JPS5996518A - 垂直磁気記録用磁気ヘツド - Google Patents
垂直磁気記録用磁気ヘツドInfo
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- JPS5996518A JPS5996518A JP20599982A JP20599982A JPS5996518A JP S5996518 A JPS5996518 A JP S5996518A JP 20599982 A JP20599982 A JP 20599982A JP 20599982 A JP20599982 A JP 20599982A JP S5996518 A JPS5996518 A JP S5996518A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- main
- magnetic pole
- amorphous alloy
- magnetic recording
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録媒体の磁性層をそれの厚さ方向に向
けて磁化する垂直磁気記録用磁気ヘッドに係り、特にそ
れの主磁極の材質に関するものである。
けて磁化する垂直磁気記録用磁気ヘッドに係り、特にそ
れの主磁極の材質に関するものである。
近年、磁気記録媒体の記録密度を高めるため、磁気記録
媒体に形成されている磁性層をそれの厚さ方向に向けて
磁化する垂直磁気記録方式が千１ｒＩ々検討されている
。この記録方式に用いられる磁気ヘッドは、主に磁性層
と対向する主磁極と、その主磁極と対をなす補助磁極と
、補助磁極あるいは主磁極に巻装されるコイルから構成
されている。
媒体に形成されている磁性層をそれの厚さ方向に向けて
磁化する垂直磁気記録方式が千１ｒＩ々検討されている
。この記録方式に用いられる磁気ヘッドは、主に磁性層
と対向する主磁極と、その主磁極と対をなす補助磁極と
、補助磁極あるいは主磁極に巻装されるコイルから構成
されている。
この種の磁気ヘッドで前記主磁極を可及的に薄くするこ
とで、比較的容易に再生分解能を高めることができるが
、主磁極が薄くなると記録時における主磁極の磁気飽和
や再生時における出力低下などの問題が生じる。これを
防止するためには、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特
性が要求される。
とで、比較的容易に再生分解能を高めることができるが
、主磁極が薄くなると記録時における主磁極の磁気飽和
や再生時における出力低下などの問題が生じる。これを
防止するためには、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特
性が要求される。
従来より軟磁性材料として、鉄−ニッケル合金からなる
二元系パーマロイやこの二元系パーマロイに例えばクロ
ム、モリブデン、銅などの第３元素を添加した多元系パ
ーマロイが知られている。
二元系パーマロイやこの二元系パーマロイに例えばクロ
ム、モリブデン、銅などの第３元素を添加した多元系パ
ーマロイが知られている。
ところがパーマロイでは一剋゛に透磁率ｌｒらびに飽和
磁束密度を十分に高くすることが離しかった。
磁束密度を十分に高くすることが離しかった。
従って磁気ヘッドとしての再生分解能にも限度があった
。
。
本発明者らは、スパッタリングなどによって得られるア
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
）（ＣＯ）を主成分とし、少量のジルコニウム（Ｚｒ
）とタンタル（’ｌ’ ａ ） ヲｍ加したＣ ｏ −
Ｚ ｒ −Ｔ ａの３成分系のアモルファス合金、なら
びにコバルｌ’ （ＣＯ）を主成分とし、少量のジルコ
ニウム（Ｚｒ ）とタンタル（Ｔ ａ ）とニオブ（Ｎ
