JPS62291734A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光を用いて記録、再生または消去を行なう光磁
気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来の光磁気記録媒体は、Ｔｂ−？ｅ、Ｔｂ−ＩＦ　　
ｅ　　−Ｏｏ　　、　Ｇ（１−？ｏ−００％　　Ｇ（Ｌ
−ＣｏｓＧ　６−　Ｓ　ｍ　−Ｏｏ等の非晶質金属垂直
磁化膜〃スパッタリング法や真空蒸着法などによって成
膜されているが、希土類金属元素を含んでいるため非常
に耐環境特性に劣り、安定した磁気記録特性を維持する
ことができない０すなわち、カー回転角、７アラデ一回
転角、保磁力、透過率、反射率等の変化が激しくピット
エラーレートの経時変化か大きく長期信頼性がない◎そ
のために、基板材料、保護層の材料、媒体の構造など種
々の、検討がなされてきている。また、記録層の耐酸化
性のためＴ１、Ｃｒ、Ａｆｔなどの元素を記録層自身に
添加する試みもなされているが、記録層に希土類元素を
使う以上耐酸化性の大きな向上は望めない。

さらに、非晶質金属垂直磁化膜をスパッタリングまたは
蒸着などにより成膜し、１ｙでも大気にさらすと大気中
の酸素や水分などの不純物が表面吸着し本来のカーヒス
テリシスまたはファラデヒステリシスループの角形比が
悪くなり、残留磁化状態のカー回転角または７アラデ一
回転角が低下してしまう◎そこでこのような問題点をな
くすためには記録層および保護層を真空系内で連続成膜
して作成する必要があるが、基板を同一の治具でおさえ
た状態・あるいは基板の最外部まで成膜した場合は側端
面が露出されるため、この露出面からの酸化が急速に進
行し、有効記録部分を犯すことになる。しかしながら記
録層と保護層を真空系内で連続成膜し、保護層を記録層
の側端面まで覆うという検討はなされていない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、前述の従来技術では記録層と保護層を真空系内
で連続成膜し、さらに保護層を記録層の側端面まで覆う
という検討がなされていない、ため、記録層の露出面が
存在し、この露出面が大気または光硬化性樹脂などに触
れた場合この露出面からの酸化が急速に進行し、有効記
録部分を犯すという問題点を有していた。

そこで本発明はそのような問題点を解決するものでその
目的とするところは、記録層と保護層を真空系内で連続
成膜した場合生じる記録層の側端面の露出をなくすこと
、すなわち、記録層と保護層を真空系内で連続成膜する
ことにより、記録層の側端面からの酸素や水分の侵入を
防ぎ、耐酸化性の優れた長期信頼性のある光磁気記録媒
体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録媒体は、光を用いて記録、再生また
は消去を行なう光磁気記録媒体において、膜面に垂直な
方向に磁化容易軸を有する非晶質金属垂直磁化膜を記録
層とし、金属または半金属の酸化物、窒化物または硫化
物を主成分とする保護層を用いて該保護層と該記録層を
真空系内で連続成膜して該記録層の側端面を該保護層で
覆ったことを特徴とする。

〔実施例〕

第１図及び第２図は本発明における光磁気記録媒体の概
略図であって、センターホールのある円形のディスク状
基板を例にとっである。第１図はディスク状基板の外周
側面及び内周側の記録層の側端面まで保護層で覆う場合
であり、第２図はディスク状基板の外周側の側端面は保
護層で覆い、内周部は、有効記録部分をセンターホール
付近までとらずＫ、側端面の多少の酸化が無視できる場
合、成膜の操作性を容易にするため内周部分だけは同一
の治具をとりつけたまま第１保護層、記録層、第２保護
層の順に成膜して作製する場合である０ 第１図の１は透光性支持体で、ガラスや透明プラスチッ
クなどの材料を用いることができるが、ここではポリカ
ーボネート樹脂を用いた場合を例にとる。２はディスク
のセンターホールである０３はディスクへ最初に被着さ
れる第１保護層であり、プラスチックなどの透湿性およ
び吸湿性のある基板を用いた場合、記録層の成膜時ある
いは成膜した後、基板側からの水分や酸素の透過による
記録層の酸化を防ぐ効果を有する。４及び５は第１保護
層を被着する場合、記録層の側端面まで保護層で覆うた
めディスクの最外周あるいは最内周まで記録層を成膜す
ることができないのと同時に、密着粘り合わせ構造やエ
アーサンドイッチ構造をとる場合に、ディスク用基板と
貼り合わせる側の基板との接着強度を増すためにあけて
おく部分である。６は非晶質金属垂直磁化膜の記録層で
あり、７は６の記録層を成膜した後真空系内で記録層の
側端面まで覆うように側端面保護層８を成膜した第２保
護層である。

第２図の９はボリカーボ°ネートの透光性支持体で、１
０はディスクのセンターホール、１１は第１保護層、１
２及び１３は接着強度を増すためにあけておく部分、１
４は非晶質金属垂直磁化膜の記録層・１５は第２保護層
、１６は側端面保護層である０゛ 次に、第１図及び第２図に示す構成の光は気記録媒体の
作製工程を図面により説明する。

第３図（ａ）から第３図（１）は、内径の異なる外周治
具及び外径の異なる内周治具を用いた場合であり、第１
図に示す構成の光磁気記録媒体の作製工程の一例である
。

＠３図（α）に示すように、ポリカーボネート透光性支
持体１７を外周治具１８、内周治具１９及び内周治具１
９を支える支持体２０からなる一連、の治具のところに
とりつけ、窒化アルミニウムの焼結体ターゲットを用い
てＲＩＦマグネトロンスパッタリング法により、窒化ア
ルミニウムの第１保護層２１を１０００Ｘ成膜すること
により、第３図（ｂ）に示す構造になる。次に、第３図
（１）に示すように、ボ１ｒカーボネートの透光性支持
体１７に窒化アルミニウムの第１保護層２１を１ｏｏｏ
Ｘ成膜したものを１８より小さい内径の外周治具２２゜
１９より大きい外径の内周治具２３、及び内周治具２３
を支える支持体２４からなる一連の治具のところへ真空
系内で搬送し、Ｔｂ−Ｆθ−ＣＯ系の記録層２５をＤＯ
マグネトロンスパッタリング法により成膜することによ
り、第３図（ｄ）に示す構造になる。

さらに、第３図（ε）に示すようにポリカーボネートの
透光性支持体１７に窒化アルミニウムの第１保護層２１
を１０００χ成膜した後Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ　−Ｏｏ系の記
録層２５を成膜したものを１８と同じ内径の外周治具２
６．１９と同じ外径の内周治具２７、及び内周治具２７
を支える支持体２８からなる一連の治具のところへ真空
系内で搬送し、窒化アルミニウムの焼結体ターゲットを
用いてＲＦマグネトロンスパッタリング法により、第２
保護層２９を１０００Ｘ成膜することにより、第３図（
１）Ｋ示す構造になり、第１図に示す構成の光磁気記録
媒体が作製される。

第３図（α）、＠３図（ｃ）及び第３図（−）において
内周治具を支える支持体である２０．２４及び２８はス
パッタの被着面上にあり、スパッタむらを生じさせる要
因となるが、このような構成のものはスパッタの被着面
側またはターゲット側を回転させることにより解決でき
る。以下の実施例においてもこのような支持体がでてく
るが同様にして解決できる。

第４図（α）から第４図（ｆ）は同一の内径の外周治具
及び同一の外径の内周治具を用い、外周および内周治具
を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）から離すこ
とにより、外周治具の内周で覆われる部分より広く内周
治具の外周で覆われる部分より狭い領域に第１保護層を
成膜し、外周及び内周治具を基板（ポリカーボネートの
透光性支持体）Ｋ近づけることにより、外周治具の内周
から内周治具の外周までとほぼ等しい領域に記録層を成
膜して再度外周及び内周治具を基板から離すことにより
外周治具の内周で覆われる部分より広く内周治具の外周
で覆われる部分より狭い領域に第２保護層を成膜するこ
とにより第１図に示す構成の光磁気記録媒体を作製する
作製工程の一例である。

第４図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性支
持体３０を外周治具５１、内周治具３２及び内周治具３
２を支える支持体３３からなる一連の治具のところにと
りつけ、第１保護層３４を、３１．３２及び３３からな
る一連の治具かう離して、酸化珪素の焼結体ターゲット
を用いてＲＩＦマグネトンスパッタリング法により酸化
珪素の第１保護層３４を１０００χ成膜することにより
、第４図（６）に示す構造になる・次に、第４図（ｃ）
に示すようにポリカーボネート透光性支持体３０に酸化
珪素の第１保護層３４を成膜したものを３１と同一の内
径の外周治具３５．５２と同一の外径の内周治具３６及
び内周治具３６を支える支持体３７からなる一連の治具
のところへ真空系内で搬送し、ポリカーボネートの透光
性支持体３０に窒化珪素の第１保護層３４を１０００Ａ
成膜したものを、３５．３６及び３７からなる一連の治
具に近づけて、Ｇ　ｄ　−ＩＦ　ｅ　−（！　ｏ系の記
録層３８をＤＯｖグネトロンスパッタリング法により成
膜することにより、第４図（ｄ）　Ｋ示す構造になる◇
さらに、第４図（ｇ）Ｋ示すように、ポリカーボネート
透光性支持体３゜に酸化珪素の第１保護層３４を１０Ｑ
ＯＸ成膜１−た後Ｇ　ｅＬ　−ＩＦ　ｅ　−Ｃｏ系の記
録層３８を３１と同一の内径の外周治具５９．５２と同
一の外径の内周治具４０及び内周治具４０を支える支持
体４１からなる一連の治具のところへ真空系内で搬送し
、第２保護層４２を、３９，４０及び４１からなる一連
の治具から離して、酸化珪素の焼結体ターゲットを用い
てＲＩＦマグネトロンスパッタリング法；により第２保
護層４２を１ｏｏｏＸ成膜することにより、第４図（１
）Ｋ示す構造になり、第１図に示す構成の光磁気記録媒
体が作製される０第５図（ａ）から第５図（Ａ）は同一
の治具を用いて外周及び内周部分を被覆し、第１保護層
、記録層、第２保護層の順に成膜した後、別の治具を用
いて記録層の側端面を被複して第１図に示す構成の光磁
気記録媒体を作成する工程の一例である。

第５図（α）に示すように、ポリカーボネート透光性支
持体４３を外周治具４４、内周治具４５及び内周治具４
５を支える支持体４６からなる一連の治具のところにと
りつけ、第１保護層４７を硫化亜鉛のターゲットを用い
てＲＦマグネトロンスパッタリング法により８００Ｘ成
膜することにより、第５１Ｎ（６）に示す構造になる。

次に、第５図（ｃ）に示すように、ポリカーボネート透
光性支持体に硫化亜鉛の第１保護層４７を８００ｘ成膜
したものを、外周治具４４、内周治具４５及び内周治具
４５を支える支持体４６からなる一連の治具ごと記録層
であるＮ　ｄ−Ｄ　ｙ　−Ｆ　ｅ　−Ｏｏ系の合金ター
ゲットのあるところへ真空系内で搬送し、ＤＯＶグネト
ロンスパッタリング法によりＮ　６−　Ｄ　ｙ　−’Ｐ
　ｅ−Ｃｏ系の記録層４８を成膜することＫより、第５
図（ｄ）　Ｋ示す構造になる。次に、第５図（ｇ）に示
すように、ポリカーボネートの透光性支持体４３に硫化
亜鉛層の第１保護層４７を８００χ成膜した後、Ｎ　ｄ
　−Ｄ　ｙ　−Ｆ　ｅ　−Ｏｏ系の記録層４８を成膜し
たものを、外周治具４４、内周治具４５及び内周治具４
５を支える支持体４６からなる一連の治具ごと硫化亜鉛
のターゲットのあるところへ真空系内で搬送し、ＲＩＦ
マグネトロンスパッタリング法により硫化亜鉛の第２保
護層４９を８００χ成膜することにより、第５図り）に
示す構造になる。

