JPH11126932A - スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法 - Google Patents
スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11126932A JPH11126932A JP9292793A JP29279397A JPH11126932A JP H11126932 A JPH11126932 A JP H11126932A JP 9292793 A JP9292793 A JP 9292793A JP 29279397 A JP29279397 A JP 29279397A JP H11126932 A JPH11126932 A JP H11126932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- antiferromagnetic
- magnetic
- free magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/716—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by two or more magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/733—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the addition of non-magnetic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
フリー磁性層の成膜全てがハイト方向に磁場を与えなが
ら行われ、あるいは、フリー磁性層の成膜がトラック幅
方向に磁場を与えながら行われるものの、それ以外の層
の成膜がハイト方向に磁場を与えながら行われているの
で、フリー磁性層の誘導磁気異方性をトラック幅方向に
向けることができないという問題があった。 【解決手段】 反強磁性層1を熱処理より交換結合が生
じる反強磁性材料で形成し、前記反強磁性層1、固定磁
性層2、およびフリー磁性層4の成膜をX方向に磁場を
与えながら常温下で行い、その後熱処理を施す。これに
より、ハードバイアス層5を成膜する前の段階におい
て、前記フリー磁性層4の誘導磁気異方性をX方向に適
切に向けることが可能になる。
Description
(Pinned)磁性層)の磁化の方向と外部磁界の影響を受
けるフリー(Free)磁性層の磁化の方向との関係で電気
抵抗が変化するいわゆるスピンバルブ型薄膜素子に係
り、特に、熱処理を施すことにより交換結合を生じる反
強磁性層を用いて、フリー磁性層の誘導磁気異方性を適
切な方向に生じさせることができるようにしたスピンバ
ルブ型薄膜素子およびその製造方法に関する。
からの記録磁界を検出する従来のスピンバルブ型薄膜素
子のABS面近傍での断面図である。このスピンバルブ
型薄膜素子は、下から下地層6、フリー磁性層4、非磁
性導電層3、固定磁性層2、反強磁性層10、および保
護層7が連続して積層され、その両側にハードバイアス
層5,5が形成されている。前記反強磁性層10にはF
eMn(鉄−マンガン)合金膜、固定磁性層2及びフリ
ー磁性層4にはNiFe(ニッケル−鉄)合金膜、非磁
性導電層3にはCu(銅)膜、またハードバイアス層
5,5にはCoPt(コバルト−白金)合金膜などが一
般的に使用されている。なお、下地層6および保護層7
はTa(タンタル)などの非磁性材料で形成されてい
る。
Mn合金膜により形成されているので、熱処理を施さな
くても、図示Y方向(ハイト方向;記録媒体からの漏れ
磁界方向)に磁場を与えながら固定磁性層2と反強磁性
層10とを成膜することにより、前記固定磁性層2と反
強磁性層10との界面にて交換結合による交換異方性磁
界が生じ、前記交換異方性磁界により、前記固定磁性層
2の磁化が図示Y方向に単磁区化され固定される。ま
た、ハードバイアス層5,5は図示X方向(トラック幅
方向)に磁化されており、これによりフリー磁性層4の
磁化がX方向に揃えられる。
方法としては、まず図示Y方向に磁場を与えながら、下
地層6から保護層7までの6層(以下、積層体という)
を成膜する。この成膜段階において、前記固定磁性層2
と反強磁性層10との界面に交換異方性磁界が生じ、前
記固定磁性層2の磁化がY方向に固定される。
定の形状にして、前記積層体の両側にハードバイアス層
5,5、および導電層8,8を成膜する。このスピンバ
ルブ型薄膜素子では、前記導電層8,8から、固定磁性
層2、非磁性導電層3及びフリー磁性層4に定常電流
(センス電流)が与えられる。ハードディスクなどの記
録媒体の走行方向はZ方向であり、記録媒体からの洩れ
磁界がY方向に与えられると、フリー磁性層4の磁化が
XからY方向へ向けて変化する。このフリー磁性層4内
での磁化の方向の変動と、固定磁性層2の固定磁化方向
との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に
基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出
される。
ピンバルブ型薄膜素子では、下地層6から保護層7まで
の積層体の成膜を図示Y方向に磁場を与えながら行うの
で、フリー磁性層4には図示Y方向に誘導磁気異方性が
生じ、前記フリー磁性層4の図示Y方向が磁化容易軸と
なってしまう。従って前記積層体を成膜した段階におけ
るフリー磁性層4の磁化はY方向に揃えられ、Y方向に
対する保磁力が大きくなってしまう。
層4の磁化を図示X方向に揃えるために前記積層体の両
