JP2579465B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光を用いて記録、再生または消去を行なう光
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
従来の光磁気記録媒体は、Tb−Fe、Tb−Fe−Co、Gd−
Fe−Co、Gd−Co、Gd−Sm−Co等の非晶質金属垂直磁化膜
ガスパッタリング法や真空蒸着法などによって成膜され
ているが、希土類金属元素を含んでいるため非常に耐環
境特性に劣り、安定した磁気記録特性を維持することが
できない。すなわち、力一回転角、ファラデ−回転角、
保磁力、透過率、反射率等の変化が激しくビットエラー
レートの経時変化が大きく長期信頼性がない。そのため
に、基板材料、保護層の材料、媒体の構造など種々の検
討がなされてきている。また、記録層の耐酸化性のため
Ti、Cr、Alなどの元素を記録層自身に添加する試みもな
されているが、記録層の希土類元素を使う以上耐酸化性
の大きな向上は望めない。
Fe−Co、Gd−Co、Gd−Sm−Co等の非晶質金属垂直磁化膜
ガスパッタリング法や真空蒸着法などによって成膜され
ているが、希土類金属元素を含んでいるため非常に耐環
境特性に劣り、安定した磁気記録特性を維持することが
できない。すなわち、力一回転角、ファラデ−回転角、
保磁力、透過率、反射率等の変化が激しくビットエラー
レートの経時変化が大きく長期信頼性がない。そのため
に、基板材料、保護層の材料、媒体の構造など種々の検
討がなされてきている。また、記録層の耐酸化性のため
Ti、Cr、Alなどの元素を記録層自身に添加する試みもな
されているが、記録層の希土類元素を使う以上耐酸化性
の大きな向上は望めない。
さらに、非晶質金属垂直磁化膜をスパッタリングまた
は蒸着などにより成膜し、１度でも大気にさらすと大気
中の酸素や水分などの不純物が表面吸着し本来のカーヒ
ステリシスまたはファラデヒステリシスループの角形比
が悪くなり、残留磁化状態のカー回転角またはファラデ
ー回転角が低下してしまう。そこでこのような問題点を
なくすためには記録層および保護層を真空系内で連続成
膜して作成する必要があるが、基板を同一の治具でおさ
えた状態、あるいは基板の最外部まで成膜した場合は側
端面が露出されるため、この露出面からの酸化が急速に
進行し、有効記録部分を犯すことになる。しかしながら
記録層と保護層を真空系内で連続成膜し、保護層を記録
層の側端面まで覆うという検討はなされていない。
は蒸着などにより成膜し、１度でも大気にさらすと大気
中の酸素や水分などの不純物が表面吸着し本来のカーヒ
ステリシスまたはファラデヒステリシスループの角形比
が悪くなり、残留磁化状態のカー回転角またはファラデ
ー回転角が低下してしまう。そこでこのような問題点を
なくすためには記録層および保護層を真空系内で連続成
膜して作成する必要があるが、基板を同一の治具でおさ
えた状態、あるいは基板の最外部まで成膜した場合は側
端面が露出されるため、この露出面からの酸化が急速に
進行し、有効記録部分を犯すことになる。しかしながら
記録層と保護層を真空系内で連続成膜し、保護層を記録
層の側端面まで覆うという検討はなされていない。
しかし、前述の従来技術では記録層と保護層を真空系
内で連続成膜し、さらに保護層を記録層の側端面まで覆
うという検討がなされていないため、記録層の露出面が
存在し、この露出面が大気または光硬化性樹脂などに触
れた場合この露出面からの酸化が急速に進行し、有効記
録部分を犯すという問題点を有していた。
内で連続成膜し、さらに保護層を記録層の側端面まで覆
うという検討がなされていないため、記録層の露出面が
存在し、この露出面が大気または光硬化性樹脂などに触
れた場合この露出面からの酸化が急速に進行し、有効記
録部分を犯すという問題点を有していた。
そこで本発明はそのような問題点を解説するものでそ
の目的とするところは、記録層と保護層を真空系内で連
続成膜した場合生じる記録層の側端面の露出をなくすこ
と、すなわち、記録層と保護層を真空系内で連続成膜す
ることにより、記憶層の側端面からの酸素や水分の侵入
を防ぎ、耐酸化性の優れた長期信頼性のある光磁気記録
媒体を提供するところにある。
の目的とするところは、記録層と保護層を真空系内で連
続成膜した場合生じる記録層の側端面の露出をなくすこ
と、すなわち、記録層と保護層を真空系内で連続成膜す
ることにより、記憶層の側端面からの酸素や水分の侵入
を防ぎ、耐酸化性の優れた長期信頼性のある光磁気記録
媒体を提供するところにある。
本発明の第１の光磁気記録媒体の製造方法は、 透光性支持体上に、第１の内周治具と第１の外周治具
とを前記透光性支持体の一部が露出するように配置した
後、前記透光性支持体の露出部に第１の保護層を形成す
る工程と、前記第１の保護層上に、第２の内周治具と第
２の外周治具とを、前記第１の保護層の一部が露出する
ように配置した後、前記第１の保護層の露出部に記録層
を形成する工程と、前記透光性支持体上に、第３の内周
治具と第３の外周治具とを前記第１の保護層が露出する
ように配置した後、前記記録層を覆うように第２の保護
層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
とを前記透光性支持体の一部が露出するように配置した
後、前記透光性支持体の露出部に第１の保護層を形成す
る工程と、前記第１の保護層上に、第２の内周治具と第
２の外周治具とを、前記第１の保護層の一部が露出する
ように配置した後、前記第１の保護層の露出部に記録層
を形成する工程と、前記透光性支持体上に、第３の内周
治具と第３の外周治具とを前記第１の保護層が露出する
ように配置した後、前記記録層を覆うように第２の保護
層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、前記第１の内周治具と前記第１の外周治具と
が、第１の支持体により連結されてなり、前記第２の内
周治具と前記第２の外周治具とが、第２の支持体により
連結されてなり、前記第３の内周治具と前記第３の外周
治具とが、第３の支持体により連結されてなることを特
徴とする。
が、第１の支持体により連結されてなり、前記第２の内
周治具と前記第２の外周治具とが、第２の支持体により
連結されてなり、前記第３の内周治具と前記第３の外周
治具とが、第３の支持体により連結されてなることを特
徴とする。
本発明の第２の光磁気記録媒体の製造方法は、 内周治具と外周治具とを透光性支持体上方の所定の位
置に配置した後、前記透光性支持体上の一部に第１の保
護層を形成する工程と、前記内周治具と前記外周治具と
を前記所定の位置より前記透光性支持体に接近させて配
置した後、前記第１の保護層の一部に記録層を形成する
工程と、前記内周治具と前記外周治具とを前記接近させ
て配置した位置から前記透光性支持体の上方の所定の位
置に配置した後、前記記録層を覆うように第２の保護層
を形成する工程と、を有することを特徴とする。
置に配置した後、前記透光性支持体上の一部に第１の保
護層を形成する工程と、前記内周治具と前記外周治具と
を前記所定の位置より前記透光性支持体に接近させて配
置した後、前記第１の保護層の一部に記録層を形成する
工程と、前記内周治具と前記外周治具とを前記接近させ
て配置した位置から前記透光性支持体の上方の所定の位
置に配置した後、前記記録層を覆うように第２の保護層
を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、前記内周治具と前記外周治具とが、支持体によ
り連結されてなることを特徴とする。
り連結されてなることを特徴とする。
本発明の第３の光磁気記録媒体の製造方法は、 透光性支持体上に、第１の内周治具と第１の外周治具
とを前記透光性支持体の一部が露出するように配置した
後、前記透光性支持体の露出部に、第１の保護層と記録
層と第２の保護層とをこの順で形成する工程と、前記透
光性支持体上に、第２の内周治具と第２の外周治具とを
前記透光性支持体の一部が露出するように配置し、前記
第２の保護層上に中間治具を配置した後、前記第１の保
護層と前記記録層と前記第２の保護層との端面に第３の
保護層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
とを前記透光性支持体の一部が露出するように配置した
後、前記透光性支持体の露出部に、第１の保護層と記録
層と第２の保護層とをこの順で形成する工程と、前記透
光性支持体上に、第２の内周治具と第２の外周治具とを
前記透光性支持体の一部が露出するように配置し、前記
第２の保護層上に中間治具を配置した後、前記第１の保
護層と前記記録層と前記第２の保護層との端面に第３の
保護層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、前記第１の内周治具と前記第１の外周治具と
が、第１の支持体により連結されてなり、 前記第２の内周治具と前記第２の外周治具と前記中間
治具とが、第２の支持体により連結されてなる、ことを
特徴とする。
が、第１の支持体により連結されてなり、 前記第２の内周治具と前記第２の外周治具と前記中間
治具とが、第２の支持体により連結されてなる、ことを
特徴とする。
第１図及び第２図は本発明における光磁気記録媒体の
概略図であって、センターホールのある円形のディスク
状基板を例にとってある。第１図はディスク状基板の外
周側面及び内周側の記録層の側端面まで保護層を覆う場
合であり、第２図はディスク状基板の外周側の側端面は
保護層で覆い、内周部は、有効記録部分をセンターホー
ル付近でとらずに、側端面の多少の酸化が無視できる場
合、成膜の操作性を容易にするため内周部分だけは同一
の治具をとりつけたまま第１保護層、記録層、第２保護
層の順に成膜して作製する場合である。
概略図であって、センターホールのある円形のディスク
状基板を例にとってある。第１図はディスク状基板の外
周側面及び内周側の記録層の側端面まで保護層を覆う場
合であり、第２図はディスク状基板の外周側の側端面は
保護層で覆い、内周部は、有効記録部分をセンターホー
ル付近でとらずに、側端面の多少の酸化が無視できる場
合、成膜の操作性を容易にするため内周部分だけは同一
の治具をとりつけたまま第１保護層、記録層、第２保護
層の順に成膜して作製する場合である。
第１図の１は透光性支持体で、ガラスや透明プラスチ
ックなどの材料を用いることがでるが、ここではポリカ
ーボネート樹脂を用いた場合を例にとる。２はディスク
のセンターホールである。３はディスクへ最初に被着さ
れる第１保護層であり、プラスチックなどの透湿性およ
び吸湿性のある基板を用いた場合、記録層の成膜時ある
いは成膜した後、基板側からの水分や酸素の透過による
記録層の酸化を防ぐ効果を有する。４及び５は第１保護
層を被着する場合、記録層の側端面まで保護層で覆うた
めディスクの最外周あるいは最内周まで記録層を成膜す
ることができないのと同時に、密着貼り合わせ構造やエ
アーサンドイッチ構造をとる場合に、ディスク用基板と
貼り合わせる側の基板との接着強度を増すためにあけて
おく部分である。６は非晶質金属垂直磁化膜の記録層で
あり、７は６の記録層を成膜した後真空系内で記録層の
側端面まで覆うように側端面保護層８を成膜した第２保
護層である。
ックなどの材料を用いることがでるが、ここではポリカ
ーボネート樹脂を用いた場合を例にとる。２はディスク
のセンターホールである。３はディスクへ最初に被着さ
れる第１保護層であり、プラスチックなどの透湿性およ
び吸湿性のある基板を用いた場合、記録層の成膜時ある
いは成膜した後、基板側からの水分や酸素の透過による
記録層の酸化を防ぐ効果を有する。４及び５は第１保護
層を被着する場合、記録層の側端面まで保護層で覆うた
めディスクの最外周あるいは最内周まで記録層を成膜す
ることができないのと同時に、密着貼り合わせ構造やエ
アーサンドイッチ構造をとる場合に、ディスク用基板と
貼り合わせる側の基板との接着強度を増すためにあけて
おく部分である。６は非晶質金属垂直磁化膜の記録層で
あり、７は６の記録層を成膜した後真空系内で記録層の
側端面まで覆うように側端面保護層８を成膜した第２保
護層である。
第２図は９はポリカーボネートの透光性支持体で、10
はディスクのセンターホール、11は第１保護層、12及び
13は接着強度を増すためにあけておく部分、14は非晶質
金属垂直磁化膜の記録層、15は第２保護層、16は側端面
保護層である。
はディスクのセンターホール、11は第１保護層、12及び
13は接着強度を増すためにあけておく部分、14は非晶質
金属垂直磁化膜の記録層、15は第２保護層、16は側端面
保護層である。
次に、第１図及び第２図に示す構成の光磁気記録媒体
の作製工程を図面により説明する。
の作製工程を図面により説明する。
第３図（ａ）から第３図（ｆ）は、内径の異なる外周
治具及び外径の異なる内周治具を用いた場合であり、第
１図に示す構成の光磁気記録媒体の作製工程の一例であ
る。
治具及び外径の異なる内周治具を用いた場合であり、第
１図に示す構成の光磁気記録媒体の作製工程の一例であ
る。
