JPS5984407A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅまたはそれらの合金金主成分
とする金属磁性薄膜から成る磁気記録媒体に係シ、特に
耐食性に優れた上記磁気記録媒体を提供するものである
。

〔従来技術〕

長尺状のポリマーフィルムあるいは円板状のＡ４．真鍮
等の非磁性基板上に、斜め蒸着法により被着され７’ｃ
、Ｃｏ、Ｎ　ｔ、　Ｆｅ等の金属あるいはそれらの合金
を主成分とする金属磁性薄膜は、高保磁力、高飽和磁束
密度、高角型比といった磁気特性を持ち、磁気記録媒体
としてきわめて優れた特性を示すことは周知の事実であ
る。

しかし、上記した金属磁性薄膜は耐食性が乏しく、磁気
記録媒体として実用化する際の大きな障害となっている
。

耐食性を向上させる方法として、（１）ＣＯ等の金　　
。

属磁性薄膜表面にＳｉＯｘ等の耐食性に優れた薄膜を真
空蒸着法あるいはスパッタリング法で被着し保護膜とす
る方法、（２）Ｃｏ等を適当な酸素分圧ドにおいて蒸着
し、ＣＯの結晶粒の表面をＣＯの酸化物、ＣＯＯ等で覆
う方法、（３）Ｃｏ等金属磁性薄膜表面を厚さ２０〜３
０Ａ程度の直鎖型飽和脂肪酸等の単分子層または複数分
子層で被覆する方法、等がある。

しかしこれらの方法のうち（１）の保護膜によって耐食
性を付与する方法では、保護膜の厚さをあまシ厚くしす
ぎると記録あるいは再生時におけるスペーシング損失が
大きくなるため、できるだけ保護膜の厚さを薄くする必
要がある。特に記録波長が１μｍ以下となるような高密
度記録を目的とする場合には、膜厚が２００〜３００人
程度の極薄の保護膜とすることが望まれる。しかし、こ
のような薄膜になると、ピンホールがない緻密かつ均質
な膜を得ることはきわめてむずかしく、十分な耐食性を
もつ保護膜を得ることは困難である。一方（３）の方法
では飽和脂肪酸の単層あるいは複数層で保護膜を形成す
るため非常に薄い膜を得ることができるが耐食性の点で
問題が残る。よた（２）の方法は保護膜を用いないため
、スペーシング損失の点で有利であるが、ｃｏを酸化し
た時に生成するＣｏｏは水蒸気に対し不安定であるため
、十分な耐食性をもつとは言い難い。

したがって高密度磁気記録を目的とした記録媒体を得る
ためには、それに用いられる金属磁性薄膜自身に優れた
耐食性を持たせることがもつとも有利である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は上記従来技術の難点を解消し、金属磁性
薄膜を有する耐食性のすぐれた磁気記録媒体を提供する
ことである。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するた、）、本発明の磁気記録媒体は、
所定の形状を有する非磁性物質からなる基板表面に被着
された、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群よシ選択された少
なくとも１元素よりなる金属磁性薄膜中にルテニウムお
よびアルミニウムからなる群よシ選択された少なくとも
１元素を含有せしめてなるものである。

上記ルテニウムもしくはアルミニウムの含有量は約０．
１〜約５原子％で好ましくは約０．５〜約５原子％であ
シ、その両元素を含む場合はその合計の含有量を上記範
囲とする。ルテニウムおよび／もしくはアルミニウムの
含有量が上記範囲より少ないとその耐食性を向上する効
果が少なく、また上記範囲よシ多いと磁気特性の劣化が
著しく好ましくない。

本発明の磁気記録媒体の上記以外の構成については、従
来技術を踏襲してよい。

上記のように構成された本発明の磁気記録媒体は、金属
薄膜中にルテニウムおよび／もしくはアルミニウムを含
有させ、金属磁性薄膜自体に耐食性をもたせることによ
シ、耐食性の極めてすぐれたものとなっている。

〔発明の実施例〕

以下本発明を実施例をもって詳細に説明する。

実施例１ 第１図に示した真空蒸着装置を用いて、ガラス基板１上
にＣ０ｌ−１１ｕ合金の斜め蒸着を行なった。

ＣＯは抵抗加熱法（抵抗加熱蒸着源２を使用）、Ｂｕは
電子ビーム加熱法（電子ビーム蒸着源３を使用）により
別々に溶解し２元蒸着を行なっている。

蒸着条件は、ＣＯ蒸気流４０入射角θ（基板の法線と蒸
気流の入射方向とのなす角度）を７０゜とした。また、
磁性膜の保磁力の増大を画るため、微量の酸素を導入し
、酸素分圧２　Ｘ　１０−５Ｔｏｒｒの条件で蒸着を行
ない、膜厚的０．１μｍの蒸着膜を得た。

上記のような方法で、几Ｕの含有量がそれぞれ０．１，
０．５，１．３原子％の４種類のＣｏ−ＲＩＬＩ合金蒸
合金金得た。また比較試料として、ＣＯ単体を同一条件
で蒸着し、合計５種類の蒸着膜を得た。

このようにして作製した蒸着膜を温度６０Ｃ１相対温度
９０％の空気雰囲気中に１週間さらして加速試験を行な
い、加速試験前後における試料の飽和磁化量の維持率（
加速試験後の飽和磁化量／加速試験前の飽和磁化量）を
もって耐食性を表わす目安とし友。

この加速試験の条件は、通常の使用条件で３年間の使用
に相当するが、実用可能な磁気記録媒体では少なくとも
８０％の維持率をもつことが望ましい。

なお、第１図において、１は基板、２は抵抗加熱蒸着源
、３は電子ビーム（ＥＢ）蒸着源、４はＣｏ蒸気流、５
は０２ガス流、６はニードルパルプである。

第１表に、本実施例で用いた試料の飽和磁化量の維持率
と加速試ｊ＠　ｉｉＪの磁気特性を示した。表から分か
るように、ＦＬｕを添加しなかった試料では維持率が５
０％となり、実用上問題のあることが分かる。しかし几
Ｕを０．１原子％添加した試料は維持率７３％となシ大
巾な耐食性の向上が見られる。さらに０．５原子％以上
の添加量になると、維持率はいずれも８０％以上となり
、実用的にも満足できる耐食性を示すことが分った。ま
た几Ｕを添加することにより飽和磁束密度（４πＭｓ）
は３原子％添加した試料でも無添加の試料に比較して５
％位低くなる程度であり、さらに保磁力に与える影響も
無視し得る程度である。

実施例２ 蒸着原料としてＡｔを用いた以外は、実施例１と同一条
件でＣｏ、ＡＬの二元蒸着を行ない、Ａｔの含有量がそ
れぞれ０．１，０．５，１．３原子％の４種類の、Ｃｏ
−Ａｔ合金蒸着膜を得た。このようにして作製した試料
を実施例１で述べた方法で飽和磁化量の維持率を測定し
、その結果を第１表に記した。

表から分かるように、Ｒｕの場合と同様に、Ａ／！、’
ｔ０．１原子％添原子比添加でも、飽和磁化量の維持率
は６９％となシ、耐食性の向上が見られた。さらに添加
量が０．５原子％以上の試料ではいずれも維持率が８０
％以上となり、優れた耐食性を示すことが分かった。ま
たＡｔを添加することにより飽和磁束密度（４πＭ　ｍ
　）　　は３原子％添加した試料でも、無添加の試料に
比較して５％低くなる程度であシ、また保磁力に与える
影響も無視し得る程度である。

実施例３ 蒸着原料としてＦｅ、几Ｕを用い、蒸着時における酸素
分圧を８　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒとした以外は、実施例
１と同じ条件で、Ｆｅ、Ｒｕの２元蒸着を行ない、几Ｕ
の含有量がそれぞれ０．５，１，３゜５原子％であるＦ
ｅ−８１合金膜を得た。また比較試料として、Ｆｅ単体
を同様な条件で蒸着した。

このようにして作製した５種類の試料を実施例１で述べ
た方法で飽和磁化量の維持率を測定した結果を第２表に
記した。なお、実施例３，４では第１図の４はＦｅ蒸気
流である。

