JP2770515B2 - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

光磁気記録媒体およびその製造方法

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JP2770515B2 JP1336273A JP33627389A JP2770515B2 JP 2770515 B2 JP2770515 B2 JP 2770515B2 JP 1336273 A JP1336273 A JP 1336273A JP 33627389 A JP33627389 A JP 33627389A JP 2770515 B2 JP2770515 B2 JP 2770515B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光磁気記録媒体およびその製造方法に関す
る。さらに詳しくは外部磁場に対して安定したC/Nが得
られる光磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
[従来の技術] 光磁気による記録方法は書き換え可能な記録方式とし
て種々検討されてきており、遷移金属と希土類金属の合
金からなるアモルファス磁性合金膜あるいは組成変調膜
やマンガン−ビスマス系薄膜などを記録膜として用いた
光磁気記録媒体などが開発されている。ところで、これ
らの記録膜は耐蝕性に乏しいため、従来の光磁気記録媒
体においては、記録膜を窒化物、酸化物あるいは硫化物
などからなる保護膜上に積層し、記録膜に耐蝕性を付与
している。しかしながら、上記の記録膜上に直接記録膜
を積層した光磁気記録媒体は、磁気異方性に分布が生
じ、カーループにおいても良好な角型性が得られないた
め外部磁場にC/Nが大きく依存するという問題点があっ
た。特に磁界変調を利用する記録方式においては、外部
磁場に対し安定したC/Nが得られることが望まれてい
る。
[発明が解決しようとする課題] 本発明の目的は、外部磁場に対して安定したC/Nが得
られる光磁気記録媒体およびその製造方法を提供するこ
とにある。
[課題を解決するための手段] 本発明らは上記課題を解決するために鋭意検討を行な
った結果、保護膜と記録膜との間に含酸素層を形成して
得られた光磁気記録媒体は外部磁場に対して安定したC/
Nが得られるものとなることを見出だし本発明を完成す
るに至った。すなわち本発明は、保護膜と記録膜を積層
した構造を少なくとも一部に有し、保護膜側から光を照
射して記録の読み書きを行なう光磁気記録媒体におい
て、保護膜と記録膜の間に記録膜に酸素を含有した組成
の含酸素層を有することを特徴とする光磁気記録媒体お
よびその製造方法である。
本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を第3図に示
す。第3図に示す光磁気記録媒体はポリカーボネートあ
るいはガラスなどからなる基板1上に保護膜2と記録膜
4を積層した構造を有し、更に記録膜4上に保護膜5及
び反射膜6を形成して構成されているが、本発明の光磁
気記録媒体は保護膜2と記録膜4を積層した構造を有す
るものであり、保護膜2側から光を照射して記録の読み
書きが行なわれるものであれば特にその構造は限定され
ない。また、本発明の光磁気記録媒体における保護膜2
を構成する材料としては窒化ケイ素、窒化アルミニウム
などの窒化物材料あるいはこれらに炭素を含む材料、硫
化物材料などを用いることができ、記録膜4としては遷
移金属と希土類金属の合金からなるアモルファス磁性合
金膜あるいは組成変調膜やマンガン−ビスマス系薄膜な
どを用いることができるが、これらに限定されない。
本発明の特徴は上記保護膜2と記録膜4の間に保護膜
に酸素を含有した組成の含酸素層3を有することにあ
る。このような含酸素層3を設けることにより得られた
光磁気記録媒体は、外部磁場に対して安定したC/Nが得
られるものとなる。この含酸素層3の厚みは30Å以上に
おいて効果が得られ、100Åを越えると反射率が著しく
増加し、得られる光磁気記録媒体のC/Nが低下する傾向
があるので、30〜100Åとすることが好ましい。含酸素
層3は保護膜2の表面を酸素を含む雰囲気中でスパッタ
エッチングすることにより形成することができ、厚みは
スパッタエッチング電力,スパッタエッチング時間ある
いはエッチング後の真空あるいは雰囲気における保持時
間を変えることにより適宜制御することができる。な
お、スパッタエッチングにおける酸素を含む雰囲気とは
保護膜の表面と反応し得る量の酸素を含む雰囲気であれ
ば良く、アルゴン,窒素あるいはこれら混合ガスに酸素
を混合した雰囲気においてスパッタエッチングを行なっ
たり、酸素を積極的に混合しなくともスパッタエッチン
グガス中の残留酸素と反応させることにより含酸素層を
形成することができる。更に、スパッタエッチング後の
チャンバー内の雰囲気を真空あるいは酸素雰囲気とする
ことにより、含酸素層が形成し易くなるので好ましい。
[実施例] 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例1〜3、比較例1 第3図に示す構造の光磁気記録媒体を作製した。基板
1としてグループ付きポリカーボネート基板を用い、保
護膜2として窒化ケイ素膜をスパッタリング法により約
1000Å形成した。その後、保護膜2を表1に示す条件a
(実施例1)、c(実施例2)、d(実施例3)により
スパッタエッチングを行ない、含酸素層3を形成した。
次いで含酸素層3上にテルビウム−鉄−コバルト膜から
なる記録膜4を約250Å、窒化ケイ素からなる保護膜5
を約300Å及び金属アルミニウムからなる反射膜を約500
Å各々スパッタリング法により形成して光磁気記録媒体
を作製した。また比較例1として、保護膜2のスパッタ
エッチングを行なわなかった以外は実施例1と同様の方
法で光磁気記録媒体を作製した。
第4図(a)(c)(d)に実施例1〜3の光磁気記
録媒体の膜厚方向の組成分布をオージェ電子分光法によ
る測定した結果を示す。また第4図(d)には比較例1
の光磁気記録媒体の膜厚方向の組成分布をオージェ電子
分光法による測定した結果を示す。第4図から本発明の
光磁気記録媒体には窒化ケイ素膜(保護膜)とテルビウ
ム−鉄−コバルト膜(記録膜)の界面に酸化ケイ素に酸
素を含有した組成の含酸素層が形成され、その厚みは実
施例1においては約40〜50Å、実施例2においては約70
〜80Å、実施例3においては約140〜150Åであることが
確認され、比較例1の光磁気記録媒体にはこのような層
が形成されていないことが確認された。
第1図(a)に本発明の実施例1の光磁気記録媒体の
カーループを、第1図(b)に比較例1の光磁気記録媒
体のカーループを示す。第1図より本発明の媒体のカー
ループの角型比は良好であることが確認された。
更に実施例1〜3、比較例1の光磁気記録媒体のC/N
の外部磁場依存性を測定した。その結果を第2図に示
す。第2図より、比較例1の光磁気記録媒体のC/Nが外
部磁場250 Oe以上になって初めて飽和するのに対し、
本発明の光磁気記録媒体のC/Nは150 Oe以上ですでに飽
和し、低外部磁場におけるC/Nの安定性に顕著な効果が
得られることがわかった。
[発明の効果] 以上述べたとおり本発明の光磁気記録媒体は、外部磁
場に対して安定したC/Nが得られるものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の光磁気記録媒体のカーヒス
テリシス特性と比較例1の光磁気記録媒体のカーヒステ
リシス特性を示す図、第2図は本発明の実施例1〜3、
比較例1の光磁気記録媒体のC/Nの外部磁場異存性を示
す図、第3図は本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を
示す断面図、第4図は本発明の実施例1〜3、比較例1
の光磁気記録媒体の膜厚方向の組成分布をオージェ電子
分光法により測定した結果を示す図である。 図中、 1……基板、2……保護膜 3……含酸素層、4……磁性膜 5……保護膜、6……反射膜 を各々示す。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】保護膜と記録膜を積層した構造を少なくと
    も一部に有し、保護膜側から光を照射して記録の読み書
    きを行なう光磁気記録媒体において、保護膜と記録膜の
    間に保護膜に酸素を含有した組成の含酸素層を有するこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】保護膜を酸素を含む雰囲気中でスパッタエ
    ッチングして含酸素層を形成する工程を含むことを特徴
    とする請求項第1項に記載の光磁気記録媒体の製造方
    法。
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