第３図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性
支持体17を外周治具18、内周治具19及び内周治具19を支
える支持体20からなる一連の治具のところにとりつけ、
窒化アルミニウムの焼結体ターゲットを用いてRFマグネ
トロンスパッタリング法により、窒化アルミニウムの第
１保護層21を1000Å成膜することにより、第３図（ｂ）
に示す構造になる。次に、第３図（ｃ）に示すように、
ポリカーボネートの透光性支持体17に窒化アルミニウム
の第１保護層21を1000Å成膜したものを18より小さい内
径の外周治具22,19より大きい外径の内周治具23、及び
内周治具23を支える支持体24からなる一連の治具のとこ
ろへ真空系内で搬送し、Tb−Fe−Co系の記録層25のDCマ
グネトロンスパッタリング法により成膜することによ
り、第３図（ｄ）に示す構造になる。
支持体17を外周治具18、内周治具19及び内周治具19を支
える支持体20からなる一連の治具のところにとりつけ、
窒化アルミニウムの焼結体ターゲットを用いてRFマグネ
トロンスパッタリング法により、窒化アルミニウムの第
１保護層21を1000Å成膜することにより、第３図（ｂ）
に示す構造になる。次に、第３図（ｃ）に示すように、
ポリカーボネートの透光性支持体17に窒化アルミニウム
の第１保護層21を1000Å成膜したものを18より小さい内
径の外周治具22,19より大きい外径の内周治具23、及び
内周治具23を支える支持体24からなる一連の治具のとこ
ろへ真空系内で搬送し、Tb−Fe−Co系の記録層25のDCマ
グネトロンスパッタリング法により成膜することによ
り、第３図（ｄ）に示す構造になる。
さらに、第３図（ｅ）に示すようにポリカーボネート
の透光性支持体17に窒化アルミニウムの第１保護層21を
1000Å成膜した後Tb−Fe−Co系の記録層25を成膜したも
のを18と同じ内径の外周治具26,19と同じ外径の内周治
具27、及び、内周治具27を支える支持体28からなる一連
の治具のところへ真空系内で搬送し、窒化アルミニウム
の焼結体ターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリ
ング法により、第２保護層29を1000Å成膜することによ
り、第３図（ｆ）に示す構造になり、第１図に示す構成
の光磁気記録媒体が作製される。
の透光性支持体17に窒化アルミニウムの第１保護層21を
1000Å成膜した後Tb−Fe−Co系の記録層25を成膜したも
のを18と同じ内径の外周治具26,19と同じ外径の内周治
具27、及び、内周治具27を支える支持体28からなる一連
の治具のところへ真空系内で搬送し、窒化アルミニウム
の焼結体ターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリ
ング法により、第２保護層29を1000Å成膜することによ
り、第３図（ｆ）に示す構造になり、第１図に示す構成
の光磁気記録媒体が作製される。
第３図（ａ），第３図（ｃ）及び第３図（ｅ）におい
て内周治具を支える支持体である20,24及び28はスパッ
タの被着面上にあり、スパッタむらを生じさせる要因と
なるが、このような構成のものはスパッタの被着面側ま
たはターゲット側を回転させることにより解決できる。
以下の実施例においてもこのような支持体がでてくるが
同様にして解決できる。
て内周治具を支える支持体である20,24及び28はスパッ
タの被着面上にあり、スパッタむらを生じさせる要因と
なるが、このような構成のものはスパッタの被着面側ま
たはターゲット側を回転させることにより解決できる。
以下の実施例においてもこのような支持体がでてくるが
同様にして解決できる。
第４図（ａ）から第４図（ｆ）は同一の内径の外周治
具及び同一の外径の内周治具を用い、外周および内周治
具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）から離す
ことにより、外周治具の内周で覆われる部分より広く内
周治具の外周で覆われる部分より狭い領域に第１保護層
を成膜し、外周及び内周治具を基板（ポリカーボネート
の透光性支持体）に近づけることにより、外周治具の内
周から内周治具の外周までとほぼ等しい領域に記録層を
成膜して再生外周及び内周治具を基板から離すことによ
り外周治具の内周で覆われる部分より広く内周治具の外
周で覆われる部分より狭い領域に第２保護層を成膜する
ことにより第１図に示す構成の光磁気記録媒体を作製す
る作製工程の一例である。
具及び同一の外径の内周治具を用い、外周および内周治
具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）から離す
ことにより、外周治具の内周で覆われる部分より広く内
周治具の外周で覆われる部分より狭い領域に第１保護層
を成膜し、外周及び内周治具を基板（ポリカーボネート
の透光性支持体）に近づけることにより、外周治具の内
周から内周治具の外周までとほぼ等しい領域に記録層を
成膜して再生外周及び内周治具を基板から離すことによ
り外周治具の内周で覆われる部分より広く内周治具の外
周で覆われる部分より狭い領域に第２保護層を成膜する
ことにより第１図に示す構成の光磁気記録媒体を作製す
る作製工程の一例である。
第４図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性
支持体30を外周治具31、内周治具32及び内周治具32を支
える支持体33からなる一連の治具のところにとりつけ、
第１保護送34を、31,32及び33からなる一連の治具から
離して、酸化珪素の焼結体ターゲットを用いてRFマグネ
トンスパッタリング法により酸化珪素の第１保護層34を
1000Å成膜すことにより、第４図（ｂ）に示す構造にな
る。次に、第４図（ｃ）に示すようにポリカーボネート
透光性支持体30に酸化珪素の第１保護層34を成膜したも
のを31と同一の内径の外周治具35,32の同一の外径の内
周治具36及び内周治具36を支える支持体37からなる一連
の治具のところへ真空系内で搬送し、ポリカーボネート
の透光性支持体30に窒化珪素の第１保護層34を1000Å成
膜したものを、35,36及び37からなる一連の治具に近づ
けて、Gd−Fe−Co系の記録層38をDCマグネトロンスパッ
タリング法のより成膜することにより、第４図（ｄ）に
示す構造になる。さらに、第４図（ｅ）に示すように、
ポリカーボネート透光性支持体30に酸化珪素の第１保護
層34を1000Å成膜した後Gd−Fe−Co系の記録層38を31と
同一の内径の外周治具39,32と同一の外径の内周治具40
