JPH03134819A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。

従来の技術 近年、磁気記録技術の発展はめざましく、記録密度の向
上、とりわけ装置の小型化、高性能化。

多機能化に於ける進歩は著しく、この傾向は今後も続く
ことが予測され、重要な要素である磁気メディアは薄膜
磁気記録層、垂直磁化薄膜の採用に向って改良が進めら
れている。

垂直磁化薄膜はＣｏ−Ｃｒスパッタ膜に代表され、Ｎｉ
−ＦｅとＣｏ−Ｃｒのいわゆる積層２層媒体と単磁極ヘ
ッドの組み合わせでは、６８０ＫＦＲＰＩの記録再生が
報告され［アイ・イー・イー・イー・トランザクション
・オン・マグネチフス（ＩＥＥＥ　　ＴＲＡＮＳＡＣＴ
ＩＯＮＳＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−
２３゜尚５　２０７２（１９８７）］るに至っている一
方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ単層膜とリングヘットの既存のイ
ンターフェース技術によっての高密度化も確認されし特
開昭６１−７７１２８号公報コ実用化への期待が高まっ
てきている。

実用化にあたって今日重要なテーマは、耐久性に優れ、
記録性能の良好な磁気ディスク、磁気テープ等の磁気記
録媒体を再現よく、高速で製造する技術の確率であると
いえる。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術１アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・マグネ
チフス（ＩＥＥＥ　　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　　Ｏ
ＮＭＡＧＮＥＴＩＣ８）Ｖｏ　１．ＭＡ−２３，嵐５２
４４９　（１９８７）参照］スパッタリング法［同誌２
４４３頁（１９８７）参照］が中心に検討されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら従来知られる磁気記録媒体の特性は製造パ
ラメータ依存性が大で、基板温度や、製膜速度の面でみ
ると、基板温度が大きいこと、製膜速度が小さいことが
好ましい条件とされることから磁気記録媒体として磁気
ディスクの製造や利用には、十分であっても、磁気テー
プとしての応用には不十分であり、改善が望まれていた
。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、垂直磁
気記録媒体の性能向上と生産性向上を目的としたもので
ある。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は微
粒子を配したフィルム上にＭ斜め蒸着。

Ｃｏ−Ｍ垂直蒸着、Ｃｏ酸化物が連続した柱状微粒子か
ら成るようにしたものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、微粒子の
凹凸とＣｏ酸化物による耐久性向上と、微粒子による形
状の乱れからくるＣｏ−Ｍ結晶配向性がＭ斜め蒸着膜部
分で改良される。特に従来の積層型と異なり柱状微粒子
として一体連続であることでその改良が明確になる。こ
の両者の作用効果で課題の解決がはかれる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡
大断面図である。

実施例１ 第１図で１は微粒子塗布層を配したポリエチレンテレフ
タレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高
分子フィルムで、微粒子塗布層は、ミミズ状の隆起層と
の組み合わせでもよい。用いられる微粒子はＳ　ｉ　０
２．　Ａｉ！　２０３゜Ｃｒ２Ｏ３，Ｔ　ｉ　０２．Ｆ
　ｅ２０３．Ｃａ　Ｃ０３，Ｓ　ｂ２０ｓ等やポリエス
テル球ポリイミド球等いずれでもよく、１００Ａから３
００Ａまでの球状が高さが１０ＯＡから３００Ａの範囲
となる楕円球等でもよい。

２は磁気記録層で、Ｍ斜め蒸着膜部、Ｃｏ−Ｍ垂直蒸着
膜部、Ｃｏ酸化膜部が一体の柱状微粒子から成る柱状微
粒子の集合体である。Ｍ元素として好ましいものはＣｒ
、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ。

Ｗ等である。３は保護潤滑層でプラズマ重合膜。

炭素膜、酸化膜、炭化物膜、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂
肪族アルコール、パーフルオロポリエーテル等の組み合
わせが用いられる。第２図は本発明の磁気記録媒体を製
造するのに用いた蒸着装置の要部構成図である。第２図
で、４は高分子フィルムで、５は回転支持体（この場合
は回転キャン）で、６は送り出し軸、７は巻取り軸、８
はＭ蒸着源、９はＣＯ蒸発源、１０はＭ蒸気流、１１は
Ｃ。

蒸気流、１２はマスクＡ、１３はマスクＢ、１４は酸化
室、１５はグロー放電電極である。第２図の装置で、Ｍ
蒸気流はマスクＡ１２での制限により斜め蒸着にまず寄
与し、Ｃｏ蒸気流と混じわって、合成ベクトル的にみて
垂直蒸着とほぼ等価の結晶成長に寄与し、最終はマスク
Ｂ１３での制限によりＣＯが蒸着されＣＯは直ちに酸素
グロー放電により酸化される。マスクＡ、Ｂと蒸発源８
゜９の位置関係の最適化て、本発明の磁気記録媒体は高
速で得られかつ性能も良好なものとすることができる。

以下、更に具体的に本発明の一実施例について比較例と
の対比で説明する。

厚み１０μｍの芳香族ポリアミドフィルム上に直系１０
０ＡのＣｒ２Ｏ３微粒子を９ケ／（μｍ）２配し、直径
５０　ｃｍの回転キャンの中心線振り分けで対称にＭ蒸
発源とＣＯ蒸発源（夫々３０　Ｋ　Ｖ最大１００ＫＷの
電子ビーム蒸発源）を配し、４ｘｌＯ−’〜５Ｘ１０　
”（Ｔｏｒｒ）で電子ビーム蒸着し、表面酸化は１３．
５６　（ＭＨｚ）０．６〜１．４　（ＫＷ）、酸素分圧
６（ｍＴｏｒｒ）〜１９（ｍＴｏｒｒ）で行い、各種の
磁気記録層を形成し、夫々０．４μｍのバックコート層
を配し、０．６（ｍｇ／ｎ？）のパーフルオロポリエー
テル“フォンブリンＺ−２５”　（モンテジソン社裂）
を配し８ミリ幅の磁気テープを準備した。キャン温度は
１１５℃一定とした。比較例は、マスク位置を移動し、
Ｍ蒸発源で斜め蒸着を行い、巻き戻しながら９の蒸発源
をＣｏ−Ｍ蒸発源として用いＣｏ−Ｍ垂直磁化膜を配し
てから大気中で２８０℃の熱ロールに沿わせ２　（ｍ／
ｍ　ｉ　ｎ　）で走行させて表面酸化させたものを用い
た。夫々のテープを改造した８ミリビデオによりギャッ
プ長０．１５μｍのセンダストスパッタ膜利用のメタル
・インギャップ型ヘッドで０．２２μｍのビット長を記
録再生しＣ／Ｎを相対比較した結果をテープの条件と共
に第１表にまとめて示した。

（以　　下　　余　　白　　） 以上のように本発明によれば、柱状微粒子が一体化して
斜め成分と表面酸化層を有することで、耐久性とＣ／Ｎ
が高水準でバランスすることがわかる。

実施例２ 課題を解決する別の手段は、高分子フィルム上にＣｏ−
Ｍ複合蒸着層を配した上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁化膜を配
するようにしたものである。本発明の磁気記録媒体は上
記した構成により、Ｃｏ−Ｍ合金の結晶配向性が改良さ
れ雑音レベルの低い、即ちＣ／Ｎの良い磁気記録媒体が
得られる。本発明は磁気テープ、磁気ディスクのいずれ
でもよいが以下磁気テープの例について詳しく説明する
。

第３図は、本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面
図である。第３図で１は高分子フィルムで、微粒子塗布
層を配したものでもよい。特に本発明の構成では、汎用
性の高いポリエステルフィルムを用いても（特に耐熱性
の高い、高価なフィルムを用いなくても〉十分なＣ／Ｎ
の磁気記録媒体を与えるものである。ポリエステルフィ
ルム　０ は、テレフタル酸、イソフタル酸、Ｐ−オキシ安息香酸
、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸。

トリメリット酸等のカルボン酸類とエチレングリコール
、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、
ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ビス
フェノールのエチレンオキシド付加物及びポリエチレン
グリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール
類との反応により得られるもので、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン２．６ナフタレンジカルポキシ
レート、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリ１．
４−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート等が適
している。

他に実施例−１で用いたフィルム等で構成してもよいの
は勿論である。１６はＣｏ−Ｍ複合蒸着層で、ＣｏとＭ
を交互に蒸着し、かつ夫々の蒸着量を均一厚み換算でＩ
ＯＡから５０Ａの範囲で蒸着制御し、トータルで１００
八から３００人で十分である。Ｍ元素として好ましいの
は、Ｃｒ、Ｒｕ。

Ｔ　ｉ　、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ等である。尚ＣｏとＭ
元素の割合は平均で非磁性となる量即ちＣＯが７０ａｔ
％以下となる量で好ましくはＣｏが５０％以上の方が複
合蒸着層厚みを小さ（できる傾向にある。１７はＣｏ−
Ｍ垂直磁化膜で、スパッタ」レグ法による製膜をこばむ
ものではないが、生産性の面から電子ヒーム蒸着法、イ
オンブレーティング法等の方が望ましい。Ｃｏ−Ｍ複合
蒸着層とＣｏ−Ｍ垂直磁化膜のＭ元素は共通しているこ
とを前提としているものではないが、特性、付着強度面
から共通した構成とする方が好ましい。

以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。

厚み１０μｍのポリニレチンテレフタレートフィルム上
に直径１００人のＴｉＯ２微粒子を１２ケ／（μｍ）２
配し、その上に００２Ｍの交互蒸着て複合蒸着層を形成
し更にその上にＣｏ−Ｍ垂直磁化膜を回転キャン温度６
０　℃、入射角１０度以内、真空度５ｘ　１０””７−
３ｘ　１０−６（Ｔｏ　ｒ　ｒ）で電子ビーム蒸着しく
膜厚は０．２μｍ一定とした）その上にデュポン社製の
ＫＲＹＴＯＸ１４３ＡＣを０．９　（ｍｇ／Ｊ　）配し
、０．４５．ｃｚｍのバックコート層を配し、８ミリ幅
の磁気テープを得た。

比較例は、Ｍ元素の下地を入射角２０度以内で、膜厚３
５０人配し、その上にＣｏ−Ｍ垂直磁化膜を形成した以
外は実施例と同じ条件内で選択した。

夫々のテープをギャップ長０．１５μｍのＣ。

Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金膜を利用したメタルインギ
ャップ型ヘットでビット長０．２μｍを記録再生しＣ／
Ｎを比較すると共に、初期出力が３　（ｄＢ）低下する
までのステル時間を比較した。テープ条件と評価結果を
第２表にまとめて示した。

第２表より明らかなように本発明は、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いて実施したが、初期のＣ／Ｎ
はＣｏ−Ｃｒの場合既に多（の研修報告がスパッタ膜で
ポリイミドフィルムを用いなされている結果とほぼ同等
（１ｄＢ以内の差である）であり、比較例との対比での
優位性を含め、実用価値は大きいことがわかする。

（以　　下　　余　　白　　） ３ ４ 実施例３ 課題を解決するための別の手段は、高分子フィルム上に
イオン注入飽和層を配した上にｃｏ−Ｍ合金垂直磁化膜
を配したものである。本発明の磁気記録媒体は上記した
構成により、高分子フィルムのガス吸蔵の影響が全くな
（なり結晶配向改善でのＣ／Ｎ向上ができ、かつ下地層
を配したものより付着強度が改善されるので耐久性も改
善される。

第４図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。第４図で１８は高分子フィルム１の表面にイオ
ン注入法で形成したイオン注入飽和層で、用いられるイ
オンの種類は、Ｃｒ、Ｔｉ。

Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ等のｃｏ−Ｍ垂直磁化膜１７に用
いるＭ元素と同じものが最も適するものの、他の非磁性
元素でも改善効果を明確にすることができる。イオン注
入飽和層の形成はイオンのエネルギーと注入密度、注入
時間で条件出しを行えばよいが、化学エツチング法と組
み合わせてもよい。注入により表面は注入元素のみて占
められる状態を飽和として定義するものとする。

以下、更に本発明の具体的な実施例について比較例との
対比で説明する。

厚み１０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムにフ
ィラー添加により平均２ケ／（μｍ）２の高さ１００Ａ
の突起を形成した表面に、イオン注入飽和層を形成し、
その上にＣｏ−Ｍ垂直磁化膜を電子ビーム蒸着法と高周
波スパッタリング法で形成した。電子ビーム蒸着法は直
径５０ｃｍの回転キャン（６０℃）に沿わせて、入射角
１２度以内、真空度３Ｘ１０−７〜？Ｘ１Ｏ−７（Ｔｏ
ｒｒ）で平均５７００（Ａ／５ｅｃ）で０．２μｍ蒸着
し、スパッタリング法は、Ｃｏ−Ｍターゲットと１３．
５６　（ＭＨｚ）、０．８〜１．９　（ＫＷ）、Ａｒ５
（ｍＴｏ　ｒ　ｒ　）　〜７　（ｍＴｏ　ｒ　ｒ　）の
条件のグロー放電を組み合わせ１２０（Ａ／５ｅｃ）〜
１９０（人／　ｓ　ｅ　ｃ　）で行った。

尚比較例は、イオン注入を行わず、下地層を配した′場
合とない場合について試作した。

夫々ｃｏ−Ｍ垂直磁化膜上にＫＲＹＴＯＸ、１５７ＦＳ
−Ｍを０．８　（ｍｇ／ｎ？　）塗布し、０．４　μｍ
のバックコート層を配し、８ミリ幅の磁気テープとした
。夫々のテープをギャップ長０．１６μｍの積層合金型
ヘッドによりビット長０．２μｍを記録再生し、Ｃ／Ｎ
とスチル特性を比較した結果を第３表にまとめて示した
。

本発明品は、電子ヒーム蒸着法で形成したＣＯＮ２合金
垂直磁化膜でもスパッタリング法で形成した従来品と同
等の性能を実現できる」−にスチル特性に於ては従来品
より優れた耐久性を示すことが理解される。

（以　　下　　余　　白　　） ７ ８ 実施例４ 課題を解決するための別の手段は、Ｃｏ−Ｚｎ又はＣｏ
−Ｃｄ垂直磁化膜の側面の表面酸化膜がＺｎＯ又はＣｄ
Ｏがら成るものである。本発明の磁気記録媒体は上記し
た構成により、粒子間の磁気的分離が改善され雑音が小
さくなり、Ｚ　ｎとＣｄはＣｏと同じく六方稠密（ｈｃ
ｐ）構造をとることから結晶性も良好な垂直磁化膜とな
り、出力改善がはかられ、全体としてＣ／Ｎ改善が達成
されることになる。

第５図は、柱状微粒子の拡大模式図で、第５図で１９は
Ｃｏ−Ｚｎ　（Ｚｎは１６ａｔ％〜２５ａｔ％）又はＣ
ｏ−Ｃｄ　（Ｃｄは１６ａｔ％〜２４ａｔ％）から成る
柱状微粒子で２０はＺｎＯ又はＣｄＯから成る表面酸化
層である。

尚、従来から知られるようにＣｏをＣｏ−Ｎｉに置きか
えたものも本発明の範囲である。又ｃＯＣｒ等は各種の
表面偏析層により強磁性結合を弱めることが知られてい
るが、本発明は、偏析の条件については特に限定はなく
、例えばＣｒリッチの偏析層が非磁性層として働いてい
るのと同様な働きはＣｄＯ又はＺｎＯ膜が薄（でも、ち
密な非磁性層として磁気的分離性能を十分にもっことに
なる。本発明の磁気記録媒体は電子ビーム蒸着法、イオ
ンブレーティング法、スパッタリング法等で高分子フィ
ルム」二に直接又は下地層を介して又は実施例−２，実
施例−３と同し構成等、いずれかでテープ化又はディス
ク化することて得ることができる。尚柱状微粒子の側面
酸化は、後処理で行えばよい。

以下、更に具体的に本発明の実施例について、比較例と
の対比で説明する。

厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１５０ＡのＺｎＯ微粒子を６ＪＪ−／　（μｍ）
２配し、その上にＣｏ−Ｃｄ（Ｃｄ：２３ａｔ％）　、
　Ｃｏ−Ｚｎ　（Ｚｎ　：　２２ａｔ％）をターゲット
にして、キャン温度５００Ｃ。

Ａｒ＋ｆ（２＝５　（ｍＴｏｒｒ）。

Ａ　ｒ　：　Ｈ２＝４　：　１　、　１３．５６　（Ｍ
Ｈｚ）、２（ＫＷ）で垂直磁化膜を０．２μｍ形成した
。Ｃｏ−Ｃｄ膜を配したものを（Ａ）とし、Ｃｏ−Ｚｎ
膜を配したものを（Ｂ）とした。

尚、Ｃｄイオン注入飽和層を介してＣｏ−Ｃｄ膜を配し
たものを（Ｃ）、Ｚｎイオン注入飽和層を介してＣｏ−
Ｚｎ膜を配したものを（Ｄ）とし、（Ａ）から（Ｄ）を
、１２０℃の酸素中で２時間熱処理し柱状微粒子の側面
に約５０〜６０へのＣｄＯ又はＺ　ｎ　Ｏ膜を形成し、
その上にＫＲＹＴＯＸ１４３ＡＣを０．６　［ｍｇ／ｎ
ｔ　］配し、バックコート層ｏ、４５μｍを配し８ミリ
テープを得た。又比較例は酸化処理をしないもので（Ａ
）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に対応するものを夫々（Ｅ
）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）とした。夫々のテープをキ
ャップ長ｏ、２３μｍのセンダストスパッタ膜を用いた
積層合金型ヘッドによりヒツト長０．１５μｎ］を記録
し再生Ｃ／Ｎを相対比較した。又併せて耐久性について
スチル特性も調査した。評価結果を第４表にまとめて示
した。

第４表によれば、本実施例は、相対Ｃ／Ｎに優れスチル
特性、特に高温高湿保存後も安定してぃ１ ２ てその実用性は大きい。尚Ｃ／Ｎはスパッタリング時の
キャン温度６０℃でポリイミド上にＣ。

Ｃｒ　（Ｃｒ２３ａｔ％）垂直磁化膜を形成したものと
１〜２　（ｄＢ）以内の差であることからも高密度特性
も良好といえる。

（以　　下　　余　　白　　） ３ ４ 実施例５ 本発明は高密度記録性能に優れたＣｏ−Ｃｒ等のスパッ
タリング法による膜形成の高速化に関するもので、高速
化による膜の機械強度の劣化を改善することを目的とす
るもので、課題を解決するため、本発明は、高分子フィ
ルム上にプラズマ重合膜を配した後、回転支持体に静電
吸着させた状態で高速スパッタリング法によりＣｏ系合
金垂直磁化膜を形成するようにしたものである。本発明
の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により、高分
子フィルムの表面がスパッタリングに対して、均一な面
状態となり欠陥（不均一部分）をトリ力にして誘発され
る異常突起く１ジユール）が無視できるようになり、か
つ結晶性も良好となりＣ／Ｎと耐久性の改善された磁気
記録媒体をスパッタリング法で効率よく製造できること
になる。

第６図は本発明により製造される磁気記録媒体の拡大断
面図である。第６図で２１はプラズマ重合膜で、膜厚は
均一厚み換算で２０人から１００への範囲で十分である
。用いられるモノマーカスは特に限定はなく、ＣＦ４．
Ｃ２Ｆ４．Ｃ２Ｈ２Ｆ等のふっ素含有化合物、メヂルア
ミン、トリメチルアミン、ラウリルアミン等の有機アミ
ン化合物、有機ケイ素化合物、有機不飽和化合物等いず
れでもよい。

第７図は本発明を実施するのに用いた磁気記録媒体の製
造装置の要部構成図である。第７図で２２は高分子フィ
ルムで巻出し軸３４から巻取り軸３５へ移動する過程で
プラズマ重合膜を配され、スパッタリング法でＣｏ−Ｍ
垂直磁化膜を形成できるよう構成する。２３はエンドレ
スベルトから成る回転支持体で、２４．２５は円筒キャ
ンである。２６は高分子フィルムをエンドレスベルトに
静電吸着させ十分熱を吸収伝達し、高分子フィルムの熱
負荷を軽減されるのに用いる電子ヒーム発生源で２７は
電子ヒームである。２８はプラズマ重合に供する放電電
極２９はプラズマ重合室で３０はプラズマである。３１
はＣｏ−Ｍ合金ターゲットでＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ等５ ６ を１９ａｔ％〜２６ａｔ％含むＣｏ合金て構成してもの
で３２は高速化するための磁界発生器である。３３はフ
リーローラである。

この装置を用いて具体的に磁気記録媒体を製造し、比較
例との対比で説明する。

厚み１１μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに
直径５００人の５ｉ０２を内在粒子として添加し、表面
粗さを平均値で４０人、最大粗さで１２０Ａの面を形成
しそのフィルムを用いて、モノマーカスを用いプラズマ
重合膜を１５（ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ　）　〜５０（ｍＴｏ
ｒｒ）、１３．５６（ＭＨｚ）　、　０．６５〜１．４
　（ＫＷ）　ノ範囲で形成し、１５ＫＶ、２００μＡ／
ｃｎ？の電子線照射により静電吸着さぜ（１００μｍの
ステンレス製のヘルドを温度２０℃に保持した。）Ｃｏ
−ＭをターゲットにしてＡｒ：２（ｍＴｏｒｒ）　〜１
０（ｍＴｏ　ｒ　ｒ　）　、　　１３．５６　（ＭＨｚ
）　４　（ＫＷ）〜８．５　（ＫＷ）で高速でＣｏ−Ｍ
垂直磁化膜を０．２μｍ形成し、その−トにモンテシソ
ン社製のフォンブリンＺ−２５を０．８（ｍｇ／Ｊ）配
し０．４μｍのバックコート層を配し８ミリ幅のテープ
とした。

比較例はプラズマ重合膜を配さない場合と、プラズマ重
合の代りにＣｒ下地をスパッタリング法で２００Ａ形成
した場合と、Ｃｏ−Ｍスパッタ速度を小さくした場合を
テープ化した。

夫々のテープの条件と、ギャップ層０．２μｍのセンダ
ストスパッタ膜を用いたメタルインギャップ型ヘッドで
ビット長ｏ、１５μｍを記録、再生し、Ｃ／Ｎを比較し
スヂル特性も比較した。それらの結果を第５表にまとめ
て示した。

（以　　下　　余　　白　　） 以上のように本発明によれば高速で優れた垂直磁気記録
媒体が得られる。Ｃｒ下地はスパッタリング法で形成し
てることからプラズマ重合膜に近い条件とみれるが、実
際は１ジユールの核が残り、高速条件で製膜した場合、
十分なスヂル特性にならない。第５表では示してないが
、Ｗ、Ｔａ。

Ｒｕ等も同等の性能を示し本発明の有価値性を確認して
いる。

実施例６ 本発明は特にポリエステルフィルム上に直接Ｃ。

系合金垂直磁化膜を形成する方法を提供するもので、冷
却支持体に静電吸着させたポリエステルフィルム上に、
−２０℃以下でＣｏ系合金を垂直蒸着するようにしたも
のである。本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した
構成により、垂直磁化膜形成に於て結晶性を低下させる
ガス放出が無視できることになり、より完全性の高い結
晶成長が達成されＣ／Ｎが改善された磁気記録媒体が得
られることになる。第８図は本発明を実施するのに用い
た磁気記録媒体の製造装置の要部構成図て９ ０ ある。第８図で第７図と共通要素は同一の番号を付しで
ある。第８図で３６はポリエステルフィルムで、勿論化
の高分子フィルムであってもよいが、ポリエステルフィ
ルムで十分良好な垂直磁化膜が得られることから、磁気
記録媒体用に広く多量に用いられているポリエステルフ
ィルムで実施した。３７は予熱キャンてポリエステルフ
ィルムの保管が長時間に及んだ場合、若干量の吸湿によ
り特性劣化が起る場合があるので、より再現性を高める
ために、加熱できるようにしたもので、併せて、放電電
極３８とグロー処理室３９てグロー放電処理できるよう
にした。この処理は必須条件てはないが好ましい条件と
いえる。４０はＣｏ−Ｍ電子ヒーム蒸発源で、４１は電
子ビーム発生源、４２は電子ビーム、４３はマスクであ
る。Ｃｏ−Ｍとしては１５ａｔ％から２６ａｔ％のＣｒ
、Ｍｏ。

Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ等が適用できるが、本実施例では
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、ＷはＣｒに比較して、１〜２
　（ｄＢ）低いことからＣｒ０例について以下に詳しく
のべる。

厚み９μｍの内在フィラー（直径６００Ａの５ｉＣｈ）
による凹凸を設けた（平均粗さ３０人。

最大粗さｌｌ０Ａ）ポリエチレンテレフタレートフィル
ムとポリエチレンナフタレートフィルムを用意した。夫
々のフィルムを用いて、直径３０ｃｍの予熱キャン（巻
き付は角３００”　）に治わせ、酸素分圧１２　（ｍＴ
ｏ　ｒ　ｒ　）　１０　（ＫＨｚ）　０．８（Ｋ　Ｗ　
）でグロー処理を行い、１４ＫＶ、１５０μＡ　／　ｃ
♂で静電吸着させ、ベルトの温度を変えて、Ｃｏ−Ｃｒ
　（Ｃｒ２２．５ａｔ％）を６×１Ｏ−７（Ｔｏｒｒ）
〜７Ｘ１０−”（Ｔｏｒｒ）で、入射角１６度以内１２
００　（Ａ／５ｅｃ）　〜７９００（Ａ／５ｅｅ）て蒸
着し０．２μｍのｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成し、０．
６（ｍｇ／ぜ）のＫＲＹＴＯＸＩ　５７−ＦＳ−Ｍを配
し、バックコート層０．４μｍを配し８ミリ幅の磁気テ
ープを得た。

ベルトの温度を変えてテープを試作し、ギャップ長０．
２μｍのセンダストスパッタ膜利用のメタルインギャッ
プ型ヘッドでビット長０．１５μｍの記録再生を行いＣ
／Ｎを測定した結果を第９図に示した。第９図よりベル
ト温度（この温度は静電吸着させているのでフィルム温
度と同一とみなせる。）が−２０℃以下であれば、Ｃ／
Ｎの測定誤差を含む、再現性もよく、上記した条件内で
あれば磁気記録媒体の性能を均一にできることがわかる
。フィルムの吸湿の影響については、半年保存（２０℃
６０％ＲＨの空調室に保存）品は、予熱キャン温度を７
５℃にすれば、第９図とほぼ同じ結果が得られ、通常の
製造であれば２〜３ケ月の保存で処理されると考えられ
、その場合は、予熱キャンは２０℃（氷温程度でよい）
で特に昇温しなくても、前処理としてのグロー処理（こ
れは付着強度の面からみてもできれば行う方が好ましい
）だけで第９図の関係が得られる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、耐久性、　Ｃ／Ｎ共に優
れたＣＯ系垂直磁気記録媒体が得られるといったすぐれ
た効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
、第２図は同実施例を実施するのに用いた蒸着装置の要
部構成図、第３図及び第４図は本発明の一実施例の磁気
記録媒体の拡大断面図、第５図は柱状微粒子の拡大模式
図、第６図は本発明の一実施例により製造される磁気記
録媒体の拡大断面図、第７図及び第８図は同実施例を実
施するのに用いた磁気記録媒体の製造装置の要部構成図
、第９図は同実施例の特性を示した特性図である。 １．４・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・磁
気記録層、８・・・・・・Ｍ蒸発源、９・・・・・・ｃ
ｏ蒸発源、１４・・・・・・酸化室、１６・・・・・・
Ｃｏ−Ｍ複合蒸着層、１７・・・・・・Ｃｏ−Ｍ垂直磁
化膜、１８・・・・・・イオン注入飽和層、１９・・・
・・・Ｃ０−Ｚｎ又はｃｏ−ｃｄ柱状微粒子、２０・・
・・・・ＺｎＯ（又はＣｄ０）層、２１・・・・・・プ
ラズマ重合膜、２２・・・・・・高分子フィルム、２３
・・・・・・エンドレスベルト、２６・・・・・・電子
ビーム発生源、２９・・・・・・プラズマ重合室、３１
・・・・・・Ｃｏ−Ｍ合金ターゲット、４０・・・・・
・ｃｏ−Ｍ電子ビーム蒸３ ４ 発源。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）微粒子を配した高分子フィルム上に斜め蒸着され
   たＭとＣｏ−Ｍ垂直磁化膜と表面Ｃｏ酸化物が連続した
   柱状微粒子から成ることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）高分子フィルム上にＣｏ−Ｍ複合蒸着層を配した
   上にＣｏ−Ｍ合金垂直磁化膜を配したことを特徴とする
   請求項１記載の磁気記録媒体。
3. （３）高分子フィルム上にイオン注入飽和層を配した上
   にＣｏ−Ｍ合金垂直磁化膜を配したことを特徴とする請
   求項１記載の磁気記録媒体。
4. （４）Ｃｏ−Ｚｎ又はＣｏ−Ｃｄ垂直磁化膜の側面表面
   酸化膜がＺｎＯ又はＣｄＯであることを特徴とする請求
   項１記載の磁気記録媒体。
5. （５）高分子フィルム上にプラズマ重合膜を配した後、
   回転支持体に静電吸着させた状態で高速スパッタリング
   法によりＣｏ系合金垂直磁化膜を形成することを特徴と
   する磁気記録媒体の製造方法。
6. （６）冷却支持体に静電吸着させたポリエステルフィル
   ム上に−２０℃以下でＣｏ系合金を垂直蒸着することを
   特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。