ｂ）を添加したＣ、 ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ −Ｎｂ
の４成分系のアモルファス合金からなる薄膜が、垂直磁
気記録用磁気ヘッドの主磁極の材質として非常に好適で
あることを見出した。
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
）（ＣＯ）を主成分とし、少量のジルコニウム（Ｚｒ
）とタンタル（’ｌ’ ａ ） ヲｍ加したＣ ｏ −
Ｚ ｒ −Ｔ ａの３成分系のアモルファス合金、なら
びにコバルｌ’ （ＣＯ）を主成分とし、少量のジルコ
ニウム（Ｚｒ ）とタンタル（Ｔ ａ ）とニオブ（Ｎ
ｂ）を添加したＣ、 ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ −Ｎｂ
の４成分系のアモルファス合金からなる薄膜が、垂直磁
気記録用磁気ヘッドの主磁極の材質として非常に好適で
あることを見出した。
最初、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ系アモルファス合金について説
明する。
明する。
基板に結晶化ガラスを用い、コバルトディスク（直径４
インチ、厚さ５ｍｍ）上にジルコニウムのベレットとタ
ンタルのベレット（いずれのベレットも縦、横ＩＱｍｍ
、厚さ１ｎＷＬ）を中心より放射状に交互に配置し、タ
ーゲット上のベレットの数を鯛整することにより合金組
成が変えられるようにする。そしてアルゴンによる置換
前の真空度がＩ Ｘ １０ ’ Ｔ ｏ ｒ ｒ以下の
高真空にし、アルゴンの雰囲気中で、高周波電力２、Ｏ
Ｗ／ｃｒｌでスパッタリングを行ない、基板上にコバル
トを主成分トス７；） Ｃｏ −Ｚ ｒ −１’ ａの
３成分系のアモルファス合金薄膜を作成する。このよう
にして作成された各種組成の合金試料が後述の各特性試
験に使用される。
インチ、厚さ５ｍｍ）上にジルコニウムのベレットとタ
ンタルのベレット（いずれのベレットも縦、横ＩＱｍｍ
、厚さ１ｎＷＬ）を中心より放射状に交互に配置し、タ
ーゲット上のベレットの数を鯛整することにより合金組
成が変えられるようにする。そしてアルゴンによる置換
前の真空度がＩ Ｘ １０ ’ Ｔ ｏ ｒ ｒ以下の
高真空にし、アルゴンの雰囲気中で、高周波電力２、Ｏ
Ｗ／ｃｒｌでスパッタリングを行ない、基板上にコバル
トを主成分トス７；） Ｃｏ −Ｚ ｒ −１’ ａの
３成分系のアモルファス合金薄膜を作成する。このよう
にして作成された各種組成の合金試料が後述の各特性試
験に使用される。
第１図は、合金中のＺｒ含有率が常に６重液％になるよ
うにして、１’ ａの含有率を種々変えた場合の保磁力
（ＩＩ ｃ ）の変化を測定した結果を示す特性図であ
る。従ってこの図においてｌ’ ａの含有率が０重量％
の場合は、Ｃｏ９４重ｔ％−Ｚｒ６重量％の２成分系合
金となる。この合金も前述とほぼ同様の条件で作成され
る。
うにして、１’ ａの含有率を種々変えた場合の保磁力
（ＩＩ ｃ ）の変化を測定した結果を示す特性図であ
る。従ってこの図においてｌ’ ａの含有率が０重量％
の場合は、Ｃｏ９４重ｔ％−Ｚｒ６重量％の２成分系合
金となる。この合金も前述とほぼ同様の条件で作成され
る。
この図から明らかなように、ＣＯにＺｒを添加した２成
分系合金ではまだＨｃが高いが、これにさらにＴａを少
量添加することにより、すなわちＣｏ −Ｚ ｒ −Ｔ
’ ａの３成分系合金になるとＨｃは急に低下する。特
にＴａ含有率が約２重量％以上、好ましくは約５重、！
ｔ％以上になるとＨｃを０，１（Ｏｅ）付近まで下げる
ことができる。’Ｉ’ ａの含有率が５重量％以上にな
るとＩｆ ＣＯ値はほとんど一定であり、含有率が１７
重１１：％を越えると３成分系合金の飽和磁束密度Ｂｓ
が低くなるため好ましくない。従って合金中における１
’ ａの含有率を約２〜１７重量％、好ましくは約５〜