さらに、第５図（ｆ）に示すように、ポリカーボネート
の透光性支持体４３上に硫化亜鉛の第１保護層４７、Ｎ
ｄ−Ｄｙ−？ｅ−Ｃｏ系の記録層４８、硫化亜鉛の第２
保護層４９の順次成膜したものを外周治具５０、中間治
具５１、内周治具５２、外周治具５０と中間治具５１を
連結させる支持体５３および中間治具５１と内周治具５
２を連結させる支持体５４からなる一連の治具のところ
へ真空県内で搬送し、側端面保護層５５及び５６を硫化
亜鉛のターゲットを用いてＲ？マグネトロンスパッタリ
ング法により成膜することにより、第５図（ｈ）に示す
構造になり、第１図に示す構成の光磁気記録媒体が作製
される。

第６図（（１）から第６図（１）は、内径の異なる外周
治具を用いた場合であり、第２図に示す構成の光磁気記
録媒体の作製工程の一例である。

第６図（ａ）に示すように、ポリカーボネート透光性支
持体５７を内周治具５９で固定して外周治具５８のとこ
ろにとりつけ、第１保護層６０を、窒化珪素の焼結体タ
ーゲットを用いてＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より１１００χ成膜することＫより第６図（６）に示す
構造になる。次に１第６図（ｃ）に示すように、ポリカ
ーボネート透光性支持体５７を内周治具５９で固定して
窒化珪素の第１保護層６０を１１００Ｘ成膜したものを
５８より小さい内径の外周治具６１のところへ真空系内
で搬送し、Ｑ　ｄ　−ＩＦ　ｅ　−ＯＱ系の記録層６２
をＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜するこ
とにより、第６図（ｄ）に示す構造になる。さらに、第
６図（−）に示すようＫ、ポリカーボネート透光性支持
体５７を内周治具５９で固定して窒化珪素の第１保護層
６０を１１００Ｘ成膜した後Ｇｄ−Ｆｅ　−Ｏｏ系の記
録層６２を成膜したものを５８と同じ内径の外周治具６
３のところへ真空系内で搬送し、窒化珪素の焼結体ター
ゲットを用いてＲＩＦマグネトロンスパッタリング法に
より窒化珪素の第２保護層６９を１１００χ成膜するこ
とにより、第６図（７）に示す構成の光記録媒体が作製
される。

第７図（ａ）から第７図（１）は内周治具で基板を固定
し、内径の等しい外周治具を基板（ポリカーボネートの
透光性支持体）から離すことにより、外周治具の内周で
覆われる部分より広い領域に第１保護層を成膜し、外周
治具を基板（ポリカーボネ−トの透光性支持体）に近づ
けることＫより、外周治具の内周から内周治具の外周ま
でとほぼ等しい領域に記録層を成膜した後、再度外周治
具を基板（ポリカーボネートの透光性支持体）から離し
て外周治具の内周で覆われる部分より広い領域に第２保
護層を成膜して第２図に示す構成の光磁気記録媒体を作
製する工程の一例である０ 第７図（、）に示すように、ポリカーボネート透光性支
持体６５を内周治具６７で固定して外周治具（ポリカー
ボネートの透光性支持体）から離して、窒化アルミニウ
ムに窒化珪素を１０重量パーセント含有する焼結体のタ
ーゲットを用いてＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より、５ｉＡｊｌｘＮｙの第一保護層６８を１０００Ｘ
成膜することにより、第７１Ｎ（＆）に示す構造になる
。

次に、第７図（ｃ）Ｋ示すように、ポリカーボネートの
透光性支持体６５に５ｉＡｎｘＮｙの第１保護層６８を
１ｏｏｏＸ成膜したものを６６と同一の内径の外周治具
６９のところへ真空系内で搬送し、ポリカーボネートの
透光性支持体６５に５ｉＡＡｘＮＹの第１保護層６８を
成膜したものを外周治具６９に近づけて、Ｔ　ｂ　−Ｆ
　ｅ　−Ｃｏ系の記録層７０をＤＣマグネトロンスパッ
タリング法により成膜することにより、第７図（ｄ）に
示す構造になる。

さらに、第７図（−）Ｋ示すように、ポリカーボネート
の透光性支持体６５に５ｉＡ１ｘＮＹの第１保護層６８
を１０００Ｘ成膜した後Ｔ　’ｂ　−ＩＦ　ｅ　−Ｃ。

系の記録層７０を成膜したものを真空系内で６６と同一
の内径の外周治具７１のところへ搬送して外周治具７１
から離して窒化アルミニウムに窒化珪素を１０重量パー
セント含有する焼結体の々−ゲットを用いてＲＦマグネ
トロンスパッタリング法によりＳｉＡλＸＮＹの第２保
護層グ・２を１０００Ｘ成膜することにより、第７図（
１）に示す構造になり、第２図に示す構成の光磁気記録
媒体が作製される◇ 第８図（，１）から第８図（Ａ）は同一の治具を用いて
外周及び内周部分を被覆し、第１保護層、記録層、第２
保護層の順に成膜した後、別の治具を用いて外周部分の
記録層の側端面を被覆して第２図に示す構成の光磁気記
録媒体を作成する工程の一例である。

第８図（α）に示すように、ポリカーボネートの透光性
支持体７３を内周治具７５で固定し、外周治具７４のと
ころへとりつけ珪素のターゲットを用いてアルゴンと窒
素の混合ガスを導入することによってＲＩＦ反応スパッ
タリング法により窒化珪素の第１保ｍ層７６を１１００
Ｘ成膜することにより、第８図（ｂ）に示す構造になる
・次に・第８図（ａ）に示すように、ポリカーボネート
の透光性支持体７３に窒化珪素の第１保護層７６を１１
００χ成膜したものを、外周治具７４及び内周治具７５
ごと真空系内でＴ　ｂ　−Ｄ　ｙ　−Ｆ　ｅ　−Ｏｏ系
の合金ターゲットあるところへ真空系内で搬送し、Ｄｏ
マグネトロンスパッタリング法によりＴ　ｂ　−Ｄ　ｙ
　−？　ｅ−ｃｏ系の記録層７７を成膜することにより
、第８図（ｄ）に示す構造になる０次に、第８図（−）
に示すように１ポリカーボネートの透光性支持体７３に
、窒化珪素の第１保護層７６を１１０・ＯＸ成膜したも
のを、外周治具７４及び内周治具７５ごと真空系内で珪
素のターゲットのあるところへ真空系内で搬送し、アル
ゴンと窒素の混合ガスを導入することによってＲＩＦ反
応スパッタリング法により窒化珪素の第２保護層７８を
１１００Ｘ成膜することにより、第８図（１）に示す構
舞になる。さらに、第８図（ｎに示すように、ポリカー
ボネートの透光性支持体７３上に窒化珪素の第１保？！
！層７６、Ｔ　ｂ　−Ｄ　７−　Ｐ　ｅ　−Ｏｏ系の記
録層７７、窒化珪素の第２保護層７８の順に成膜したも
のを、外周治具７９、内周治具８０および内周治具を支
える支持体８１からなる一連の治具のところへ真空系内
で搬送し、窒化珪素の焼結体ターゲットを用いてＲＩＰ
マグネトロンスパッタリング法により側端面保護層８２
を成膜することＫより、第８図（Ａ）に示す構造となり
、第２図に示す構成の水磁気記録媒体が作製される◇ また、第３図（、ｆ）、第４図ＣＩ））、第５図（幻、
第６図（１）、第７図（１）、第８図（Ａ）および従来
例として、同一の内周治具及び外周治具で基板（ポリカ
ーボネート）を固定したまま窒化珪素第１保護層、Ｔｂ
−Ｆ　ｅ　−Ｃｏ系の記録層、窒化珪素の第２保護層の
順に成膜したもの（第９図）を６０℃９０％ＲＨの環境
下に１０００時間放置したときの外周部分の記録層の劣
化を調べた結果を表１に示す。

尚、本発明の実施例で用いられた記録層の材料、保護層
の材料及び膜厚、記録層や保護層の成膜方法などの変更
は、本発明の要旨を免税しない限り可能である。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば光を用いて記録、再生
または消失を行なう光磁気記録媒体において、膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有する非晶質金属を記録層とし
、金属または半金属の酸化物、窒化物または硫化物を主
成分とする保護層を用いて該保護層と該記録層を真空系
内で連続成膜して該記録層の側端面を該保護層で覆うこ
とにより、記録層と保護層を真空系内で連続成膜した場
合生じる記録層の側端面の露出をなくすこと、すなわち
記録層を成膜した後保護層を記録層の側端面を覆うよう
に真空系内で連続成膜することにより、記録層の側端面
からの酸素や水分の侵入を防ぎ、耐酸化性の優れた長期
信頼性のある光磁気記録媒体を提供する効果を有する０ 表　１６０°９０％ＲＨ１０００時間後の外周部分の性
状の変化

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明における光磁気記録媒体の概
略図である。、第３図（ａ）から第３図（１）、第４図
（ａ）から第４図（ｆ）及び第５図（ａ）から第５図（
Ａ）は第１図に示す構成の光磁気記録媒体の作製工程図
であり、第６図（、）から第６図（１）、第７因（ａ）
から第７図（１）及び第８図（ａ）から第８図（Ａ）は
第２図に示す構成の光磁気記録媒体の作製工程図である
０１９図は従来の光磁気記録媒体の概略図である。 １・・・ポリカーボネートの透光性支持体２・・・ディ
スクのセンターホール ３・・第１保護層 ４・・・接着強度を増すためにあけておく部分（外周部
分） ５・・・接着強度を増すためにあけておく部分（内周部
分） ６・・・非晶質金属垂直磁化膜の記録層７・・・第２保
護層 ８・・・側端面保護層 ９・・・ポリカーボネートの透光性支持体１０・・・デ
ィスクのセンターホール １１・・・第１保護層 １２・・・接着強度を増すためにあけておく部分（外周
部分） １３・・・接着強度を増すためにあけておく部分（内周
部分） １４・・・非晶質垂直磁化膜の記録層 １５・・・第２保護層 １６・・・側端面保護層 １７・・・ポリカーボネートの透光性支持体１８・・・
外周治具 １９・・・内周治具 ２０・・・内周治具の支持体 ２１・・・窒化アルミニウムの第１保護層２２・・・外
周治具 ２３・・・内周治具 ２４・・・内周治具の支持体 ２５−−−　Ｔ　ｂ　−Ｆ　ｅ　−Ｏｏ系の記録層２６
・・・外周治具 ２７・・・内周治具 ２８・・・内周治具の支持体 ２９・・・窒化アルミニウムの第２保護層３０・・・ポ
リカーボネートの透光性支持体３１・・・外周治具 ３２・・・内周治具 ３３・・・内周治具の支持体 ３４・・・酸化珪素の第１保護層 ３５・・・外周治具 ３６・・・内周治具 ３７・・・内周治具の支持体 ｓ　ａ−ａ　ａ　−Ｆ　ｓ　−ｃ　ｏ　Ｅの記録層３９
・・・外周治具 ４０・・・内周治具 ４１・・・内周治具の支持体 ４２・・・酸化珪素の第２保護層 ４３−・・ポリカーボネートの透光性支持体４４・・・
外周治具 ４５・・・内周治具 ４６・・・内周治具の支持体 ４７・・・硫化亜鉛の第１保護層 ４８−　Ｎ　ｄ　−Ｄ　ｙ　−ＩＦ　ｅ　−Ｏｏ　７％
の記録層４９・・・硫化亜鉛の第２保護層 ５０・・・外周治具 ５１・・・中間治具 ５２・・・内周治具 ５３・・・外周治具と中間治具の連結体５４・・・中間
治具と内周治具の連結体５５・・・側端面保護層（外周
側） ５６・・・側端面保護層（内周側） ５７・・・ポリカーボネートの透光性支持体５８・・・
外周治具 ５９・・・内周治具 ６０・・・窒化珪素の第１保護層 ６１・・・外周治具 ６２−　Ｇ　（１−ＩＦ　ｅ　−Ｏｏ　１７．の記録層
６６・・・外周治具 ６４・・・窒化珪素の第２保護層 ６５・・・ポリカーボネートの透光性支持体６６・・・
外周治具 ６７・・・内周治具 ６Ｂ＝−８ｉＡＡｘＮｙの第１保護層 ６９・・・外周治具 ７０−　Ｔ　ｂ　−７１ｅ　−Ｏｏ系の記録層７１・・
・外周治具 ７２−−−８’ＬＡＱｘＨＹの第２保護層７５・・・ポ
リカーボネートの透光性支持体７４・・・外周治具 ７５・・・内周治具 ７６・・・窒化珪素の第１保護層 ７７−　Ｔ　ｂ　−Ｄ　ｙ　−？　ｅ　−Ｏｏ　系の記
録層７８・・・窒化珪素の第２保護層 ７９・・・外周治具 ８０・・・内周治具 ８１・・・内周治具の支持体 ８２・・・側端面保護層 ８３・・・ポリカーボネートの透光性支持体８４・・・
窒化珪素の第１保護層 ８５−　Ｔ　ｂ　−？　ｅ　−Ｃｊ　ｏ系の記録層８６
・・・窒化珪素の第２保護層 以　　上 出願人　セイフーエブソン株式会社 代理人　弁理士最゛上　務　他１名 ３・・躬１、保護層 第２Ｖ￥］ ２０２゜ ”　　ｌｆｙ　　４　Ｇり＜ａ）　　　　　　１６４−
Ｄフ（ｂ）葛＋０７（Ｃ）　　　　　　　　躬　４−Ｌ
戸り゛（ｄ）名　４−　図（ε）　　　　　　イ！　４
−　ｉ；ワ（Ｆ）２１、　　　Ｓ　　　Ｗ　　（ｃ）　
　　　　　　　　　　　　　　　％　　　ｓ　　７ｒ、
ｎ第　、５−　ｔ≧フ　（ｅ）　　　　　　　　め　Ｓ
Ｏフ（ダグツ％　　　Ｇ　　　０ｒａ−＞　　　　　　
　　　　　　　　　＠　　　Ｇ　　　Ｏ＜ｂ）、Ｇ２ 酩　（ｏ７（Ｃ〕　　　　　　；ビ；　　Ｇ　　ｙ　（
Ｊ）名　Ｇ　　Ｏ（ｅ）　　　　　　％　Ｅｙ　　ｍ　
（ｐ）り３ ’ＩｙｇＶり（ａ）　　　　　　　　％　ｇ　’ｒ　（
ｂ）４クク と乙

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光を用いて記録、再生または消去を行なう光磁気
   記録媒体において、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
   する非晶質金属垂直磁化膜を記録層とし、金属または半
   金属の酸化物、窒化物または硫化物を主成分とする保護
   層を用いて該保護層と該記録層を真空系内で連続成膜し
   て該記録層の側端面を該保護層で覆ったことを特徴とす
   る光磁気記録媒体。