JPS5961014A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS5961014A JPS5961014A JP57170650A JP17065082A JPS5961014A JP S5961014 A JPS5961014 A JP S5961014A JP 57170650 A JP57170650 A JP 57170650A JP 17065082 A JP17065082 A JP 17065082A JP S5961014 A JPS5961014 A JP S5961014A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空雰囲気内で、強磁性材料を加熱蒸発させて
得る蒸気流を支持体に対して斜め方向から入射させて強
磁性結晶柱を支持体に対して斜めに形成したいわゆる斜
方蒸着型磁性層を有する磁気記録媒体の改良に関する。
得る蒸気流を支持体に対して斜め方向から入射させて強
磁性結晶柱を支持体に対して斜めに形成したいわゆる斜
方蒸着型磁性層を有する磁気記録媒体の改良に関する。
近年、情報量の増大とともに、高密度磁気記録媒体の出
現が望まれており、特に、理想的な高密度磁気記録媒体
として、金属薄膜型磁気記録媒体の開発が盛んに進めら
れている。
現が望まれており、特に、理想的な高密度磁気記録媒体
として、金属薄膜型磁気記録媒体の開発が盛んに進めら
れている。
薄膜化技術としては、真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法、スパッタリンク法、湿式メッキ等の各種方法が試
みられてきた。しかし、高密度記録に適した高保磁力媒
体を安定に得るには、特公昭41−19389号に開示
された、いわゆる斜方蒸着法がすぐれた方法である。
グ法、スパッタリンク法、湿式メッキ等の各種方法が試
みられてきた。しかし、高密度記録に適した高保磁力媒
体を安定に得るには、特公昭41−19389号に開示
された、いわゆる斜方蒸着法がすぐれた方法である。
斜方蒸着方法とは、真空雰囲気内で、Co。
Co −Ni等の強磁性材料を加熱蒸発ぜしめて得る蒸
気流を、高分子等から成る非磁性支持体に対して蒸気流
の方向と支持体1に立てた法線とのなす角度が、通常/
I5度以」−の角度でもって、支持体に入射せしめて、
強磁性結晶中を支持体に対して斜めに形成する真空蒸着
方法である(この方法により得られる磁性層は斜方蒸着
型磁性層と呼ばれる。)。このような斜方蒸着方法を用
℃・て、実際に磁気テープを得るには、通常第1図に模
式的に示されるような連続蒸着装置が用いられる。本装
置にお(・では、円筒状冷却キャン1、蒸発源2、及び
マスク3の形状及び相対位置によって決定される最小斜
入射角度θ1η目]をいくらに設定するかが、斜方蒸着
型磁性層の磁気特性、特に保磁力Hcを決める上で険め
て重要である。例えば、Co又はCo−Ni合金を用(
・て、J、、OO00e程度の高保磁力を得るには、通
常、最小斜入射角度θm i nは、はぼ60度以上に
設定する必要がある。しかしながら、θminを60度
以」二の条件で蒸着した場合、マスク3で妨げられる蒸
気流の割合が増加し、支持体に刺着する蒸気流の量か著
しく減少し、蒸着効率か著しく低下したり、また蒸着ス
ピードが低下する等の問題が生ずる。
気流を、高分子等から成る非磁性支持体に対して蒸気流
の方向と支持体1に立てた法線とのなす角度が、通常/
I5度以」−の角度でもって、支持体に入射せしめて、
強磁性結晶中を支持体に対して斜めに形成する真空蒸着
方法である(この方法により得られる磁性層は斜方蒸着
型磁性層と呼ばれる。)。このような斜方蒸着方法を用
℃・て、実際に磁気テープを得るには、通常第1図に模
式的に示されるような連続蒸着装置が用いられる。本装
置にお(・では、円筒状冷却キャン1、蒸発源2、及び
マスク3の形状及び相対位置によって決定される最小斜
入射角度θ1η目]をいくらに設定するかが、斜方蒸着
型磁性層の磁気特性、特に保磁力Hcを決める上で険め
て重要である。例えば、Co又はCo−Ni合金を用(
・て、J、、OO00e程度の高保磁力を得るには、通
常、最小斜入射角度θm i nは、はぼ60度以上に
設定する必要がある。しかしながら、θminを60度
以」二の条件で蒸着した場合、マスク3で妨げられる蒸
気流の割合が増加し、支持体に刺着する蒸気流の量か著
しく減少し、蒸着効率か著しく低下したり、また蒸着ス
ピードが低下する等の問題が生ずる。
これらの欠点を改良する方法として、酸素中斜方蒸着方
法、或いは不純物添加等の方法が開示されている。酸素
中斜方蒸着方法とは、酸素雰囲気下で斜方蒸着を行わせ
る方法であり、この方法によれば、保磁力を増大させる
ことが可能となり、また結果的にθminを小さくする
ことも可能となる。即ち酸素中斜方蒸着方法は、高保磁
力化又は低入射角化の点ですぐれた方惠である。しかし
ながら、斜方蒸着方法、或いは酸素中斜方蒸着方法で作
成したCo又はCo−Ni合金膜は、経時安定性がまだ
まだ不十分であり、実用化への大きな障害となっていた
。又CO1又はCo−Ni合金に不純物、例えば、Cr
等を添加し、高保磁力化と経時安定性を改善する試みが
なされてはいるが、まだ十分な改善とはなりえていない
。例えば、CI添加量を増せば、見掛上の経時安定性は
改−f(4される傾向を示すが、所望の経時安定性を得
るKは、多−川のCr添加が必要となり、磁束密度を急
激に低下させ、電磁変換動1(1:を著しく低下させる
等の欠点を有している。
法、或いは不純物添加等の方法が開示されている。酸素
中斜方蒸着方法とは、酸素雰囲気下で斜方蒸着を行わせ
る方法であり、この方法によれば、保磁力を増大させる
ことが可能となり、また結果的にθminを小さくする
ことも可能となる。即ち酸素中斜方蒸着方法は、高保磁
力化又は低入射角化の点ですぐれた方惠である。しかし
ながら、斜方蒸着方法、或いは酸素中斜方蒸着方法で作
成したCo又はCo−Ni合金膜は、経時安定性がまだ
まだ不十分であり、実用化への大きな障害となっていた
。又CO1又はCo−Ni合金に不純物、例えば、Cr
等を添加し、高保磁力化と経時安定性を改善する試みが
なされてはいるが、まだ十分な改善とはなりえていない
。例えば、CI添加量を増せば、見掛上の経時安定性は
改−f(4される傾向を示すが、所望の経時安定性を得
るKは、多−川のCr添加が必要となり、磁束密度を急
激に低下させ、電磁変換動1(1:を著しく低下させる
等の欠点を有している。
本発明は、このような実状に鑑みなさねブーものであり
、すぐれた経時安定性および高保磁力を有し′、且つ電
磁変換特性にすぐλIた宗1力蒸着型磁1〈1・層を提
供することを主たる目的どする。
、すぐれた経時安定性および高保磁力を有し′、且つ電
磁変換特性にすぐλIた宗1力蒸着型磁1〈1・層を提
供することを主たる目的どする。
本発明者等は、上記の欠点を改良すべく鋭意研兇を重ね
た結果、磁性層組成として2〜8原子パーセント(以下
at%と記す)のCrを含有するCo−Ni系合金を用
(・、且つ最小斜入射角度を・15°以下に選んだ場合
にのみ、すぐれた経時安定性及び高保磁力を有し、叶つ
電磁変換特性にすぐれた磁気記録媒体が得られることを
見出し本発明に到ったものである。
た結果、磁性層組成として2〜8原子パーセント(以下
at%と記す)のCrを含有するCo−Ni系合金を用
(・、且つ最小斜入射角度を・15°以下に選んだ場合
にのみ、すぐれた経時安定性及び高保磁力を有し、叶つ
電磁変換特性にすぐれた磁気記録媒体が得られることを
見出し本発明に到ったものである。
即ち、本発明の磁気記録媒体は非磁性支持体」二に立て
た法線に対する磁性月相の蒸気流の最小斜入射角度が4
5°以下となる範囲で斜方蒸着され、かつ2〜8at%
のCrを含有するC。
た法線に対する磁性月相の蒸気流の最小斜入射角度が4
5°以下となる範囲で斜方蒸着され、かつ2〜8at%
のCrを含有するC。
−Ni系合金を主成分とする斜方蒸着型磁性j※を少な
くとも一層有することを特徴とする。
くとも一層有することを特徴とする。
以下、図面及び実施例により本発明の詳細な説明する。
第1図に斜方蒸着方法により、磁気記録媒体、とくに磁
気テープを製造する場合の代表的な真空蒸着装置の模式
図を示す。まず、真空槽8内に、円筒状冷却キャン1と
蒸発源2とを対向して配設し、円筒状冷却キャン1と蒸
発源2との間に、斜方蒸着の斜入射角度を設定するため
、マスク3を設けても・る。蒸発源2は、通常電子ビー
ト加熱方法が望ましく、水冷銅ハース又はセラミクス等
から成るルノホ中(tC1所望の強磁性層を形成するた
めの、蒸発月料がチャージされて(・る。電子ヒーム照
射に」=り加熱された蒸発側斜は融解気化し、蒸気流と
なって、支持体5にイづ着する。本発明においては、C
o −Ni −Cr系合金膜を形成する方法としては、
所望の組成のCo −Ni −Ct合金利4」を一度に
チャージしても良(・し、またCo −Ni −Cr
又はCo −Ni−Crの内の少なくとも一種の成分
から成る材料組成をワイヤー又はロンド等の形で連続的
又は間欠的に蒸発源・・−ス又はルツボ中に補給しても
よい。また、Co −Ni−Crの内いずれかの組合せ
で、2組以上の蒸発源を設け、同時に蒸発せしめて所望
の組成のCo −Ni−Cr膜を形成する、(・わゆる
多元同時蒸着方法を用いてもよし・。要するに、Co−
Ni−Cr膜の組成を精度良く制御出来ればよい。
気テープを製造する場合の代表的な真空蒸着装置の模式
図を示す。まず、真空槽8内に、円筒状冷却キャン1と
蒸発源2とを対向して配設し、円筒状冷却キャン1と蒸
発源2との間に、斜方蒸着の斜入射角度を設定するため
、マスク3を設けても・る。蒸発源2は、通常電子ビー
ト加熱方法が望ましく、水冷銅ハース又はセラミクス等
から成るルノホ中(tC1所望の強磁性層を形成するた
めの、蒸発月料がチャージされて(・る。電子ヒーム照
射に」=り加熱された蒸発側斜は融解気化し、蒸気流と
なって、支持体5にイづ着する。本発明においては、C
o −Ni −Cr系合金膜を形成する方法としては、
所望の組成のCo −Ni −Ct合金利4」を一度に
チャージしても良(・し、またCo −Ni −Cr
又はCo −Ni−Crの内の少なくとも一種の成分
から成る材料組成をワイヤー又はロンド等の形で連続的
又は間欠的に蒸発源・・−ス又はルツボ中に補給しても
よい。また、Co −Ni−Crの内いずれかの組合せ
で、2組以上の蒸発源を設け、同時に蒸発せしめて所望
の組成のCo −Ni−Cr膜を形成する、(・わゆる
多元同時蒸着方法を用いてもよし・。要するに、Co−
Ni−Cr膜の組成を精度良く制御出来ればよい。
本発明における斜方蒸着の最小斜入射角度は、第1図に
示されるように、支持体の表面に立てた法線の方向と蒸
発源からの蒸気流の方向とのなす角度θの内、マスク3
で規定される最小斜入射角θ+nin を意味する。
示されるように、支持体の表面に立てた法線の方向と蒸
発源からの蒸気流の方向とのなす角度θの内、マスク3
で規定される最小斜入射角θ+nin を意味する。
通常、第1図に示されるように、送り出しロール6から
、円筒状冷却キャン1の回転に伴なって、支持体5が移
動するにつれて、斜入射角度θは高角度(はぼ90度)
から、低角度へと変化しながら℃・わゆる斜方蒸着が行
なわれ、最小斜入射角θm i +1をすぎると蒸着は
終了し、巻き取りロール7・\巻き取られる。
、円筒状冷却キャン1の回転に伴なって、支持体5が移
動するにつれて、斜入射角度θは高角度(はぼ90度)
から、低角度へと変化しながら℃・わゆる斜方蒸着が行
なわれ、最小斜入射角θm i +1をすぎると蒸着は
終了し、巻き取りロール7・\巻き取られる。
真空槽8は排気系9で排気されるが、通常、2 X 1
0 ”R)汀以下の圧力下で蒸着するのが望まし℃・。
0 ”R)汀以下の圧力下で蒸着するのが望まし℃・。
最小斜入射角θm i nは、斜方蒸着型磁性層の磁気
特性、特に保磁力Heな決める上で重要であるが、本発
明においては、0m11]は45度以下が望ましく、特
に30〜45度の範囲が実用上望ましい。
特性、特に保磁力Heな決める上で重要であるが、本発
明においては、0m11]は45度以下が望ましく、特
に30〜45度の範囲が実用上望ましい。
支持体とじては、ポリエチレンテレフタレート、ポ1j
イミド等の高分子材料から成る非磁性材料が望ましい。
イミド等の高分子材料から成る非磁性材料が望ましい。
本発明の磁性層を構成する強磁性材料としては、Co−
Ni合金に2〜8at%のCrを添加したものが望まし
い。Co−Ni合金としては、N1が5〜25 at%
含有したものか特に望ましい。
Ni合金に2〜8at%のCrを添加したものが望まし
い。Co−Ni合金としては、N1が5〜25 at%
含有したものか特に望ましい。
又、本発明のCo −Ni−Cr合金組成の特徴を損わ
ぬ範囲で、微量の添加物を含んでもよいし、また、自然
酸化等による酸素を含んでいてもよい。
ぬ範囲で、微量の添加物を含んでもよいし、また、自然
酸化等による酸素を含んでいてもよい。
本発明においては、斜方蒸着型磁性層の膜厚は通常50
0〜5,0OOA’が望ましい。また、本発明における
磁性層としては、単層でも、或いは2層以上の重層、或
いは、中間層、下地層と組合せた多層構成であっ−〔も
良い。
0〜5,0OOA’が望ましい。また、本発明における
磁性層としては、単層でも、或いは2層以上の重層、或
いは、中間層、下地層と組合せた多層構成であっ−〔も
良い。
また実用−ヒの緒特性を改良するための、所望の各種処
理を磁性層側又は支持体側に施しCもよい。
理を磁性層側又は支持体側に施しCもよい。
以下に本発明を実施例に沿って説明する。
C076−Ni 19−Crs (at%)合金材料を
用いて斜方蒸着を行なった。蒸発方法としては、16k
Wの電子ビーム方法を用いた。蒸着装置は第1図に示し
た装置を用(・、5 X 10−51’orr以下の圧
力下で蒸着した。支持体としては、約] Olt厚のポ
リエチレンテレフタレートベースを用いた。ベース搬送
スピードは約10m/ minで、17m1nは30°
〜6o0の範囲で変化させながら蒸着した。膜厚は約1
300A’になるように蒸発源のパワーをコントロール
した。
用いて斜方蒸着を行なった。蒸発方法としては、16k
Wの電子ビーム方法を用いた。蒸着装置は第1図に示し
た装置を用(・、5 X 10−51’orr以下の圧
力下で蒸着した。支持体としては、約] Olt厚のポ
リエチレンテレフタレートベースを用いた。ベース搬送
スピードは約10m/ minで、17m1nは30°
〜6o0の範囲で変化させながら蒸着した。膜厚は約1
300A’になるように蒸発源のパワーをコントロール
した。
又、斜入斜角度としては、高入射角から低入射角に連続
的に変化させる方法とした。
的に変化させる方法とした。
得られた斜方蒸着膜の組成は、X線マイクロアナライザ
ーで定量分析を行なった。
ーで定量分析を行なった。
なお分析値については、X線マイクロアナライザー(以
下、XMAと略す)の精度の関係で、Co、 Ni、
Crについてのみ示してあり、自然酸化等による存在量
が極微量である酸素量については示していなし・。
下、XMAと略す)の精度の関係で、Co、 Ni、
Crについてのみ示してあり、自然酸化等による存在量
が極微量である酸素量については示していなし・。
aとN1は蒸気圧がほぼ等しいため、はぼ一定の組成比
即ちNi / (Co −1−Ni )ズo2で支持体
に付着することが確認されたがC1の場合は、蒸気圧が
Co及びN1の蒸気圧より太きいため、蒸着初期はCr
量が多く、蒸着後期にはCr量が少なくなった。従って
、長尺のベーy、 iy Co −Ni −Cr を
蒸着した場合、連続的にCr濃度の変化したCo −N
i−Cr膜が得られ、Cra度をl at%から30
at%までほぼ連続的に変えることが出来た。又、CI
a度を変えながら、マスクの位置を30〜60度の範囲
で変化させてサンプルを作成した。
即ちNi / (Co −1−Ni )ズo2で支持体
に付着することが確認されたがC1の場合は、蒸気圧が
Co及びN1の蒸気圧より太きいため、蒸着初期はCr
量が多く、蒸着後期にはCr量が少なくなった。従って
、長尺のベーy、 iy Co −Ni −Cr を
蒸着した場合、連続的にCr濃度の変化したCo −N
i−Cr膜が得られ、Cra度をl at%から30
at%までほぼ連続的に変えることが出来た。又、CI
a度を変えながら、マスクの位置を30〜60度の範囲
で変化させてサンプルを作成した。
得られた斜方蒸着膜は、X M Aで組成分析後、経時
安定性、電磁変換特性、及び静磁気特性の評価を行なっ
た。
安定性、電磁変換特性、及び静磁気特性の評価を行なっ
た。
経時安定性の評価法としては、60”Cり 0%相対温
湿度下に1週間保持した場合の、サーモ減磁、(Δψn
l/φm、ここでψI11はサーモテスト前の磁化量、
Δψ!nはサーモテスト前後の磁化量の変化M)で評価
した。
湿度下に1週間保持した場合の、サーモ減磁、(Δψn
l/φm、ここでψI11はサーモテスト前の磁化量、
Δψ!nはサーモテスト前後の磁化量の変化M)で評価
した。
得られたサーモ減磁のデータを第2図に示す。Cr添加
のないCa5o −Ni 20 組成の場合(曲線l
)は、0m i nが60度から30度の範囲でΔψm
/ψm −−1’8〜−12%であり、実用レベルには
ほど遠いことがわかる。l−1cはおよそ】、000〜
4000eであった。Co −Ni −Crについては
、θminが60度から45度の範囲では、Cr添加量
が3 at% の場合(曲線4)、若干サーモ減磁が減
少する傾向を示すが、太きな改善は出来なかった。
のないCa5o −Ni 20 組成の場合(曲線l
)は、0m i nが60度から30度の範囲でΔψm
/ψm −−1’8〜−12%であり、実用レベルには
ほど遠いことがわかる。l−1cはおよそ】、000〜
4000eであった。Co −Ni −Crについては
、θminが60度から45度の範囲では、Cr添加量
が3 at% の場合(曲線4)、若干サーモ減磁が減
少する傾向を示すが、太きな改善は出来なかった。
しかしながら、θ1η目1を45度以下にした場合はサ
ーモ減磁は急激減少し、特にCr添加量が3 at%以
上で、Δψm/ψ1]] が−5%以下に改善出来た。
ーモ減磁は急激減少し、特にCr添加量が3 at%以
上で、Δψm/ψ1]] が−5%以下に改善出来た。
なお、Cr添加量が8 at%以上の場合は、磁束密度
が大幅に低下した。
が大幅に低下した。
得られた蒸着膜を1/2 インチ幅のテープ状にスリッ
トし、V )I S方ん小型ビテオカセットに組込んで
電磁変換特性を」11定した。特にCr添加量が3〜5
at%の範囲で、θminが・13度で斜蒸着したサ
ンプルでは、保磁カドIcは1..0000c以上にも
なり、0m i nが60度で斜蒸着したCo5o −
Ni 20 組成の場合と同等以上のS/Nが得られた
。また経時安定性については、Co8o −Ni 20
組成のテープに比べて、極めて安定であり、S/Nの低
下が大幅に減少した。
トし、V )I S方ん小型ビテオカセットに組込んで
電磁変換特性を」11定した。特にCr添加量が3〜5
at%の範囲で、θminが・13度で斜蒸着したサ
ンプルでは、保磁カドIcは1..0000c以上にも
なり、0m i nが60度で斜蒸着したCo5o −
Ni 20 組成の場合と同等以上のS/Nが得られた
。また経時安定性については、Co8o −Ni 20
組成のテープに比べて、極めて安定であり、S/Nの低
下が大幅に減少した。
またNi /Co +Ni = 0.20の他に、Ni
/CoモNiが0.05. O,i 0,0.25.
0.30についても同様の実験を行なったところ、N
i / C。
/CoモNiが0.05. O,i 0,0.25.
0.30についても同様の実験を行なったところ、N
i / C。
1−N1が0.05〜025の範囲が最も経時安定性と
電磁変換特性にすぐれていることが」っがつ ブこ。
電磁変換特性にすぐれていることが」っがつ ブこ。
以上の実施例にて明らかなように、Co −Ni系合金
(Ni :り〜25 ’at%)に2〜8 ill %
の01を添加し、月つ、最小斜入射角度が45度以■で
斜蒸着された斜方蒸着型磁性層が、すぐれた電磁変換特
性を維持しながら且つ、経時安定性にすぐれていること
が確認出来た。
(Ni :り〜25 ’at%)に2〜8 ill %
の01を添加し、月つ、最小斜入射角度が45度以■で
斜蒸着された斜方蒸着型磁性層が、すぐれた電磁変換特
性を維持しながら且つ、経時安定性にすぐれていること
が確認出来た。
このように本発明は、蒸着テープの実用化に大きく貢献
するものである。
するものである。
第1図は本発明の磁気記録媒体を得るために使用する製
造装置の一実施例の概略断面図、第2図はCo−Ni−
Crの各組成におけるサーモ減磁(Δψ111 /ψm
)の最小斜入射角度に対するグラフである。 】・・・円筒状冷却キャン 2・・・蒸発源3・・・マ
スク 4・・・蒸気流5・・・支持体
6・・・送り出しロール7・・・巻き取りロール
8・・・真空槽9・・・真空排気系
造装置の一実施例の概略断面図、第2図はCo−Ni−
Crの各組成におけるサーモ減磁(Δψ111 /ψm
)の最小斜入射角度に対するグラフである。 】・・・円筒状冷却キャン 2・・・蒸発源3・・・マ
スク 4・・・蒸気流5・・・支持体
6・・・送り出しロール7・・・巻き取りロール
8・・・真空槽9・・・真空排気系
Claims (1)
- (J)非磁性支持体上に立てた法線に対する磁性材料の
蒸気流の最小余1人射角度が45度以下となる範囲で斜
方蒸着され、且つ2〜8原子パーセントのCrを含有す
るCo −Ni系合金を主成分とする斜方蒸着型磁性層
を少な(とも一層有することを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57170650A JPS5961014A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気記録媒体 |
US06/536,050 US4521481A (en) | 1982-09-29 | 1983-09-26 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57170650A JPS5961014A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5961014A true JPS5961014A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15908806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57170650A Pending JPS5961014A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4521481A (ja) |
JP (1) | JPS5961014A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04147418A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59201224A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
DE3565694D1 (en) * | 1984-02-02 | 1988-11-24 | Hitachi Metals Ltd | Process for manufacturing magnetic recording media |
JPS6150211A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Res Dev Corp Of Japan | 垂直磁気記録媒体およびその製法 |
US4663193A (en) * | 1984-12-26 | 1987-05-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Process for manufacturing magnetic recording medium |
US4900622A (en) * | 1986-09-18 | 1990-02-13 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
DE69020032D1 (de) * | 1989-04-04 | 1995-07-20 | Mitsubishi Chem Corp | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Herstellungsverfahren desselben. |
JP2714698B2 (ja) * | 1989-05-12 | 1998-02-16 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
JPH05101365A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-04-23 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
JPH0765345A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
US5674637A (en) * | 1993-12-28 | 1997-10-07 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
JP2743313B2 (ja) * | 1995-01-25 | 1998-04-22 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5650340B2 (ja) * | 1973-07-25 | 1981-11-28 | ||
GB1596385A (en) * | 1976-12-29 | 1981-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Methods and apparatus for manufacturing magnetic recording media |
JPS5638812A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of corrosion resistive magnetic thin film |
US4403002A (en) * | 1979-12-10 | 1983-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Vacuum evaporating apparatus |
JPS56134317A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
JPS56143519A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium and manufacturing device |
JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
JPS5728309A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
JPS57179952A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and apparatus for magnetic recording medium |
US4450186A (en) * | 1981-08-20 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
US4477489A (en) * | 1981-09-03 | 1984-10-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of making magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP57170650A patent/JPS5961014A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-26 US US06/536,050 patent/US4521481A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04147418A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4521481A (en) | 1985-06-04 |
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