側にハードバイアス層5を成膜するが、前記フリー磁性
層4には、X方向へのバイアス磁界のみならず、前述し
たY方向への誘導磁気異方性も加わっているために、磁
化を適切にX方向に揃えることができず、従ってバルク
ハウゼンノイズが発生しやすいなど再生特性が悪化して
しまう。
気抵抗効果素子の製造方法」に関する発明が記載されて
おり、これには前述した従来の製造方法と異なる製造方
法について開示されている。この公報に記載されている
スピンバルブ型薄膜素子は、図5に示すものと同じく、
下からフリー磁性層4(公報には「動作膜」と記載され
ている)、非磁性導電層3(公報には「非磁性膜」と記
載されている)、固定磁性層2(公報には「磁化固定
膜」と記載されている)、および反強磁性層10(公報
には「反強磁性膜」と記載されている)で構成されてい
る。
(公報の図6ないし図10に示す符号67)が90度回
転するスパッタ装置を用い、まず図5に示すX方向(ト
ラック幅方向;公報には「印加磁界方向21A」と記載
されている)に磁場を与えながら前記フリー磁性層4を
成膜する。次に、前記基板ホルダを90度回転させ、図
5に示すY方向(ハイト方向;公報には「印加磁界方向
21B」と記載されている)に磁場を与えながら、前記
フリー磁性層4の上に非磁性導電層3、固定磁性層2、
および反強磁性層10を成膜している。
り形成されており、従って磁場中成膜により交換結合が
生じ、固定磁性層2の磁化がY方向に単磁区化され固定
される。このように前記公報では、フリー磁性層4の成
膜をX方向に磁場を与えながら行っているので、前記フ
リー磁性層4のX方向を磁化容易軸にできるとしてい
る。
は、Y方向(ハイト方向)に磁場を与えながら熱処理を
施すことにより、固定磁性層2との界面で交換結合を得
る反強磁性層10を用いる場合には、以下に説明する理
由により、フリー磁性層4のX方向を磁化容易軸方向に
することが困難であると考えられる。フリー磁性層4の
成膜はX方向に磁場を与えながら行われているので、フ
リー磁性層4の成膜直後における前記フリー磁性層4に
はX方向に誘導磁気異方性が生じ、前記フリー磁性層4
の磁化は図示X方向が磁化容易軸となる。
れる非磁性導電層3、固定磁性層2、および反強磁性層
10の成膜は、Y方向に磁場を与えながら行われるの
で、前記フリー磁性層4の磁化方向は、上記3層の成膜
中にはY方向を向いており、また固定磁性層2にはY方
向の誘導磁気異方性が付与される。Y方向の誘導磁気異
方性が付与されながら前記固定磁性層2が成膜される
と、非常に薄い非磁性導電層3を介して対向する前記固
定磁性層2とフリー磁性層4とには、お互いの磁化方向
を揃えようとする磁気的層間相互作用が働くため、フリ
ー磁性層4成膜直後には、X方向に付与されていた前記
フリー磁性層4の誘導磁気異方性が、前記固定磁性層2
の成膜により、多少崩れることになる。
るというのは、フリー磁性層4には、固定磁性層2から
のY方向への誘導磁気異方性も付与されてくるため、X
方向とY方向のベクトルの足し算により、X方向の成分
が小さくなると共に前記フリー磁性層4の誘導磁気異方
性の方向が、X方向からY方向へ多少変化する現象をさ
す。さらに、Y方向に磁場を与えながら熱処理を施すこ
とにより、固定磁性層2との界面で交換結合が発生する
反強磁性層10を用いる場合には、前記フリー磁性層4
と固定磁性層2の磁化をY方向に向けた状態(Y方向に
磁化を飽和させた状態)で熱処理を施す。このとき、前
記フリー磁性層4には熱処理によって誘導される誘導磁
気異方性がY方向に加わるため、前記フリー磁性層4成
膜直後にはX方向に付与されていた前記フリー磁性層4
の誘導磁気異方性が熱処理によってもX方向から多少崩
れることになる。
処理を施すことにより、固定磁性層2との界面で交換結
合が発生する反強磁性層を用いる場合には、熱処理前、
即ち積層体全ての成膜が終了した時のフリー磁性層4の
誘導磁気異方性をできる限りX方向から崩れ難くしてお
くことが必要であるため、Y方向に磁場を加えた成膜方
法は好ましくないことになる。また公報に記載されてい
る発明では、上述したように、基板ホルダが90度回転
するスパッタ装置を新たに製造する必要があり、磁場を
一方向だけに与えることが可能であった既存のスパッタ
装置を使用することができず、従って、新たに設備を設
ける必要がある。
ものであり、成膜後のフリー磁性層の誘導磁気異方性が
適切にトラック幅方向を向くようにしたスピンバルブ型
薄膜素子およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層
との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁
性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成さ
れたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の
磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ
揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリ
ー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成る
スピンバルブ型薄膜素子において、前記反強磁性層は、
熱処理を施すことによって交換結合を生じる反強磁性材
料で形成されており、バイアス層がない状態における前
記フリー磁性層の保磁力が、2(Oe)以下であること
を特徴とするものである。
おける前記フリー磁性層の誘導磁気異方性は、トラック
幅方向を向いている。
合金により形成されることが好ましい。
X−Mn系合金(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,
Os)が前記反強磁性層として用いられてもよい。
て、Pt−Mn−X系合金(X=Ni,Pd,Rh,R
u,Ir,Cr,Co)が前記反強磁性層として用いら
れてもよい。
性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性
磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固
定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性
層とを有し、さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記
固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス
層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出
電流を与える導電層とが設けられて成るスピンバルブ型
薄膜素子の製造方法において、トラック幅方向に磁場を
与えながら、少なくとも反強磁性層、固定磁性層、およ
びフリー磁性層を成膜し、前記フリー磁性層の誘導磁気
異方性をトラック幅方向に向かせる工程と、成膜後、ハ
イト方向に磁場を与えながら熱処理を施し、反強磁性層
と固定磁性層との界面にて交換結合を生じさせ、前記固
定磁性層の磁化をハイト方向に固定する工程と、反強磁
性層、固定磁性層、非磁性導電層、およびフリー磁性層
から成る積層体を所定の形状に形成し、前記積層体の両
側にトラック幅方向に磁化されたバイアス層を成膜する
工程と、を有することを特徴とするものである。
tMn合金で形成することが好ましい。
X−Mn系合金(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,
Os)を反強磁性層として用いてもよい。
て、Pt−Mn−X系合金(X=Ni,Pd,Rh,R
u,Ir,Cr,Co)を反強磁性層として用いてもよ
い。
性導電層、およびフリー磁性層から成る積層体の成膜を
ハイト方向に磁場を与えながら行い、あるいは特開平9
―92908号公報に記載されているように、フリー磁
性層の成膜をトラック幅方向に磁場を与えながら行い、
それ以外の層の成膜をハイト方向に磁場を与えながら行
っていた。
の磁化をハイト方向に固定し、フリー磁性層の磁化をト
ラック幅方向に揃える必要があるが、従来では反強磁性
層を例えばFeMn合金膜など成膜直後、すなわち成膜
中に交換結合を生じる反強磁性材料で形成していたの
で、反強磁性層および固定磁性層の成膜をハイト方向に
磁場を与えながら行い、成膜の段階で前記固定磁性層の
磁化をハイト方向に固定する必要があった。
よって交換結合が生じる反強磁性材料、例えばPtMn
合金膜を用いて反強磁性層を形成している。
層との界面に交換結合が生じないため、本発明ではフリ
ー磁性層の成膜のみならず、反強磁性層および固定磁性
層の成膜をもトラック幅方向に磁場を与えながら行なっ
ている。
幅方向のみの磁場しか印加されないことになり、前記フ
リー磁性層の誘導磁気異方性は、トラック幅方向に安定
して向けられ、前記フリー磁性層のトラック幅方向を磁
化容易軸とすることが可能である。
層、およびフリー磁性層の成膜をトラック幅方向に磁場
を与えながら行っているので、従来から使用されている
一方向のみに磁場をかけることができるスパッタ装置を
用いることができる。
がら熱処理を施すことによって、反強磁性層と固定磁性
層との界面にて交換結合による交換異方性磁界を生じさ
せ、固定磁性層の磁化をハイト方向に固定することがで
きる。
によってトラック幅方向に揃えられていたフリー磁性層
の磁化は、熱処理時に与えられるハイト方向への磁場に
よりハイト方向に一旦反転するが、磁場を取り除くと、
前記フリー磁性層の磁化は、トラック幅方向に付与され
ている誘導磁気異方性により、前記トラック幅方向に再
び揃えられることになる。
処理を施すことによって初めて交換結合が生じる反強磁
性材料を使用することによって、反強磁性層、固定磁性
層、およびフリー磁性層の成膜をトラック幅方向に磁場
を与えながら行うことが可能となり、従ってフリー磁性
層の誘導磁気異方性をトラック幅方向に適切に生じさ
せ、前記フリー磁性層のトラック幅方向を磁化容易軸に
することができる。
において、フリー磁性層のハイト方向(外部磁界からの
漏れ磁界方向)を磁化困難軸とすることができ、ハイト
方向に対する保磁力を小さくことができる。なお本発明
によればバイアス層を形成する前の段階における保磁力
を2(Oe;エルステッド)以下にすることが可能であ
る。
ンバルブ型薄膜素子の構造をABS面側から見た断面図
である。なお、図1ではX方向に延びる素子の中央部分
のみを破断して示している。なお、図1に示すスピンバ
ルブ型薄膜素子は、ハードディスク装置に設けられた浮
上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、
ハードディスクなどの記録磁界を検出するものである。
また、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向は
Z方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向はY
方向である。
(タンタル)などの非磁性材料で形成された下地層6で
ある。この下地層6の上に反強磁性層1、固定磁性層
(ピン磁性層)2、非磁性導電層3、およびフリー磁性
層4が積層されている。そして前記フリー磁性層4の上
に形成されているのがTaなどで形成された保護層7で
ある。本発明では、前記反強磁性層1を形成するものと
して、磁場中アニール(熱処理)を施すことにより交換
結合が生じる反強磁性材料を使用している。例えば、前
記反強磁性層1としてPtMn(白金−マンガン)合金
を使用することが好ましい。
たブロッキング温度も高く、さらに交換異方性磁界(H
ex)が大きいなど反強磁性材料として優れた特性を有
している。また、PtMn合金に代えて、X−Mn(X
=Pd,Rh,Ru,Ir,Os)系合金あるいはPt
−Mn−X(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,C
r,Co)合金などを反強磁性層1として使用してもよ
い。
組成比は、(PtまたはX):Mn=1:9〜3:7、
または1:0.7〜1:1.3であることが好ましく、
より好ましくは1:1である。また、固定磁性層2およ
びフリー磁性層4は、Ni−Fe(ニッケル−鉄)合
金、Co−Fe(コバルト−鉄)合金、Co、CoFe
Ni合金などで形成されている。また非磁性導電層3は
Cu(銅)などの電気抵抗の低い非磁性導電材料により
形成されている。
下、積層体という)の両側には、ハードバイアス層5,
5および導電層8,8が成膜されている。前記ハードバ
イアス層5,5は例えばCo−Pt(コバルト−白金)
合金やCo−Cr−Pt(コバルト−クロム−白金)合
金などで形成されている。また導電層8はW(タングス
テン)やCu(銅)などにより形成されている。
子の製造方法について以下に説明する。まず、図示X方
向(トラック幅方向)に磁場を与えながら、下地層6上
に、反強磁性層1、固定磁性層2、非磁性導電層3、お
よびフリー磁性層4を成膜する。なお非磁性導電層3の
成膜を無磁場中で行ってもよい。またこの成膜工程で
は、熱を与えず常温下で成膜する。
よって、フリー磁性層4には、X方向に誘導磁気異方性
が生じ、フリー磁性層4の磁化はX方向に適切に揃えら
れる。つまり、前記フリー磁性層4のX方向が磁化容易
軸となり、Y方向が磁化困難軸となる。またこのとき、
固定磁性層2にもX方向に誘導磁気異方性が生じ、前記
固定磁性層2の磁化がX方向に揃えられている。
性層1、固定磁性層2、およびフリー磁性層4の成膜を
X方向に磁場を与えながら行っているので、前記フリー
磁性層4には、成膜中にX方向のみの磁場しか印加され
ず、従って前記フリー磁性層の誘導磁気異方性を容易に
X方向に向けることができる。なお前述したように、本
発明では反強磁性層1を熱処理を行うことによって初め
て交換結合が生じる反強磁性材料により形成しているの
で、常温下での前記成膜工程において、反強磁性層1と
固定磁性層2との界面には交換結合は生じていない。
(ハイト方向;外部磁界方向)に磁場を与えながら熱処
理を施す。前記熱処理によって、反強磁性層1と固定磁
性層2との界面には交換結合による交換異方性磁界が生
じ、前記固定磁性層2がY方向に単磁区化され固定され
る。誘導磁気異方性により図示X方向に揃えられた前記
フリー磁性層4の磁化は、熱処理時のY方向への磁場に
より、一旦Y方向に反転するが、磁場を取り除くと、成
膜時に付与されたX方向の誘導磁気異方性により、再び
X方向に揃えられる。
での積層体を成膜し、さらに熱処理を施した状態(図1
に示すハードバイアス層5を成膜する前の状態)におけ
るフリー磁性層4のY方向への保磁力を2(Oe;エル
ステッド)以下に抑えることが可能である。そして、前
記積層体を図1に示す台形状にミーリング等により形成
した後、前記積層体の両側にX方向に磁化されたハード
バイアス層5,5および導電層8,8を成膜する。
導電層8から固定磁性層2、非磁性導電層3およびフリ
ー磁性層4に定常電流(センス電流)が与えられ、しか
も記録媒体からY方向へ磁界が与えられると、フリー磁
性層4の磁化方向がX方向からY方向へ向けて変化す
る。このとき、フリー磁性層4と固定磁性層2のうち片
方の層から他方の層へ移動しようとする電子が、非磁性
導電層3と固定磁性層2との界面、または非磁性導電層
3とフリー磁性層4との界面で散乱を起こし、電気抵抗
が変化する。よって定常電流が変化し、検出出力を得る
ことができる。
熱処理を施すことによって初めて交換結合が生じる反強
磁性材料により形成することで、反強磁性層1、固定磁
性層2、およびフリー磁性層4の成膜をX方向に磁場を
与えながら行うことが可能になる。従ってハードバイア
ス層5,5を成膜する前の段階において、前記フリー磁
性層4の誘導磁気異方性をX方向に向けることができ、
前記フリー磁性層4のX方向を磁化容易軸にすることが
可能である。なお本発明では、ハードバイアス層5を成
膜する前の状態におけるフリー磁性層4のY方向への保
磁力を、2(Oe)以下にすることができる。
誘導磁気異方性をX方向に向けることができるので、X
方向に磁化されたハードバイアス層5を成膜したとき、
容易に前記フリー磁性層4の磁化をX方向に揃えること
ができ、バルクハウゼンノイズの発生などを十分に抑制
することができるスピンバルブ型薄膜素子を製造するこ
とが可能である。また本発明では、反強磁性層1、固定
磁性層2、およびフリー磁性層4の成膜をX方向のみの
磁場を印加しながら行っているので、従来から使用され
ている一方向のみの磁場中成膜が可能なスパッタ装置を
用いることができる。
は、下から反強磁性層1、固定磁性層2、非磁性導電層
3、およびフリー磁性層4の順に成膜されているが、逆
に下からフリー磁性層4、非磁性導電層3、固定磁性層
2、および反強磁性層1の順で成膜されてもよい。これ
は本発明では、固定磁性層2の上に成膜されても下に成
膜されても前記固定磁性層2との界面にて交換結合が生
じる前述した反強磁性材料、例えばPtMn合金膜によ
り反強磁性層1が形成されているためである。なお、下
からフリー磁性層4、非磁性導電層3、固定磁性層2、
および反強磁性層1の順で成膜された場合も、本発明に
おける製造方法が使用される。
て形成されたスピンバルブ膜(比較例1,2)、および
本発明における製造方法を用いて形成されたスピンバル
ブ膜(実施例)を用いて、各スピンバルブ膜におけるフ
リー磁性層のハイト方向(図1に示すY方向)に対する
ヒステリシスループを描いた。その実験結果を図2ない
し図4に示す。
スピンバルブ膜の膜構成は、全て以下の通りとした。 Si/アルミナ/下地層:Ta(50)/フリー磁性
層:NiFe(70)/フリー磁性層:Co(10)/
非磁性導電層:Cu(28)/固定磁性層:Co(2
0)/反強磁性層:PtMn(300)/保護層:Ta
(50) なお、各層における括弧内の数値は膜厚を示しており、
単位はオングストロームである。
より交換結合を生じるPtMn合金膜を使用し、Ptと
Mnの組成比を1:1とした。比較例1におけるスピン
バルブ膜の成膜方法は、全ての層をハイト方向に磁場を
与えながら成膜した。比較例2におけるスピンバルブ膜
の成膜方法は、フリー磁性層を除く全ての層をハイト方
向に磁場を与えながら成膜し、前記フリー磁性層をトラ
ック幅方向に磁場を与えながら成膜した。
は、全ての層をトラック幅方向に磁場を与えながら成膜
した。そして成膜後、比較例1、比較例2、および実施
例共に、2kOeの外部磁界をハイト方向に印加しなが
ら230℃の温度で3時間の熱処理を施した。この熱処
理により、反強磁性層(PtMn合金膜)と固定磁性層
(Co膜)との界面にて比較例1、比較例2および実施
例共に800(Oe)の大きさの交換異方性磁界が生
じ、前記固定磁性層の磁化がハイト方向に強固に固定さ
れる。
フリー磁性層のヒステリシスは膨らみ、保磁力が大きく
なっていることがわかる。これは、全ての層をハイト方
向に磁場を与えながら成膜しているので、積層体全ての
成膜が終了した時点でのフリー磁性層の誘導磁気異方性
はハイト方向に付与されており、磁場中熱処理を行うこ
とにより磁場中熱処理で誘導される誘導磁気異方性もハ
イト方向に更に加わるため、磁場中熱処理が終了した時
点でのフリー磁性層の誘導磁気異方性はほぼ完全にハイ
ト方向に付与され、ハイト方向が磁化容易軸となってい
るからである。
較例1のヒステリシスに比べて膨らみは小さいが、保磁
力は2Oe(エルステッド)程度となっていることがわ
かる。比較例2では、トラック幅方向に磁場を与えなが
らフリー磁性層を成膜しているものの、前記フリー磁性
層以外の層をハイト方向に磁場を与えながら成膜してい
るので、積層体全ての成膜が終了した時点でのフリー磁
性層の誘導磁気異方性はトラック幅方向に近い方向を向
いているが、フリー磁性層の成膜だけが終了した時点
(即ち固定磁性層が成膜される前)で付与されている誘
導磁気異方性に比べると方向がトラック幅方向から多少
変化し、大きさも多少小さくなっている。磁場中熱処理
を行うことにより、磁場中熱処理で誘導される誘導磁気
異方性がハイト方向に加わるため、前記フリー磁性層の
誘導磁気異方性はほぼ等方的になってしまい、前記フリ
ー磁性層の磁化がトラック幅方向に適切に揃えられてい
ない。
フリー磁性層の磁化反転は悪く、比較的大きな保磁力
(2Oe程度)を有してしまう。図4に示す実施例のヒ
ステリシスには膨らみがなく、保磁力は非常に小さくな
っていることがわかる。実施例であれば、少なくとも比
較例2の保磁力以下、つまり保磁力を2(Oe)以下に
抑えることが可能である。
磁場を与えながら成膜しているので、積層体全ての成膜
が終了した時点でのフリー磁性層の誘導磁気異方性は、
フリー磁性層の成膜だけが終了した時点(即ち固定磁性
層が成膜される前)で付与されている誘導磁気異方性と
同じで、トラック幅方向を向いている。磁場中熱処理を
行うことにより、磁場中熱処理で誘導される誘導磁気異
方性がハイト方向に加わることは比較例1、比較例2と
同じであるが、磁場中熱処理後に残る誘導磁気異方性は
トラック幅方向が支配的であり、ほぼトラック幅方向
が、磁化容易軸に、ほぼハイト方向が磁化困難軸になっ
ている。従ってフリー磁性層の磁化は適切にトラック幅
方向に揃えられており、外部磁界に対して良好な磁化反
転を起こすため、図4に示すように、保磁力を非常に小
さくすることができる。
層に熱処理を施すことによって交換結合が生じる反強磁
性材料を使用しているので、反強磁性層、固定磁性層、
およびフリー磁性層の成膜をトラック幅方向に磁場を与
えながら行うことが可能になる。
のみの磁場しか成膜時に印加されないことになり、バイ
アス層を成膜する前の状態における前記フリー磁性層の
誘導磁気異方性を適切にトラック幅方向に向けることが
できる。
状態におけるフリー磁性層のハイト方向への保磁力を2
(Oe)以下に抑えることが可能である。
性を適切にトラック幅方向に向けることができるので、
バイアス層を成膜したとき、前記フリー磁性層の磁化を
トラック幅方向に容易に揃えることができ、バルクハウ
ゼンノイズ発生率を低下させることができるなど、優れ
た再生特性を得ることが可能になる。
性層、およびフリー磁性層の成膜全てをトラック幅方向
に磁場を与えながら行うことができるので、従来から使
用されている一方向のみの磁場中成膜が可能なスパッタ
装置を使用することができ、新たな設備を設ける必要が
ない。
構造をABS面側から見た断面図、
よび反強磁性層の成膜全てをハイト方向で行った場合
の、ハイト方向における前記フリー磁性層のヒステリシ
スループ、
非磁性導電層、固定磁性層、および反強磁性層の成膜を
ハイト方向で行った場合の、ハイト方向における前記フ
リー磁性層のヒステリシスループ、
よび反強磁性層の成膜全てをトラック幅方向で行った場
合の、ハイト方向における前記フリー磁性層のヒステリ
シスループ、
造をABS面側から見た断面図、
Claims (9)
- 【請求項1】 反強磁性層と、この反強磁性層と接して
形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁
化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非
磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、
さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の
磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁
性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える
導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子にお
いて、前記反強磁性層は、熱処理を施すことによって交
換結合を生じる反強磁性材料で形成されており、バイア
ス層がない状態における前記フリー磁性層の保磁力が、
2(Oe)以下であることを特徴とするスピンバルブ型
薄膜素子。 - 【請求項2】 バイアス層がない状態における前記フリ
ー磁性層の誘導磁気異方性は、トラック幅方向を向いて
いる請求項1記載のスピンバルブ型薄膜素子。 - 【請求項3】 前記反強磁性層は、PtMn合金により
形成される請求項1または請求項2に記載のスピンバル
ブ型薄膜素子。 - 【請求項4】 PtMn合金に代えて、X―Mn系合金
(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,Os)が用いら
れる請求項3記載のスピンバルブ型薄膜素子。 - 【請求項5】 PtMn合金に代えて、Pt―Mn―X
系合金(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,Cr,C
o)が用いられる請求項3記載のスピンバルブ型薄膜素
子。 - 【請求項6】 反強磁性層と、この反強磁性層と接して
形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁
化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非
磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、
さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の
磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁
性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える
導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子の製
造方法において、 トラック幅方向に磁場を与えながら、少なくとも反強磁
性層、固定磁性層、およびフリー磁性層を成膜し、前記
フリー磁性層の誘導磁気異方性をトラック幅方向に生じ
させる工程と、 成膜後、ハイト方向に磁場を与えながら熱処理を施し、
反強磁性層と固定磁性層との界面にて交換結合を生じさ
せ、前記固定磁性層の磁化をハイト方向に固定する工程
と、 反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、およびフリー
磁性層から成る積層体を所定の形状に形成し、前記積層
体の両側にトラック幅方向に磁化されたバイアス層を成
膜する工程と、 を有することを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子の製
造方法。 - 【請求項7】 前記反強磁性層を、PtMn合金で形成
する請求項6記載のスピンバルブ型薄膜素子の製造方
法。 - 【請求項8】 PtMn合金に代えて、X−Mn系合金
(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,Os)を用いる
請求項7記載のスピンバルブ型薄膜素子の製造方法。 - 【請求項9】 PtMn合金に代えて、Pt−Mn−X
系合金(X=Ni,Pd,Rh,Ru,Ir,Cr,C
o)を用いる請求項7記載のスピンバルブ型薄膜素子の
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29279397A JP3175922B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | スピンバルブ型薄膜素子の製造方法 |
US09/177,989 US6115224A (en) | 1997-10-24 | 1998-10-23 | Spin-valve type thin film element and its manufacturing method |
KR1019980044542A KR100277375B1 (ko) | 1997-10-24 | 1998-10-23 | 스핀밸브형 박막소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29279397A JP3175922B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | スピンバルブ型薄膜素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11126932A true JPH11126932A (ja) | 1999-05-11 |
JP3175922B2 JP3175922B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=17786418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29279397A Expired - Fee Related JP3175922B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | スピンバルブ型薄膜素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6115224A (ja) |
JP (1) | JP3175922B2 (ja) |
KR (1) | KR100277375B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6483674B1 (en) | 2000-06-06 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Spin valve head, production process thereof and magnetic disk device |
US7782575B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element having free layer, pinned layer, and spacer layer disposed therebetween, the spacer layer including semiconductor layer |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000099925A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Sony Corp | スピンバルブ膜、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
US6490140B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-12-03 | Seagate Technology Llc | Giant magnetoresistive sensor with a PtMnX pinning layer and a NiFeCr seed layer |
US6381105B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-04-30 | Read-Rite Corporation | Hybrid dual spin valve sensor and method for making same |
US6661622B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-12-09 | International Business Machines Corporation | Method to achieve low and stable ferromagnetic coupling field |
US6630248B1 (en) | 2001-01-19 | 2003-10-07 | Headway Technologies, Inc. | Synthetic anti-parallel/parallel/pinned layer spin valve |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
US5159513A (en) * | 1991-02-08 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
US5373238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-12-13 | International Business Machines Corporation | Four layer magnetoresistance device and method for making a four layer magnetoresistance device |
US5465185A (en) * | 1993-10-15 | 1995-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor |
JPH0992908A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US5650958A (en) * | 1996-03-18 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions with controlled magnetic response |
JP3455037B2 (ja) * | 1996-11-22 | 2003-10-06 | アルプス電気株式会社 | スピンバルブ型薄膜素子、その製造方法、及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
US5729410A (en) * | 1996-11-27 | 1998-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29279397A patent/JP3175922B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-23 KR KR1019980044542A patent/KR100277375B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 US US09/177,989 patent/US6115224A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6483674B1 (en) | 2000-06-06 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Spin valve head, production process thereof and magnetic disk device |
US7782575B2 (en) | 2006-09-08 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element having free layer, pinned layer, and spacer layer disposed therebetween, the spacer layer including semiconductor layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6115224A (en) | 2000-09-05 |
KR100277375B1 (ko) | 2001-01-15 |
JP3175922B2 (ja) | 2001-06-11 |
KR19990037342A (ko) | 1999-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3255872B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法 | |
JP2000149228A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH11121832A (ja) | スピンバルブ型薄膜素子 | |
JP3269999B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2001118217A (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 | |
JP3227116B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法 | |
JP2000215421A (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 | |
JP3175922B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜素子の製造方法 | |
JP3456409B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP2005302131A (ja) | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP2000058941A (ja) | スピンバルブ膜の製造方法 | |
JP2002032904A (ja) | 磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気情報記録再生装置 | |
US6350487B1 (en) | Spin-valve type thin film element and its manufacturing method | |
JP3071781B2 (ja) | 交換結合膜、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド | |
JPH06325329A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2004128026A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置 | |
JP2003204093A (ja) | 磁気抵抗センサ | |
JP2001189505A (ja) | 磁気抵抗効果薄膜の製造方法 | |
JP2004178659A (ja) | スピンバルブヘッドおよび磁気記録装置 | |
JP3255901B2 (ja) | 交換結合膜の製造方法 | |
JPH11284248A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP2000090419A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP3048571B2 (ja) | 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド | |
JP2000187814A (ja) | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2000243627A (ja) | 軟磁性膜、及び前記軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406 Year of fee payment: 8 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406 Year of fee payment: 8 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |