JPH03116910A - 磁性合金膜 - Google Patents
磁性合金膜Info
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- JPH03116910A JPH03116910A JP25611289A JP25611289A JPH03116910A JP H03116910 A JPH03116910 A JP H03116910A JP 25611289 A JP25611289 A JP 25611289A JP 25611289 A JP25611289 A JP 25611289A JP H03116910 A JPH03116910 A JP H03116910A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高密度磁気記録用の磁気ヘッドに適する磁性
合金膜に関する。
合金膜に関する。
(従来の技術)
近年、磁気記録の高密度化や広帯域化の必要性が高まり
、磁気記録媒体に高い抗磁力を有する磁性材料を使用し
て記録トラック幅を狭くすることにより、高密度磁気記
録再生を実現している。そして、この高い抗磁力をもつ
磁気記録媒体に記録再生するするための磁気ヘッド材料
として、飽和磁束密度Bsの高い磁性合金が必要とされ
ており、センダスト合金やCo−Zr系非晶質合金等を
コアの一部または全部に使用した磁気ヘッドが提案され
ている。
、磁気記録媒体に高い抗磁力を有する磁性材料を使用し
て記録トラック幅を狭くすることにより、高密度磁気記
録再生を実現している。そして、この高い抗磁力をもつ
磁気記録媒体に記録再生するするための磁気ヘッド材料
として、飽和磁束密度Bsの高い磁性合金が必要とされ
ており、センダスト合金やCo−Zr系非晶質合金等を
コアの一部または全部に使用した磁気ヘッドが提案され
ている。
然しなから、これらの合金のBsは10kG程度か或い
はそれ以下であり、磁気記録媒体の抗磁力が20000
e以上になるとセンダスト合金やCo−Zr系非晶質合
金を使用した磁気ヘッドでは良好な磁気記録再生が困難
になった。 又、磁気記録媒体の長手方向ではなく、厚
さ方向に磁化して記録する垂直磁化記録方式も提案され
ているがこの垂直磁化記録方式を良好に行うには、磁気
ヘッドの主磁極先端部の厚さを0.5μm以下にする必
要があり、比較的抗磁力の低い磁気記録媒体に記録する
にも、高い飽和磁束密度を持つ磁気ヘッド用磁性合金が
必要になる。
はそれ以下であり、磁気記録媒体の抗磁力が20000
e以上になるとセンダスト合金やCo−Zr系非晶質合
金を使用した磁気ヘッドでは良好な磁気記録再生が困難
になった。 又、磁気記録媒体の長手方向ではなく、厚
さ方向に磁化して記録する垂直磁化記録方式も提案され
ているがこの垂直磁化記録方式を良好に行うには、磁気
ヘッドの主磁極先端部の厚さを0.5μm以下にする必
要があり、比較的抗磁力の低い磁気記録媒体に記録する
にも、高い飽和磁束密度を持つ磁気ヘッド用磁性合金が
必要になる。
そして、センダスト合金やCo−Zr系非晶質合金より
も飽和磁束密度の高い磁性合金として、窒化鉄やFe−
3i系合金等の鉄を主成分とした磁性合金が知られてい
る。
も飽和磁束密度の高い磁性合金として、窒化鉄やFe−
3i系合金等の鉄を主成分とした磁性合金が知られてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、従来より知られている、これらの高Bs磁性
合金は保磁力Hcが大きく、そのままでは磁気ヘッドの
材料としては不十分であるのでセンダスト合金やパーマ
ロイ等の保磁力の小さい磁性材料か、或いは5i02等
の非磁性材料を中間層とした多層構造の磁気ヘッドが提
案されている。
合金は保磁力Hcが大きく、そのままでは磁気ヘッドの
材料としては不十分であるのでセンダスト合金やパーマ
ロイ等の保磁力の小さい磁性材料か、或いは5i02等
の非磁性材料を中間層とした多層構造の磁気ヘッドが提
案されている。
然しなから、このように異なる系の物質を多層化するに
は工数やコストがかかり、信頼性を保つのも難しいとい
う問題点があった。
は工数やコストがかかり、信頼性を保つのも難しいとい
う問題点があった。
これらの問題点を解決するために、本発明人等はFe−
N−0合金やFe−Ta−N−0合金等によって、多層
構造にしない単層でも高飽和磁束密度を有しさらに低保
磁力である磁性合金を提案した。(特願昭64−350
71号明細書など)ところで、磁気ヘッド等の磁性合金
に要求される特性として、上記の他に磁歪がある。前記
したFe−Ta−N−0合金はすでに低磁歪を実現して
いるが、今後更に磁歪の低いものが必要となる可能束が
ある。本発明は飽和磁束密度Bsが高く熱安定性にも優
れていて、磁歪が非常に小さい磁性合金膜を提供するこ
とを目的とする。
N−0合金やFe−Ta−N−0合金等によって、多層
構造にしない単層でも高飽和磁束密度を有しさらに低保
磁力である磁性合金を提案した。(特願昭64−350
71号明細書など)ところで、磁気ヘッド等の磁性合金
に要求される特性として、上記の他に磁歪がある。前記
したFe−Ta−N−0合金はすでに低磁歪を実現して
いるが、今後更に磁歪の低いものが必要となる可能束が
ある。本発明は飽和磁束密度Bsが高く熱安定性にも優
れていて、磁歪が非常に小さい磁性合金膜を提供するこ
とを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであ
り、Fe−M−0−N合金と、Fe−M−0合金との多
層構造よりなる磁性合金膜。
り、Fe−M−0−N合金と、Fe−M−0合金との多
層構造よりなる磁性合金膜。
(但し、MはTa5NbSS iからなる群の少なくと
も1種以上の元素)または Few MxOy Nzなる組成式で表されw x y
zで示される原子%は 0.5≦x≦6 0.1≦■≦200 1≦■≦20 w+x+y+z=lo。
も1種以上の元素)または Few MxOy Nzなる組成式で表されw x y
zで示される原子%は 0.5≦x≦6 0.1≦■≦200 1≦■≦20 w+x+y+z=lo。
なる関係を有する合金と、
F ewl MX I OY lなる組成式で表され、
w1x1y1で示される原子%は 0゜5≦xi≦6 0.1≦yt≦20w1 +xl
+yl −100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
したことを特徴とする磁性合金膜。(但しMはTa、N
b、S iからなる群の少なくとも1種以上の元素)ま
たは F ew Mx Oy Nzなる合金と、FewtMx
lOYIなる合金とを交互に積層した多層構造からなる
磁性合金膜において、合金の膜厚方向の平均の組成Fe
; MX OY Npが 0.5 ≦X ≦8 0.1 ≦■≦2000.5≦
■≦15 w+x+y+1−100である磁性合金膜をそれぞれ提
供するものである。
w1x1y1で示される原子%は 0゜5≦xi≦6 0.1≦yt≦20w1 +xl
+yl −100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
したことを特徴とする磁性合金膜。(但しMはTa、N
b、S iからなる群の少なくとも1種以上の元素)ま
たは F ew Mx Oy Nzなる合金と、FewtMx
lOYIなる合金とを交互に積層した多層構造からなる
磁性合金膜において、合金の膜厚方向の平均の組成Fe
; MX OY Npが 0.5 ≦X ≦8 0.1 ≦■≦2000.5≦
■≦15 w+x+y+1−100である磁性合金膜をそれぞれ提
供するものである。
(実施例)
本発明の磁性合金膜の製造装置の一実施例を第1図に示
す。
す。
一対のターゲット5.5は鉄(Fe)とタンタル(Ta
)、ニオブ(Nb)、けい素(Si)等の添加元素の合
金ターゲットか、或いは適当な四部を設けた純鉄のター
ゲットの凹部にチップ状のT a s N bまたはS
iをはめ込んだ複合ターゲットである。このターゲット
5.5はターゲットホルダ9によって支えられており、
このターゲット5とターゲットホルダ9には、直流電源
13よりマイナス電位が印加され、更にこのターゲット
ホルダ9の周囲にはシールド4が取り付けである。
)、ニオブ(Nb)、けい素(Si)等の添加元素の合
金ターゲットか、或いは適当な四部を設けた純鉄のター
ゲットの凹部にチップ状のT a s N bまたはS
iをはめ込んだ複合ターゲットである。このターゲット
5.5はターゲットホルダ9によって支えられており、
このターゲット5とターゲットホルダ9には、直流電源
13よりマイナス電位が印加され、更にこのターゲット
ホルダ9の周囲にはシールド4が取り付けである。
又、このターゲットホルダ9の内部には、両ターゲット
5.5間にプラズマ14を収束するための磁石6.6が
挿入され、かつターゲット5の表面の加熱を防ぐために
冷却水8が流入している。
5.5間にプラズマ14を収束するための磁石6.6が
挿入され、かつターゲット5の表面の加熱を防ぐために
冷却水8が流入している。
そして、接地された真空槽15の左右に、2個のターゲ
ットホルダ9が絶縁体7によって絶縁されて設けられて
いる。
ットホルダ9が絶縁体7によって絶縁されて設けられて
いる。
又、この真空槽15の上部より、酸素(02)窒素(N
2)アルゴン(Ar)がそれぞれ流量計1〜3により、
所定の流量に調節されて導入されている。ここで、本発
明の磁性合金膜を得るには窒素を真空槽内に導入するこ
とと、真空槽内への導入を止めることを交互に切り換え
なければならない。この切り換えの際の真空槽内の圧力
変動および流量計2によって規制されている窒素流量の
変動を少なくするために2個の空気圧作動式バルブa、
bが設けられており、更にバルブbはロータリポンプ1
6に続いている。
2)アルゴン(Ar)がそれぞれ流量計1〜3により、
所定の流量に調節されて導入されている。ここで、本発
明の磁性合金膜を得るには窒素を真空槽内に導入するこ
とと、真空槽内への導入を止めることを交互に切り換え
なければならない。この切り換えの際の真空槽内の圧力
変動および流量計2によって規制されている窒素流量の
変動を少なくするために2個の空気圧作動式バルブa、
bが設けられており、更にバルブbはロータリポンプ1
6に続いている。
真空槽内に窒素を導入する時はaが開、bが閉になって
おり窒素は真空〜槽内に導入される。
おり窒素は真空〜槽内に導入される。
窒素を真空槽内に導入しない時はaが閉、bが開にって
おり窒素はロータリポンプ16によって排気される。こ
の時、真空槽内の圧力とロータリポンプ16の圧力を略
同じにすることによって、窒素の切り換え時の流量及び
真空槽内の圧力変動を最小限に押さえることができる。
おり窒素はロータリポンプ16によって排気される。こ
の時、真空槽内の圧力とロータリポンプ16の圧力を略
同じにすることによって、窒素の切り換え時の流量及び
真空槽内の圧力変動を最小限に押さえることができる。
なお、アルゴンはターゲット5をスパッタすると同時に
成膜する磁性合金膜中の酸素と窒素の量を調節するため
のものである。
成膜する磁性合金膜中の酸素と窒素の量を調節するため
のものである。
そして、真空槽15の下部には基板ホルダ12上に基板
11が置かれ、不純物を防ぐためのシャッタ10が基板
11を覆っている。
11が置かれ、不純物を防ぐためのシャッタ10が基板
11を覆っている。
このようなスパッタ装置において、直流電源13により
、左右のターゲットホルダ9に支えられたターゲット5
.5の間にプラズマ14を発生させると、ターゲット5
はマイナス電位であるので、プラズマ14中のアルゴン
イオン(Ar )がターゲッット5に衝突し、ターゲ
ット5の鉄原子及びTa5NbまたはSt等の原子が飛
び出す。
、左右のターゲットホルダ9に支えられたターゲット5
.5の間にプラズマ14を発生させると、ターゲット5
はマイナス電位であるので、プラズマ14中のアルゴン
イオン(Ar )がターゲッット5に衝突し、ターゲ
ット5の鉄原子及びTa5NbまたはSt等の原子が飛
び出す。
そして、ターゲット5から飛び出したこれらの原子とプ
ラズマ中の酸素および窒素の原子または分子が基板11
の上に成長していく。 なお、スパッタ開始後の数分間
は、シャッタ10を閉じて基板11を覆うことにより、
ターゲット5の表面の不純物が基板11の上に付かない
ようにし、その後でシャッタ10を開けるようにする。
ラズマ中の酸素および窒素の原子または分子が基板11
の上に成長していく。 なお、スパッタ開始後の数分間
は、シャッタ10を閉じて基板11を覆うことにより、
ターゲット5の表面の不純物が基板11の上に付かない
ようにし、その後でシャッタ10を開けるようにする。
そして、流量計1〜3にて酸素、窒素、アルゴンの導入
量を調整すると共に、バルブaSbの開閉のタイミング
を決めることにより、所望の元素組成比及び所望の膜厚
のFewMxOYN2とFewlMxloylとの多層
膜を得ることができる。(但し、MはTa5Nb、S
iの内の少なくとも1種以上の元素) このようにして得たF ewMX OY NZとFew
l Mx l OY 1との多層膜の飽和磁束密度B
s。
量を調整すると共に、バルブaSbの開閉のタイミング
を決めることにより、所望の元素組成比及び所望の膜厚
のFewMxOYN2とFewlMxloylとの多層
膜を得ることができる。(但し、MはTa5Nb、S
iの内の少なくとも1種以上の元素) このようにして得たF ewMX OY NZとFew
l Mx l OY 1との多層膜の飽和磁束密度B
s。
保磁力Ha、磁歪λ5を第2図に示す。又、比較のため
にF ew MX OY NZ単層およびFewlMX
I OY l単層の場合の数値も記す。各数値は30
0°C以上の熱処理を行った後の値である。
にF ew MX OY NZ単層およびFewlMX
I OY l単層の場合の数値も記す。各数値は30
0°C以上の熱処理を行った後の値である。
この第2図から理解で、きるように、FewIMxlO
Yl単層では磁歪は負であり保磁力は略l。
Yl単層では磁歪は負であり保磁力は略l。
00eである。又、F ewMX OY NZ単層では
磁歪は正であり保磁力は0.1 =0.30 eでFe
wM、oy単層よりも小さい。 更に、FewM、(O
YN2の方がFew I MX I OY lよりも熱
安定性に優れていることを本発明人は実験で確認してい
る。単層では以上のような特性を示すFewMx oY
NzとFewlMxlOylとを交互に積層して多層化
すると、保磁力と熱安定性はFeWM工Ov N z単
層の時と同等の優れた特性を持ち、磁歪に関しては、F
ew MXOY NZとF ew l Mx l O
y 1の略平均に近い値になり、txto−以下の低磁
歪を実現できる。
磁歪は正であり保磁力は0.1 =0.30 eでFe
wM、oy単層よりも小さい。 更に、FewM、(O
YN2の方がFew I MX I OY lよりも熱
安定性に優れていることを本発明人は実験で確認してい
る。単層では以上のような特性を示すFewMx oY
NzとFewlMxlOylとを交互に積層して多層化
すると、保磁力と熱安定性はFeWM工Ov N z単
層の時と同等の優れた特性を持ち、磁歪に関しては、F
ew MXOY NZとF ew l Mx l O
y 1の略平均に近い値になり、txto−以下の低磁
歪を実現できる。
すなわち、Fe−M−N−0合金と、Fe−M−0合金
との多層構造よりなる磁性合金膜、及び、FewMxO
YNzなる組成式で表されwxyzで示される原子26
は 0.5 ≦X ≦6 0.1 ≦y ≦20■ ≦
2 ≦20 w+x 十y +z=100 なる関係式を有する合金と、 F ew I Mxl Oy lなる組成式で表され、
v LX ly 1で示される原子%は0.5≦x1≦
e o、t≦yl≦20vl+ x1+y1 −
100 なる関係式有する合金とを交互に積層して多層構造とし
た磁性合金膜、さらには、F ew MX 0YN2な
る合金と、FewLM)(10,1なる合金とを交互に
積層した多層構造からなる磁性合金膜において、合金の
膜厚方向の平均の組成Fe;MiOマN)が 0.5≦■≦8 0.1≦■≦2000.5≦■≦1
5 y +X +y +z細100 である磁性合金膜
によれば飽和磁束密度、保磁力、熱安定性に優れたもの
が得られると共に、磁歪に関しても所望の値のものが得
られるものである。
との多層構造よりなる磁性合金膜、及び、FewMxO
YNzなる組成式で表されwxyzで示される原子26
は 0.5 ≦X ≦6 0.1 ≦y ≦20■ ≦
2 ≦20 w+x 十y +z=100 なる関係式を有する合金と、 F ew I Mxl Oy lなる組成式で表され、
v LX ly 1で示される原子%は0.5≦x1≦
e o、t≦yl≦20vl+ x1+y1 −
100 なる関係式有する合金とを交互に積層して多層構造とし
た磁性合金膜、さらには、F ew MX 0YN2な
る合金と、FewLM)(10,1なる合金とを交互に
積層した多層構造からなる磁性合金膜において、合金の
膜厚方向の平均の組成Fe;MiOマN)が 0.5≦■≦8 0.1≦■≦2000.5≦■≦1
5 y +X +y +z細100 である磁性合金膜
によれば飽和磁束密度、保磁力、熱安定性に優れたもの
が得られると共に、磁歪に関しても所望の値のものが得
られるものである。
ここで、第3図としてFewMxOyN2なる組成式の
合金の窒素およびTa、Nb5S iなどの添加元素の
含有量と回転翼基中で300°Cの熱処理を行なった後
の飽和磁束密度(Bs)と保磁力(He)との関係を示
す。
合金の窒素およびTa、Nb5S iなどの添加元素の
含有量と回転翼基中で300°Cの熱処理を行なった後
の飽和磁束密度(Bs)と保磁力(He)との関係を示
す。
なお、この図において含有量はESCA (X線光電子
分光分析法)EPMA (X線マイクロアナライザ法)
等による定量分析で行い原子%で表している。保磁力は
真空中での熱処理を行った時の値であり熱処理温度は3
00°Cである。
分光分析法)EPMA (X線マイクロアナライザ法)
等による定量分析で行い原子%で表している。保磁力は
真空中での熱処理を行った時の値であり熱処理温度は3
00°Cである。
この図より明らかなように、酸素の含有量が0.1原子
%未満であると十分な低Heが得られず、20原子%を
超えると軟磁気特性が大幅に劣化し、Bsの低下とHe
の増大が起こる。従って、酸素の含有量が0.1〜20
原子%、更に好ましくは0.1〜IO原子%である時、
BSが高くかつHeの小さい磁性合金が得られる。窒素
の含有量は、1原子%未満であると十分な低Heが得ら
れず、とくに良好な熱安定性が得られない。又、窒素の
含有量が20原子%を超えるとBsの低下とHeの増大
が起こり、特に本発明の目的の一つである高Bsを達成
できなくなる。 従って、窒素の含有量が1〜20原子
%、更に好ましくは、1〜IO原子%である時、高Bs
・低Hcで熱安定性にも優れた磁性合金を得ることがで
きる。実験によればTaXNbまたはStの内の一種以
上の元素の含有量が0.5原子%以下であると、添加に
よる効果がほとんど見られず、十分な熱安定性が得られ
ないことが解った。又、これらの含有量が6原子%を超
えるとHcの増大が起こる。従って、Ta、Nbまたは
Stの内の一種以上の元素の合計含有量0.5〜B原子
%であるとき良好な磁気特性と熱安定性を持つ磁性合金
を得ることができる。
%未満であると十分な低Heが得られず、20原子%を
超えると軟磁気特性が大幅に劣化し、Bsの低下とHe
の増大が起こる。従って、酸素の含有量が0.1〜20
原子%、更に好ましくは0.1〜IO原子%である時、
BSが高くかつHeの小さい磁性合金が得られる。窒素
の含有量は、1原子%未満であると十分な低Heが得ら
れず、とくに良好な熱安定性が得られない。又、窒素の
含有量が20原子%を超えるとBsの低下とHeの増大
が起こり、特に本発明の目的の一つである高Bsを達成
できなくなる。 従って、窒素の含有量が1〜20原子
%、更に好ましくは、1〜IO原子%である時、高Bs
・低Hcで熱安定性にも優れた磁性合金を得ることがで
きる。実験によればTaXNbまたはStの内の一種以
上の元素の含有量が0.5原子%以下であると、添加に
よる効果がほとんど見られず、十分な熱安定性が得られ
ないことが解った。又、これらの含有量が6原子%を超
えるとHcの増大が起こる。従って、Ta、Nbまたは
Stの内の一種以上の元素の合計含有量0.5〜B原子
%であるとき良好な磁気特性と熱安定性を持つ磁性合金
を得ることができる。
FewMxOyN、zとFewlMxlOylとの多層
膜の膜厚方向の平均の窒素含有量2は、FewMzOv
Nz中の窒素含有量2と、FewMxoyNzの膜厚t
とF ew l Mx L Ov lの膜厚tlの比t
/llによって決まるが、この膜厚方向の平均の窒素含
有量2が0.5原子%未満であると、十分な低Hcが得
られず、とくに良好な熱安定性が得られない。又、2が
15%を超えると多層化したことによる磁歪の低下が顕
著に現れなくなる。従って、Few Mz Ov Nz
とFewlMxl oy 1との多層膜の膜厚方向の平
均の窒素含有量が0.5〜15原子%である時、高Bs
・低He・低磁歪で熱安定性に優れた磁性合金を得るこ
とができる。
膜の膜厚方向の平均の窒素含有量2は、FewMzOv
Nz中の窒素含有量2と、FewMxoyNzの膜厚t
とF ew l Mx L Ov lの膜厚tlの比t
/llによって決まるが、この膜厚方向の平均の窒素含
有量2が0.5原子%未満であると、十分な低Hcが得
られず、とくに良好な熱安定性が得られない。又、2が
15%を超えると多層化したことによる磁歪の低下が顕
著に現れなくなる。従って、Few Mz Ov Nz
とFewlMxl oy 1との多層膜の膜厚方向の平
均の窒素含有量が0.5〜15原子%である時、高Bs
・低He・低磁歪で熱安定性に優れた磁性合金を得るこ
とができる。
(発明の効果)
以上詳述したように、本発明になる磁性合金膜は、高B
s・低Hcで熱安定性に優れ磁歪が正であるF ewM
X Oy Nz合金と、Heと熱安定性はF ew M
xO,Nz合金に劣るが磁歪が負であるF ew l
Mx 10v 1合金とを交互に積層して多層構造とす
ることにより、BS−Hc・熱安定性はFewMXOY
N2合金単層と同等の優れた特性を示し、磁歪はF e
wMX OY N2合金とF ew I MX I O
Y 1合金のそれぞれの磁歪の略平均に近い値となる結
果、非常に低磁歪の磁性合金が得られるものである。従
って、本発明の磁性合金膜を用いれば、高保磁力媒体へ
の良好な磁気記録再生が行える他、高性能の薄膜磁気ヘ
ッド等を作成することも可能となり、高密度磁気記録再
生が実現できる。
s・低Hcで熱安定性に優れ磁歪が正であるF ewM
X Oy Nz合金と、Heと熱安定性はF ew M
xO,Nz合金に劣るが磁歪が負であるF ew l
Mx 10v 1合金とを交互に積層して多層構造とす
ることにより、BS−Hc・熱安定性はFewMXOY
N2合金単層と同等の優れた特性を示し、磁歪はF e
wMX OY N2合金とF ew I MX I O
Y 1合金のそれぞれの磁歪の略平均に近い値となる結
果、非常に低磁歪の磁性合金が得られるものである。従
って、本発明の磁性合金膜を用いれば、高保磁力媒体へ
の良好な磁気記録再生が行える他、高性能の薄膜磁気ヘ
ッド等を作成することも可能となり、高密度磁気記録再
生が実現できる。
第1図は、本発明になる磁性合金膜を製造する装置の一
実施例であるスパッタ装置の概略図、第2図は、本発明
になる多層構造からなる磁性合金膜と単層構造の磁性合
金膜との飽和磁束密度、保磁力、磁歪、熱安定性のそれ
ぞれの比較を示す図、第3図は、F ew MX OY
NZなる組成式の合金膜の窒素、酸素及びTa、Nb
、S iなどの添加元素の含有量と飽和磁束密度、保磁
力の関係を示す図である。
実施例であるスパッタ装置の概略図、第2図は、本発明
になる多層構造からなる磁性合金膜と単層構造の磁性合
金膜との飽和磁束密度、保磁力、磁歪、熱安定性のそれ
ぞれの比較を示す図、第3図は、F ew MX OY
NZなる組成式の合金膜の窒素、酸素及びTa、Nb
、S iなどの添加元素の含有量と飽和磁束密度、保磁
力の関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)Fe−M−O−N合金と、Fe−M−O合金との
多層構造よりなる磁性合金膜。(但し、MはTa、Nb
、Siからなる群の少なくとも1種以上の元素) (2)Fe_WM_XO_YN_Zなる組成式で表され
wxyzで示される原子%は 0.5≦x≦6 0.1≦y≦20 1≦z≦20 w+x+y+z=100 なる関係を有する合金と、 Fe_W_1M_X_1O_Y_1なる組成式で表され
、w1x1y1で示される原子%は 0.5≦x1≦6 0.1≦y1≦20 w1+x1+y1=100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
したことを特徴とする磁性合金膜。(但しMはTa、N
b、Siからなる群の少なくとも1種以上の元素) (3)Fe_WM_XO_YN_Zなる合金と、Fe_
W_1M_X_1O_Y_1なる合金とを交互に積層し
た多層構造からなる磁性合金膜において、合金の膜厚方
向の平均の組成Fe_■M_■O_■N_■が0.5≦
■≦6 0.1≦■≦20 0.5≦■≦15 ■+■+■+■=100である磁性合金膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25611289A JPH03116910A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁性合金膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25611289A JPH03116910A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁性合金膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116910A true JPH03116910A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17288062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25611289A Pending JPH03116910A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁性合金膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03116910A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5617275A (en) * | 1994-05-02 | 1997-04-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film head having a core comprising Fe-N-O in a specific atomic composition ratio |
US6822831B2 (en) * | 1999-11-26 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic thin film, magnetic thin film forming method, and recording head |
JP2009083429A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Kanto Auto Works Ltd | 温度調節部材を有する金型殻の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25611289A patent/JPH03116910A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5617275A (en) * | 1994-05-02 | 1997-04-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film head having a core comprising Fe-N-O in a specific atomic composition ratio |
US6822831B2 (en) * | 1999-11-26 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic thin film, magnetic thin film forming method, and recording head |
JP2009083429A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Kanto Auto Works Ltd | 温度調節部材を有する金型殻の製造方法 |
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