JP2699567B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
- Publication number
- JP2699567B2 JP2699567B2 JP21901989A JP21901989A JP2699567B2 JP 2699567 B2 JP2699567 B2 JP 2699567B2 JP 21901989 A JP21901989 A JP 21901989A JP 21901989 A JP21901989 A JP 21901989A JP 2699567 B2 JP2699567 B2 JP 2699567B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- head
- soft magnetic
- amorphous soft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情報
を、磁気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効
果素子（以下、MR素子と略記する）を具備した磁気抵抗
効果ヘッド（以下、MRヘッドと略記する）に関するもの
である。
を、磁気抵抗効果を利用して読み出す強磁性磁気抵抗効
果素子（以下、MR素子と略記する）を具備した磁気抵抗
効果ヘッド（以下、MRヘッドと略記する）に関するもの
である。
（従来の技術） 周知の如く、MR素子を磁気記憶媒体に書き込まれた磁
気的情報に対して、線形応答性を呈する高効率の再生専
用磁気ヘッドとして使用する場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍの成す角度θ（以下、バイ
アス角度と呼ぶ）を所定の値（望ましくは45度）に設定
するバイアス手段を具備しなければならない。
気的情報に対して、線形応答性を呈する高効率の再生専
用磁気ヘッドとして使用する場合には、MR素子に流すセ
ンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍの成す角度θ（以下、バイ
アス角度と呼ぶ）を所定の値（望ましくは45度）に設定
するバイアス手段を具備しなければならない。
上述のバイアス手段としては、種々の方法が開示され
ているが、この中で実開昭60−159518号公報あるいは特
開昭63−237204号公報に開示されたMRヘッドにおいて
は、MR素子上に非磁性導体層と非晶質軟磁性体層（例え
ばCoZrMo膜）とを順次積層した構造により良好なバイア
ス角度θが得られ、線形応答性に優れたMRヘッドが実現
できることが示されている。即ち、第４図に示したよう
に、ガラス、フェライト等からなる表面の滑らかな絶縁
性基板（図示せず）上に、スパッタ法ないしは蒸着法に
より、強磁性体薄膜からなるMR素子１（例えば膜厚200
〜500ÅのNiFe合金）を形成し、前記MR素子１上にTi、M
o、Cr等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、更に
前記非磁性導体層２上に非晶質軟磁性大層５を同様な方
法で形成した構造を有するMRヘッドを開示している。こ
こで、６はMR素子１、非磁性導体層２及び非晶質軟磁性
体層５の積層体に通電するための端子である。
ているが、この中で実開昭60−159518号公報あるいは特
開昭63−237204号公報に開示されたMRヘッドにおいて
は、MR素子上に非磁性導体層と非晶質軟磁性体層（例え
ばCoZrMo膜）とを順次積層した構造により良好なバイア
ス角度θが得られ、線形応答性に優れたMRヘッドが実現
できることが示されている。即ち、第４図に示したよう
に、ガラス、フェライト等からなる表面の滑らかな絶縁
性基板（図示せず）上に、スパッタ法ないしは蒸着法に
より、強磁性体薄膜からなるMR素子１（例えば膜厚200
〜500ÅのNiFe合金）を形成し、前記MR素子１上にTi、M
o、Cr等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、更に
前記非磁性導体層２上に非晶質軟磁性大層５を同様な方
法で形成した構造を有するMRヘッドを開示している。こ
こで、６はMR素子１、非磁性導体層２及び非晶質軟磁性
体層５の積層体に通電するための端子である。
この様なMRヘッドにおいては、端子６から供給される
センス電流Ｉは、MRヘッド１のみならず非磁性導体層２
及び非晶質磁性体層５にも分流する。従って、この様な
構造においては、MR素子１及び非磁性導体層２に分流し
たセンス電流Ｉにより、非晶質軟磁性大層５の面内を通
り且つセンス電流Ｉの方向と垂直方向の磁界が発生し、
この磁界により非晶質軟磁性大層５の磁化方向が回転す
る。このため、非晶質軟磁性体層５における磁化は、非
晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の方向とは逆方向の
磁界を生じ、その一部はMR素子１に印加される。一方、
非晶質軟磁性体層５及び非磁性導体層２に分流したセン
ス電流Ｉにより、MR素子１の面内を通りセンス電流Ｉと
垂直方向の磁界が生じ、この磁界の方向は前述の非晶質
軟磁性体層５の磁化によって発生する磁界の方向と一致
する。つまり、非晶質軟磁性体層５の磁化によって発生
する磁界とセンス電流Ｉによって生じる磁界が、MR素子
１にバイアス磁界として印加される。このバイアス磁界
は、MR素子１の磁化をセンス電流Ｉに対して回転させ、
MR素子のバイアス角度θを所定の値（理想的には45度）
とし、線形応答性に優れたMRヘッドを実現する。
センス電流Ｉは、MRヘッド１のみならず非磁性導体層２
及び非晶質磁性体層５にも分流する。従って、この様な
構造においては、MR素子１及び非磁性導体層２に分流し
たセンス電流Ｉにより、非晶質軟磁性大層５の面内を通
り且つセンス電流Ｉの方向と垂直方向の磁界が発生し、
この磁界により非晶質軟磁性大層５の磁化方向が回転す
る。このため、非晶質軟磁性体層５における磁化は、非
晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の方向とは逆方向の
磁界を生じ、その一部はMR素子１に印加される。一方、
非晶質軟磁性体層５及び非磁性導体層２に分流したセン
ス電流Ｉにより、MR素子１の面内を通りセンス電流Ｉと
垂直方向の磁界が生じ、この磁界の方向は前述の非晶質
軟磁性体層５の磁化によって発生する磁界の方向と一致
する。つまり、非晶質軟磁性体層５の磁化によって発生
する磁界とセンス電流Ｉによって生じる磁界が、MR素子
１にバイアス磁界として印加される。このバイアス磁界
は、MR素子１の磁化をセンス電流Ｉに対して回転させ、
MR素子のバイアス角度θを所定の値（理想的には45度）
とし、線形応答性に優れたMRヘッドを実現する。
（発明が解決しようとする課題） ところで、前述したMR素子１、非磁性導体層２及び非
晶質軟磁性体層５を積層した構造を有するMRヘッドにお
いては、非磁性導体層２をTi膜、あるいはMo膜、ないし
はCr膜として場合、製造プロセス中の加熱工程（300〜3
50℃）で非晶質軟磁性体層５あるいはMR素子１の磁気特
性が劣化し、MRヘッドの再生効率が低下するという問題
点があった。製造プロセス中の加熱工程は、非晶質軟磁
性体層５の磁気特性を改善するため、及び非晶質軟磁性
体層５の磁化容易軸方向とMR素子１の磁化容易軸方向を
同一方向に揃えて良好なバイアスレベルを実現するため
に必要な工程で、本発明に関わるMRヘットの製造プロセ
スでは必須の工程である。
晶質軟磁性体層５を積層した構造を有するMRヘッドにお
いては、非磁性導体層２をTi膜、あるいはMo膜、ないし
はCr膜として場合、製造プロセス中の加熱工程（300〜3
50℃）で非晶質軟磁性体層５あるいはMR素子１の磁気特
性が劣化し、MRヘッドの再生効率が低下するという問題
点があった。製造プロセス中の加熱工程は、非晶質軟磁
性体層５の磁気特性を改善するため、及び非晶質軟磁性
体層５の磁化容易軸方向とMR素子１の磁化容易軸方向を
同一方向に揃えて良好なバイアスレベルを実現するため
に必要な工程で、本発明に関わるMRヘットの製造プロセ
スでは必須の工程である。
本発明者の検討によれば、加熱工程における特性の劣
化の原因は前述のMRヘッド製造プロセスの加熱工程で、
非磁性導体層２とMR素子１との界面、あるいは非磁性体
層２と非晶質軟磁性体層５との界面で拡散が生じるため
であることが明かとなった。以下、この点に関して詳細
に言及する。
化の原因は前述のMRヘッド製造プロセスの加熱工程で、
非磁性導体層２とMR素子１との界面、あるいは非磁性体
層２と非晶質軟磁性体層５との界面で拡散が生じるため
であることが明かとなった。以下、この点に関して詳細
に言及する。
第３図はSi基板上に約500ÅのNiFe膜（MR素子１に対
応する）及び約300ÅのTi膜（非磁性導体層２に対応す
る）を、この順序に積層した試料の加熱処理前後のオー
ジェ分析装置による深さ方向の分析結果の例である。こ
こで、加熱処理条件は、300℃、１時間であり、加熱処
理は真空中（真空度:2×10-6Torr）で行った。第３図
（ａ）は、加熱処理前のオージェ分析結果であるが、各
元素の分布は深さ約300Åを境にして明瞭であり、NiFe
膜とTi膜は殆ど拡散していないと言える。一方、第３図
（ｂ）は加熱処理後の分析結果であるが、第３図（ａ）
に比較して各元素の分布は深さ方向にブロードとなって
おり、特にTiは深さ600Å程度まで拡散している。
応する）及び約300ÅのTi膜（非磁性導体層２に対応す
る）を、この順序に積層した試料の加熱処理前後のオー
ジェ分析装置による深さ方向の分析結果の例である。こ
こで、加熱処理条件は、300℃、１時間であり、加熱処
理は真空中（真空度:2×10-6Torr）で行った。第３図
（ａ）は、加熱処理前のオージェ分析結果であるが、各
元素の分布は深さ約300Åを境にして明瞭であり、NiFe
膜とTi膜は殆ど拡散していないと言える。一方、第３図
（ｂ）は加熱処理後の分析結果であるが、第３図（ａ）
に比較して各元素の分布は深さ方向にブロードとなって
おり、特にTiは深さ600Å程度まで拡散している。
又、膜厚約300ÅのTi膜上に膜厚約500ÅのCoZrMo膜を
積層した試料を同様に300℃、１時間、真空中（真空度:
2×10-6Torr）で加熱処理したあとにおいても同様なTi
の拡散が認められた。
積層した試料を同様に300℃、１時間、真空中（真空度:
2×10-6Torr）で加熱処理したあとにおいても同様なTi
の拡散が認められた。
以上のように、オージェ分析結果により、MRヘッドの
製造プロセス中の加熱工程により、非磁性導体層２とMR
素子１ないし非磁性導体層２と非晶質軟磁性体層５との
間に拡散が生じ、これによりMR素子１あるいは非晶質軟
磁性体層５の磁気特性、例えば飽和磁化、異方性磁界、
抵抗変化率等が劣化したと考えられる。
製造プロセス中の加熱工程により、非磁性導体層２とMR
素子１ないし非磁性導体層２と非晶質軟磁性体層５との
間に拡散が生じ、これによりMR素子１あるいは非晶質軟
磁性体層５の磁気特性、例えば飽和磁化、異方性磁界、
抵抗変化率等が劣化したと考えられる。
Ti膜の替わりにMo膜やCr膜を用いた試料においても、
ほぼ同様な分析結果が得られており、これらの材料を非
磁性導体層２として用いた場合の特性劣化も拡散が原因
と考えられる。
ほぼ同様な分析結果が得られており、これらの材料を非
磁性導体層２として用いた場合の特性劣化も拡散が原因
と考えられる。
従って、以上述べたような加熱工程での拡散によるMR
素子１ないし非晶質軟磁性体層５の磁気特性劣化を解決
するためには、製造プロセスの加熱工程を経ても拡散を
生じ得ない材料を非磁性導体層２として用いることが、
問題点の本質的解決を図る上で重要である。
素子１ないし非晶質軟磁性体層５の磁気特性劣化を解決
するためには、製造プロセスの加熱工程を経ても拡散を
生じ得ない材料を非磁性導体層２として用いることが、
問題点の本質的解決を図る上で重要である。
本発明の目的は、加熱工程を経ても磁気特性の劣化の
無い、優れた線形応答性と高い再生効率を持つ磁気抵抗
効果ヘッドを提供のすることにある。
無い、優れた線形応答性と高い再生効率を持つ磁気抵抗
効果ヘッドを提供のすることにある。
（課題を解決するための手段） 本発明によれば、強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟
磁性体層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有
し、しかも前記非磁性導体層が窒化ニオブ膜（以下、Nb
N膜と書く）からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッドが得られる。
磁性体層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有
し、しかも前記非磁性導体層が窒化ニオブ膜（以下、Nb
N膜と書く）からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッドが得られる。
（作用） 第２図はSi基板上に約500ÅのNiFe膜（MR素子１に対
応する）及び約300ÅのNbN膜（非磁性導体層２に対応す
る）を、この順序に積層した試料の加熱処理後のオージ
ェ分析装置による深さ方向の分析結果の例である。ここ
で、加熱処理条件は、350℃、２時間であり、加熱処理
は真空中（真空度:2×10-6torr）で行った。第２図から
明らかな通り、加熱処理後においても各元素の分布は深
さ約300Åを境にして明瞭であり、NiFe膜とNbN膜は殆ど
拡散していない。又、膜厚約300ÅのNbN膜上に膜厚約50
0ÅのCoZrMo膜を積層した試料を350℃、２時間、真空中
（真空度:2×10-6torr）で加熱処理したあとにおいて
も、ほぼ同様な結果が得られた。
応する）及び約300ÅのNbN膜（非磁性導体層２に対応す
る）を、この順序に積層した試料の加熱処理後のオージ
ェ分析装置による深さ方向の分析結果の例である。ここ
で、加熱処理条件は、350℃、２時間であり、加熱処理
は真空中（真空度:2×10-6torr）で行った。第２図から
明らかな通り、加熱処理後においても各元素の分布は深
さ約300Åを境にして明瞭であり、NiFe膜とNbN膜は殆ど
拡散していない。又、膜厚約300ÅのNbN膜上に膜厚約50
0ÅのCoZrMo膜を積層した試料を350℃、２時間、真空中
（真空度:2×10-6torr）で加熱処理したあとにおいて
も、ほぼ同様な結果が得られた。
この様に、NbN膜を非磁性導体層として用いることに
より、非磁性導体層とMR素子ないし非磁性導体層と非晶
質軟磁性体層との間の拡散が防止でき、MRヘッド作製プ
ロセス中の加熱工程でのMR素子あるいは非晶質軟磁性体
層の特性劣化を回避することが可能となる。
より、非磁性導体層とMR素子ないし非磁性導体層と非晶
質軟磁性体層との間の拡散が防止でき、MRヘッド作製プ
ロセス中の加熱工程でのMR素子あるいは非晶質軟磁性体
層の特性劣化を回避することが可能となる。
（実施例） 第１図は、本発明の一実施例を示す図である。
第１図において、ガラス等の非磁性基板（図示せず）
上にArガス雰囲気中のスパッタ法を用いてMR素子１とな
る膜厚400Åのパーマロイ（Ni82％−Fe18％、重量％）
膜を成膜した。なお、蒸着時には100Oeの磁界を永久磁
石で印加したパーマロイ膜に一軸異方性を付与した。
上にArガス雰囲気中のスパッタ法を用いてMR素子１とな
る膜厚400Åのパーマロイ（Ni82％−Fe18％、重量％）
膜を成膜した。なお、蒸着時には100Oeの磁界を永久磁
石で印加したパーマロイ膜に一軸異方性を付与した。
ついで、Arガスと窒化ガスの混合雰囲気中（流量換算
でAr:100sccm、N2:6sccm）でスパッタ法を用いて非磁性
導体層２となる膜厚300ÅのNbN膜７を前記パーマロイ膜
上に成膜した。尚、成膜時には基板側に−80Vのバイア
ス電圧を印加し、NbN膜中の不純物、特に酸素を除去し
てNbN膜の比抵抗を小さくした。成膜したNbN膜の比抵抗
は約105μΩcmであった。
でAr:100sccm、N2:6sccm）でスパッタ法を用いて非磁性
導体層２となる膜厚300ÅのNbN膜７を前記パーマロイ膜
上に成膜した。尚、成膜時には基板側に−80Vのバイア
ス電圧を印加し、NbN膜中の不純物、特に酸素を除去し
てNbN膜の比抵抗を小さくした。成膜したNbN膜の比抵抗
は約105μΩcmであった。
更に、非晶質軟磁性体層５として膜厚300Å、異方性
磁界Hk5OeのCoZrMo膜（膜組成はCo82％−Zr6％−Mo12
％、原子％、である）を前述のNbN膜７上にArガス雰囲
気中のスパッタ法を用いて成膜した。
磁界Hk5OeのCoZrMo膜（膜組成はCo82％−Zr6％−Mo12
％、原子％、である）を前述のNbN膜７上にArガス雰囲
気中のスパッタ法を用いて成膜した。
その後、非晶質軟磁性体層５（CoZrMo膜）に一軸異方
性を付与するため、前述したパーマロイ膜、NbN膜、CoZ
rMo膜の積層体に対して、350℃、２時間、480Oeの磁界
をパーマロイ膜の磁化容易軸方向と同一方向に印加しな
がら、真空中で加熱処理を行った。
性を付与するため、前述したパーマロイ膜、NbN膜、CoZ
rMo膜の積層体に対して、350℃、２時間、480Oeの磁界
をパーマロイ膜の磁化容易軸方向と同一方向に印加しな
がら、真空中で加熱処理を行った。
ついで、この積層体上に所定形状のフォトレジストパ
ターンを形成し、Arガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ50μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工
した。ここで、エッチング条件は、加速電圧:500V、Ar
ガス圧力:0.1mtorrである。
ターンを形成し、Arガス雰囲気中でイオンエッチングを
行い、長さ50μｍ、幅５μｍの矩形状のパターンに加工
した。ここで、エッチング条件は、加速電圧:500V、Ar
ガス圧力:0.1mtorrである。
ついで、前述の積層体にセンス電流Ｉを供給する端子
６を集積化薄膜技術を用いて形成し、MRヘッドを作製し
た。尚、端子６はTiとAuの積層蒸着膜を使用し、膜厚は
各々50Å、0.5μｍである。
６を集積化薄膜技術を用いて形成し、MRヘッドを作製し
た。尚、端子６はTiとAuの積層蒸着膜を使用し、膜厚は
各々50Å、0.5μｍである。
以上のような構成を持つ本実施例によるMRヘッドにお
いては、センス電流Ｉが５〜15mAでMR素子１のバイアス
角度θが略45度に設定できることが確認され、良好な線
形応答性と高い再生効率を有するMRヘッドが実現され
た。
いては、センス電流Ｉが５〜15mAでMR素子１のバイアス
角度θが略45度に設定できることが確認され、良好な線
形応答性と高い再生効率を有するMRヘッドが実現され
た。
（比較例） NbN膜をTi膜とした以外は実施例と全く同様にしてMR
ヘッドを作製した。このMRヘットにおいては、非晶質軟
磁性体層に一軸異方性を付与する350℃、２時間の加熱
工程でMR素子１となるパーマロイ膜あるいは非晶質軟磁
性体層２となるCoZrMo膜の磁気特性が劣化したため、セ
ンス電流を35〜40mA程度流しても充分なバイアスがMR素
子に印加されず、本発明によるMRヘッドに比較して、再
生効率が30〜50％程度小さく、実用に供しないことが明
らかとなった。又、Cr膜、Mo膜をNbN膜の替わりとして
用いたMRヘッドを作製したが、本比較例で述べたMRヘッ
ドと同様に充分なバイアスレベルが得られず、やはり本
発明の実施例で述べたMRヘッドに比較して再生効率が小
さかった。
ヘッドを作製した。このMRヘットにおいては、非晶質軟
磁性体層に一軸異方性を付与する350℃、２時間の加熱
工程でMR素子１となるパーマロイ膜あるいは非晶質軟磁
性体層２となるCoZrMo膜の磁気特性が劣化したため、セ
ンス電流を35〜40mA程度流しても充分なバイアスがMR素
子に印加されず、本発明によるMRヘッドに比較して、再
生効率が30〜50％程度小さく、実用に供しないことが明
らかとなった。又、Cr膜、Mo膜をNbN膜の替わりとして
用いたMRヘッドを作製したが、本比較例で述べたMRヘッ
ドと同様に充分なバイアスレベルが得られず、やはり本
発明の実施例で述べたMRヘッドに比較して再生効率が小
さかった。
なお、以上の説明においてはMR素子（パーマロイ
膜）、NbN膜層、非晶質軟磁性体層をこの順序で積層す
る例のみについて言及したが、非晶質軟磁性体層、NbN
膜層、MR素子の順序で積層したMRヘッドにおいても優れ
た線形応答性と高い再生効率が得られた。又、非晶質軟
磁性体層を成す材料はCoZrMo膜に限定されるものではな
く、例えばCoTaMo膜、CoZrTa膜等を使用しても構わな
い。更に、実施例中のNbN膜の成膜方法・成膜条件は一
例であり、他の方法・条件を用いても構わない。勿論こ
の場合、NbN膜の比抵抗が極端に大きいと導電性が損な
われたり、ジュール熱による発熱の問題が生じるため、
成膜したNbN膜の比抵抗の値に注意すべきである。NbN膜
の比抵抗値については、本発明の適用されるMRヘッドの
設計・仕様やヒートシンクの状態に大きく依存するため
一概に言えないが200μΩcm以下の比抵抗であることが
望ましい。
膜）、NbN膜層、非晶質軟磁性体層をこの順序で積層す
る例のみについて言及したが、非晶質軟磁性体層、NbN
膜層、MR素子の順序で積層したMRヘッドにおいても優れ
た線形応答性と高い再生効率が得られた。又、非晶質軟
磁性体層を成す材料はCoZrMo膜に限定されるものではな
く、例えばCoTaMo膜、CoZrTa膜等を使用しても構わな
い。更に、実施例中のNbN膜の成膜方法・成膜条件は一
例であり、他の方法・条件を用いても構わない。勿論こ
の場合、NbN膜の比抵抗が極端に大きいと導電性が損な
われたり、ジュール熱による発熱の問題が生じるため、
成膜したNbN膜の比抵抗の値に注意すべきである。NbN膜
の比抵抗値については、本発明の適用されるMRヘッドの
設計・仕様やヒートシンクの状態に大きく依存するため
一概に言えないが200μΩcm以下の比抵抗であることが
望ましい。
（発明の効果） 以上述べてきたように、本発明によれば拡散性の低い
NbN膜を非磁性導体層とする構成により、MRヘッド製造
プロセス中の加熱工程におけるMR素子あるいは非晶質軟
磁性体層の特性劣化を回避でき、優れた線形応答性と高
い再生効率を持つMRヘッドが実現される。
NbN膜を非磁性導体層とする構成により、MRヘッド製造
プロセス中の加熱工程におけるMR素子あるいは非晶質軟
磁性体層の特性劣化を回避でき、優れた線形応答性と高
い再生効率を持つMRヘッドが実現される。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は本発明の
作用を説明するための図である。第３図（ａ）（ｂ）は
従来技術の課題を説明するための図である。又、第４図
は従来のMRヘッドの模式図である。 図において、 １……MR素子、２……非磁性導体層、５……非晶質軟磁
性体層、６……端子、７……窒化ニオブ層
作用を説明するための図である。第３図（ａ）（ｂ）は
従来技術の課題を説明するための図である。又、第４図
は従来のMRヘッドの模式図である。 図において、 １……MR素子、２……非磁性導体層、５……非晶質軟磁
性体層、６……端子、７……窒化ニオブ層
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体
層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有する磁
気抵抗効果ヘッドにおいて、前記非磁性導体層が窒化ニ
オブ膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21901989A JP2699567B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21901989A JP2699567B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383214A JPH0383214A (ja) | 1991-04-09 |
| JP2699567B2 true JP2699567B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=16728979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21901989A Expired - Fee Related JP2699567B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699567B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP21901989A patent/JP2699567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0383214A (ja) | 1991-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100232667B1 (ko) | 교환결합막과 자기저항효과소자 | |
| US6313973B1 (en) | Laminated magnetorestrictive element of an exchange coupling film, an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film and a magnetic disk drive using same | |
| JP3587447B2 (ja) | メモリー素子 | |
| JPS59210630A (ja) | 磁気薄膜構造体の製造方法 | |
| JPH11175920A (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH11135857A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP3497573B2 (ja) | 交換結合膜および磁気抵抗効果素子 | |
| JP2699567B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2560482B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2701557B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
| JP2692468B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0982524A (ja) | 交換結合膜および磁気抵抗効果素子 | |
| JP3130407B2 (ja) | 磁性膜の製法および薄膜磁気ヘッド | |
| EP1424688A2 (en) | Spin valve head and magnetic recording device using the same | |
| JPH07118060B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0945074A (ja) | 磁気抵抗効果を利用したメモリー素子および増幅素子 | |
| JPH07118062B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH05205225A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH11329882A (ja) | 交換結合膜の製造方法および磁気抵抗効果素子 | |
| JP2000268330A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0354713A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2000031562A (ja) | 交換結合膜とその製造方法、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JP2751700B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3891507B2 (ja) | 積層膜及び磁気素子 | |
| JP2867416B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070926 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |