JPS59125607A - 高飽和磁化、高透磁率磁性膜 - Google Patents
高飽和磁化、高透磁率磁性膜Info
- Publication number
- JPS59125607A JPS59125607A JP23313082A JP23313082A JPS59125607A JP S59125607 A JPS59125607 A JP S59125607A JP 23313082 A JP23313082 A JP 23313082A JP 23313082 A JP23313082 A JP 23313082A JP S59125607 A JPS59125607 A JP S59125607A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- magnetic film
- saturation magnetization
- permeability
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は磁気ディヌク、磁気テープ等の薄膜磁気ヘッド
に好適な高飽和磁化、高透磁率の磁性薄膜材料に関する
。
に好適な高飽和磁化、高透磁率の磁性薄膜材料に関する
。
（至）技術の背景
薄膜磁気ヘッドを形成する材料としては高飽和磁化、高
透磁率の磁性体膜が要望されておりこれを満足する材料
としてｚｒとＣＯよりなる磁性体材料が最近開発されて
いる。
透磁率の磁性体膜が要望されておりこれを満足する材料
としてｚｒとＣＯよりなる磁性体材料が最近開発されて
いる。
（Ｑ） 従来技術と問題点
ところでこのようなＺｒとＣＯよりなる磁性体材料にお
いて、薄膜磁気ヘッドを形成するのに必要な高飽和磁化
、高透磁率の性質を満足させるようなＺｒとＣＯの組成
比の解析は未だ充分なされていない、 （Ｃ１） 発明の目的 本発明は上述した問題点を解決するもので薄膜磁気ヘッ
ドの形成に必要な高飽和磁化、高透磁率特性を有する磁
性膜の提供を目的とするものである。
いて、薄膜磁気ヘッドを形成するのに必要な高飽和磁化
、高透磁率の性質を満足させるようなＺｒとＣＯの組成
比の解析は未だ充分なされていない、 （Ｃ１） 発明の目的 本発明は上述した問題点を解決するもので薄膜磁気ヘッ
ドの形成に必要な高飽和磁化、高透磁率特性を有する磁
性膜の提供を目的とするものである。
（Ｃ−）発明の構成
かかる「１的を達成するための本発明の磁性膜はシルコ
ニウ１、（Ｚｆ）とコ／＜／し） １０）よリナリ、Ｚ
ｒ゛が４・５ｊす１５原子％含有されていること全特徴
とするものである、更に前記磁性膜がスパッタ法で形成
され非晶質であることを特徴とするものである。また１
１１記磁性膜の形成時に膜面て所望の方向に静磁場を印
加して形成したこと全特徴とするものである。更には前
記静磁場を印加１−で磁性膜を形成後、回転磁場中で熱
処理を行って形成したことを特徴とするものである。
ニウ１、（Ｚｆ）とコ／＜／し） １０）よリナリ、Ｚ
ｒ゛が４・５ｊす１５原子％含有されていること全特徴
とするものである、更に前記磁性膜がスパッタ法で形成
され非晶質であることを特徴とするものである。また１
１１記磁性膜の形成時に膜面て所望の方向に静磁場を印
加して形成したこと全特徴とするものである。更には前
記静磁場を印加１−で磁性膜を形成後、回転磁場中で熱
処理を行って形成したことを特徴とするものである。
（］゛）発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る、 第１図は本発明のＣ０Ｚｒ膜と飽和磁化および００Ｚ
ｒ １１％と抵抗率との関係についてＣｏＺｒ膜におけ
るＺｒの組部を変化させた場合における関係図、捷た第
２図は上記本発明のＣｏＺｒ膜を静磁場中で形成した場
合とこのようにして形成したＣ０Ｚｒ膜を回転磁場中で
熱処理した場合におけるＣｏＺｒ膜中のＺｒのシ４１成
比と透磁率との関連全示す関係図所定の原子％含有した
ターゲットを用いてこれに対向する基板設置台を水冷し
て基板を低温度（１００℃以下）に保った状態で反応室
内を］、ＯＴＯｒｒの真空度に排気する。その後アルゴ
ン（Ａｒ）ガスをスパッタ用ガスとして用いてｌＱ
ＴＯｒｒの真空度まで導入し前記ターゲラトラスパッタ
してフ、１）−１ラム（Ｋ 品名）アルミナチタンカー
バイド（Ａ６ＴｉＣ）、アルミナのような絶縁基板上に
ＣｏＺｒ膜を形成する。このように基板を低温度で保つ
ことにより、非晶質のＺｒ−Ｇｏよりなる磁性膜が形成
されこのようにｚｒ−Ｇｏ膜全全非晶質状態で形成する
と、後の工程で熱処理した際透磁率の向上が図れる。
