JP3891507B2 - 積層膜及び磁気素子 - Google Patents
積層膜及び磁気素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3891507B2 JP3891507B2 JP07709097A JP7709097A JP3891507B2 JP 3891507 B2 JP3891507 B2 JP 3891507B2 JP 07709097 A JP07709097 A JP 07709097A JP 7709097 A JP7709097 A JP 7709097A JP 3891507 B2 JP3891507 B2 JP 3891507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- layer
- laminated
- silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/30—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the intermediate layers, e.g. seed, buffer, template, diffusion preventing, cap layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は磁性膜と非磁性膜との積層膜、及びこの積層膜を具備した磁気素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
遷移金属とSiとの1:1の化合物はバルクではB20構造をとることが知られている。しかしながら50nm以下程度の薄膜状態では下地層の影響により準安定相のCsCl構造を取り易い。
【0003】
例えばFeとFeSiの積層膜を作成するとFeSi層はCsCl構造をとることが報告されている(J.Appl.Phys.73、6335(1993)、Phys.Rev.B53,5112(1996)、Phys.Rev.B53(14),R8824(1996))。
【0004】
CsCl構造のFeSiは金属的伝導を示し、B20構造のFeSiは半導体である。従って磁性金属であるFeと半導体FeSiの薄膜での積層膜(金属/半導体)は非常に得にくいのが現状である。
【0005】
またこのような積層膜を用いた磁気素子としては、磁気抵抗効果素子が挙げられる。例えば非磁性層を介して積層された磁性膜間の磁気スピンの向きによって電気抵抗が変化するというものである。このような磁気素子においては磁性層/非磁性層の膜厚が薄いため、非磁性金属としてCuなどの金属を使用した場合、出力電圧が小さいため、一般には膜面内方向に電流を流す構造を採る。
【0006】
しかしながら、例えばメモリ等への応用を考えた場合は、素子の膜面方向に電流を流す構造の方が集積度があがるため有効である。また強磁性トンネル素子も基本的には磁性層/絶縁体層/磁性層の構造を採る。
【0007】
しかしながら、絶縁層を介した接合ではトンネル抵抗が高く、微小素子では数MΩと大きくなってしまい、応答速度が遅くなってしまう問題がある。この絶縁体層を半導体若しくは半金属で実現できれば抵抗値は低くなり有効であるが、前述のごとく磁性層/半導体層の積層膜の形成は困難であった。
【0008】
また磁性層/半導体層間は原子の拡散が生じ易く、これも良好な磁性層/半導体層の積層膜の実現を妨げる一因となっている。
さらに半導体層を介した磁性層の積層膜は光誘起磁性にも用いられる。光誘起磁性は、磁性層間の半導体層に励起されるキャリアにより、磁性層間の交換結合状態が変化する現象である(Phys.Rev.Lett.71,185(1993))。例えば強磁性から反強磁性、またその逆などである。この場合も良好な磁性層/半導体層の積層膜の実現が重要である。
【0009】
またPhys.Rev.Lett.71,185(1993)で実現された中間層はCsCl構造若しくはbcc構造の金属層であることが分かっており(Phys.Rev.B53(14),1(1996))、磁性層上にB20構造を有する非磁性層が形成された積層膜はいまだ得られていない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
このように磁性層/半導体層若しくは半金属層の積層膜への要求は大きいものの、いまだ実現されていないのが現状である。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、磁性金属層と半導体層若しくは半金属層との薄膜の積層膜,およびこれを用いた磁気素子を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、金属/半導体の積層膜をFe/FeSiで実現することに関し鋭意研究を進めた。その結果、FeとSiの組成比を1:1に比べSiリッチ側にずらすことで、薄膜状態でもB20構造,すなわち半導体特性を有するFeSi化合物膜を得ることができることを見出した。
【0012】
本発明はこの知見をもとになされたもので、B20結晶構造を有するM x Si(0.7≦x≦0.97、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を磁性下地膜上に有することを特徴とする積層膜、である。
【0013】
この非磁性膜は組成により半導体若しくは半金属的特性を示すが、いずれにしてもB20構造の格子を組んでいるため、接する磁性層との間での原子拡散が少なく、良好な非磁性(半導体,半金属)/磁性体の接合が実現できる。
【0014】
このような非磁性膜は、作成基板の温度をB20構造が実現できる様な高い温度に設定することで実現できることができる。この温度は非磁性膜が形成される下地磁性膜の膜厚に依存する。
【0015】
B20構造の半導体(若しくは半金属)膜は、下地磁性層表面がbcc(110)配向面、若しくはfcc(111)配向面であるとき良好に形成され易いため、半導体膜の下地となる磁性膜表面はbcc(110)若しくはfcc(111)配向面であることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の積層膜を構成する非磁性層はM1-x Si(0.5≦x<1.0、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有し、結晶構造はB20構造(ε相)である。
【0017】
Mシリサイド中にはGe,Mo,B,Cなどの他の元素の添加も可能であるが10at%以下程度までである。
基板としては特に規定されることはなく、Si,SiO2 表面層を有するSi,アルミナ,スピネル,MgO,GaAs,Geなど各種の基板を用いることができる。
【0018】
また基板表面にはCoZrNb非晶質層,Ta層などのバッファー層を形成してもよい。fcc磁性下地層を形成する場合(111)配向を高めたり、基板の表面平滑性を高めたりする効果がある。
【0019】
本発明は膜面垂直方向に電流を流す磁気抵抗効果素子に適している。例えば図1に示すように、基板1上に下部電極6を配置し、積層膜5(下部磁性膜2/非磁性膜(半導体膜)3/上部磁性膜4)を配置し、その上に上部電極7を配置する構造を採る。その場合には、基板表面にAu,Pt,Cu,Alなどの電極を形成することになる。電極の基板との密着性向上などのため電極下地層としてTa,Cr等を形成することもできる。ただし膜面垂直方向に電流を流す構造に限定されるものではない。
【0020】
積層膜の製造には、各種スパッタ法,蒸着法,MBEなど各種の方法を採用することができる。
なお積層膜を構成する磁性層、半導体層の膜厚は特に限定されるものではないが、夫々0.5〜50nm、1〜50nm程度が好ましい。特に非磁性層が形成される下地となる磁性層は半導体層の結晶系に大きな影響を与えるため、10nm以下、更には1〜5nm程度が好ましい。
【0021】
この非磁性膜/磁性膜の積層構造は、これを単位として繰り返し積層することも可能であるし(図2)、非磁性膜3を介した磁性膜2,4の積層膜構造5に反強磁性膜(FeMn,IrMn,NiMn及びPtMn合金など)などの磁化固着層8を付与し、非磁性膜を介して対向する一方の磁性膜をピン層4とし、他方の磁性膜5の磁化を自由に回転させる、いわゆるスピンバルブ構造を実現することもできる(図3)。
なお素子最上面には素子加工時の積層膜へのダメージを抑制するためTa等の保護膜を形成することも可能である。
【0022】
【実施例】
(実施例1)
Fe x Siの組成比xを変化させて温度−比抵抗特性を調べた。その結果を図4に示す。磁性金属下地膜はFe3nmとし、Fe x Si膜の厚さは40nmとした。比抵抗測定は積層膜を対象としたものであるが、下地磁性膜は金属伝導を示すもののシリサイド膜厚が下地膜に比べ十分厚いため、積層膜の伝導特性の変化は非磁性膜(シリサイド膜)の特性変化に支配されることになる。
【0023】
xを0.5から1.02まで変化させたところ、0.5≦x<1.0の範囲でで半導体(若しくは半金属)的挙動(温度低下とともに抵抗値が上昇)を示すことが分かる。これはシリサイド層がε相(B20構造)となっているためであり、特にx=1.0とx=0.97との間の変化は急激であり、0.7≦x≦0.97で良好な抵抗値を示す半導体膜が得られていることが分かる。このようにSiリッチの組成にすることが膜特性に大きく影響を与えており、M元素を他の元素に変えても同様の傾向が見られる。
【0024】
(実施例2)
サファイア基板(11−20)面(a面)上にFe(bcc相)の磁性下地膜をスパッタ法で形成した基板上に、膜厚45nmのFe0.94Siの非磁性膜を形成した。なお成膜後は高温相安定化のため、1.5℃/sec以上の冷却速度で室温まで急冷した。
【0025】
図5(a)に磁性下地膜の膜厚が3nm、基板温度を325℃にした場合の積層膜の温度−比抵抗特性を示すが、同図より明らかなように半導体的挙動を示している。また図5(b)には基板温度を280℃にした場合を示すが、金属伝導的挙動を示していることが分かる。
【0026】
同様に図6(a)に磁性下地膜の膜厚が10nmで基板温度を500℃にした場合の積層膜の温度−比抵抗特性を示すが、同図より明らかなように半導体的挙動を示している。また図6(b)には基板温度を400℃にした場合を示すが、金属伝導的挙動を示していることが分かる。
【0027】
このようにε相を得るのに基板温度、下地膜厚が重要な要因であることが分かる。またAFM観察によれば、基板温度の低い図5(a)の方が図6(a)に比べ、表面の平滑性は良好であった。
【0028】
図5(a)及び図6(a)に示した高抵抗の積層膜は、RHEED観察によりbcc構造のFe(110)面上に、B20構造を有するFeシリサイドの(210)面の成長が確認された。
【0029】
磁性下地層膜厚を変化させ、同様の条件で非磁性膜を作成した場合の、非磁性膜がB20構造(ε相)となる基板温度を図7にプロットした。同じ磁性下地層膜厚では、その基板温度以下では非磁性膜はbcc構造を有する(110)面が成長しており金属的伝導を示し、半導体特性は得られなかった。
【0030】
また図7より明らかなように、下地膜厚減少とともにε相生成温度は低下する。特に下地磁性膜の膜厚を10nm以下としたときはε相生成温度は450℃以下と顕著に低下する。膜成長温度の低下とともに成膜後の表面性(平滑性)は良好となり、ピンホールの発生も抑制することができることから、基板温度は450℃以下とすることが好ましい。また磁性下地膜の膜厚は10nm以下とすることが好ましい。
【0031】
(実施例3)
積層膜の構成をCoシリサイド/Fe6Co4(bcc),Niシリサイド/Fe7Co2Ni1(bcc),Mnシリサイド/Fe95Ni5(bcc)とし、実施例2と同様に作成した積層膜でのε相生成基板温度と磁性下地膜膜厚の関係を図7に併せて示す。Feシリサイド/Fe(bcc)と同様の傾向を示すことが分かる。
【0032】
(実施例4)
磁性下地膜をNiFe合金などのfcc構造を有する膜に変え、磁性下地層膜厚の変化に伴う、非磁性膜がB20構造(ε相)となる基板温度を図8にプロットした。基板としては、熱酸化Si基板上にNiFe磁性層,CoZrNb非晶質磁性層をバッファ層として有するものを用いた。
【0033】
Coシリサイド/Co(fcc),Feシリサイド/Co9Fe(fcc),Niシリサイド/Co6Ni3Fe1(fcc),Mnシリサイド/Ni8Fe2(fcc)の組合わせの場合の基板温度との関係(ε相形成温度)を図8に併せて示す。
【0034】
ε相生成の基板温度は磁性下地膜厚にはほとんど依存せず、150℃以下程度の基板温度で、良好な表面性を有した非磁性半導体層(ε相)/磁性層の積層膜を得ることができる。基板温度が低い分、bcc構造の下地を用いた場合に比べ表面性は良好であった。
【0035】
fcc下地,bcc下地とも磁場中成膜,成膜後の磁場中熱処理などで一軸磁気異方性を付与すると反強磁性結合が安定化するとともに、磁化困難軸方向に磁場を印加すると磁化回転モードになり良好な磁気素子を提供できる。
【0036】
(実施例5)
基板上にbccFe層/εFeシリサイド層/bccFe層のサンドイッチ構造を作成した。εFeシリサイド層の組成はFe0.94Siであり、基板温度350℃で作成した後、急冷することで作成したものである。なおbccFe層の膜厚は上下とも3nmとした。
【0037】
Feシリサイドの膜厚tを変化させたときのサンドイッチ膜の残留磁化のt依存性を図9に示す。サンドイッチ膜には一軸磁気異方性を付与し、磁化容易軸方向と困難軸方向での残留磁化/飽和磁化の値を併せて示した。
【0038】
同図から、t=2.3nm近傍でFeシリサイド層を介して対向した磁性層(Fe層)が反強磁性的に交換結合していることが分かる。図10にt=2.3nmのときのサンドイッチ膜の磁化曲線を示す。同図(a)は磁化容易軸方向に、同図(b)は磁化困難軸方向に磁界を印加した場合の磁化曲線である。
【0039】
このサンドイッチ構造をサファイア基板上に形成したCr5nm/Au150nmの電極上に作成し、上部電極としてAu膜を付与し、20μm角の磁気抵抗効果素子とした。
【0040】
上下電極間、すなわち膜面垂直方向に電流を流し磁気抵抗効果を測定したところ、磁気抵抗変化率は12%と大きく、比抵抗の絶対値も420μΩ−cmと大きく、優れた磁気抵抗効果素子を得ることができた。
【0041】
またArレーザーをサンドイッチ膜に照射したとき、残留磁化が増加し、光誘起磁性を示した。更にt=2.5nmの強磁性的交換相互作用を呈するサンドイッチ膜においてもArレーザーを照射した際に残留磁化の減少が見られ、やはり光誘起磁性を示した。
【0042】
同様の結果はFe/Feシリサイドの積層を繰り返した場合でも得ることができ、また他のbcc磁性層、たとえばFe−Co,Fe−Ni,Co−Ni,Fe−Co−Ni合金を用いた場合でも同様の優れた磁気抵抗効果を得ることができる。
【0043】
(実施例6)
CoZrNb非晶質磁性バッファ層が形成された熱酸化Si基板上に、fccNiFe合金層を2nm成膜した後、fccCo層/εCoシリサイド層/fccCo層のサンドイッチ構造を作成した。εCoシリサイド層(B20構造)は基板温度325℃で作成した後、急冷することで作成したものである。なおfccCo層の膜厚は上下とも3nmとした。最上層にはFeMn反強磁性膜を形成し、いわゆるスピンバルブ膜構造とした。上下磁性層には夫々一軸磁気異方性が付与されている。この場合上下のCo層間には実質的に交換結合は存在しない。上下Co層は従って反強磁性層により磁化が固着されたCo層(ピン層)は外部磁界では実質的に磁化回転が起こらず、他方のCo層(フリー層)が外部磁界により回転することで、上下Co層間の磁化の角度が変化し磁気抵抗効果を生じる。
【0044】
図11にフリー層の磁化容易軸に対し直交方向の磁化を印加した場合の磁化曲線を示す。飽和磁場が20Oe程度と小さく、また広い磁界範囲で磁化が可逆的に変化している。
【0045】
このスピンバルブ構造を実施例5と同様にして20μm角の磁気抵抗効果素子とし、膜面垂直方向に電流を流し磁気抵抗効果を測定したところ、磁気抵抗変化率は11%と大きく、比抵抗の絶対値も370μΩ−cmと大きく、優れた磁気抵抗効果素子を得ることができた。
【0046】
同様の結果は他のfcc磁性層、たとえばFe−Co,Fe−Ni,Co−Ni,Fe−Co−Ni合金を用いた場合でも同様の優れた磁気抵抗効果を得ることができる。またFeMn/NiFe/Co/CoSi/Co/NiFe/Co/CoSi/Co/FeMnのような積層構造でも同様の結果を得ることができる。
(実施例7)
実施例6と同様にして下記の各種組合わせでサンドイッチ膜を形成した。
(1)Co8FeNi(5nm)/ε−Niシリサイド(3nm)/Co8FeNi(3nm)
(2)Co8Fe(10nm)/ε−Niシリサイド(5nm)/Co8Fe(5nm)
(3)Ni8Fe(3nm)/ε−Niシリサイド(10nm)/Ni8Fe(7nm)
(4)Ni8Co5Fe(5nm)/ε−Mnシリサイド(4nm)/Ni8Co5Fe(2nm)
(5)Co8Fe(10nm)/ε−Crシリサイド(15nm)/Fe(5nm)
(6)Ni9Fe(7nm)/ε−Crシリサイド(2nm)/Fe(10nm)
各サンドイッチ膜の膜面垂直方向の磁気抵抗効果を測定したところ、(1)14%;(2)12%;(3)10%;(4)11%;(5)9.5%;(6)10% と良好な値を示した。
また比抵抗(μΩ−cm)も、(1)410;(2)445;(3)500;(4)455;(5)510;(6)310 と良好な値を示した。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば半導体特性,若しくは半金属特性を有する非磁性膜と磁性膜との積層膜を得ることができる。従って磁気センサ,磁気抵抗効果メモリ,スピントランジスタ,磁気ヘッドなどの磁気抵抗効果素子或いは光誘起磁性膜と、各種磁気素子として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の概略断面図。
【図2】 本発明の概略断面図。
【図3】 本発明の概略断面図。
【図4】 温度−比抵抗特性図。
【図5】 温度−比抵抗特性図。
【図6】 温度−比抵抗特性図。
【図7】 B20構造(ε相)となる基板温度と磁性膜の膜厚との関係図。
【図8】 B20構造(ε相)となる基板温度と磁性膜の膜厚との関係図。
【図9】 サンドイッチ膜の残留磁化のシリサイド膜厚依存性を示す特性図。
【図10】 サンドイッチ膜の磁化曲線図。
【図11】 スピンバルブ膜の磁化曲線図。
Claims (3)
- B20結晶構造を有するM x Si(0.7≦x≦0.97、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を磁性膜上に有し、前記非磁性膜が積層される前記磁性膜面はfcc構造の(111)面若しくはbcc構造の(110)面が配向していることを特徴とする積層膜。
- B20結晶構造を有するM x Si(0.7≦x≦0.97、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を介して対向する磁性膜を有し、前記非磁性膜が積層される前記磁性膜面はfcc構造の(111)面若しくはbcc構造の(110)面が配向していることを特徴とする磁気素子。
- B20結晶構造を有するM x Si(0.7≦x≦0.97、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の非磁性膜を介して対向する磁性膜を備えた積層膜と、この積層膜の膜面垂直に電流を流すように配置された電極を具備し、前記非磁性膜が積層される前記磁性膜面はfcc構造の(111)面若しくはbcc構造の(110)面が配向していることを特徴とする磁気素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07709097A JP3891507B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 積層膜及び磁気素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07709097A JP3891507B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 積層膜及び磁気素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10270245A JPH10270245A (ja) | 1998-10-09 |
JP3891507B2 true JP3891507B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=13624095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07709097A Expired - Fee Related JP3891507B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 積層膜及び磁気素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3891507B2 (ja) |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP07709097A patent/JP3891507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10270245A (ja) | 1998-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6313973B1 (en) | Laminated magnetorestrictive element of an exchange coupling film, an antiferromagnetic film and a ferromagnetic film and a magnetic disk drive using same | |
US7067331B2 (en) | Method of making amorphous alloys for semiconductor device | |
US7906231B2 (en) | Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance | |
US6650513B2 (en) | Magnetic devices with a ferromagnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy and an antiferromagnetic layer for perpendicularly exchange biasing the ferromagnetic layer | |
US7570463B2 (en) | Magnetic tunnel junctions including crystalline and amorphous tunnel barrier materials | |
JP3320079B2 (ja) | 磁性積層体および磁気抵抗効果素子 | |
JP3735443B2 (ja) | 交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 | |
US8866243B2 (en) | Ferromagnetic tunnel junction structure and magnetoresistive element using the same | |
JP5429480B2 (ja) | 磁気抵抗素子、mram、及び磁気センサー | |
US7365948B2 (en) | Exchange-coupled film, method for making exchange-coupled film, and magnetic sensing element including exchange-coupled film | |
JP2004524708A (ja) | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置 | |
US20090015969A1 (en) | Magnetic thin film, magnetoresistance effect device and magnetic device using the same | |
US20060012926A1 (en) | Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance | |
US7499248B2 (en) | Magnetic detective head comprising free layer | |
JP6857421B2 (ja) | 強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法 | |
JP3593472B2 (ja) | 磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ | |
JPH10198927A (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
US6215631B1 (en) | Magnetoresistive effect film and manufacturing method therefor | |
JP2002190631A (ja) | 磁気抵抗素子とその製造方法、および化合物磁性薄膜の形成方法 | |
JP2004047583A (ja) | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置 | |
JP3891507B2 (ja) | 積層膜及び磁気素子 | |
US7609489B2 (en) | Magnetic sensor using NiFe alloy for pinned layer | |
Huai et al. | IrMn based spin-filter spin-valves | |
JP7375858B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
WO2003104830A1 (en) | Thin film device with perpendicular exchange bias |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040305 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |