト ２）電磁変換特性 中心周波数０．７５ＭＨｚおよび５ＭＨｚの出力を測定
し、サンプルＮｏ、１８の出力をＯｄＢとした時の値を
求めた。 使用デツキ：５ＯＮＹ　　Ａ−３００ ヘッド：スパッタ　センダスト モード：ＳＰモード （３）ヘッド摩耗（μｍ） ソニー（株）製　Ｖｉｄｅｏ８にて１００時間連続連続
後のヘッドの摩耗量を５回の測定を行い平均した。 （４）走行ナキ 前記ヘッド摩耗の測定時に走行ナキの有無を確認した。 （５）テープダメージ １００時間連続連続後のテープ走行面を光学顕微ｔ（Ｘ
４００）にて観察した。 これらの結果を表２に示す。 実ｈ’６例２ ベースノゾみおよび磁性層の上層厚みと下層厚みの比を
表３に示すものとした他は、実施例１と同様の方法によ
り磁性層を形成し、実施例１と同様のバックコート層、
トラブート層を用いて表３に示されるサンプルを作製し
た。（サンプルＮｏ、２１〜２７）。 このように形成した各サンプルについて、実施例１と同
様の測定を行なった。　なお、電磁変換特性は、サンプ
ルＮｏ、２７の出力をＯｄＢとした時の値を求めた。 結果を表４に示す。 なお、サンプルＮｏ−２６（ベース厚７μｍ、磁性層構
成二屯層）の出力に対するサンプルＮ００２１〜２３（
ヘース厚７μｍ、磁性層構成＝２層）の出力の向上中を
表４の（）内に記載した。 表１〜表４に示される結果より、本発明の効果は明らか
である。 すなわち、各測定項目のすべてにおいて良好な値が得ら
れるのは、本発明の磁性層構成およびトップコート層を
有するサンプル（Ｎｏ。 １．２，５，１０．１１）であることか明らかである。 また、ベース厚８μｍ以下では、七層厚／下層厚が０．
２〜０．９であると、特に５Ｍ）Ｉｚの出力および耐久
性のきわめて高い向−トがみられ（サンプルＮｏ、２１
）、５ＭＨｚ出力の点で実用に耐えないベース厚のうず
いものでも、七分実用可能な電磁変換特性、耐久性を示
すことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体の１実施例の媒体方向
に平行な断面の模式図である。 第２図は、本発明の磁気記録媒体の他の実施例の媒体方
向に平行な断面の模式図である。 符号の説明 １・・・・磁気記録媒体、２・・・・基体、３・・・・
強磁性金属薄膜下層部、 ４・・・・強磁性金属薄膜上層部、 ５・・・・下層結晶粒、６・・・・上層結晶粒、７・・
・・トップコート層、 ８・・・・バックコート層、 矢印ａ・・・・媒体長さ方向 出願人　　ティーデイ−ケイ株式会ネ 代理人　　弁理士　　石　井　陽　− ＦＩＧ、１

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）プラスチックフィルム基体上にＣｏを主成分とす
   る強磁性金属薄膜層を有し、この強磁性金属薄膜層が２
   層以上の層からなる多層構造を有し、強磁性金属薄膜層
   被着時の基体法線に対する被着物質の最小入射角が基体
   側の最下層設層時は５０°以下、基体と反対側の最上層
   設層時は２０°〜９０°であり、最下層の基体側界面近
   傍の酸素濃度Ｃ＿２を最上層の基体と反対側表面近傍の
   酸素濃度Ｃ＿１で除した値が０．３以下であり、上記強
   磁性金属薄膜層の表面上に、融点−２０〜３０℃の脂肪
   酸エステルと、放射線感応不飽和二重結合を有する基と
   フッ素置換のアルキル基を有する基を有する化合物とを
   含有するトップコート層を有することを特徴とする磁気
   記録媒体。
2. （２）最上層に隣接する層の最上層との界面近傍での酸
   素濃度Ｃ＿３を最上層の基体と反対側表面近傍での酸素
   濃度Ｃ＿１で除した値Ｃ＿３／Ｃ＿１が０．１〜３．０
   である特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. （３）強磁性金属薄膜層が２層構造を有する特許請求の
   範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒体。
4. （４）前記化合物が下記式（ I ）または（II）で示さ
   れるものである特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
   ずれかに記載の磁気記録媒体。 式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ ｛上記式（ I ）および（II）において、Ｒ＾１はフッ
   素置換のアルキル基、Ｌ＾１およびＬ＾２はそれぞれ２
   価の連結基、Ｒ＾２は水素原子またはアルキル基を表わ
   し、ｍは１または２であ る。｝
5. （５）トップコート層の組成として、脂肪酸エステル１
   ００重量部に対して、前記化合物が２００重量部以下含
   有される特許請求の範囲第１項ないし第４項に記載の磁
   気記録媒体。
6. （６）脂肪酸エステル１００重量部に対して、前記化合
   物が２〜１００重量部含有される特許請求の範囲第５項
   に記載の磁気記録媒体。
7. （７）トップコート層が、さらに酸化防止剤、潤滑剤ま
   たは硬化剤を混合して有する特許請求の範囲第１項ない
   し第６項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
8. （８）潤滑剤が放射線硬化型である特許請求の範囲第７
   項に記載の磁気記録媒体。
9. （９）硬化剤が放射線硬化型モノマーまたはオリゴマ−
   である特許請求の範囲第７項に記載の磁気記録媒体。
10. （１０）潤滑剤、酸化防止剤、硬化剤の合計重量が、前
    記化合物総量の１０倍以内である特許請求の範囲第７項
    に記載の磁気記録媒体。
11. （１１）プラスチックフィルムの強磁性金属薄膜層形成
    面と反対側の面上に顔料と放射線硬化系樹脂のバインダ
    ーとを含有するバックコート層を有する特許請求の範囲
    第１項ないし第１０項のいずれかに記載の磁気記録媒体
    。