及び内周治具40を支える支持体41からなる一連の治具の
ところへ真空系内で搬送し、第２保護層42を、39,40及
び41からなる一連の治具から離して、酸化珪素の焼結体
ターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法に
より第２保護層42を1000Å成膜することにより、第４図
（ｆ）に示す構造になり、第１図に示す構成の光磁気記
録媒体が作製される。
支持体30を外周治具31、内周治具32及び内周治具32を支
える支持体33からなる一連の治具のところにとりつけ、
第１保護送34を、31,32及び33からなる一連の治具から
離して、酸化珪素の焼結体ターゲットを用いてRFマグネ
トンスパッタリング法により酸化珪素の第１保護層34を
1000Å成膜すことにより、第４図（ｂ）に示す構造にな
る。次に、第４図（ｃ）に示すようにポリカーボネート
透光性支持体30に酸化珪素の第１保護層34を成膜したも
のを31と同一の内径の外周治具35,32の同一の外径の内
周治具36及び内周治具36を支える支持体37からなる一連
の治具のところへ真空系内で搬送し、ポリカーボネート
の透光性支持体30に窒化珪素の第１保護層34を1000Å成
膜したものを、35,36及び37からなる一連の治具に近づ
けて、Gd−Fe−Co系の記録層38をDCマグネトロンスパッ
タリング法のより成膜することにより、第４図（ｄ）に
示す構造になる。さらに、第４図（ｅ）に示すように、
ポリカーボネート透光性支持体30に酸化珪素の第１保護
層34を1000Å成膜した後Gd−Fe−Co系の記録層38を31と
同一の内径の外周治具39,32と同一の外径の内周治具40
及び内周治具40を支える支持体41からなる一連の治具の
ところへ真空系内で搬送し、第２保護層42を、39,40及
び41からなる一連の治具から離して、酸化珪素の焼結体
ターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法に
より第２保護層42を1000Å成膜することにより、第４図
（ｆ）に示す構造になり、第１図に示す構成の光磁気記
録媒体が作製される。
第５図（ａ）から第５図（ｈ）は同一の治具を用いて
外周及び内周部分を被覆し、第１保護層、記録層、第２
保護層の順に成膜した後、別の治具を用いて記録層の側
端面を被覆して第１図に示す構成の光磁気記録媒体を作
成する工程の一例である。
外周及び内周部分を被覆し、第１保護層、記録層、第２
保護層の順に成膜した後、別の治具を用いて記録層の側
端面を被覆して第１図に示す構成の光磁気記録媒体を作
成する工程の一例である。
第５図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性
支持体43を外周治具44、内周治具45及び内周治具45を支
える支持体46からなる一連の治具のところにとりつけ、
第１保護層47を硫化亜鉛のターゲットを用いてRFマグネ
トロンズパッタリング法により800Å成膜することによ
り、第５図（ｂ）に示す構造になる。次に、第５図
（ｃ）に示すように、ポリカーボネート透光性支持体に
硫化亜鉛の第１保護層47を800Å成膜したものを、外周
治具44、内周治具45及び内周治具45を支える支持体46か
らなる一連の治具ごと記録層であるNd−Dy−Fe−Co系の
合金ターゲットのあるところへ真空系内で搬送し、DCマ
グネトロンスパッタリング法によりNd−Dy−Fe−Co系の
記録層48を成膜することにより、第５図（ｄ）に示す構
造になる。次に、第５図（ｅ）に示すように、ポリカー
ボネートの透光性支持体43に硫化亜鉛層の第１保護層47
を800Å成膜した後、Nd−Dy−Fe−Co系の記録層48を成
膜したものを、外周治具44、内周治具45及び内周治具45
を支える支持体46からなる一連の治具ごと硫化亜鉛のタ
ーゲットのあることをへ真空系内で搬送し、RFマグネト
ロンスパッタリング法により硫化亜鉛の第２保護層49を
800Å成膜することにより、第５図（ｆ）に示す構造に
なる。さらに、第５図（ｇ）に示すように、ポリカーボ
ネートの透光性支持体43上に硫化亜鉛の第１保護層47、
Nd−Dy−Fe−Co系の記録層48、硫化亜鉛の第２保護層49
の順次成膜したものを外周治具50、中間治具51、内週治
具52、外周治具50と中間治具51を連結させる支持体53お
よび中間治具51と内周治具52を連結させる支持体54から
なる一連の治具のところへ真空系内で搬送し、側端面保
護層55及び56を硫化亜鉛のターゲットを用いてRFマグネ
トロンスパッタリング法により成膜することにより、第
５図（ｈ）に示す構造になり、第１図に示す構成の光磁
気記録媒体が作製される。
支持体43を外周治具44、内周治具45及び内周治具45を支
える支持体46からなる一連の治具のところにとりつけ、
第１保護層47を硫化亜鉛のターゲットを用いてRFマグネ
トロンズパッタリング法により800Å成膜することによ
り、第５図（ｂ）に示す構造になる。次に、第５図
（ｃ）に示すように、ポリカーボネート透光性支持体に
硫化亜鉛の第１保護層47を800Å成膜したものを、外周
治具44、内周治具45及び内周治具45を支える支持体46か
らなる一連の治具ごと記録層であるNd−Dy−Fe−Co系の
合金ターゲットのあるところへ真空系内で搬送し、DCマ
グネトロンスパッタリング法によりNd−Dy−Fe−Co系の
記録層48を成膜することにより、第５図（ｄ）に示す構
造になる。次に、第５図（ｅ）に示すように、ポリカー
ボネートの透光性支持体43に硫化亜鉛層の第１保護層47
を800Å成膜した後、Nd−Dy−Fe−Co系の記録層48を成
膜したものを、外周治具44、内周治具45及び内周治具45
を支える支持体46からなる一連の治具ごと硫化亜鉛のタ
ーゲットのあることをへ真空系内で搬送し、RFマグネト
ロンスパッタリング法により硫化亜鉛の第２保護層49を
800Å成膜することにより、第５図（ｆ）に示す構造に
なる。さらに、第５図（ｇ）に示すように、ポリカーボ
ネートの透光性支持体43上に硫化亜鉛の第１保護層47、
Nd−Dy−Fe−Co系の記録層48、硫化亜鉛の第２保護層49
の順次成膜したものを外周治具50、中間治具51、内週治
具52、外周治具50と中間治具51を連結させる支持体53お
よび中間治具51と内周治具52を連結させる支持体54から
なる一連の治具のところへ真空系内で搬送し、側端面保
護層55及び56を硫化亜鉛のターゲットを用いてRFマグネ
トロンスパッタリング法により成膜することにより、第
