JPH06349634A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH06349634A JPH06349634A JP13855093A JP13855093A JPH06349634A JP H06349634 A JPH06349634 A JP H06349634A JP 13855093 A JP13855093 A JP 13855093A JP 13855093 A JP13855093 A JP 13855093A JP H06349634 A JPH06349634 A JP H06349634A
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- magnetic
- thin film
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温に加熱することなく、飽和磁束密度が大
きく、しかも抗磁力が小さく、且つ透磁率の大きい磁気
ヘッドの磁気コア材料に用いて好適な軟磁性薄膜を提供
する。 【構成】 炭酸化鉄膜２とセンダスト膜３とを交互に積
層してなる多層構造であり、前記センダスト膜３の膜厚
を１０〜４５Åとし、且つ該センダスト膜３に対する前
記炭酸化鉄膜２の膜厚比が１０〜４５とする。
きく、しかも抗磁力が小さく、且つ透磁率の大きい磁気
ヘッドの磁気コア材料に用いて好適な軟磁性薄膜を提供
する。 【構成】 炭酸化鉄膜２とセンダスト膜３とを交互に積
層してなる多層構造であり、前記センダスト膜３の膜厚
を１０〜４５Åとし、且つ該センダスト膜３に対する前
記炭酸化鉄膜２の膜厚比が１０〜４５とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッド等の磁気
ヘッドの磁気コアに用いて好適な軟磁性薄膜に関する。
ヘッドの磁気コアに用いて好適な軟磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野ではますます高密
度記録化が進んでおり、これに対応するため記録媒体に
おいては高抗磁力媒体が実用化されている。このような
高抗磁力媒体に磁気記録を行う磁気ヘッドとしては、磁
気コア材料として高飽和磁束密度を有する磁性材料が要
求される。特に、薄膜磁気ヘッドにおいては、記録密度
を向上させるために磁気コア層の先端部を細くする必要
があり、これに伴って生じる先端部の磁気飽和を防ぐた
めに高飽和磁束密度の磁性材料がより一層必要である。
度記録化が進んでおり、これに対応するため記録媒体に
おいては高抗磁力媒体が実用化されている。このような
高抗磁力媒体に磁気記録を行う磁気ヘッドとしては、磁
気コア材料として高飽和磁束密度を有する磁性材料が要
求される。特に、薄膜磁気ヘッドにおいては、記録密度
を向上させるために磁気コア層の先端部を細くする必要
があり、これに伴って生じる先端部の磁気飽和を防ぐた
めに高飽和磁束密度の磁性材料がより一層必要である。
【０００３】従来、このような高飽和磁束密度の磁性材
料としては、ＮｉＦｅ、ＦｅＡｌＳｉ等が用いられてい
るが、これらはいずれも飽和磁束密度が０．８〜１．１
Ｔ程度である。また、高飽和磁束密度の磁性材料として
は、窒化鉄系の磁性材料が種々知られているが、抗磁
力、透磁率に問題があり、実用化には至っていない。更
に、ＦｅＺｒＮのように前述の窒化鉄系の磁性材料に第
３、第４の元素を添加することにより抗磁力、透磁率を
向上させたものが提案されているが、このようなものに
おいても、成膜後に３５０〜６００℃での熱処理が必要
である。このため、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）を用
いた再生専用のＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）上
に記録専用のインダクティブ型の薄膜磁気ヘッドを形成
した複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、製造工程中に上
記ＭＲ素子の熱破壊が起こらないように３００℃以上に
加熱することが出来ないので、上述した窒化鉄系の磁性
材料に第３、第４の元素を添加したもの用いることが出
来ない。
料としては、ＮｉＦｅ、ＦｅＡｌＳｉ等が用いられてい
るが、これらはいずれも飽和磁束密度が０．８〜１．１
Ｔ程度である。また、高飽和磁束密度の磁性材料として
は、窒化鉄系の磁性材料が種々知られているが、抗磁
力、透磁率に問題があり、実用化には至っていない。更
に、ＦｅＺｒＮのように前述の窒化鉄系の磁性材料に第
３、第４の元素を添加することにより抗磁力、透磁率を
向上させたものが提案されているが、このようなものに
おいても、成膜後に３５０〜６００℃での熱処理が必要
である。このため、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）を用
いた再生専用のＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）上
に記録専用のインダクティブ型の薄膜磁気ヘッドを形成
した複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、製造工程中に上
記ＭＲ素子の熱破壊が起こらないように３００℃以上に
加熱することが出来ないので、上述した窒化鉄系の磁性
材料に第３、第４の元素を添加したもの用いることが出
来ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、高温に加熱することな
く、飽和磁束密度が大きく、しかも抗磁力及び透磁率の
劣化の少ない軟磁性薄膜を提供することを目的とするも
のである。
欠点に鑑み為されたものであり、高温に加熱することな
く、飽和磁束密度が大きく、しかも抗磁力及び透磁率の
劣化の少ない軟磁性薄膜を提供することを目的とするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の軟磁性薄
膜は、炭酸化鉄薄膜にＡｌを含有したことを特徴とす
る。
膜は、炭酸化鉄薄膜にＡｌを含有したことを特徴とす
る。
【０００６】更に、本発明の第２の軟磁性薄膜は、炭酸
化鉄膜とセンダスト膜とを交互に積層してなる多層構造
であることを特徴とする。
化鉄膜とセンダスト膜とを交互に積層してなる多層構造
であることを特徴とする。
【０００７】更に、本発明の第２の軟磁性薄膜は、前記
センダスト膜の膜厚が１０〜１００Åであり、且つ該セ
ンダスト膜に対する前記炭酸化鉄膜の膜厚比が４．５〜
４５であることを特徴とする。
センダスト膜の膜厚が１０〜１００Åであり、且つ該セ
ンダスト膜に対する前記炭酸化鉄膜の膜厚比が４．５〜
４５であることを特徴とする。
【０００８】更に、本発明の第２の軟磁性薄膜は、前記
センダスト膜の膜厚が１０〜４５Åであり、且つ該セン
ダスト膜に対する前記炭酸化鉄膜の膜厚比が１０〜４５
であることを特徴とする。
センダスト膜の膜厚が１０〜４５Åであり、且つ該セン
ダスト膜に対する前記炭酸化鉄膜の膜厚比が１０〜４５
であることを特徴とする。
【０００９】
【作用】炭酸化鉄薄膜は、鉄格子に進入した炭素原子に
より格子歪みが導入され、飽和磁束密度が鉄以上の値を
示す。
より格子歪みが導入され、飽和磁束密度が鉄以上の値を
示す。
【００１０】上記第１の軟磁性薄膜では、Ｆｅよりも酸
素との親和力の大きいＡｌを含有させることにより、炭
酸化鉄中の酸化鉄より酸素を取り除き、γ−Ｆｅの結晶
サイズを微細化して、見かけ上の結晶磁気異方性を小さ
くしている。
素との親和力の大きいＡｌを含有させることにより、炭
酸化鉄中の酸化鉄より酸素を取り除き、γ−Ｆｅの結晶
サイズを微細化して、見かけ上の結晶磁気異方性を小さ
くしている。
【００１１】また、上記第２の軟磁性薄膜では、積層構
造にすることにより、γ−Ｆｅの結晶成長を抑止して、
人工的にγ−Ｆｅの結晶磁気異方性を小さくしている。
造にすることにより、γ−Ｆｅの結晶成長を抑止して、
人工的にγ−Ｆｅの結晶磁気異方性を小さくしている。
【００１２】
【実施例】初めに、本発明の軟磁性薄膜を形成するため
の基礎実験について説明する。
の基礎実験について説明する。
【００１３】まず、結晶化ガラスホトセラムよりなる非
磁性基板上に、マグネトロン型スパッタリング装置を用
い、Ｆｅをアルゴンガス中に二酸化炭素ガスを所定量流
入した雰囲気中で反応性スパッタリングすることにより
炭酸化鉄膜を形成した。尚、この時のスパッタリングの
条件は、投入電力１６００Ｗ、基板温度２００℃、基板
／ターゲット間距離７０ｍｍ、アルゴンガス圧８ｍＴｏ
ｒｒである。
磁性基板上に、マグネトロン型スパッタリング装置を用
い、Ｆｅをアルゴンガス中に二酸化炭素ガスを所定量流
入した雰囲気中で反応性スパッタリングすることにより
炭酸化鉄膜を形成した。尚、この時のスパッタリングの
条件は、投入電力１６００Ｗ、基板温度２００℃、基板
／ターゲット間距離７０ｍｍ、アルゴンガス圧８ｍＴｏ
ｒｒである。
【００１４】図３は上記製造方法において、様々な二酸
化炭素ガスの流量比（１分当りの体積比）の条件下で炭
酸化鉄薄膜を形成した場合における各々の炭酸化鉄薄膜
の磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、抗磁力Ｈｃ、透磁率
μ）と二酸化炭素ガスの流量比との関係を示す図であ
る。
化炭素ガスの流量比（１分当りの体積比）の条件下で炭
酸化鉄薄膜を形成した場合における各々の炭酸化鉄薄膜
の磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、抗磁力Ｈｃ、透磁率
μ）と二酸化炭素ガスの流量比との関係を示す図であ
る。
【００１５】図３から判るように、基板温度が２００℃
と低くても、二酸化炭素ガスの流量比が０．１〜１％の
範囲で形成された炭酸化鉄薄膜は、二酸化炭素ガスを流
入しない場合に比べて抗磁力Ｈｃが小さく、且つ透磁率
μが大きくなる傾向を示す。また、二酸化炭素ガスの流
量比が０．１〜０．５の範囲で形成された炭酸化鉄薄膜
は、飽和磁束密度Ｂｓも大きくなる。そして、二酸化炭
素ガスの流入比が０．２５の時、飽和磁束密度Ｂｓが最
も大きく、更に、抗磁力Ｈｃが最も小さく、且つ透磁率
μが最も大きくなる。
と低くても、二酸化炭素ガスの流量比が０．１〜１％の
範囲で形成された炭酸化鉄薄膜は、二酸化炭素ガスを流
入しない場合に比べて抗磁力Ｈｃが小さく、且つ透磁率
μが大きくなる傾向を示す。また、二酸化炭素ガスの流
量比が０．１〜０．５の範囲で形成された炭酸化鉄薄膜
は、飽和磁束密度Ｂｓも大きくなる。そして、二酸化炭
素ガスの流入比が０．２５の時、飽和磁束密度Ｂｓが最
も大きく、更に、抗磁力Ｈｃが最も小さく、且つ透磁率
μが最も大きくなる。
【００１６】しかしながら、上述の炭酸化鉄薄膜は、飽
和磁束密度Ｂｓは２Ｔ以上の非常に大きな値を示し優れ
ているが、抗磁力Ｈｃは６〜８Ｏｅと大きく、また透磁
率μも３００前後と非常に小さく、磁気ヘッドのコア材
料としては満足出来るものではなかった。尚、スパッタ
リング時の投入電力を５００Ｗ程度にして炭酸化鉄薄膜
を形成した場合においても、上述と同様の結果が得られ
た。
和磁束密度Ｂｓは２Ｔ以上の非常に大きな値を示し優れ
ているが、抗磁力Ｈｃは６〜８Ｏｅと大きく、また透磁
率μも３００前後と非常に小さく、磁気ヘッドのコア材
料としては満足出来るものではなかった。尚、スパッタ
リング時の投入電力を５００Ｗ程度にして炭酸化鉄薄膜
を形成した場合においても、上述と同様の結果が得られ
た。
【００１７】そこで、本発明者等は上記炭酸化鉄薄膜を
基に、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、しかも抗磁力Ｈｃが
小さく、透磁率μが大きい軟磁気特性の優れた軟磁性薄
膜を見出した。
基に、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、しかも抗磁力Ｈｃが
小さく、透磁率μが大きい軟磁気特性の優れた軟磁性薄
膜を見出した。
【００１８】以下、本発明の第１実施例について説明す
る。
る。
【００１９】第１実施例では、結晶化ガラスホトセラム
よりなる非磁性基板上に、マグネトロン型スパッタリン
グ装置を用い、ＦｅとＡｌとをアルゴンガス中に二酸化
炭素ガスを０．２５％流入した雰囲気中で反応性スパッ
タリング行うことにより、Ａｌを含有する炭酸化鉄膜を
１μｍ厚成膜して試料１を作成した。
よりなる非磁性基板上に、マグネトロン型スパッタリン
グ装置を用い、ＦｅとＡｌとをアルゴンガス中に二酸化
炭素ガスを０．２５％流入した雰囲気中で反応性スパッ
タリング行うことにより、Ａｌを含有する炭酸化鉄膜を
１μｍ厚成膜して試料１を作成した。
【００２０】また、比較例として、上述と同様の製造方
法において、Ａｌを用いずにＦｅのみをアルゴンガス中
で二酸化炭素ガスを０．２５％流入した雰囲気中で反応
性スパッタリングを行うことにより、非磁性基板上にＡ
ｌを含有していない炭酸化鉄膜を１μｍ厚成膜して試料
２を作成した。尚、上述のスパッタリングの条件は、投
入電力５００Ｗ、基板温度２００℃、基板／ターゲット
間距離７０ｍｍ、アルゴンガス圧８ｍＴｏｒｒである。
法において、Ａｌを用いずにＦｅのみをアルゴンガス中
で二酸化炭素ガスを０．２５％流入した雰囲気中で反応
性スパッタリングを行うことにより、非磁性基板上にＡ
ｌを含有していない炭酸化鉄膜を１μｍ厚成膜して試料
２を作成した。尚、上述のスパッタリングの条件は、投
入電力５００Ｗ、基板温度２００℃、基板／ターゲット
間距離７０ｍｍ、アルゴンガス圧８ｍＴｏｒｒである。
【００２１】上記試料１、２夫々について、飽和磁束密
度Ｂｓ、抗磁力Ｈｃ、及び透磁率μを測定し、その結果
を下記の表１に示す。
度Ｂｓ、抗磁力Ｈｃ、及び透磁率μを測定し、その結果
を下記の表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】上記表１に示すように、Ａｌを含有する試
料１の炭酸化鉄膜は、飽和磁束密度が２．２Ｔと非常に
大きく、しかもＡｌを含有していない試料２の炭酸化鉄
膜に比べ、抗磁力Ｈｃも２．８Ｏｅと小さく、且つ透磁
率μも８００と大きくなり、磁気ヘッドの磁気コア材料
として優れた軟磁気特性を有する。
料１の炭酸化鉄膜は、飽和磁束密度が２．２Ｔと非常に
大きく、しかもＡｌを含有していない試料２の炭酸化鉄
膜に比べ、抗磁力Ｈｃも２．８Ｏｅと小さく、且つ透磁
率μも８００と大きくなり、磁気ヘッドの磁気コア材料
として優れた軟磁気特性を有する。
【００２４】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００２５】第２実施例では、結晶化ガラスホトセラム
よりなる非磁性基板上に、マグネトロン型スパッタリン
グ装置を用い、Ｆｅをアルゴンガス中に二酸化炭素ガス
を０．２５％流入した雰囲気中で反応性スパッタリング
することにより炭酸化鉄膜を成膜し、更にその上にＦ
ｅ、Ａｌ、Ｓｉをアルゴンガス雰囲気中で反応性スパッ
タリングすることによりセンダスト膜を成膜し、更にそ
の上に前述の炭酸化鉄膜、センダスト膜の成膜を交互に
行うことにより、図１に示すような軟磁性多層膜を形成
する。図１において、１は非磁性基板、２は炭酸化鉄
膜、３はセンダスト膜である。この第２実施例では、炭
酸化鉄膜２を１１層、センダスト膜３を１０層とした。
前記センダスト膜の組成はＦｅ、Ａｌ、Ｓｉよりなるタ
ーゲットの組成を調整することによりＦｅの重量％を８
０〜９０％にする必要がある。本実施例では、前記セン
ダスト膜の組成をＦｅが８５ｗｔ％、Ａｌが５．４ｗｔ
％、Ｓｉが９．６ｗｔ％となるように調整した。尚、炭
酸化鉄膜成膜時のスパッタリング条件は、投入電力１６
００Ｗ、基板温度２００℃、基板／ターゲット間距離７
０ｍｍ、アルゴンガス圧８ｍＴｏｒｒであり、センダス
ト膜成膜時のスパッタリング条件は、投入電力８００
Ｗ、基板温度２００℃、基板／ターゲット間距離７０ｍ
ｍ、アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒである。
よりなる非磁性基板上に、マグネトロン型スパッタリン
グ装置を用い、Ｆｅをアルゴンガス中に二酸化炭素ガス
を０．２５％流入した雰囲気中で反応性スパッタリング
することにより炭酸化鉄膜を成膜し、更にその上にＦ
ｅ、Ａｌ、Ｓｉをアルゴンガス雰囲気中で反応性スパッ
タリングすることによりセンダスト膜を成膜し、更にそ
の上に前述の炭酸化鉄膜、センダスト膜の成膜を交互に
行うことにより、図１に示すような軟磁性多層膜を形成
する。図１において、１は非磁性基板、２は炭酸化鉄
膜、３はセンダスト膜である。この第２実施例では、炭
酸化鉄膜２を１１層、センダスト膜３を１０層とした。
前記センダスト膜の組成はＦｅ、Ａｌ、Ｓｉよりなるタ
ーゲットの組成を調整することによりＦｅの重量％を８
０〜９０％にする必要がある。本実施例では、前記セン
ダスト膜の組成をＦｅが８５ｗｔ％、Ａｌが５．４ｗｔ
％、Ｓｉが９．６ｗｔ％となるように調整した。尚、炭
酸化鉄膜成膜時のスパッタリング条件は、投入電力１６
００Ｗ、基板温度２００℃、基板／ターゲット間距離７
０ｍｍ、アルゴンガス圧８ｍＴｏｒｒであり、センダス
ト膜成膜時のスパッタリング条件は、投入電力８００
Ｗ、基板温度２００℃、基板／ターゲット間距離７０ｍ
ｍ、アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒである。
【００２６】上述の軟磁性多層膜において、炭酸化鉄膜
の膜厚を４５０Åで一定とし、センダスト膜の膜厚を変
化させた時における軟磁性多層膜の磁気特性とセンダス
ト膜の膜厚（センダスト膜に対する炭酸化鉄膜の膜厚
比）との関係を調べ、その結果を図２に示す。
の膜厚を４５０Åで一定とし、センダスト膜の膜厚を変
化させた時における軟磁性多層膜の磁気特性とセンダス
ト膜の膜厚（センダスト膜に対する炭酸化鉄膜の膜厚
比）との関係を調べ、その結果を図２に示す。
【００２７】図２より判るように、第２実施例の軟磁性
多層膜は飽和磁束密度Ｂｓが２Ｔ以上と非常に大きく、
しかも、センダスト膜の膜厚が１０〜１００Åの範囲
で、センダスト膜に対する炭酸化鉄膜の膜厚比が４．５
〜４５の範囲では、抗磁力Ｈｃが２．５以下と小さく、
且つ透磁率μが１２００以上となり、磁気ヘッドの磁気
コア材料として優れた軟磁気特性を示す。特に、センダ
スト膜の膜厚が１０〜４５Åの範囲で、前記膜厚比が１
０〜４５の範囲では、上記軟磁性多層膜は透磁率μが１
５００以上と顕著に大きくなり、非常にに優れた軟磁気
特性を示す。
多層膜は飽和磁束密度Ｂｓが２Ｔ以上と非常に大きく、
しかも、センダスト膜の膜厚が１０〜１００Åの範囲
で、センダスト膜に対する炭酸化鉄膜の膜厚比が４．５
〜４５の範囲では、抗磁力Ｈｃが２．５以下と小さく、
且つ透磁率μが１２００以上となり、磁気ヘッドの磁気
コア材料として優れた軟磁気特性を示す。特に、センダ
スト膜の膜厚が１０〜４５Åの範囲で、前記膜厚比が１
０〜４５の範囲では、上記軟磁性多層膜は透磁率μが１
５００以上と顕著に大きくなり、非常にに優れた軟磁気
特性を示す。
【００２８】尚、上記第１、第２実施例では、スパッタ
リングにより軟磁性薄膜を形成したが、蒸着やイオンプ
レーティング等の他の成膜方法により形成してもよい。
また、基板材料としても、ガラスやセラミックス等様々
な基板が適用可能である。
リングにより軟磁性薄膜を形成したが、蒸着やイオンプ
レーティング等の他の成膜方法により形成してもよい。
また、基板材料としても、ガラスやセラミックス等様々
な基板が適用可能である。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、高温に加熱することな
く、飽和磁束密度が大きく、しかも抗磁力が小さく、且
つ透磁率の大きい磁気ヘッドの磁気コア材料に用いて好
適な軟磁性薄膜を提供し得る。
く、飽和磁束密度が大きく、しかも抗磁力が小さく、且
つ透磁率の大きい磁気ヘッドの磁気コア材料に用いて好
適な軟磁性薄膜を提供し得る。
【図１】本発明の第２実施例の軟磁性多層膜の構造を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の第２実施例の軟磁性多層膜のセンダス
ト膜の膜厚による磁気特性の変化を示す図である。
ト膜の膜厚による磁気特性の変化を示す図である。
【図３】本発明の基礎となる炭酸化鉄膜を製造する際に
おける二酸化炭素ガスの流量比と炭酸化鉄膜の磁気特性
との関係を示す図である。
おける二酸化炭素ガスの流量比と炭酸化鉄膜の磁気特性
との関係を示す図である。
２ 炭酸化鉄膜 ３ センダスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安田 伊佐雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 炭酸化鉄薄膜にＡｌを含有したことを特
徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 炭酸化鉄膜とセンダスト膜とを交互に積
層してなる多層構造の軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 前記センダスト膜の膜厚が１０〜１００
Åであり、且つ該センダスト膜に対する前記炭酸化鉄膜
の膜厚比が４．５〜４５であることを特徴とする請求項
２記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項４】 前記センダスト膜の膜厚が１０〜４５Å
であり、且つ該センダスト膜に対する前記炭酸化鉄膜の
膜厚比が１０〜４５であることを特徴とする請求項２記
載の軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13855093A JPH06349634A (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13855093A JPH06349634A (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349634A true JPH06349634A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15224774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13855093A Pending JPH06349634A (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349634A (ja) |
-
1993
- 1993-06-10 JP JP13855093A patent/JPH06349634A/ja active Pending
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