JP2692468B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記憶媒体に書き込ま
れた磁気的情報を、磁気抵抗効果を利用して読み出す強
磁性磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略記する）を
具備した磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略記
する）に関するものである。
れた磁気的情報を、磁気抵抗効果を利用して読み出す強
磁性磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略記する）を
具備した磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと略記
する）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知の如く、ＭＲ素子を磁気記憶媒体に
書き込まれた磁気的情報に対して、線形応答性を呈する
高効率の再生専用磁気ヘッドとして使用する場合には、
ＭＲ素子に流すセンス電流ＩとＭＲ素子の磁化Ｍの成す
角度θ（以下、バイアス角度と呼ぶ）を所定の値（望ま
しくは４５度）に設定するバイアス手段を具備しなけれ
ばならない。
書き込まれた磁気的情報に対して、線形応答性を呈する
高効率の再生専用磁気ヘッドとして使用する場合には、
ＭＲ素子に流すセンス電流ＩとＭＲ素子の磁化Ｍの成す
角度θ（以下、バイアス角度と呼ぶ）を所定の値（望ま
しくは４５度）に設定するバイアス手段を具備しなけれ
ばならない。
【０００３】上述のバイアス手段としては、種々の方法
が開示されているが、この中で実開昭６０−１５９５１
８号公報あるいは特開昭６３−２３７２０４号公報に開
示されたＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子上に非磁性導
体層と非晶質軟磁性体層（例えばＣｏＺｒＭｏ膜）とを
順次積層した構造により良好なバイアス角度θが得ら
れ、線形応答性に優れたＭＲヘッドが実現できることが
示されている。即ち、図４に示したように、ガラス，フ
ェライト等からなる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せ
ず）上に、スパッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体
薄膜からなるＭＲ素子１（例えば膜厚２０〜５０ｎｍの
ＮｉＦｅ合金）を形成し、ＭＲ素子１上にＴｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、更に非
磁性導体層２上に非晶質軟磁性体層５を同様な方法で形
成した構造を有するＭＲヘッドを開示している。ここで
６はＭＲ素子１，非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層
５の積層体に通電するための端子である。
が開示されているが、この中で実開昭６０−１５９５１
８号公報あるいは特開昭６３−２３７２０４号公報に開
示されたＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子上に非磁性導
体層と非晶質軟磁性体層（例えばＣｏＺｒＭｏ膜）とを
順次積層した構造により良好なバイアス角度θが得ら
れ、線形応答性に優れたＭＲヘッドが実現できることが
示されている。即ち、図４に示したように、ガラス，フ
ェライト等からなる表面の滑らかな絶縁性基板（図示せ
ず）上に、スパッタ法ないしは蒸着法により、強磁性体
薄膜からなるＭＲ素子１（例えば膜厚２０〜５０ｎｍの
ＮｉＦｅ合金）を形成し、ＭＲ素子１上にＴｉ，Ｍｏ，
Ｃｒ等の非磁性導体層２を同様の方法で形成し、更に非
磁性導体層２上に非晶質軟磁性体層５を同様な方法で形
成した構造を有するＭＲヘッドを開示している。ここで
６はＭＲ素子１，非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層
５の積層体に通電するための端子である。
【０００４】この様なＭＲヘッドにおいては、端子６か
ら供給されるセンス電流Ｉは、ＭＲヘッド１のみならず
非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層５にも分流する。
従って、この様な構造においては、ＭＲ素子１及び非磁
性導体層２に分流したセンス電流Ｉにより、非晶質軟磁
性体層５の面内を通り且つセンス電流Ｉの方向と垂直方
向の磁界が発生し、この磁界により非晶質軟磁性体層５
の磁化方向が回転する。この為、非晶質軟磁性体層５に
おける磁化は、非晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の
方向とは逆方向の磁界を生じ、その一部はＭＲ素子１に
印加される。一方、非晶質軟磁性体層５及び非磁性導体
層２に分流したセンス電流Ｉにより、ＭＲ素子１の面内
を通りセンス電流Ｉと垂直方向の磁界が生じ、この磁界
の方向は前述の非晶質軟磁性体層５の磁化によって発生
する磁界の方向と一致する。つまり、非晶質軟磁性体層
５の磁化によって発生する磁界とセンス電流Ｉによって
生じる磁界が、ＭＲ素子１にバイアス磁界として印加さ
れる。このバイアス磁界は、ＭＲ素子１の磁化をセンス
電流Ｉに対して回転させ、ＭＲ素子のバイアス角度θを
所定の値（理想的には４５度）とし、線形応答性に優れ
たＭＲヘッドを実現する。
ら供給されるセンス電流Ｉは、ＭＲヘッド１のみならず
非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層５にも分流する。
従って、この様な構造においては、ＭＲ素子１及び非磁
性導体層２に分流したセンス電流Ｉにより、非晶質軟磁
性体層５の面内を通り且つセンス電流Ｉの方向と垂直方
向の磁界が発生し、この磁界により非晶質軟磁性体層５
の磁化方向が回転する。この為、非晶質軟磁性体層５に
おける磁化は、非晶質軟磁性体層５の周囲に前記磁化の
方向とは逆方向の磁界を生じ、その一部はＭＲ素子１に
印加される。一方、非晶質軟磁性体層５及び非磁性導体
層２に分流したセンス電流Ｉにより、ＭＲ素子１の面内
を通りセンス電流Ｉと垂直方向の磁界が生じ、この磁界
の方向は前述の非晶質軟磁性体層５の磁化によって発生
する磁界の方向と一致する。つまり、非晶質軟磁性体層
５の磁化によって発生する磁界とセンス電流Ｉによって
生じる磁界が、ＭＲ素子１にバイアス磁界として印加さ
れる。このバイアス磁界は、ＭＲ素子１の磁化をセンス
電流Ｉに対して回転させ、ＭＲ素子のバイアス角度θを
所定の値（理想的には４５度）とし、線形応答性に優れ
たＭＲヘッドを実現する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したＭ
Ｒ素子１，非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層５を積
層した構造を有するＭＲヘッドにおいては、非磁性導体
層２をＴｉ膜、あるいはＭｏ膜、ないしはＣｒ膜とした
場合、製造プロセス中の加熱工程（３００〜３５０℃）
で非晶質軟磁性体層５あるいはＭＲ素子１の磁気特性が
劣化し、ＭＲヘッドの再生効率が低下するという問題が
あった。製造プロセス中の加熱工程は、非晶質軟磁性体
層５の磁気特性を改善するため、及び非晶質軟磁性体層
５の磁化容易軸方向とＭＲ素子１の磁化容易軸方向を同
一方向に揃えて良好なバイアスレベルを実現するために
必要な工程で、本発明に関わるＭＲヘッドの製造プロセ
スでは必須の工程である。
Ｒ素子１，非磁性導体層２及び非晶質軟磁性体層５を積
層した構造を有するＭＲヘッドにおいては、非磁性導体
層２をＴｉ膜、あるいはＭｏ膜、ないしはＣｒ膜とした
場合、製造プロセス中の加熱工程（３００〜３５０℃）
で非晶質軟磁性体層５あるいはＭＲ素子１の磁気特性が
劣化し、ＭＲヘッドの再生効率が低下するという問題が
あった。製造プロセス中の加熱工程は、非晶質軟磁性体
層５の磁気特性を改善するため、及び非晶質軟磁性体層
５の磁化容易軸方向とＭＲ素子１の磁化容易軸方向を同
一方向に揃えて良好なバイアスレベルを実現するために
必要な工程で、本発明に関わるＭＲヘッドの製造プロセ
スでは必須の工程である。
【０００６】本発明者の検討によれば、加熱工程におけ
る特性の劣化の原因は前述のＭＲヘッド製造プロセスの
加熱工程で、非磁性導体層２とＭＲ素子１との界面、あ
るいは非磁性導体層２と非晶質軟磁性体層５との界面で
拡散が生じるためであることが明らかとなった。以下、
この点に関して詳細に言及する。
る特性の劣化の原因は前述のＭＲヘッド製造プロセスの
加熱工程で、非磁性導体層２とＭＲ素子１との界面、あ
るいは非磁性導体層２と非晶質軟磁性体層５との界面で
拡散が生じるためであることが明らかとなった。以下、
この点に関して詳細に言及する。
【０００７】図３はＳｉ基板上に約５０ｎｍのＮｉＦｅ
膜（ＭＲ素子１に対応する）及び約３０ｎｍのＴｉ膜
（非磁性導体層２に対応する）を、この順序に積層した
試料の加熱処理前後のオージェ分析装置による深さ方向
の分析結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３０
０℃，１時間であり、加熱処理は真空中（真空度：２×
１０-6Ｔｏｒｒ）で行った。図３（ａ）は、加熱処理前
のオージェ分析結果であるが、各元素の分布は深さ約３
０ｎｍを境にして明瞭であり、ＮｉＦｅ膜とＴｉ膜は殆
ど拡散していないと言える。一方、図３（ｂ）は加熱処
理後の分析結果であるが、図３（ａ）に比較して各元素
の分布は深さ方向にブロードとなっており、特にＴｉは
深さ６０ｎｍ程度まで拡散している。
膜（ＭＲ素子１に対応する）及び約３０ｎｍのＴｉ膜
（非磁性導体層２に対応する）を、この順序に積層した
試料の加熱処理前後のオージェ分析装置による深さ方向
の分析結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３０
０℃，１時間であり、加熱処理は真空中（真空度：２×
１０-6Ｔｏｒｒ）で行った。図３（ａ）は、加熱処理前
のオージェ分析結果であるが、各元素の分布は深さ約３
０ｎｍを境にして明瞭であり、ＮｉＦｅ膜とＴｉ膜は殆
ど拡散していないと言える。一方、図３（ｂ）は加熱処
理後の分析結果であるが、図３（ａ）に比較して各元素
の分布は深さ方向にブロードとなっており、特にＴｉは
深さ６０ｎｍ程度まで拡散している。
【０００８】また、膜厚約３０ｎｍのＴｉ膜上に膜厚約
５０ｎｍのＣｏＺｒＭｏ膜を積層した試料を同様に３０
０℃，１時間、真空中（真空度：２×１０-6Ｔｏｒｒ）
で加熱処理したあとにおいても同様なＴｉの拡散が認め
られた。
５０ｎｍのＣｏＺｒＭｏ膜を積層した試料を同様に３０
０℃，１時間、真空中（真空度：２×１０-6Ｔｏｒｒ）
で加熱処理したあとにおいても同様なＴｉの拡散が認め
られた。
【０００９】以上のように、オージェ分析結果により、
ＭＲヘッドの製造プロセス中の加熱工程により、非磁性
導体層２とＭＲ素子１ないしは非磁性導体層２と非晶質
軟磁性体層５との間に拡散が生じ、これによりＭＲ素子
１あるいは非晶質軟磁性体層５の磁気特性、例えば飽和
磁化，異方性磁界，抵抗変化率等が劣化したと考えられ
る。
ＭＲヘッドの製造プロセス中の加熱工程により、非磁性
導体層２とＭＲ素子１ないしは非磁性導体層２と非晶質
軟磁性体層５との間に拡散が生じ、これによりＭＲ素子
１あるいは非晶質軟磁性体層５の磁気特性、例えば飽和
磁化，異方性磁界，抵抗変化率等が劣化したと考えられ
る。
【００１０】Ｔｉ膜の代わりにＭｏ膜やＣｒ膜を用いた
試料においても、ほぼ同様な分析結果が得られており、
これらの材料を非磁性導体層２として用いた場合の特性
劣化も拡散が原因と考えられる。
試料においても、ほぼ同様な分析結果が得られており、
これらの材料を非磁性導体層２として用いた場合の特性
劣化も拡散が原因と考えられる。
【００１１】従って、以上述べたような加熱工程での拡
散によるＭＲ素子１ないしは非晶質軟磁性体層５の磁気
特性劣化を解決するためには、製造プロセスの加熱工程
を経ても拡散を生じ得ない材料を非磁性導体層２として
用いることが、問題点の本質的解決を図る上で重要であ
る。
散によるＭＲ素子１ないしは非晶質軟磁性体層５の磁気
特性劣化を解決するためには、製造プロセスの加熱工程
を経ても拡散を生じ得ない材料を非磁性導体層２として
用いることが、問題点の本質的解決を図る上で重要であ
る。
【００１２】本発明の目的は、加熱工程を経ても磁気特
性の劣化の無い、優れた線形応答性と高い再生効率を持
つ磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
性の劣化の無い、優れた線形応答性と高い再生効率を持
つ磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、強磁性磁気抵
抗効果素子と非晶質軟磁性体層とが非磁性導体層を介し
て積層された構造を有する磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、前記非磁性導体層がＴｉＷ膜からなることを特徴と
する。
抗効果素子と非晶質軟磁性体層とが非磁性導体層を介し
て積層された構造を有する磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、前記非磁性導体層がＴｉＷ膜からなることを特徴と
する。
【００１４】
【作用】図２はＳｉ基板上に約５０ｎｍのＮｉＦｅ膜
（ＭＲ素子１に対応する）及び約３０ｎｍのＴｉＷ膜
（非磁性導体層２に対応する）を、この順序に積層した
試料の加熱処理後のオージェ分析装置による深さ方向の
分析結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３５０
℃，２時間であり、加熱処理は真空中（真空度：２×１
０-6Ｔｏｒｒ）で行った。図２から明らかな通り、加熱
処理後においても各元素の分布は深さ約３０ｎｍを境に
して明瞭であり、ＮｉＦｅ膜とＴｉＷ膜は殆ど拡散して
いない。
（ＭＲ素子１に対応する）及び約３０ｎｍのＴｉＷ膜
（非磁性導体層２に対応する）を、この順序に積層した
試料の加熱処理後のオージェ分析装置による深さ方向の
分析結果の例である。ここで、加熱処理条件は、３５０
℃，２時間であり、加熱処理は真空中（真空度：２×１
０-6Ｔｏｒｒ）で行った。図２から明らかな通り、加熱
処理後においても各元素の分布は深さ約３０ｎｍを境に
して明瞭であり、ＮｉＦｅ膜とＴｉＷ膜は殆ど拡散して
いない。
【００１５】この様に、ＴｉＷ膜を非磁性導体層として
用いることにより、非磁性導体層とＭＲ素子ないしは非
磁性導体層と非晶質軟磁性体層との間の拡散が防止で
き、ＭＲヘッド作製プロセス中の加熱工程でのＭＲ素子
あるいは非晶質軟磁性体層の特性劣化を回避することが
可能となる。
用いることにより、非磁性導体層とＭＲ素子ないしは非
磁性導体層と非晶質軟磁性体層との間の拡散が防止で
き、ＭＲヘッド作製プロセス中の加熱工程でのＭＲ素子
あるいは非晶質軟磁性体層の特性劣化を回避することが
可能となる。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す図である。
【００１７】図１において、ガラス等の非磁性基板（図
示せず）上にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法を用いてＭ
Ｒ素子１となる膜厚４０ｎｍのパーマロイ（Ｎｉ８２％
−Ｆｅ１８％、重量％）膜を成膜した。尚、蒸着時には
１００Ｏｅの磁界を永久磁石で印加しパーマロイ膜に一
軸異方性を付与した。
示せず）上にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法を用いてＭ
Ｒ素子１となる膜厚４０ｎｍのパーマロイ（Ｎｉ８２％
−Ｆｅ１８％、重量％）膜を成膜した。尚、蒸着時には
１００Ｏｅの磁界を永久磁石で印加しパーマロイ膜に一
軸異方性を付与した。
【００１８】ついで、Ａｒガスと窒素ガスの混合雰囲気
中（流量換算ではＡｒ：１００ｓｃｃｍ、Ｎ2 ：１０ｓ
ｃｃｍ）でスパッタ法を用いて非磁性導体層となる膜厚
３０ｎｍのＴｉＷ膜７を前記パーマロイ膜上に成膜し
た。尚、成膜時には基板側に−５０Ｖのバイアス電圧を
印加し、ＴｉＷ膜中の不純物、特に酸素を除去してＴｉ
Ｗ膜の比抵抗を小さくした。成膜したＴｉＷ膜の比抵抗
は約１２０μΩｃｍであった。また、ＴｉＷ膜の組成
は、重量％でＴｉ：２０，Ｗ：８０とした。
中（流量換算ではＡｒ：１００ｓｃｃｍ、Ｎ2 ：１０ｓ
ｃｃｍ）でスパッタ法を用いて非磁性導体層となる膜厚
３０ｎｍのＴｉＷ膜７を前記パーマロイ膜上に成膜し
た。尚、成膜時には基板側に−５０Ｖのバイアス電圧を
印加し、ＴｉＷ膜中の不純物、特に酸素を除去してＴｉ
Ｗ膜の比抵抗を小さくした。成膜したＴｉＷ膜の比抵抗
は約１２０μΩｃｍであった。また、ＴｉＷ膜の組成
は、重量％でＴｉ：２０，Ｗ：８０とした。
【００１９】更に、非晶質軟磁性体層５として膜厚３０
ｎｍ、異方性磁界Ｈｋ５ＯｅのＣｏＺｒＭｏ膜（膜組成
はＣｏ８２％−Ｚｒ６％−Ｍｏ１２％、原子％、であ
る）を前述のＴｉＷ膜７上にＡｒガス雰囲気中のスパッ
タ法を用いて成膜した。
ｎｍ、異方性磁界Ｈｋ５ＯｅのＣｏＺｒＭｏ膜（膜組成
はＣｏ８２％−Ｚｒ６％−Ｍｏ１２％、原子％、であ
る）を前述のＴｉＷ膜７上にＡｒガス雰囲気中のスパッ
タ法を用いて成膜した。
【００２０】その後、非晶質軟磁性体層５（ＣｏＺｒＭ
ｏ膜）に一軸異方性を付与するため、前述したパーマロ
イ膜，ＴｉＷ膜，ＣｏＺｒＭｏ膜の積層体に対して、３
５０℃，２時間，４８０Ｏｅの磁界をパーマロイ膜の磁
化容易軸方向と同一方向に印加しながら、真空中で加熱
処理を行った。
ｏ膜）に一軸異方性を付与するため、前述したパーマロ
イ膜，ＴｉＷ膜，ＣｏＺｒＭｏ膜の積層体に対して、３
５０℃，２時間，４８０Ｏｅの磁界をパーマロイ膜の磁
化容易軸方向と同一方向に印加しながら、真空中で加熱
処理を行った。
【００２１】ついで、この積層体上に所定形状のフォト
レジストパターンを形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオン
エッチングを行い、長さ５０μｍ，幅５μｍの矩形状の
パターンに加工した。ここで、エッチング条件は、加速
電圧：５００Ｖ、Ａｒガス圧力：０．１ｍｔｏｒｒであ
る。
レジストパターンを形成し、Ａｒガス雰囲気中でイオン
エッチングを行い、長さ５０μｍ，幅５μｍの矩形状の
パターンに加工した。ここで、エッチング条件は、加速
電圧：５００Ｖ、Ａｒガス圧力：０．１ｍｔｏｒｒであ
る。
【００２２】ついで、前述の積層体にセンス電流Ｉを供
給する端子６を集積化薄膜技術を用いて形成し、ＭＲヘ
ッドを作製した、尚、端子６はＴｉとＡｕの積層蒸着膜
を使用し、膜厚は各々５ｎｍ，０．５μｍである。
給する端子６を集積化薄膜技術を用いて形成し、ＭＲヘ
ッドを作製した、尚、端子６はＴｉとＡｕの積層蒸着膜
を使用し、膜厚は各々５ｎｍ，０．５μｍである。
【００２３】以上のような構成を持つ本実施例によるＭ
Ｒヘッドにおいては、センス電流Ｉが５〜１５ｍＡでＭ
Ｒ素子１のバイアス角度θが略４５度に設定できること
が確認され、良好な線形応答性と高い再生効率を有する
ＭＲヘッドが実現された。
Ｒヘッドにおいては、センス電流Ｉが５〜１５ｍＡでＭ
Ｒ素子１のバイアス角度θが略４５度に設定できること
が確認され、良好な線形応答性と高い再生効率を有する
ＭＲヘッドが実現された。
【００２４】（比較例）実施例のＴｉＷ膜をＴｉ膜とし
た以外は実施例と全く同様にしてＭＲヘッドを作製し
た。このＭＲヘッドにおいては、非晶質軟磁性体層に一
軸異方性を付与する３５０℃，２時間の加熱工程でＭＲ
素子１となるパーマロイ膜あるいは非晶質軟磁性体層２
となるＣｏＺｒＭｏ膜の磁気特性が劣化したため、セン
ス電流を３５〜４０ｍＡ程度流しても充分なバイアスが
ＭＲ素子に印加されず、本発明によるＭＲヘッドに比較
して、再生効率が３０〜５０％程度小さく、実用に供し
ないことが明らかになった。また、Ｃｒ膜，Ｍｏ膜を非
磁性導体層としたＭＲヘッドも作製したが、この比較例
で述べたＭＲヘッドと同様に充分なバイアスレベルが得
られず、やはり本発明の実施例で述べたＭＲヘッドに比
較して再生効率が小さかった。
た以外は実施例と全く同様にしてＭＲヘッドを作製し
た。このＭＲヘッドにおいては、非晶質軟磁性体層に一
軸異方性を付与する３５０℃，２時間の加熱工程でＭＲ
素子１となるパーマロイ膜あるいは非晶質軟磁性体層２
となるＣｏＺｒＭｏ膜の磁気特性が劣化したため、セン
ス電流を３５〜４０ｍＡ程度流しても充分なバイアスが
ＭＲ素子に印加されず、本発明によるＭＲヘッドに比較
して、再生効率が３０〜５０％程度小さく、実用に供し
ないことが明らかになった。また、Ｃｒ膜，Ｍｏ膜を非
磁性導体層としたＭＲヘッドも作製したが、この比較例
で述べたＭＲヘッドと同様に充分なバイアスレベルが得
られず、やはり本発明の実施例で述べたＭＲヘッドに比
較して再生効率が小さかった。
【００２５】尚、以上の説明においては、ＭＲ素子（パ
ーマロイ膜），ＴｉＷ膜層，非晶質軟磁性体層をこの順
序で積層する例のみについて言及したが、非晶質軟磁性
体層，ＴｉＷ膜層，ＭＲ素子の順序で積層したＭＲヘッ
ドにおいても優れた線形応答性と高い再生効率が得られ
た。また、非晶質軟磁性体層を成す材料はＣｏＺｒＭｏ
膜に限定されるものではなく、例えばＣｏＴａＭｏ膜，
ＣｏＺｒＴａ膜等を使用しても構わない。更に、実施例
中のＴｉＷ膜の成膜方法・成膜条件は一例であり、他の
方法・条件を用いても構わない。勿論この場合、ＴｉＷ
膜の比抵抗が極端に大きいと導電性が損なわれたり、ジ
ュール熱による発熱の問題が生じるため、成膜した膜の
比抵抗の値に注意すべきである。ＴｉＷ膜の比抵抗値に
ついては、本発明の適用されるＭＲヘッドの設計・仕様
やシートシンクの状態に大きく依存するため一概に言え
ないが２００μΩｃｍ以下の比抵抗であることが望まし
い。
ーマロイ膜），ＴｉＷ膜層，非晶質軟磁性体層をこの順
序で積層する例のみについて言及したが、非晶質軟磁性
体層，ＴｉＷ膜層，ＭＲ素子の順序で積層したＭＲヘッ
ドにおいても優れた線形応答性と高い再生効率が得られ
た。また、非晶質軟磁性体層を成す材料はＣｏＺｒＭｏ
膜に限定されるものではなく、例えばＣｏＴａＭｏ膜，
ＣｏＺｒＴａ膜等を使用しても構わない。更に、実施例
中のＴｉＷ膜の成膜方法・成膜条件は一例であり、他の
方法・条件を用いても構わない。勿論この場合、ＴｉＷ
膜の比抵抗が極端に大きいと導電性が損なわれたり、ジ
ュール熱による発熱の問題が生じるため、成膜した膜の
比抵抗の値に注意すべきである。ＴｉＷ膜の比抵抗値に
ついては、本発明の適用されるＭＲヘッドの設計・仕様
やシートシンクの状態に大きく依存するため一概に言え
ないが２００μΩｃｍ以下の比抵抗であることが望まし
い。
【００２６】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれば
拡散性の低いＴｉＷ膜を非磁性導体層とする構成によ
り、ＭＲヘッド製造プロセス中の加熱工程におけるＭＲ
素子あるいは非晶質軟磁性体層の特性劣化を回避でき、
優れた線形応答性と高い再生効率を持つＭＲヘッドが実
現される。
拡散性の低いＴｉＷ膜を非磁性導体層とする構成によ
り、ＭＲヘッド製造プロセス中の加熱工程におけるＭＲ
素子あるいは非晶質軟磁性体層の特性劣化を回避でき、
優れた線形応答性と高い再生効率を持つＭＲヘッドが実
現される。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明の作用を説明するための図である。
【図３】従来技術の課題を説明するための図である。
【図４】従来のＭＲヘッドの模式図である。
１ ＭＲ素子 ２ 非磁性導体層 ５ 非晶質軟磁性体層 ６ 端子 ７ ＴｉＷ膜
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性磁気抵抗効果素子と非晶質軟磁性体
層とが非磁性導体層を介して積層された構造を有する磁
気抵抗効果ヘッドにおいて、前記非磁性導体層がＴｉＷ
膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32491091A JP2692468B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32491091A JP2692468B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159244A JPH05159244A (ja) | 1993-06-25 |
| JP2692468B2 true JP2692468B2 (ja) | 1997-12-17 |
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Country Status (1)
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-
1991
- 1991-12-10 JP JP32491091A patent/JP2692468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05159244A (ja) | 1993-06-25 |
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