JPH03166705A - 磁性合金 - Google Patents
磁性合金Info
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- JPH03166705A JPH03166705A JP30698189A JP30698189A JPH03166705A JP H03166705 A JPH03166705 A JP H03166705A JP 30698189 A JP30698189 A JP 30698189A JP 30698189 A JP30698189 A JP 30698189A JP H03166705 A JPH03166705 A JP H03166705A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
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- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高密度磁気記録用の磁気ヘッドに使用して好
適な磁性合金膜に関する。
適な磁性合金膜に関する。
(従来の技術)
近年、磁気記録の高密度化や広帯域化の必要性が高まり
、磁気記録媒体に高い抗磁力を有する磁性材料を使用し
て記録トラック幅を狭くすることにより、高密度磁気記
録再生を実現している。そして、この高い抗磁力をもつ
磁気記録媒体に記録再生するするための磁気ヘッド材料
として、飽和磁束密度Bsの高い磁性合金が必要とされ
ており、センダスト合金やCo−Zr系非品質合金等を
コアの一部または全部に使用した磁気ヘッドが提案され
ている。
、磁気記録媒体に高い抗磁力を有する磁性材料を使用し
て記録トラック幅を狭くすることにより、高密度磁気記
録再生を実現している。そして、この高い抗磁力をもつ
磁気記録媒体に記録再生するするための磁気ヘッド材料
として、飽和磁束密度Bsの高い磁性合金が必要とされ
ており、センダスト合金やCo−Zr系非品質合金等を
コアの一部または全部に使用した磁気ヘッドが提案され
ている。
然しなから、これらの合金のBsは10kG程度か或い
はそれ以下であり、磁気記録媒体の高抗磁力化が一段と
進み抗磁力が20000e以上になるとセンダスト合金
やCo−Zr系非品質合金を使用した磁気ヘッドでは良
好な磁気記録再生が困難になった。 又、磁気記録媒体
の長手方向ではなく、厚さ方向に磁化して記録する垂直
磁化記録方式も提案されているが、この垂直磁化記録方
式を良好に行うには、磁気ヘッドの主磁極先端部の厚さ
を0.5μm以下にする必要があり、比較的抗磁力の低
い磁気記録媒体に記録するにも、高い飽和磁束密度を持
つ磁気ヘッド用磁性合金が必要になる。
はそれ以下であり、磁気記録媒体の高抗磁力化が一段と
進み抗磁力が20000e以上になるとセンダスト合金
やCo−Zr系非品質合金を使用した磁気ヘッドでは良
好な磁気記録再生が困難になった。 又、磁気記録媒体
の長手方向ではなく、厚さ方向に磁化して記録する垂直
磁化記録方式も提案されているが、この垂直磁化記録方
式を良好に行うには、磁気ヘッドの主磁極先端部の厚さ
を0.5μm以下にする必要があり、比較的抗磁力の低
い磁気記録媒体に記録するにも、高い飽和磁束密度を持
つ磁気ヘッド用磁性合金が必要になる。
そして、センダスト合金やCo−Zr系非品質合金より
も飽和磁束密度の高い磁性合金として、窒化鉄やFe−
Si系合金等の鉄を主成分とした磁性合金が知られてい
る。
も飽和磁束密度の高い磁性合金として、窒化鉄やFe−
Si系合金等の鉄を主成分とした磁性合金が知られてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、従来より知られている、これらの高Bs磁性
合金は保磁力Haが大きく、そのままでは磁気ヘッドの
材料としては不十分であるのでセンダスト合金やバーマ
ロイ等の保磁力の小さい磁性材料か、或いはSiOz専
の非磁性材料を中間層とした多層構造の磁気ヘッドが提
案されている。
合金は保磁力Haが大きく、そのままでは磁気ヘッドの
材料としては不十分であるのでセンダスト合金やバーマ
ロイ等の保磁力の小さい磁性材料か、或いはSiOz専
の非磁性材料を中間層とした多層構造の磁気ヘッドが提
案されている。
然しなから、このように異なる系の物質を多層化するに
は工数やコストがかかり、信頼性を保つのも難しいとい
う問題があり、また、熱安定性も十分とはいえなかった
。
は工数やコストがかかり、信頼性を保つのも難しいとい
う問題があり、また、熱安定性も十分とはいえなかった
。
これらの問題点を解決するために、本発明人等はFe−
N−0合金やFe−Ta−N−0合金等によって、多層
構造にしない単層でも高飽和磁束密度を有しさらに低保
磁力である磁性合金を提案した。(特願昭64−350
71号明細書など)ところで、磁気ヘッド等の磁性合金
に要求される特性として、上記の他に磁歪がある。前記
したFe−Ta−N−0合金はすでに低磁歪を実現して
いるが、今後更に磁歪の低いものが必要となる可能性が
ある。本発明は飽和磁束密度Bsが高く?安定性にも優
れていて、磁歪が非常に小さい磁性合金膜を提供するこ
とを目的とする。
N−0合金やFe−Ta−N−0合金等によって、多層
構造にしない単層でも高飽和磁束密度を有しさらに低保
磁力である磁性合金を提案した。(特願昭64−350
71号明細書など)ところで、磁気ヘッド等の磁性合金
に要求される特性として、上記の他に磁歪がある。前記
したFe−Ta−N−0合金はすでに低磁歪を実現して
いるが、今後更に磁歪の低いものが必要となる可能性が
ある。本発明は飽和磁束密度Bsが高く?安定性にも優
れていて、磁歪が非常に小さい磁性合金膜を提供するこ
とを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであ
り、 F eV MX NY O■なる組成式で表され
、wxyzで示される原子%は 0.5≦X≦6 1≦y≦20 0.1 ≦ 2 ≦20 w+x+y+z−100 なる関係を有する合金と、 F ew I Mx l Ny lなる組成式で表され
、wl xi ylで示される原子%は 0.5≦xl≦6 1≦yt≦20 wl +xl +yl −100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
したことを特徴とする磁性合金(但しMはT a s
N b SS iからなる群の少なくとも1種以上の元
素)または F ew MX NY OZなる合金と、FewlMx
lN,lなる合金とを交互に積層した多層構造からなる
磁性合金において、合金の膜厚方向の平均の組成Fe’
;;MマNマO;がそれぞれ0.5 ≦X ≦8
1 ≦y ≦200.l≦i≦15 讐十x + y + z − 100である磁性合金(
但しMはTa,Nb,S Lからなる群の少なくとも1
種以上の元素)を提供するものである。
り、 F eV MX NY O■なる組成式で表され
、wxyzで示される原子%は 0.5≦X≦6 1≦y≦20 0.1 ≦ 2 ≦20 w+x+y+z−100 なる関係を有する合金と、 F ew I Mx l Ny lなる組成式で表され
、wl xi ylで示される原子%は 0.5≦xl≦6 1≦yt≦20 wl +xl +yl −100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
したことを特徴とする磁性合金(但しMはT a s
N b SS iからなる群の少なくとも1種以上の元
素)または F ew MX NY OZなる合金と、FewlMx
lN,lなる合金とを交互に積層した多層構造からなる
磁性合金において、合金の膜厚方向の平均の組成Fe’
;;MマNマO;がそれぞれ0.5 ≦X ≦8
1 ≦y ≦200.l≦i≦15 讐十x + y + z − 100である磁性合金(
但しMはTa,Nb,S Lからなる群の少なくとも1
種以上の元素)を提供するものである。
(実施例)
本発明の磁性合金の製造装置の一実施例を第1図に示す
。
。
一対のターゲット5、5は鉄(Fe)とタンタル(Ta
)、ニオブ(Nb)、けい素(Si)等の添加元素の合
金ターゲットか、或いは適当な凹部を設けた純鉄のター
ゲットの凹部にチップ状のTaSNbまたはSiをはめ
込んだ複合ターゲットである。このターゲット5、5は
ターゲットホルダ9によって支えられており、このター
ゲット5とターゲットホルダ9には、直流電源13より
マイナス電位が印加され、更にこのターゲットホルダ9
の周囲にはシールド4が取り付けてある。
)、ニオブ(Nb)、けい素(Si)等の添加元素の合
金ターゲットか、或いは適当な凹部を設けた純鉄のター
ゲットの凹部にチップ状のTaSNbまたはSiをはめ
込んだ複合ターゲットである。このターゲット5、5は
ターゲットホルダ9によって支えられており、このター
ゲット5とターゲットホルダ9には、直流電源13より
マイナス電位が印加され、更にこのターゲットホルダ9
の周囲にはシールド4が取り付けてある。
又、このターゲットホルダ9の内部には、両ターゲット
5、5間にプラズマ14を集束するための磁石6、6が
挿入され、かつターゲット5の表面の加熱を防ぐために
冷却水8が流入している。
5、5間にプラズマ14を集束するための磁石6、6が
挿入され、かつターゲット5の表面の加熱を防ぐために
冷却水8が流入している。
そして、接地された真空槽15の左右に、2個のターゲ
ットホルダ9が絶縁体7によって絶縁されて設けられて
いる。
ットホルダ9が絶縁体7によって絶縁されて設けられて
いる。
又、この真空t!15の上部より、酸素(02)窒素(
N2)アルゴン(A『)がそれぞれ流量計1〜3により
、所定の流量に調節されて導入されている。ここで、本
発明の磁性合金を得るには酸素を真空槽内に導入するこ
とと、真空槽内への導入を止めることを交互に切り換え
なければならない。この切り換えの際の真空槽内の圧力
変動および流量計2によって規制されている酸素流量の
変動を少なくするために2個の空気圧作動式バルブaS
bが設けられており、更にバルブbはロータリボンブ1
6に続いている。
N2)アルゴン(A『)がそれぞれ流量計1〜3により
、所定の流量に調節されて導入されている。ここで、本
発明の磁性合金を得るには酸素を真空槽内に導入するこ
とと、真空槽内への導入を止めることを交互に切り換え
なければならない。この切り換えの際の真空槽内の圧力
変動および流量計2によって規制されている酸素流量の
変動を少なくするために2個の空気圧作動式バルブaS
bが設けられており、更にバルブbはロータリボンブ1
6に続いている。
真空槽内に酸素を導入する時はaが開、bが閉になって
おり酸素は真空槽内に導入される。
おり酸素は真空槽内に導入される。
酸素を真空槽内に導入しない時はaが閉、bが開にって
おり酸素はロータリボンプ16によって排気される。こ
の時、真空槽内の圧力とロータリボンプ16の圧力を略
同じにすることによって、酸素の切り換え時の流量及び
真空槽内の圧力変動を最小限に押さえることができる。
おり酸素はロータリボンプ16によって排気される。こ
の時、真空槽内の圧力とロータリボンプ16の圧力を略
同じにすることによって、酸素の切り換え時の流量及び
真空槽内の圧力変動を最小限に押さえることができる。
なお、アルゴンはターゲット5をスバッタすると同時に
或膜する磁性合金膜中の酸素と窒素の量を調節するため
のものである。
或膜する磁性合金膜中の酸素と窒素の量を調節するため
のものである。
そして、真空槽15の下部には基板ホルダ12上に基板
11が置かれ、不純物を防ぐためのシャッタ10が基板
11を覆っている。
11が置かれ、不純物を防ぐためのシャッタ10が基板
11を覆っている。
このようなスバッタ装置において、直流電源13により
、左右のターゲットホルダ9に支えられたターゲット5
、5の間にプラズマ14を発生させると、ターゲット5
はマイナス電位であるので、プラズマ14中のアルゴン
イオン(Ar’)がターゲッット5に衝突し、ターゲッ
ト5の鉄原子及びTa,NbまたはSt等の原子が飛び
出す。
、左右のターゲットホルダ9に支えられたターゲット5
、5の間にプラズマ14を発生させると、ターゲット5
はマイナス電位であるので、プラズマ14中のアルゴン
イオン(Ar’)がターゲッット5に衝突し、ターゲッ
ト5の鉄原子及びTa,NbまたはSt等の原子が飛び
出す。
そして、ターゲット5から飛び出したこれらの原子とプ
ラズマ中の酸素および窒素の原子または分子が基板11
の上に成長していく。 なお、スパッタ開始後の数分間
は、シャッタ10を閉じて基板11を覆うことにより、
ターゲット5の表面の不純物が基板11の上に付かない
ようにし、その後でシャッタ10を開けるようにする。
ラズマ中の酸素および窒素の原子または分子が基板11
の上に成長していく。 なお、スパッタ開始後の数分間
は、シャッタ10を閉じて基板11を覆うことにより、
ターゲット5の表面の不純物が基板11の上に付かない
ようにし、その後でシャッタ10を開けるようにする。
そして、流量計1〜3にて酸素、窒素、アルゴンの導入
量を調整すると共に、バルブa,bの開閉のタイミング
を決めることにより、所望の元素組或比及び所望の膜厚
のF ew MX NYOzとFewlMxlNylと
の多層膜を得ることができる。(但し、MはTaSNb
SS iの内の少なくとも1種以上の元素) このようにして得たFeyMzNvOzとFewlMx
lNylとの多層膜の飽和磁束密度Bs,保磁力He,
磁歪λ5を表に示す。又、比較のためにF ey MX
NY 02単層及びFewlMxlNY1単層の場合
の数値も記す。
量を調整すると共に、バルブa,bの開閉のタイミング
を決めることにより、所望の元素組或比及び所望の膜厚
のF ew MX NYOzとFewlMxlNylと
の多層膜を得ることができる。(但し、MはTaSNb
SS iの内の少なくとも1種以上の元素) このようにして得たFeyMzNvOzとFewlMx
lNylとの多層膜の飽和磁束密度Bs,保磁力He,
磁歪λ5を表に示す。又、比較のためにF ey MX
NY 02単層及びFewlMxlNY1単層の場合
の数値も記す。
表に記載した組成において、Fe@IMzlN.l単層
では磁歪は負であり保磁力は0.6〜20eである。又
、F ew Mz Ny Oz単層では磁歪は正であり
保磁力はロ.1〜0.20eでFe.IM.l NYl
単層よりも小さい。単層では以上のような特性を示すF
ewMX NY 02とFewIMX I NY 1
とを交互に積層して多層化すると、保磁力はF ew
MX NY oz単層の時と同等の優れた特性を持ち、
磁歪に関しては、FewMxNYO2とFew l M
X I NY 1の略平均に近い値になり、IXIO−
’以下の低磁歪を実現できる。
では磁歪は負であり保磁力は0.6〜20eである。又
、F ew Mz Ny Oz単層では磁歪は正であり
保磁力はロ.1〜0.20eでFe.IM.l NYl
単層よりも小さい。単層では以上のような特性を示すF
ewMX NY 02とFewIMX I NY 1
とを交互に積層して多層化すると、保磁力はF ew
MX NY oz単層の時と同等の優れた特性を持ち、
磁歪に関しては、FewMxNYO2とFew l M
X I NY 1の略平均に近い値になり、IXIO−
’以下の低磁歪を実現できる。
F ew l MX I Ny l及びFewMxNy
Ozにおいて、磁歪は窒素と酸素の含有量によって変化
することを本発明人は実験により確認しているが、Fe
w Mz Ny Ozの窒素と酸素の含有量を変化させ
るだけでは保磁力・磁歪・熱安定性のすべての特性を同
時に良好にすることは困難であった。従って、Few
MX NY 02とFewIMx I Ny 1を交互
に積層して多層化することによって、上記した諸特性の
全てが良好である磁性?金が得られる。
Ozにおいて、磁歪は窒素と酸素の含有量によって変化
することを本発明人は実験により確認しているが、Fe
w Mz Ny Ozの窒素と酸素の含有量を変化させ
るだけでは保磁力・磁歪・熱安定性のすべての特性を同
時に良好にすることは困難であった。従って、Few
MX NY 02とFewIMx I Ny 1を交互
に積層して多層化することによって、上記した諸特性の
全てが良好である磁性?金が得られる。
すなわち、FewMxNyO■なる組成式で表され、w
x y zで示される原子%は0.5≦X≦6 1
≦y≦20 0.1≦2≦20 w+x+y十z−100 なる関係を有する合金と、 FewlMxlNylなる組成式で表され、wl xl
ylで示される原子%は 0.5≦xi≦6 1≦yt≦20 wl +xl +yl =100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
した磁性合金、またはF ew MX NY OZなる
合金と、F e w l Mx l Nv lなる合金
とを交互に積層した多層構造からなる磁性合金において
、合金の膜厚方向の平均の組成F e w Mx N”
’vOiがそれぞれ 0.5≦X≦6 1≦y≦20 0.l≦i≦i5 w+x+y+z−100である磁性合金によれば飽和磁
束密度、保磁力、熱安定性に優れたものが得られると共
に、磁歪に関しても所望の値のものが得られるものであ
る。
x y zで示される原子%は0.5≦X≦6 1
≦y≦20 0.1≦2≦20 w+x+y十z−100 なる関係を有する合金と、 FewlMxlNylなる組成式で表され、wl xl
ylで示される原子%は 0.5≦xi≦6 1≦yt≦20 wl +xl +yl =100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
した磁性合金、またはF ew MX NY OZなる
合金と、F e w l Mx l Nv lなる合金
とを交互に積層した多層構造からなる磁性合金において
、合金の膜厚方向の平均の組成F e w Mx N”
’vOiがそれぞれ 0.5≦X≦6 1≦y≦20 0.l≦i≦i5 w+x+y+z−100である磁性合金によれば飽和磁
束密度、保磁力、熱安定性に優れたものが得られると共
に、磁歪に関しても所望の値のものが得られるものであ
る。
ここで、酸素の含有量が0.1原子%未満であると十分
な低Heが得られず、20原子%を超えると軟磁気特性
が大幅に劣化し、Bsの低下とHcの増大が起こる。従
って、酸素の含有量が0.1〜20原子%、更に好まし
くは0.1〜IO原子%である時、Bsが高くかつHc
の小さい磁性合金が得られる。
な低Heが得られず、20原子%を超えると軟磁気特性
が大幅に劣化し、Bsの低下とHcの増大が起こる。従
って、酸素の含有量が0.1〜20原子%、更に好まし
くは0.1〜IO原子%である時、Bsが高くかつHc
の小さい磁性合金が得られる。
窒素の含有量は、1原子%未満であると十分な低Hcが
得られず、特に良好な熱安定性が得られない。又、窒素
の含有量が20原子%を超えるとBsの低下とHcの増
大が起こり、特に本発明の目的の一つである高Bsを達
戒できなくなる。
得られず、特に良好な熱安定性が得られない。又、窒素
の含有量が20原子%を超えるとBsの低下とHcの増
大が起こり、特に本発明の目的の一つである高Bsを達
戒できなくなる。
従って、窒素の含有量が1〜20原子%、更に好ましく
は、1〜lO原子%である時、高Bs・低HCで熱安定
性にも優れた磁性合金を得ることができる。実験によれ
ばTaSNbまたはStの内の一種以上の元素の含有量
が0.5原子%以下であると、添加による効果がほとん
ど見られず、十分な熱安定性が得られないことが解った
。又、これらの含有量が6原子%を超えるとHcの増大
が起こる。従って、TaSNbまたはStの内の一種以
上の元素の合計含有量0.5〜6原子%であるとき良好
な磁気特性と熱安定性を持つ磁性合金を得ることができ
る。
は、1〜lO原子%である時、高Bs・低HCで熱安定
性にも優れた磁性合金を得ることができる。実験によれ
ばTaSNbまたはStの内の一種以上の元素の含有量
が0.5原子%以下であると、添加による効果がほとん
ど見られず、十分な熱安定性が得られないことが解った
。又、これらの含有量が6原子%を超えるとHcの増大
が起こる。従って、TaSNbまたはStの内の一種以
上の元素の合計含有量0.5〜6原子%であるとき良好
な磁気特性と熱安定性を持つ磁性合金を得ることができ
る。
Fey MX NY 02とFewlMxlNylとの
多層膜の膜厚方向の平均の酸素含有量iは、FewMx
NyOz中の酸素含有量2と、FewMxN,0.の膜
厚tとFew I MxI Ny 1の膜厚tlの比t
/tlによって決まるが、この膜厚方向の平均の酸素含
有量iが0.1原子%未満であると、十分な低Hcが得
られず、特に良好な熱安定性が得られない。又、2がl
5%を超えると多層化したことによる磁歪の低下が顕著
に現れなくなる。従って、FewMxNYO2とFew
LMx I Nv Lとの多層膜の.膜厚方向の平均の
酸素含有量が0.1−15原子%である時、高Bs・低
Hc・低磁歪で熱安定性に優れた磁性合金を得ることが
できる。
多層膜の膜厚方向の平均の酸素含有量iは、FewMx
NyOz中の酸素含有量2と、FewMxN,0.の膜
厚tとFew I MxI Ny 1の膜厚tlの比t
/tlによって決まるが、この膜厚方向の平均の酸素含
有量iが0.1原子%未満であると、十分な低Hcが得
られず、特に良好な熱安定性が得られない。又、2がl
5%を超えると多層化したことによる磁歪の低下が顕著
に現れなくなる。従って、FewMxNYO2とFew
LMx I Nv Lとの多層膜の.膜厚方向の平均の
酸素含有量が0.1−15原子%である時、高Bs・低
Hc・低磁歪で熱安定性に優れた磁性合金を得ることが
できる。
(発明の効果)
以上詳述したように、本発明になる磁性合金は、高Bs
・低Hcで熱安定性に優れ磁歪が正であるF ev,M
X NY OZ合金と、Heと熱安定性はF ew M
X Nv Oz合金に劣るが磁歪が負となるように選ん
だ組成比のF ey I Mx l Nv 1合金とを
交互に積層して多層構造とすることにより、BS−Hc
・熱安定性はFew M.Ny 02合金単層と同等の
優れた特性を示し、磁歪は非常に低磁歪の磁性合金が得
られるものである。従って、本発明の磁性合金を用いれ
ば、高保磁力媒体への良好な磁気記録再生が行える他、
高性能の薄膜磁気ヘッド等を作成することも可能となり
、高密度磁気記録再生が実現できる。
・低Hcで熱安定性に優れ磁歪が正であるF ev,M
X NY OZ合金と、Heと熱安定性はF ew M
X Nv Oz合金に劣るが磁歪が負となるように選ん
だ組成比のF ey I Mx l Nv 1合金とを
交互に積層して多層構造とすることにより、BS−Hc
・熱安定性はFew M.Ny 02合金単層と同等の
優れた特性を示し、磁歪は非常に低磁歪の磁性合金が得
られるものである。従って、本発明の磁性合金を用いれ
ば、高保磁力媒体への良好な磁気記録再生が行える他、
高性能の薄膜磁気ヘッド等を作成することも可能となり
、高密度磁気記録再生が実現できる。
第1図は、本発明になる磁性合金を製造する装置の一実
施例であるスパッタ装置の概略図である。
施例であるスパッタ装置の概略図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)Fe_wM_xN_yO_zなる組成式で表され
wxyzで示される原子%は 0.5≦x≦6 1≦y≦20 0.1≦z≦20 w+x+y+z=100 なる関係を有する合金と、 Fe_w1M_x1N_y1なる組成式で表され、w1
x1y1で示される原子%は 0.5≦x1≦6 1≦y1≦20 w1+x1+y1=100 なる関係式を有する合金とを交互に積層して多層構造と
したことを特徴とする磁性合金。(但しMはTa、Nb
、Siからなる群の少なくとも1種以上の元素) (2)Fe_wM_xN_yO_zなる合金と、Fe_
w1M_x1N_y1なる合金とを交互に積層した多層
構造からなる磁性合金において、合金の膜厚方向の平均
の組成Fe_wM_xN_yO_zがそれぞれ 0.5≦x≦6 1≦y≦20 0.1≦z≦15 w+x+y+z=100である磁性合金膜。 (但しMはTa、Nb、Siからなる群の少なくとも1
種以上の元素)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30698189A JPH03166705A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 磁性合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30698189A JPH03166705A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 磁性合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03166705A true JPH03166705A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17963583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30698189A Pending JPH03166705A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 磁性合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03166705A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5617275A (en) * | 1994-05-02 | 1997-04-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film head having a core comprising Fe-N-O in a specific atomic composition ratio |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP30698189A patent/JPH03166705A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5617275A (en) * | 1994-05-02 | 1997-04-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin film head having a core comprising Fe-N-O in a specific atomic composition ratio |
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