JP2560859B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2560859B2 JP2560859B2 JP1261555A JP26155589A JP2560859B2 JP 2560859 B2 JP2560859 B2 JP 2560859B2 JP 1261555 A JP1261555 A JP 1261555A JP 26155589 A JP26155589 A JP 26155589A JP 2560859 B2 JP2560859 B2 JP 2560859B2
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- Japan
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- magneto
- layer
- optical recording
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体、特に、磁気光学効果を利
用して、レーザ光により情報の記録・再生を行なう光磁
気記録媒体に関する。
用して、レーザ光により情報の記録・再生を行なう光磁
気記録媒体に関する。
一般に、レーザ光を照射して情報の消去，記録，再生
を行なう光磁気ディスクは、大容量ファイルとして期待
されている。このような光磁気記録媒体は記録層の材料
として、非常に活性が高い稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属とを用いているため、酸化による劣化がおこりやす
い。
を行なう光磁気ディスクは、大容量ファイルとして期待
されている。このような光磁気記録媒体は記録層の材料
として、非常に活性が高い稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属とを用いているため、酸化による劣化がおこりやす
い。
従来の光磁気記録媒体は第２図に示すように基板１の
上の非晶質記録層２を保護層３と保護層４によってはさ
むことにより、基板１を通して非晶質記録層２にくる水
分や酸素や、非晶質記記録層２の上方からくる水分や酸
素を遮断し、非晶質記録層２が酸化されないようにして
いる。
上の非晶質記録層２を保護層３と保護層４によってはさ
むことにより、基板１を通して非晶質記録層２にくる水
分や酸素や、非晶質記記録層２の上方からくる水分や酸
素を遮断し、非晶質記録層２が酸化されないようにして
いる。
このように、水分や酸素を安全に遮断できる保護膜3,
4としては化学量論的な組成のシリコン窒化物（Si3N4）
がもっとも適している。
4としては化学量論的な組成のシリコン窒化物（Si3N4）
がもっとも適している。
次に、従来例について、図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
第２図は従来の一例を示す概略断面図である。
第２図に示す光磁気記録媒体において、非晶質記録層
２は稀土類遷移金属と鉄族遷移金属とからなる非晶質合
金であるので、非常に酸化されやすい。
２は稀土類遷移金属と鉄族遷移金属とからなる非晶質合
金であるので、非常に酸化されやすい。
それ故、保護層３と保護層４によって非晶質記録層２
をはさむことにより、水分や酸素から非晶質記録層２を
遮断し、非晶質記録層２が酸化されないようにしてい
る。
をはさむことにより、水分や酸素から非晶質記録層２を
遮断し、非晶質記録層２が酸化されないようにしてい
る。
このように、水分や酸素を安全に遮断できる保護膜と
しては、酸素を含まず化学量論的な組成のシリコン窒化
物（Si3N4）が良好である。
しては、酸素を含まず化学量論的な組成のシリコン窒化
物（Si3N4）が良好である。
しかし、このようなシリコン窒化物はポリカーボネイ
ト樹脂，アクリル樹脂等の合成樹脂基板１には付着力が
強くない。そこで、基板寸法が温湿度変化により大きく
変化すると、基板１と保護層３とが一部剥離するという
問題を生じる。
ト樹脂，アクリル樹脂等の合成樹脂基板１には付着力が
強くない。そこで、基板寸法が温湿度変化により大きく
変化すると、基板１と保護層３とが一部剥離するという
問題を生じる。
しかしながら、このような上述した従来の光磁気記録
媒体は、基板が合成樹脂の場合には、使用環境が高温度
であったり高湿度であったりすると、基板は大きく伸
び、逆に低温度であったり低湿度のときには基板は縮む
こととなるが、一方、保護層を構成するシリコン窒化物
は剛性が高く、かつ温湿度による伸び縮みが小さいた
め、基板寸法が温湿度変化により大きく変化すると、基
板と保護層とが剥離するという欠点があった。
媒体は、基板が合成樹脂の場合には、使用環境が高温度
であったり高湿度であったりすると、基板は大きく伸
び、逆に低温度であったり低湿度のときには基板は縮む
こととなるが、一方、保護層を構成するシリコン窒化物
は剛性が高く、かつ温湿度による伸び縮みが小さいた
め、基板寸法が温湿度変化により大きく変化すると、基
板と保護層とが剥離するという欠点があった。
本発明の光磁気記録媒体は、基板上にシリコン窒化物
からなる第１の保護層と、稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属とからなる非晶質記録層と、シリコン窒化物からなる
第２の保護層とを順次積層し、該基板と該第１の保護層
との間にコバルトの低級酸化物からなる剥離防止層を設
けて構成される。
からなる第１の保護層と、稀土類遷移金属と鉄族遷移金
属とからなる非晶質記録層と、シリコン窒化物からなる
第２の保護層とを順次積層し、該基板と該第１の保護層
との間にコバルトの低級酸化物からなる剥離防止層を設
けて構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図である。
第１図に示す光磁気記録媒体は、基板１と、稀土類遷
移金属と鉄族遷移金属とからなる非晶質記録層２と、シ
リコン窒化物からなる保護層3,4と、コバルトの低級酸
化物からなる剥離防止層５とを含んで構成される。
移金属と鉄族遷移金属とからなる非晶質記録層２と、シ
リコン窒化物からなる保護層3,4と、コバルトの低級酸
化物からなる剥離防止層５とを含んで構成される。
コバルトの低級酸化物からなる剥離防止層５は基板１
とシリコン窒化物からなる保護層３との間に設けてい
る。
とシリコン窒化物からなる保護層３との間に設けてい
る。
コバルトの低級酸化物は合成樹脂基板への付着力が良
好であり、シリコン窒化物との接着力も良好であるので
前述の温湿度変化による基板寸法変化に起因する剥離の
問題が生じない。
好であり、シリコン窒化物との接着力も良好であるので
前述の温湿度変化による基板寸法変化に起因する剥離の
問題が生じない。
次に、第１図に示す実施例の一具体例について、さら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
基板１としてトラック案内溝が形成されている直径13
0mm,厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
を用いこれに逆スパッタした後、アルゴンと酸素との混
合ガスを導入して反応性スパッタリングを行ない200Å
厚のコバルト低級酸化物の剥離防止層５を形成し、ひき
つづき、アルゴンと窒素との混合ガスを導入して反応性
スパッタリングを行ない600Å厚のシリコン窒化物の保
護層３を形成し、次に、原子％で22対66対９対３のテル
ビウム・鉄・コバルト・チタン膜の800Å厚の非晶質記
録層２を形成し、最後に、アルゴンと窒素との混合ガス
を導入して反応性スパッタリングを行ない800Å厚のシ
リコン窒化物の保護層４を形成し、第１図に示す光磁気
記録媒体を得た。
0mm,厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
を用いこれに逆スパッタした後、アルゴンと酸素との混
合ガスを導入して反応性スパッタリングを行ない200Å
厚のコバルト低級酸化物の剥離防止層５を形成し、ひき
つづき、アルゴンと窒素との混合ガスを導入して反応性
スパッタリングを行ない600Å厚のシリコン窒化物の保
護層３を形成し、次に、原子％で22対66対９対３のテル
ビウム・鉄・コバルト・チタン膜の800Å厚の非晶質記
録層２を形成し、最後に、アルゴンと窒素との混合ガス
を導入して反応性スパッタリングを行ない800Å厚のシ
リコン窒化物の保護層４を形成し、第１図に示す光磁気
記録媒体を得た。
この光磁気記録媒体はディスク状にされ、２枚を膜が
内側になるようにホットメルトで貼合せて光磁気記録板
として作製される。
内側になるようにホットメルトで貼合せて光磁気記録板
として作製される。
この光磁気記録板を60℃90％の高温高湿度雰囲気に50
0時間保管した後でも剥離はみられず、耐候性の高い光
磁気記録媒体であることが確認された。
0時間保管した後でも剥離はみられず、耐候性の高い光
磁気記録媒体であることが確認された。
比較例として、上述の実施例からコバルト低級酸化物
の剥離防止層をつけず、他は全く同じ構成の光磁気記録
媒体を作製し、同様の試験を行なったところ、一部に剥
離がみられるディスクがかなりの頻度で発生した。
の剥離防止層をつけず、他は全く同じ構成の光磁気記録
媒体を作製し、同様の試験を行なったところ、一部に剥
離がみられるディスクがかなりの頻度で発生した。
以上より、本発明の光磁気記録媒体は、耐候性が良好
になっていることが確認された。
になっていることが確認された。
本発明の光磁気記録媒体は、基板とシリコン窒化物か
らなる保護層との間に剥離防止層を設けることにより耐
候性を向上できるという効果がある。
らなる保護層との間に剥離防止層を設けることにより耐
候性を向上できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
従来の一例を示す概略断面図である。 １……基板、２……非晶質記録層、3,4……保護層、５
……剥離防止層。
従来の一例を示す概略断面図である。 １……基板、２……非晶質記録層、3,4……保護層、５
……剥離防止層。
Claims (1)
- 【請求項１】基板と、前記基板の上に形状されたコバル
トの低級酸化物からなる剥離防止層と、前記剥離防止層
の上に形状されたシリコン窒化物からなる第１の保護層
と、前記第１の保護層の上に積層された希土類遷移金属
と鉄族遷移金属とからなる非晶質記録層と、前記非晶質
記録層の上に形成されたシリコン窒化物からなる第２の
保護層とを含むことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1261555A JP2560859B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1261555A JP2560859B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122852A JPH03122852A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2560859B2 true JP2560859B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=17363526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1261555A Expired - Fee Related JP2560859B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560859B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1261555A patent/JP2560859B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03122852A (ja) | 1991-05-24 |
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Legal Events
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