る、 第１図は本発明のＣ０Ｚｒ膜と飽和磁化および００Ｚ
ｒ １１％と抵抗率との関係についてＣｏＺｒ膜におけ
るＺｒの組部を変化させた場合における関係図、捷た第
２図は上記本発明のＣｏＺｒ膜を静磁場中で形成した場
合とこのようにして形成したＣ０Ｚｒ膜を回転磁場中で
熱処理した場合におけるＣｏＺｒ膜中のＺｒのシ４１成
比と透磁率との関連全示す関係図所定の原子％含有した
ターゲットを用いてこれに対向する基板設置台を水冷し
て基板を低温度（１００℃以下）に保った状態で反応室
内を］、ＯＴＯｒｒの真空度に排気する。その後アルゴ
ン（Ａｒ）ガスをスパッタ用ガスとして用いてｌＱ
ＴＯｒｒの真空度まで導入し前記ターゲラトラスパッタ
してフ、１）−１ラム（Ｋ 品名）アルミナチタンカー
バイド（Ａ６ＴｉＣ）、アルミナのような絶縁基板上に
ＣｏＺｒ膜を形成する。このように基板を低温度で保つ
ことにより、非晶質のＺｒ−Ｇｏよりなる磁性膜が形成
されこのようにｚｒ−Ｇｏ膜全全非晶質状態で形成する
と、後の工程で熱処理した際透磁率の向上が図れる。
次にこのようにして形成した磁性膜の抵抗率ρと飽和磁
化１νＩＳをΦπＩν１Ｓで表わした鎮とについて磁性
膜中のｚｒの含有量を変化させながら測定し、この結果
を第１図に示す。
化１νＩＳをΦπＩν１Ｓで表わした鎮とについて磁性
膜中のｚｒの含有量を変化させながら測定し、この結果
を第１図に示す。
図示するように曲線１に示すごと（Ｚｒの添加１’（全
増大させると磁性膜の飽和磁化は減少し一方曲線２に示
すごとく抵抗率ρは増加する傾向にある。このように抵
抗率ρが増加するとその後の工程で該磁性膜全回転磁場
中で熱処理した場合、透磁率が大きくなり、磁性材料と
して渦電流の損失がなくなるので好ましい。しかしＺｒ
の組成を増大すると飽和磁化は低下するおそれがある。
増大させると磁性膜の飽和磁化は減少し一方曲線２に示
すごとく抵抗率ρは増加する傾向にある。このように抵
抗率ρが増加するとその後の工程で該磁性膜全回転磁場
中で熱処理した場合、透磁率が大きくなり、磁性材料と
して渦電流の損失がなくなるので好ましい。しかしＺｒ
の組成を増大すると飽和磁化は低下するおそれがある。
本発明の磁性膜を高密度記録用磁気ヘッドの磁性膜とし
て使用する際、磁気ヘッドに所望の出力を得るために透
磁率μ＆′１２０００以上が望捷しく４πＭｅも］、
０．０００ガウス以上必要である。このような条件を考
慮するとＣｏとＺｒよりなる磁性膜において第１図の曲
線ｌ、２よりＺｒが４５〜１５原子％含有されている状
態が薄膜磁気ヘッドを形成する材料として好捷しい。
て使用する際、磁気ヘッドに所望の出力を得るために透
磁率μ＆′１２０００以上が望捷しく４πＭｅも］、
０．０００ガウス以上必要である。このような条件を考
慮するとＣｏとＺｒよりなる磁性膜において第１図の曲
線ｌ、２よりＺｒが４５〜１５原子％含有されている状
態が薄膜磁気ヘッドを形成する材料として好捷しい。
次にこのようにしてＣｏ−Ｚｒなる磁性膜を形成する際
、該磁性膜の透磁率を向上させる目的で該磁性膜を形成
する基板を円板状の永久磁石上に設置し磁性膜の成膜中
の膜面に所望の方向に５０工ルステツド以上の静磁場を
印加して成膜する方法がとられているっこの磁性膜の組
成比と該磁性膜に静磁場を印加した場合の透磁率との関
係を第２図の曲線３に示す。また本発明者等は該磁性膜
の透磁率を一層より以上に向上させる目的で、上記のよ
うに静磁場を印加して形成した磁性膜を有する基板を２
００℃の温度で加熱する。そして８００エルステツドの
磁場強度で３００ｒｐｍの回転数で回転させながらｃｏ
−ｚｒよりなる磁性膜を回転磁場で処理する方法を用い
て磁性膜を形成した、このようにして形成した磁性膜の
透１：Ａ率とＧｏ−Ｚｒ磁性膜中のｚｒの成分比を表わ
した図を第２図の曲線４に示すが、図示するように高密
度に媒体上に記録する薄膜磁気ヘッドを形成するには透
磁率が２０００以上のものが要求されており、この（ｆ
ｉ ’ｃ満足するものとしてｃｏ−Ｚｒ膜中にＺｒが４
．５〜１５原子％含有されていると良いことが第２図の
曲線４より判定できる。
、該磁性膜の透磁率を向上させる目的で該磁性膜を形成
する基板を円板状の永久磁石上に設置し磁性膜の成膜中
の膜面に所望の方向に５０工ルステツド以上の静磁場を
印加して成膜する方法がとられているっこの磁性膜の組
成比と該磁性膜に静磁場を印加した場合の透磁率との関
係を第２図の曲線３に示す。また本発明者等は該磁性膜
の透磁率を一層より以上に向上させる目的で、上記のよ
うに静磁場を印加して形成した磁性膜を有する基板を２
００℃の温度で加熱する。そして８００エルステツドの
磁場強度で３００ｒｐｍの回転数で回転させながらｃｏ
−ｚｒよりなる磁性膜を回転磁場で処理する方法を用い
て磁性膜を形成した、このようにして形成した磁性膜の
透１：Ａ率とＧｏ−Ｚｒ磁性膜中のｚｒの成分比を表わ
した図を第２図の曲線４に示すが、図示するように高密
度に媒体上に記録する薄膜磁気ヘッドを形成するには透
磁率が２０００以上のものが要求されており、この（ｆ
ｉ ’ｃ満足するものとしてｃｏ−Ｚｒ膜中にＺｒが４
．５〜１５原子％含有されていると良いことが第２図の
曲線４より判定できる。
■ 発明の効果
以上述べたように本発明のＺｒｉ成分比で４・５〜〜１
５厚子６／ｌＤ１；４有するＣｏ−Ｚｒ磁性膜によれば
、高飽和磁化、高透磁率の磁性膜が得られ、このような
磁性ｊ模を薄膜磁気ヘッドの形成材料として用いれば、
高密度記録用の保磁力の大きい記録媒体に対して書込を
行う為にヘッド先端に強磁場を発生させた場合にヘッド
の磁性体の磁化飽和が生じ蛙くなり、高密度記録が容易
となる磁気ヘッドが形成される利点を生じる。
５厚子６／ｌＤ１；４有するＣｏ−Ｚｒ磁性膜によれば
、高飽和磁化、高透磁率の磁性膜が得られ、このような
磁性ｊ模を薄膜磁気ヘッドの形成材料として用いれば、
高密度記録用の保磁力の大きい記録媒体に対して書込を
行う為にヘッド先端に強磁場を発生させた場合にヘッド
の磁性体の磁化飽和が生じ蛙くなり、高密度記録が容易
となる磁気ヘッドが形成される利点を生じる。
第１図は本発明の磁性膜の組成比と該磁性膜の飽和磁化
および抵抗率との関連を示す関係図、第２図は本発明の
磁性膜の組成比と該磁性膜を静磁場中で成膜した場合及
び回転磁場で熱処理した場合にかける透磁率との関連を
示す関係図である。 図においてｌはＣ０Ｚｒ膜の組成比と飽和磁化の関係金
示す曲線、２はＣｏ Ｚ ｒ膜の組成比と抵抗率との関
係を示す開−，３１１−ｊ：静磁場を印加しながら形成
した磁性膜の組成比と透磁率との関連を示す曲線、４・
は成換後に回転磁場を印加しなから熱処理した磁性膜の
組成比と透磁率との関連を示す曲線である。 侃Ｖ１の昂然（内容に変更なし） 第１図 ５ １０ １５ しＯ力ダ）Ｚ ｚｒ
の雰）％第２図 −ｅ−（Ｃｏのヤ子％） →（Ｚｒφ原谷幻丁
続補正書（方式） １旨＋’ＩＩｉ上＜１°１殿 ＋、 ｉｆ １″１ の ノく 小＋＋
、’＋ノ１１３ニア’ｌ’？、７，１７’ｉ−リリ第２
３３／３ρお３ 神１１でＩｌくコと ・１、Ｉ’ｌ 、！：の１ソ１１ｔＩＩ□１′１出濱１
人１１１す１″ 神金用県川崎１１川り」；「１メｌ−
ｊ・１４国１１０１５番地（５２２）ン１（ろ富士通株
式会社 ・１ 代 理 ）、 ｆＩ所 神全１甲
５１１１川崎山中ＩＩ；１ズｌ小Ｉｌｌ中１０１５市地
８浦１１、り内１−ト 別紙の通り
および抵抗率との関連を示す関係図、第２図は本発明の
磁性膜の組成比と該磁性膜を静磁場中で成膜した場合及
び回転磁場で熱処理した場合にかける透磁率との関連を
示す関係図である。 図においてｌはＣ０Ｚｒ膜の組成比と飽和磁化の関係金
示す曲線、２はＣｏ Ｚ ｒ膜の組成比と抵抗率との関
係を示す開−，３１１−ｊ：静磁場を印加しながら形成
した磁性膜の組成比と透磁率との関連を示す曲線、４・
は成換後に回転磁場を印加しなから熱処理した磁性膜の
組成比と透磁率との関連を示す曲線である。 侃Ｖ１の昂然（内容に変更なし） 第１図 ５ １０ １５ しＯ力ダ）Ｚ ｚｒ
の雰）％第２図 −ｅ−（Ｃｏのヤ子％） →（Ｚｒφ原谷幻丁
続補正書（方式） １旨＋’ＩＩｉ上＜１°１殿 ＋、 ｉｆ １″１ の ノく 小＋＋
、’＋ノ１１３ニア’ｌ’？、７，１７’ｉ−リリ第２
３３／３ρお３ 神１１でＩｌくコと ・１、Ｉ’ｌ 、！：の１ソ１１ｔＩＩ□１′１出濱１
人１１１す１″ 神金用県川崎１１川り」；「１メｌ−
ｊ・１４国１１０１５番地（５２２）ン１（ろ富士通株
式会社 ・１ 代 理 ）、 ｆＩ所 神全１甲
５１１１川崎山中ＩＩ；１ズｌ小Ｉｌｌ中１０１５市地
８浦１１、り内１−ト 別紙の通り
Claims (4)
- （１） ジルコニウム（Ｚｒ）とコバｌシト（Ｇｏ）
よりなり、Ｚｒが４．５よ１１７１５原子％含有されて
いること全特徴とする高飽和磁化、高透磁率磁性膜。 - （２）前記磁性膜がスパッタ法で形成され非晶質である
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の高
飽和磁化、高透磁率磁性膜。 - （３）前記磁性膜の形成時に膜面に所望の方向に静磁場
を印加して形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項および第（２）項に記載の高飽和磁化、高透磁
率磁性膜。 - （４）前記静磁場を印加して磁性膜を形成後、回転磁場
中で熱処理を行うことを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項、第（２）項、第（３）項に記載の高飽和磁化、
高透磁率磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23313082A JPS59125607A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 高飽和磁化、高透磁率磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23313082A JPS59125607A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 高飽和磁化、高透磁率磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125607A true JPS59125607A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16950209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23313082A Pending JPS59125607A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 高飽和磁化、高透磁率磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125607A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188908A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | Sony Corp | 非晶質軟磁性薄膜 |
| JPS62204504A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アモルフアス軟磁性膜及びその製造方法 |
| JPS63140509A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Tdk Corp | 軟磁性膜の製造法 |
| WO2006097589A2 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Seb S.A | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP23313082A patent/JPS59125607A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188908A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | Sony Corp | 非晶質軟磁性薄膜 |
| JPH0519967B2 (ja) * | 1985-02-16 | 1993-03-18 | Sony Corp | |
| JPS62204504A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アモルフアス軟磁性膜及びその製造方法 |
| JPS63140509A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Tdk Corp | 軟磁性膜の製造法 |
| WO2006097589A2 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Seb S.A | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
| FR2883150A1 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-09-22 | Seb Sa | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
| WO2006097589A3 (fr) * | 2005-03-15 | 2006-12-07 | Seb Sa | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
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