第２表から分かるように、′ｆＬｕ″ｆｃ添加しなかっ
た試料では維持率が６３％であるが、几Ｕを０．５原子
％添加した試料は維持率８０％となシ、ごく微量の几Ｕ
を添加するだけで、ＣＯの蒸着膜と同様に大巾な耐食性
の向上を見ることができた。まｆｃ１原子原子上以上、
ｕを添加したｐｅ蒸着膜は９０％以上の維持率を示し非
常に優れた耐食性を示すことが分かった。また、Ｒｕ１
に添加したことによる、Ｆｅ蒸着膜の磁気特性に与える
影響は、５原子％の場合でも飽和磁束密度（４πＭｍ）
が無添加の場合に比較して５％減少する程度であシ、ま
た保磁力に与える影響も無視し得る程度である。

実施例４ 蒸着原料として、Ｆｅ、Ａ／、を用い、蒸着時における
酸素分圧を８　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒとした以外は、実
施例１と同じ条件で、Ｆ　ｅ　＊　Ａｔの２元蒸着を行
ない、Ａｔの含有量がそれぞれ０．５，１，３゜５原子
％であるＦｅ−Ａｔ合金膜を得た。

このようにして作製した試料の飽和磁化量の維持率を測
定し、その結果を第２表に記した。′第２表から分かる
ように、Ｆｅ蒸着膜の場合も、０．５原子％の微量のＡ
ｔを添加するだけで、飽和磁化量の維持率は７５％とな
り、大巾な耐食性の向上を見ることができる。さらに１
原子％以上のＡｔを添加することによ９８５％以上の維
持率を得ることができ、優れた耐食性を示すことが分か
った。また、Ａｔを添加したことによる、Ｆｅ蒸着膜の
磁気特性に与える影響は、５原子％の場合でも飽和磁束
密度（４πＭｓ）が無添加の場合に比較して５％減少す
る程度であシ、保磁力に与える影響も無視し得る程度で
ある。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によればＣＯあるいはＦｅ
蒸着膜中に０．１原子％あるいは０．５原子％以上の微
量のＢＪｕあるいはＡｔを添加するだけで、ＣＯあるい
はＦｅ蒸着膜の耐食性を大巾に改善することが可能であ
シ、これらの金属磁性膜を用いた磁気記録媒体を実用化
する際の障害となっている耐食性の問題を解決するうえ
で大きな効果を発揮することができる。

几Ｕは高価であるという点を考慮すると、その使用量が
なるべく少ないことが望まれるが、本発明によれば、た
かだか０．１原子％のＢｕをＣＯあるいはＦｅ蒸着膜に
添加するだけで耐食性を大巾に改善することができ、そ
の製造原価に与える影響は少ない。

なお、本発明の適用範囲は実施例によって制限を受ける
ものでなく、Ｎｉの蒸着膜あるいはＣｏ。

ｐｅ、Ｎｉ等を主成分とした合金磁性薄膜についてもほ
ぼ同様の効果が見られ友。また本実施例では酸素雰囲気
下における蒸着法によって作製した蒸着膜について述べ
たが、酸素を加えない状態における真空蒸着法あるいは
スパッタリング法、ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃｌｌ　Ｖａ
ｐＯｒ　１）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法によって作製さ
れた、当該金属磁性薄膜についても同様な効果を認める
ことができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例において用いた蒸着装置の説
明図である。 １・・・基板、２・・・抵抗加熱蒸着源、３・・・電子
ビーム（ＥＢ）加熱蒸着源、４・・・Ｃｏまたはｐｅ蒸
気流、５・・・０□ガス流、６・・・ニードルパルプ。 ′ｌ−″ 〜、ミ８．／ 第　　ｊ　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の形状を有する非磁性物質から成る基板表面に
   被着された、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅまたはそれらの合金を主
   成分とする金属磁性薄膜中にルテニウムおよびアルミニ
   ウムの少なくとも１元素を含有させてなることを特徴と
   する磁気記録媒体。 ２、上記ルテニウムおよびアルミニウムの少なくとも１
   元素の含有量が約０．１〜約５原子％であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ３、上記ルテニウムおよびアルミニウムの少なくとも１
   元素の含有量が約０．５〜約５原子％であることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の磁気記録媒体。