１５重■％の範囲に規制する方が良い。このような傾向
は、Ｚｒの含有率が多少変化しても同様であることが実
験で確認されている。このようにＣｏ、−Ｚｒ −１＋
ａの３成分系合金にすることにより、ＣＯ単独あるい
はＣｏ −Ｚ ｒの２成分系合金よりもＨｃを極端に低
く抑えることができる。またＺｒと’ｌ’ ａの添加は
透磁率μにも大きく影響する。
分系合金ではまだＨｃが高いが、これにさらにＴａを少
量添加することにより、すなわちＣｏ −Ｚ ｒ −Ｔ
’ ａの３成分系合金になるとＨｃは急に低下する。特
にＴａ含有率が約２重量％以上、好ましくは約５重、！
ｔ％以上になるとＨｃを０，１（Ｏｅ）付近まで下げる
ことができる。’Ｉ’ ａの含有率が５重量％以上にな
るとＩｆ ＣＯ値はほとんど一定であり、含有率が１７
重１１：％を越えると３成分系合金の飽和磁束密度Ｂｓ
が低くなるため好ましくない。従って合金中における１
’ ａの含有率を約２〜１７重量％、好ましくは約５〜
１５重■％の範囲に規制する方が良い。このような傾向
は、Ｚｒの含有率が多少変化しても同様であることが実
験で確認されている。このようにＣｏ、−Ｚｒ −１＋
ａの３成分系合金にすることにより、ＣＯ単独あるい
はＣｏ −Ｚ ｒの２成分系合金よりもＨｃを極端に低
く抑えることができる。またＺｒと’ｌ’ ａの添加は
透磁率μにも大きく影響する。
第２図はＺｒと１’ ａのトータル含有率とμとの関係
を測定した結果を示す特性図で、Ｚｒと＋１＋ａとの重
量比が常にＺ ｒ ： ’ｌ’ ａ＝６．５ ： １０
．１になるよう調整されている。この図から明らかなよ
うに、Ｃｏ中にＺｒと１’ ａを添加することによりμ
が急激に高くなり、特にＺｒと’１’ ａのトータル含
有率が約５〜２０重量％の範囲ではμを４０００以上に
することができ、その中でも特にＺｒと’Ｉ’ ａのト
ータル含有率が約８〜１７重量％の範囲のものはμが一
定しており、品質の安定した高透磁率のアモルファス合
金が得られる。第２図に示すような特性は、ＺｒとＴａ
の重量比を多少変化しても同様の傾向を示す。
を測定した結果を示す特性図で、Ｚｒと＋１＋ａとの重
量比が常にＺ ｒ ： ’ｌ’ ａ＝６．５ ： １０
．１になるよう調整されている。この図から明らかなよ
うに、Ｃｏ中にＺｒと１’ ａを添加することによりμ
が急激に高くなり、特にＺｒと’１’ ａのトータル含
有率が約５〜２０重量％の範囲ではμを４０００以上に
することができ、その中でも特にＺｒと’Ｉ’ ａのト
ータル含有率が約８〜１７重量％の範囲のものはμが一
定しており、品質の安定した高透磁率のアモルファス合
金が得られる。第２図に示すような特性は、ＺｒとＴａ
の重量比を多少変化しても同様の傾向を示す。
第３図はＺｒとＴ ａのトータル誉打率と１３ｓとの関
係を測定した結果を示す特性図で、第２図の場合と同様
にＺｒと＋１＋ ａとの重量、比が常にＺｒ：’Ｉ’
ａ ＝ ６．５ ：１０．１になるように調整されてい
る。
係を測定した結果を示す特性図で、第２図の場合と同様
にＺｒと＋１＋ ａとの重量、比が常にＺｒ：’Ｉ’
ａ ＝ ６．５ ：１０．１になるように調整されてい
る。
この図から明らかなように、ＺｒとＴａのトータル含有
率が高くなるに従ってＢ ｓは低くなる傾向にあり、特
ＫＺｒとｉ’ ａのトータル含有率が約２０重量％を越
えるとＢ ｓはｌ Ｑ Ｋ Ｇ以下になってしまう。こ
の特性は、Ｚ「と’Ｉ’ ａＯＪｋ址比が多少変化して
も同様の傾向を示す。
率が高くなるに従ってＢ ｓは低くなる傾向にあり、特
ＫＺｒとｉ’ ａのトータル含有率が約２０重量％を越
えるとＢ ｓはｌ Ｑ Ｋ Ｇ以下になってしまう。こ
の特性は、Ｚ「と’Ｉ’ ａＯＪｋ址比が多少変化して
も同様の傾向を示す。
この第２図および第３図の特性曲線から明らかなように
、μならびに１３ｓの高いアモルファス合金を得るため
には、Ｚｒど’ｌ’ ａのトータル含有率を約５〜２０
重量％の範囲に規制するとよい。
、μならびに１３ｓの高いアモルファス合金を得るため
には、Ｚｒど’ｌ’ ａのトータル含有率を約５〜２０
重量％の範囲に規制するとよい。
このようにＺｒと′Ｉ′ａのトータル含有率を約５〜２
０重量％の範囲に規制しても、その中のＺ「含有率が低
く過ぎるとＨｃの高いアモルファス合金となる。第４図
は、合金中のＩｌｌ ａ、、￥打率が常に１ｏ３Ｉｚ％
になるようＫして、Ｚｒの含有率を種々変えた場合の１
１ ｃの変化を測定した結果を示す特性図である。従っ
てこの図においてＺｒの含有率がＯ重量％の場合は、Ｃ
ｏ ９０ 亜１ｉＪ％−Ｔａ１０重量％の２成分系合金
とン゛Ｌる。この合金も前述とほぼ同様の条件で作成さ
れる。
０重量％の範囲に規制しても、その中のＺ「含有率が低
く過ぎるとＨｃの高いアモルファス合金となる。第４図
は、合金中のＩｌｌ ａ、、￥打率が常に１ｏ３Ｉｚ％
になるようＫして、Ｚｒの含有率を種々変えた場合の１
１ ｃの変化を測定した結果を示す特性図である。従っ
てこの図においてＺｒの含有率がＯ重量％の場合は、Ｃ
ｏ ９０ 亜１ｉＪ％−Ｔａ１０重量％の２成分系合金
とン゛Ｌる。この合金も前述とほぼ同様の条件で作成さ
れる。
この図から明らかなように、ｃｏにｉ’ ａを添加した
２成分系合金ならびＫＺｒの含有率が２重量％までのＣ
ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａの３成分系合金は、Ｈｃが高い
。ところがＺｒの含有率が約２．５ ｇ ｆｉ（％を越
えるとＨｃは急激に低下し、約５重量％以上になるとＨ
ｅは０．１（Ｏｅ）以下にすることができる。このよう
にＣｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａの３成分系アモルファス合
金において、Ｚｒを約２．５！ｔｉ：％以上含有するこ
とにより、Ｈｃを低く抑えることができるが、Ｚｒの含
有率が余り高くなってもＩＩ ｃを低く抑える効果は同
じであり、かえって１３ ｓが低くなるため好ましくな
い。従って１１ｃを低く抑えしかもＢｓを高く維持する
ためにはＺｒの含有率を約２，５〜６．６重量％、好ま
しくは約５〜６．５重量％の範囲に規制する方がよい。
２成分系合金ならびＫＺｒの含有率が２重量％までのＣ
ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａの３成分系合金は、Ｈｃが高い
。ところがＺｒの含有率が約２．５ ｇ ｆｉ（％を越
えるとＨｃは急激に低下し、約５重量％以上になるとＨ
ｅは０．１（Ｏｅ）以下にすることができる。このよう
にＣｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａの３成分系アモルファス合
金において、Ｚｒを約２．５！ｔｉ：％以上含有するこ
とにより、Ｈｃを低く抑えることができるが、Ｚｒの含
有率が余り高くなってもＩＩ ｃを低く抑える効果は同
じであり、かえって１３ ｓが低くなるため好ましくな
い。従って１１ｃを低く抑えしかもＢｓを高く維持する
ためにはＺｒの含有率を約２，５〜６．６重量％、好ま
しくは約５〜６．５重量％の範囲に規制する方がよい。
本発明に係るＣ ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ系のアモルフ
ァス合金において、Ｔａの一部をＮｂと置換した、Ｃｏ
−Ｚ ｒ −’Ｉ’ ａ −Ｎ ｂの４成分系７％／
１ｚ７７ス合金も前述したＣ ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ
の３成分系アモルファス合金と同様に優れた磁気特性を
有している。
ァス合金において、Ｔａの一部をＮｂと置換した、Ｃｏ
−Ｚ ｒ −’Ｉ’ ａ −Ｎ ｂの４成分系７％／
１ｚ７７ス合金も前述したＣ ｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ
の３成分系アモルファス合金と同様に優れた磁気特性を
有している。
第５図は、Ｃｏを８４ 重）Ｊ’１％、Ｚｒを６重Ｍ％
含有し、残部の１０ｍ！％がｉ’ ａとＮｂがらなり。
含有し、残部の１０ｍ！％がｉ’ ａとＮｂがらなり。
Ｔａに対するＮｂの置換割合を種々変えた場合。
すなわちＣＯｓ、ｉ Ｚ ｒ ６（１’ ａｘｏｏ−
ＸＮ ｂｘ）ｔ。
ＸＮ ｂｘ）ｔ。
においてＸ値を種々変えた場合の磁気特性を示す図であ
る。εの図において曲線ＡはＨｃ特性２曲線Ｂはμ特性
２曲線ＣはＩＪｓ特性をそれぞれ示す。
る。εの図において曲線ＡはＨｃ特性２曲線Ｂはμ特性
２曲線ＣはＩＪｓ特性をそれぞれ示す。
この図から明らかなように、 Ｃｏ −Ｚ ｒ −１’
ａ −Ｎｂの４成分系アモルファス合金モＣｏ−Ｚｒ
−Ｔａの３成分系アモルファス合金とほぼ同様の優れ
た磁気特性を有し、むしろＨｃ特性（曲線Ａ）ならびに
Ｂｓ特性（曲線Ｃ）は若干ではあるがＣｏ −Ｚ ｒ−
４’ ａ系アモルファス合金よりも良好である。このよ
うな傾向は、ＣｏならびにＺ［の含有率が多少変化して
も同様である。
ａ −Ｎｂの４成分系アモルファス合金モＣｏ−Ｚｒ
−Ｔａの３成分系アモルファス合金とほぼ同様の優れ
た磁気特性を有し、むしろＨｃ特性（曲線Ａ）ならびに
Ｂｓ特性（曲線Ｃ）は若干ではあるがＣｏ −Ｚ ｒ−
４’ ａ系アモルファス合金よりも良好である。このよ
うな傾向は、ＣｏならびにＺ［の含有率が多少変化して
も同様である。
とＩ）Ｃｏ−Ｚ ｒ−Ｔ ａ−Ｎ ｂの４成分系アモル
ファス合金においても、 Ｚ ｒ−１’ ａ−Ｎ ｂの
トータル含有率を約５〜２０重量％の範囲に規制するこ
とにより、μおよびＢｓの高いアモルファス合金を得る
ことができる。また、この４成分系アモルファス合金に
おいてもＺｒの含有率を約２．５重量％以上に規制する
ことにより、Ｉ−１ｃを極端に低く抑えることができる
。
ファス合金においても、 Ｚ ｒ−１’ ａ−Ｎ ｂの
トータル含有率を約５〜２０重量％の範囲に規制するこ
とにより、μおよびＢｓの高いアモルファス合金を得る
ことができる。また、この４成分系アモルファス合金に
おいてもＺｒの含有率を約２．５重量％以上に規制する
ことにより、Ｉ−１ｃを極端に低く抑えることができる
。
本発明に係るＣ ｏ −Ｚ ｒ −１’ ａ系およびＣ
ｏ−Ｚ ｒ−’ｌ’ ａ −Ｎ ｂ系の合金は、スパッ
タリングや蒸着によって形成された合金薄膜の異方性磁
界Ｈｋは１５〜２０（Ｏｅ）と大ぎい。この異方性磁界
を小さくする手段につい”〔種々検ＧＪシた結果、スパ
ッタリングや蒸着などによって形成したアモルファス合
金薄膜を回転磁界中で熱処理する手段が有効であること
を見出した。この処理で、温度は３００〜４００ （℃
）、回転速度は１０〜２０（ｒ拳Ｐ＊ｍ）、磁界の強さ
は１００ （Ｏｅ ）以上、処理時間は３時間以上が好
ましい。例えば温度を３５０ （ｔ）、回転速度を１０
（ｒ−ｐ−ｎｌ）、５Ｂ ！／１Ｍの強さを１００（Ｏ
ｅ）、処理時間を３時間に設定して、アモルファス合金
薄膜を処理ずれば、異方性磁界Ｈｋを約４ （Ｏｅ ）
まで下げることができる。
ｏ−Ｚ ｒ−’ｌ’ ａ −Ｎ ｂ系の合金は、スパッ
タリングや蒸着によって形成された合金薄膜の異方性磁
界Ｈｋは１５〜２０（Ｏｅ）と大ぎい。この異方性磁界
を小さくする手段につい”〔種々検ＧＪシた結果、スパ
ッタリングや蒸着などによって形成したアモルファス合
金薄膜を回転磁界中で熱処理する手段が有効であること
を見出した。この処理で、温度は３００〜４００ （℃
）、回転速度は１０〜２０（ｒ拳Ｐ＊ｍ）、磁界の強さ
は１００ （Ｏｅ ）以上、処理時間は３時間以上が好
ましい。例えば温度を３５０ （ｔ）、回転速度を１０
（ｒ−ｐ−ｎｌ）、５Ｂ ！／１Ｍの強さを１００（Ｏ
ｅ）、処理時間を３時間に設定して、アモルファス合金
薄膜を処理ずれば、異方性磁界Ｈｋを約４ （Ｏｅ ）
まで下げることができる。
第６図は、本発明の実施例に係る垂直磁気記録用磁気ヘ
ッドを説明するための図である。ガラスやポリイミドな
どからなる絶縁基板１０片面に、スパッタリングによっ
て約１ ｔｒＯ主磁極２が形成される。この主磁極２と
対向して補助磁極３が配置され、それにはコイル４が巻
装されている。
ッドを説明するための図である。ガラスやポリイミドな
どからなる絶縁基板１０片面に、スパッタリングによっ
て約１ ｔｒＯ主磁極２が形成される。この主磁極２と
対向して補助磁極３が配置され、それにはコイル４が巻
装されている。
主磁極２と補助磁極３との間にはデープ状あるシ・ｔ７
クイ７クケグク磁りｇ、ｊ ｆｉ汐住５がイ多馳可能に
挿入されており、この磁気記録媒体５をまベースフィル
ム６とその片面に形成された磁性１響７とめ・ら構成さ
れ、この磁性層７が前記主磁極２と対ｊｊｌするように
配置されている。前記コイル４にｎ己録されるべき信号
電流を流して主磁極２を補助磁１紙３ ＩＩＩから励磁
すると、主磁極２の先端付１テに強−・垂直磁界が発生
ずる。これによって主磁極２σ〕先端近傍にある磁性層
７がそれの厚さ方向に磁イヒされて。
クイ７クケグク磁りｇ、ｊ ｆｉ汐住５がイ多馳可能に
挿入されており、この磁気記録媒体５をまベースフィル
ム６とその片面に形成された磁性１響７とめ・ら構成さ
れ、この磁性層７が前記主磁極２と対ｊｊｌするように
配置されている。前記コイル４にｎ己録されるべき信号
電流を流して主磁極２を補助磁１紙３ ＩＩＩから励磁
すると、主磁極２の先端付１テに強−・垂直磁界が発生
ずる。これによって主磁極２σ〕先端近傍にある磁性層
７がそれの厚さ方向に磁イヒされて。
磁気記録がなされる。
前記主磁極２の一例とｌ−て、Ｇｏ含有打率；Ｓ３．ａ
重置％、Ｚｒ含有率が６．５重ｌｉ営鉱’Ｉ’ ａ含有
重力１１０．１重量％で、Ｚｒと′ｌ′ａのトータル含
有率力ｔ１６．６重量％のＣｏ −Ｚ ｒ −１’ ａ
の３成分系アモルファス合金薄膜からなっている。この
主磁極２はスパッタリングで形成されたのち、前述の条
件下において回転磁界中で熱処理される。
重置％、Ｚｒ含有率が６．５重ｌｉ営鉱’Ｉ’ ａ含有
重力１１０．１重量％で、Ｚｒと′ｌ′ａのトータル含
有率力ｔ１６．６重量％のＣｏ −Ｚ ｒ −１’ ａ
の３成分系アモルファス合金薄膜からなっている。この
主磁極２はスパッタリングで形成されたのち、前述の条
件下において回転磁界中で熱処理される。
主磁極２の他の例として、Ｃｏ含有率が８５重重景、
Ｚ ｒ 、 Ｔ ａ 、 Ｎ ｂの各含有率がそれぞれ
５重置％で、結局Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂのトータル含有率が
１５重ｉ％Ｉ） Ｃｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ −Ｎ ｂ
の４成分系アモルファス合金薄膜からなっている。この
主磁極２はスパッタリングで形成されたのち、前述の条
件下において回転磁界中で熱処理される。
Ｚ ｒ 、 Ｔ ａ 、 Ｎ ｂの各含有率がそれぞれ
５重置％で、結局Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂのトータル含有率が
１５重ｉ％Ｉ） Ｃｏ −Ｚ ｒ −Ｔ ａ −Ｎ ｂ
の４成分系アモルファス合金薄膜からなっている。この
主磁極２はスパッタリングで形成されたのち、前述の条
件下において回転磁界中で熱処理される。
本発明は前述したよ５に垂直磁気記録用磁気ヘッドの主
磁極を、コバルトを主成分とし、それにジルコニウムと
タンタルを少量添加した３成分系アモルファス合金、な
らびにコバルトを主成分とし、それにジルコニウムとタ
ンタルとニオブな少量添加した４成分系アモルファス合
金で構成したことを特徴とするものである。これらアモ
ルファス合金は、高い透磁率と飽和磁束密度を有してい
るから、極めて薄い主磁極を形成することが可能で、そ
のために磁気ヘッドの再生分解能を高めることができる
。
磁極を、コバルトを主成分とし、それにジルコニウムと
タンタルを少量添加した３成分系アモルファス合金、な
らびにコバルトを主成分とし、それにジルコニウムとタ
ンタルとニオブな少量添加した４成分系アモルファス合
金で構成したことを特徴とするものである。これらアモ
ルファス合金は、高い透磁率と飽和磁束密度を有してい
るから、極めて薄い主磁極を形成することが可能で、そ
のために磁気ヘッドの再生分解能を高めることができる
。
第１図はタンタルの含有率と保磁力との関係を示す特性
図、第２図はジルコニウムとタンタルのトータル含有率
と透磁率との関係を示す特性図、第３図はジルコニウム
とタンタルのトータル含有率と飽和磁束密度との関係を
示す特性図、第４図はジルコニウムと保磁力との関係を
示す特性図、第５図はタンタルに対するニメプの置換ｈ
１を種々変えた場合の磁気特性図、第（１図は本発明の
実施例に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドを説明するだめ
の説明図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・主磁極、３・
・・・・・補助磁極、４・・・・・・コイル、５・・・
・・・磁気記録媒体、６・・・・・・ペースフィルノ１
．７・・・・・・磁性層。 第Ｉ 昌 Ｔｏ（ｗｆ％） 第２０ ０ ５ ｌＯ１５２０２５Ｚｒ
＋Ｔｏ（ｗｔ％） 第３図 ’ ５ １ｏ１５
２０Ｚｒ＋Ｔｏ（ｗｔ’ 第４図 ０ ５ ＩＯ１５２゜Ｚｒ （ｗ
ｔ％〕 第５図 ８０ ５０ ０
ｘ（ｗｔ％） 第６図
図、第２図はジルコニウムとタンタルのトータル含有率
と透磁率との関係を示す特性図、第３図はジルコニウム
とタンタルのトータル含有率と飽和磁束密度との関係を
示す特性図、第４図はジルコニウムと保磁力との関係を
示す特性図、第５図はタンタルに対するニメプの置換ｈ
１を種々変えた場合の磁気特性図、第（１図は本発明の
実施例に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドを説明するだめ
の説明図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・主磁極、３・
・・・・・補助磁極、４・・・・・・コイル、５・・・
・・・磁気記録媒体、６・・・・・・ペースフィルノ１
．７・・・・・・磁性層。 第Ｉ 昌 Ｔｏ（ｗｆ％） 第２０ ０ ５ ｌＯ１５２０２５Ｚｒ
＋Ｔｏ（ｗｔ％） 第３図 ’ ５ １ｏ１５
２０Ｚｒ＋Ｔｏ（ｗｔ’ 第４図 ０ ５ ＩＯ１５２゜Ｚｒ （ｗ
ｔ％〕 第５図 ８０ ５０ ０
ｘ（ｗｔ％） 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）磁気記録媒体の磁性層と対向するように主磁極を
配置せしめ、前記磁性層をそれの厚さ方向に向けて磁化
する垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記主磁極が
コバルトを主成分とし、少量のジルコニウムとタンタル
とを添加した３成分系のアモルファス合金で構成されて
いることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。 （２、特許請求の範囲第（１）項記載において、前記ジ
ルコニウムとタンタルのトータル含有２＋＜ カ約５〜
２０重級％の範囲に規制されていることを％徴とする垂
直磁気記録用磁気ヘッド。 （３） 特許請求の範囲第（１）項および第（２）項
記載において、前記ジルコニウムの含有率が約２．５重
置％以上に規制されていることを特徴とする垂直磁気記
録用磁気ヘッド。 （４）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記主
磁極として形成された３成分系のアモルファス合金層が
回転磁界中で熱処理されることを特徴とする垂直磁気記
録用磁気ヘッド。 （５） 磁気記録媒体の磁性層と対向するように主磁
極を配置せしめ、前記磁性層をそれの厚さ方向に向けて
磁化する垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記主磁
極がコバルトを主成分とし、少量のジルコニウムとタン
タルとニオブとを添加した４成分系のアモルファス合金
で１１１７成されていることを特徴とする垂直磁気記録
用磁気ヘッド。 （６） 特許請求の範囲第（５）項記載において、前
記ジルコニウムとタンタルとニオブのトータル含有率が
約５〜２０重敗％の範囲に規制されていることを特徴と
する垂直磁気記録用磁気ヘッド。 （７）特許請求の範囲第（５）項および第（６）項記載
において、前記ジルコニウムの含有率が約２．５重量％
以上に規制されていることを特徴とする垂直磁気記録用
磁気ヘッド。 （８）弁許錆求の範囲第（５）項記載に４・；いて、前
記主磁極として形成された４成分系のアモルファス合金
層が回転磁界中で熱処理されることを特徴とする垂直磁
気記録用磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20599982A JPS5996518A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20599982A JPS5996518A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996518A true JPS5996518A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16516227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20599982A Pending JPS5996518A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11248811B2 (en) * | 2019-03-08 | 2022-02-15 | Shenzhen Chenbei Technology Co., Ltd. | Humidifier with waterproof arrangement |
| US11333377B2 (en) * | 2019-05-29 | 2022-05-17 | Shenzhen Chenbei Technology Co., Ltd. | Humidifier with waterproof arrangement |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20599982A patent/JPS5996518A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11248811B2 (en) * | 2019-03-08 | 2022-02-15 | Shenzhen Chenbei Technology Co., Ltd. | Humidifier with waterproof arrangement |
| US11333377B2 (en) * | 2019-05-29 | 2022-05-17 | Shenzhen Chenbei Technology Co., Ltd. | Humidifier with waterproof arrangement |
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