５図（ｈ）に示す構造になり、第１図に示す構成の光磁
気記録媒体が作製される。
第６図（ａ）から第６図（ｆ）は、内径の異なる外周
治具を用いた場合であり、第２図に示す構成の光磁気記
録媒体の作製工程の一例である。
治具を用いた場合であり、第２図に示す構成の光磁気記
録媒体の作製工程の一例である。
第６図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性
支持体57を内周治具59で固定して外周治具58のところに
とりつけ、第１保護層60を、窒化珪素の焼結体ターゲッ
トを用いてRFマグネトロンスパッタリング法により1100
Å成膜することにより第６図（ｂ）に示す構造になる。
次に、第６図（ｃ）に示すように、ポリカーボネート透
光性支持体57を内周治具59で固定して窒化珪素の第１保
護層60を1100Å成膜したものを58より小さい内径の外周
治具61のところへ真空系内で搬送し、Gd−Fe−Co系の記
録層62をDCマグネトロンスパッタリング法により成膜す
ることにより、第６図（ｄ）に示す構造になる。さら
に、第６図（ｅ）に示すように、ポリカーボネート透光
性支持体57を内周治具59で固定して窒化珪素の第１保護
層60を1100Å成膜した後Gd−Fe−Co系の記録層62を成膜
したものを58と同じ内径の外周治具63のところへ真空系
内で搬送し、窒化珪素の焼結体ターゲットを用いてRFマ
グネトロンスパッタリング法により窒化珪素の第２頬層
69を1100Å成膜することにより、第６図（ｆ）に示す構
成の光記録媒体が作製される。
支持体57を内周治具59で固定して外周治具58のところに
とりつけ、第１保護層60を、窒化珪素の焼結体ターゲッ
トを用いてRFマグネトロンスパッタリング法により1100
Å成膜することにより第６図（ｂ）に示す構造になる。
次に、第６図（ｃ）に示すように、ポリカーボネート透
光性支持体57を内周治具59で固定して窒化珪素の第１保
護層60を1100Å成膜したものを58より小さい内径の外周
治具61のところへ真空系内で搬送し、Gd−Fe−Co系の記
録層62をDCマグネトロンスパッタリング法により成膜す
ることにより、第６図（ｄ）に示す構造になる。さら
に、第６図（ｅ）に示すように、ポリカーボネート透光
性支持体57を内周治具59で固定して窒化珪素の第１保護
層60を1100Å成膜した後Gd−Fe−Co系の記録層62を成膜
したものを58と同じ内径の外周治具63のところへ真空系
内で搬送し、窒化珪素の焼結体ターゲットを用いてRFマ
グネトロンスパッタリング法により窒化珪素の第２頬層
69を1100Å成膜することにより、第６図（ｆ）に示す構
成の光記録媒体が作製される。
第７図（ａ）から第７図（ｆ）は内周治具で基板を固
定し、内径の等しい外周治具を基板（ポリカーボネート
の透光性支持体）から離すことにより、外周治具の内周
で覆われる部分より広い領域に第１保護層を成膜し、外
周治具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）に近
つけることにより、外周治具の内周から内周治具の外周
までとほぼ等しい領域に記録層を成膜した後、再度外周
治具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）から離
して外周治具の内周で覆われる部分より広い領域に第２
保護層を成膜して第２図に示す構成の光磁気記録媒体を
作製する工程の一例である。
定し、内径の等しい外周治具を基板（ポリカーボネート
の透光性支持体）から離すことにより、外周治具の内周
で覆われる部分より広い領域に第１保護層を成膜し、外
周治具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）に近
つけることにより、外周治具の内周から内周治具の外周
までとほぼ等しい領域に記録層を成膜した後、再度外周
治具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）から離
して外周治具の内周で覆われる部分より広い領域に第２
保護層を成膜して第２図に示す構成の光磁気記録媒体を
作製する工程の一例である。
第７図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性
支持体65を内周治具67で固定して外周治具（ポリカーボ
ネートの透光性支持体）から離して、窒化アルミニウム
に窒化珪素を10重量パーセント含有する焼結体のターゲ
ットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法により、
SiAlxNYの第一保護層68を1000Å成膜することにより、
第７図（ｂ）に示す構造になる。
支持体65を内周治具67で固定して外周治具（ポリカーボ
ネートの透光性支持体）から離して、窒化アルミニウム
に窒化珪素を10重量パーセント含有する焼結体のターゲ
ットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法により、
SiAlxNYの第一保護層68を1000Å成膜することにより、
第７図（ｂ）に示す構造になる。
次に、第７図（ｃ）に示すように、ポリカーボネート
の透光性支持体65にSiAlxNYの第１保護層68を1000Å成
膜したものを66と同一の内径の外周治具69のところへ真
空系内で搬送し、ポリカーボネートの透光性支持体65に
SiAlxNYの第１保護層68を成膜したものを外周治具69に
近づけて、Tb−Fe−Co系の記録層70をDCマグネトロンス
パッタリング法により成膜することにより、第７図
（ｄ）に示す構造になる。さらに、第７図（ｅ）に示す
ように、ポリカーボネートの透光性支持体65にSiAlxNY
の第１保護層68を1000Å成膜したTb−Fe−Co系の記録層
70を成膜したものを真空系内で66と同一の内径の外周治
具71のところへ搬送して外周治具71から離して窒化アル
ミニウムに窒化珪素を10重量パーセント含有する焼結体
のターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法
によりSiAlxNYの第２保護層72を1000Å成膜することに
より、第７図（ｆ）に示す構造になり、第２図に示す構
成の光磁気記録媒体が作製される。
の透光性支持体65にSiAlxNYの第１保護層68を1000Å成
膜したものを66と同一の内径の外周治具69のところへ真
空系内で搬送し、ポリカーボネートの透光性支持体65に
SiAlxNYの第１保護層68を成膜したものを外周治具69に
近づけて、Tb−Fe−Co系の記録層70をDCマグネトロンス
パッタリング法により成膜することにより、第７図
（ｄ）に示す構造になる。さらに、第７図（ｅ）に示す
ように、ポリカーボネートの透光性支持体65にSiAlxNY
の第１保護層68を1000Å成膜したTb−Fe−Co系の記録層
70を成膜したものを真空系内で66と同一の内径の外周治
具71のところへ搬送して外周治具71から離して窒化アル
ミニウムに窒化珪素を10重量パーセント含有する焼結体
のターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法
によりSiAlxNYの第２保護層72を1000Å成膜することに
より、第７図（ｆ）に示す構造になり、第２図に示す構
成の光磁気記録媒体が作製される。
第８図（ａ）から第８図（ｈ）は同一の治具を用いて
外周及び内周部分を被覆し、第１保護層、記録層、第２
保護層の順に成膜した後、別の治具を用いて外周部分の
記録層に側端面を被覆して第２図に示す構成の光磁気記
録媒体を作成する工程の一例である。
外周及び内周部分を被覆し、第１保護層、記録層、第２
保護層の順に成膜した後、別の治具を用いて外周部分の
記録層に側端面を被覆して第２図に示す構成の光磁気記
録媒体を作成する工程の一例である。
第８図（ａ）に示すように、ポリカーボネートの透光
性支持体73を内周治具75で固定し、外周治具74のところ
へとりつけ珪素のケーゲットを用いてアルゴンと窒素の
混合ガスを導入することによってRF反応スパッタリング
法により窒化珪素の第１保護層76を1100Å成膜すること
により、第８図（ｂ）に示す構造になる。次に、第８図
（ｃ）に示すように、ポリカーボネートの透光性支持体
73に窒化珪素の第１保護層76を1100Å成膜したものを、
外周治具74及び内周治具75ごと真空系内でTb−Dy−Fe−
Co系の合金ターゲットあることろへ真空系内で搬送し、
DCマグネトロンスパッタリング法によりTb−Dy−Fe−Co
系の記録層77を成膜することにより、第８図（ｄ）に示
す構造になる。次に、第８図（ｅ）に示すように、ポリ
カーボネートの透光性支持体73に、窒化珪素の第１保護
層76を1100Å成膜したものを、外周治具74及び内周治具
75ごと真空系内で珪素のターゲットのあるところへ真空
系内で搬送し、アルゴンと窒素と混合ガスを導入するこ
とによってRF反応スパッタリング法により窒化珪素の第
２保護層78を1100Å成膜することにより、第８図（ｆ）
に示す構造になる。さらに、第８図（ｇ）に示すよう
に、ポリカーボネートの透光性支持体73上に窒化珪素の
第１保護層76、Tb−Dy−Fe−Co系の記録層77、窒化珪素
の第２保護層78の順に成膜したものを、外周治具79、内
周治具80および内周治具を支える支持体81からなる一連
の治具のところへ真空系内で搬送し、窒化珪素の焼結体
ターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法に
より側端面保護層82を成膜することにより、第８図
（ｈ）に示す構造となり、第２図に示す構成の水磁気記
録媒体が作製される。
性支持体73を内周治具75で固定し、外周治具74のところ
へとりつけ珪素のケーゲットを用いてアルゴンと窒素の
混合ガスを導入することによってRF反応スパッタリング
法により窒化珪素の第１保護層76を1100Å成膜すること
により、第８図（ｂ）に示す構造になる。次に、第８図
（ｃ）に示すように、ポリカーボネートの透光性支持体
73に窒化珪素の第１保護層76を1100Å成膜したものを、
外周治具74及び内周治具75ごと真空系内でTb−Dy−Fe−
Co系の合金ターゲットあることろへ真空系内で搬送し、
DCマグネトロンスパッタリング法によりTb−Dy−Fe−Co
系の記録層77を成膜することにより、第８図（ｄ）に示
す構造になる。次に、第８図（ｅ）に示すように、ポリ
カーボネートの透光性支持体73に、窒化珪素の第１保護
層76を1100Å成膜したものを、外周治具74及び内周治具
75ごと真空系内で珪素のターゲットのあるところへ真空
系内で搬送し、アルゴンと窒素と混合ガスを導入するこ
とによってRF反応スパッタリング法により窒化珪素の第
２保護層78を1100Å成膜することにより、第８図（ｆ）
に示す構造になる。さらに、第８図（ｇ）に示すよう
に、ポリカーボネートの透光性支持体73上に窒化珪素の
第１保護層76、Tb−Dy−Fe−Co系の記録層77、窒化珪素
の第２保護層78の順に成膜したものを、外周治具79、内
周治具80および内周治具を支える支持体81からなる一連
の治具のところへ真空系内で搬送し、窒化珪素の焼結体
ターゲットを用いてRFマグネトロンスパッタリング法に
より側端面保護層82を成膜することにより、第８図
（ｈ）に示す構造となり、第２図に示す構成の水磁気記
録媒体が作製される。
また、第３図（ｆ）、第４図（ｆ）、第５図（ｈ）、
第６図（ｆ）、第７図（ｆ）、第８図（ｈ）および従来
例として、同一の内周治具及び外周治具で基板（ポリカ
ーボネート）を固定したまま窒化珪素第１保護層、Tb−
Fe−Co系の記録層、窒化珪素の第２保護層の順に成膜し
たもの（第９図）を60℃90％RHの環境下に1000時間放置
したときの外周部分の記録層の劣化を調べた結果を表１
に示す。
第６図（ｆ）、第７図（ｆ）、第８図（ｈ）および従来
例として、同一の内周治具及び外周治具で基板（ポリカ
ーボネート）を固定したまま窒化珪素第１保護層、Tb−
Fe−Co系の記録層、窒化珪素の第２保護層の順に成膜し
たもの（第９図）を60℃90％RHの環境下に1000時間放置
したときの外周部分の記録層の劣化を調べた結果を表１
に示す。
尚、本発明の実施例で用いられた記録層の材料、保護
層の材料及び膜厚、記録層や保護層の成膜方法などの変
更は、本発明の要旨を免脱しない限り可能である。
層の材料及び膜厚、記録層や保護層の成膜方法などの変
更は、本発明の要旨を免脱しない限り可能である。
以上述べたように、第１の本発明の光磁気記録媒体の
製造方法によれば、側端面も含めた記録層の全体が保護
層により被覆された光磁気記録媒体の製造が可能とな
る。また、第２の本発明の光磁気記録媒体の製造方法に
よれば、１種類の外周治具及び１種類の内周治具の使用
により、側端面も含めた記録層の全体が保護層により被
覆された光磁気記録媒体の製造が可能が可能となる。さ
らに、第３の本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、第１の保護層と記録層と第２の保護層とを、１セッ
トの内周具との使用により形成することができ、第１の
保護層と記録層と第２の保護層との側端面に第３の保護
層を形成することにより、側端面も含めた記録層の全体
が保護層により被覆された光磁気記録媒体の製造が可能
となる。
製造方法によれば、側端面も含めた記録層の全体が保護
層により被覆された光磁気記録媒体の製造が可能とな
る。また、第２の本発明の光磁気記録媒体の製造方法に
よれば、１種類の外周治具及び１種類の内周治具の使用
により、側端面も含めた記録層の全体が保護層により被
覆された光磁気記録媒体の製造が可能が可能となる。さ
らに、第３の本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、第１の保護層と記録層と第２の保護層とを、１セッ
トの内周具との使用により形成することができ、第１の
保護層と記録層と第２の保護層との側端面に第３の保護
層を形成することにより、側端面も含めた記録層の全体
が保護層により被覆された光磁気記録媒体の製造が可能
となる。
これらの発明により、変質しやすい光磁気記録媒体の
記録層を、側端面も含めて保護層で被覆することができ
るようになり、記録層の側端面からの酸素や水分の浸入
を防ぎ、耐酸化性の優れた長期信頼性のある光磁気記録
媒体の製造が可能となるという優れた効果を奏する。
記録層を、側端面も含めて保護層で被覆することができ
るようになり、記録層の側端面からの酸素や水分の浸入
を防ぎ、耐酸化性の優れた長期信頼性のある光磁気記録
媒体の製造が可能となるという優れた効果を奏する。
第１図及び第２図は本発明における光磁気記録媒体の概
略図である。第３図（ａ）から第３図（ｆ）、第４図
（ａ）から第４図（ｆ）及び第５図（ｈ）は第１図に示
す構成の光磁気記録媒体の作製工程図であり、第６図
（ａ）から第６図（ｆ）、第７図（ａ）から第７図
（ｆ）及び第８図（ａ）から第８図（ｈ）は第２図に示
す構成の光磁気記録媒体の作製工程図である。 第９図は従来の光磁気記録媒体の概略図である。 １……ポリカーボネートの透光性支持体 ２……ディスクのセンターホール ３……第１保護層 ４……接着強度を増すためにあけておく部分 （外周部分） ５……接着強度を増すためにおけておく部分 （内周部分） ６……非晶質金属垂直磁化膜の記録層 ７……第２保護層 ８……側端面保護層 ９……ポリカーボネートの透光性支持体 10……ディスクのセンターホール 11……第１保護層 12……接着強度を増すためにあけておく部分 （外周部分） 13……接着強度を増すためにあけておく部分 （内周部分） 14……非晶質垂直磁化膜の記録層 15……第２保護層 16……側端面保護層 17……ポリカーボネートの透光性支持体 18……外周治具 19……内周治具 20……内周治具の支持体 21……窒化アルミニウムの第１保護層 22……外周治具 23……内周治具 24……内周治具の支持体 25……Tb−Fe−Co系の記録層 26……外周治具 27……内周治具 28……内周治具の支持体 29……窒化アルミニウムの第２保護層 30……ポリカーボネートの透光性支持体 31……外周治具 32……内周治具 33……内周治具の支持体 34……酸化珪素の第１保護層 35……外周治具 36……内周治具 37……内周治具の支持体 38……Gd−Fe−Co系の記録層 39……外周治具 40……内周治具 41……内周治具の支持体 42……酸化珪素の第２保護層 43……ポリカーボネートの透光性支持体 44……外周治具 45……内周治具 46……内周治具の支持体 47……硫化亜鉛の第１保護層 48……Nd−Dy−Fe−Co系の記録層 49……硫化亜鉛の第２保護層 50……外周治具 51……中間治具 52……内周治具 53……外周治具と中間治具の連結体 54……中間治具と内周治具の連結体 55……側端面保護層（外周側） 56……側端面保護層（内周側） 57……ポリカーボネートの透光性支持体 58……外周治具 59……内周治具 60……窒化珪素の第１保護層 61……外周治具 62……Gd−Fe−Co系の記録層 63……外周治具 64……窒化珪素の第２保護層 65……ポリカーボネートの透光性支持体 66……外周治具 67……内周治具 68……SiAlxNYの第１保護層 69……外周治具 70……Tb−Fe−Co系の記録層 71……外周治具 72……SiAlxNYの第２保護層 73……ポリカーボネートの透光性支持体 74……外周治具 75……内周治具 76……窒化珪素の第１保護層 77……Tb−Dy−Fe−Co系の記録層 78……窒化珪素の第２保護層 79……外周治具 80……内周治具 81……内周治具の支持体 82……側端面保護層 83……ポリカーボネートの透光性支持体 84……窒化珪素の第１保護層 85……Tb−Fe−Co系の記録層 86……窒化珪素の第２保護層
略図である。第３図（ａ）から第３図（ｆ）、第４図
（ａ）から第４図（ｆ）及び第５図（ｈ）は第１図に示
す構成の光磁気記録媒体の作製工程図であり、第６図
（ａ）から第６図（ｆ）、第７図（ａ）から第７図
（ｆ）及び第８図（ａ）から第８図（ｈ）は第２図に示
す構成の光磁気記録媒体の作製工程図である。 第９図は従来の光磁気記録媒体の概略図である。 １……ポリカーボネートの透光性支持体 ２……ディスクのセンターホール ３……第１保護層 ４……接着強度を増すためにあけておく部分 （外周部分） ５……接着強度を増すためにおけておく部分 （内周部分） ６……非晶質金属垂直磁化膜の記録層 ７……第２保護層 ８……側端面保護層 ９……ポリカーボネートの透光性支持体 10……ディスクのセンターホール 11……第１保護層 12……接着強度を増すためにあけておく部分 （外周部分） 13……接着強度を増すためにあけておく部分 （内周部分） 14……非晶質垂直磁化膜の記録層 15……第２保護層 16……側端面保護層 17……ポリカーボネートの透光性支持体 18……外周治具 19……内周治具 20……内周治具の支持体 21……窒化アルミニウムの第１保護層 22……外周治具 23……内周治具 24……内周治具の支持体 25……Tb−Fe−Co系の記録層 26……外周治具 27……内周治具 28……内周治具の支持体 29……窒化アルミニウムの第２保護層 30……ポリカーボネートの透光性支持体 31……外周治具 32……内周治具 33……内周治具の支持体 34……酸化珪素の第１保護層 35……外周治具 36……内周治具 37……内周治具の支持体 38……Gd−Fe−Co系の記録層 39……外周治具 40……内周治具 41……内周治具の支持体 42……酸化珪素の第２保護層 43……ポリカーボネートの透光性支持体 44……外周治具 45……内周治具 46……内周治具の支持体 47……硫化亜鉛の第１保護層 48……Nd−Dy−Fe−Co系の記録層 49……硫化亜鉛の第２保護層 50……外周治具 51……中間治具 52……内周治具 53……外周治具と中間治具の連結体 54……中間治具と内周治具の連結体 55……側端面保護層（外周側） 56……側端面保護層（内周側） 57……ポリカーボネートの透光性支持体 58……外周治具 59……内周治具 60……窒化珪素の第１保護層 61……外周治具 62……Gd−Fe−Co系の記録層 63……外周治具 64……窒化珪素の第２保護層 65……ポリカーボネートの透光性支持体 66……外周治具 67……内周治具 68……SiAlxNYの第１保護層 69……外周治具 70……Tb−Fe−Co系の記録層 71……外周治具 72……SiAlxNYの第２保護層 73……ポリカーボネートの透光性支持体 74……外周治具 75……内周治具 76……窒化珪素の第１保護層 77……Tb−Dy−Fe−Co系の記録層 78……窒化珪素の第２保護層 79……外周治具 80……内周治具 81……内周治具の支持体 82……側端面保護層 83……ポリカーボネートの透光性支持体 84……窒化珪素の第１保護層 85……Tb−Fe−Co系の記録層 86……窒化珪素の第２保護層
Claims (6)
- 【請求項１】透光性支持体上に、第１の内周治具と第１
の外周治具とを前記透光性支持体の一部が露出するよう
に配置した後、前記透光性支持体の露出部に第１の保護
層を形成する工程と、 前記第１の保護層上に、第２の内周治具と第２の外周治
具とを、前記第１の保護層の一部が露出するように配置
した後、前記第１の保護層の露出部に記録層を形成する
工程と、 前記透光性支持体上に、第３の内周治具と第３の外周治
具とを前記第１の保護層が露出するように配置した後、
前記記録層を覆うように第２の保護層を形成する工程
と、 を有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】前記第１の内周治具と前記第１の外周治具
とが、第１の支持体により連結されてなり、 前記第２の内周治具と前記第２の外周治具とが、第２の
支持体により連結されてなり、 前記第３の内周治具と前記第３の外周治具とが、第３の
支持体により連結されてなる、ことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】内周治具と外周治具とを透光性支持体上方
の所定の位置に配置した後、前記透光性支持体上の一部
に第１の保護層を形成する工程と、 前記内周治具と前記外周治具とを前記所定の位置より前
記透光性支持体に接近させて配置した後、前記第１の保
護層の一部に記録層を形成する工程と、 前記内周治具と前記外周治具とを前記接近させて配置し
た位置から前記透光性支持体の上方の所定の位置に配置
した後、前記記録層を覆うように第２の保護層を形成す
る工程と、 を有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】前記内周治具と前記外周治具とが、支持体
により連結されてなることを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】透光性支持体上に、第１の内周治具と第１
の外周治具とを前記透光性支持体の一部が露出するよう
に配置した後、前記透光性支持体の露出部に、第１の保
護層と記録層と第２の保護層とをこの順で形成する工程
と、 前記透光性支持体上に、第２の内周治具と第２の外周治
具とを前記透光性支持体の一部が露出するように配置
し、 前記第２の保護層上に中間治具を配置し後、 前記第１の保護層と前記記録層と前記第２の保護層との
端面に第３の保護層を形成する工程と、 を有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】前記第１の内周治具と前記第１の外周治具
とが、第１の支持体により連結されてなり、 前記第２の内周治具と前記第２の外周治具と前記中間治
具とが、第２の支持体により連結されてなる、ことを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載の光磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61134183A JP2579465B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61134183A JP2579465B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291734A JPS62291734A (ja) | 1987-12-18 |
| JP2579465B2 true JP2579465B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=15122378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61134183A Expired - Lifetime JP2579465B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579465B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258747A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6271042A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS62114141A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-25 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS62113423U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-18 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP61134183A patent/JP2579465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62291734A (ja) | 1987-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |