JPS62117156A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62117156A JPS62117156A JP25637185A JP25637185A JPS62117156A JP S62117156 A JPS62117156 A JP S62117156A JP 25637185 A JP25637185 A JP 25637185A JP 25637185 A JP25637185 A JP 25637185A JP S62117156 A JPS62117156 A JP S62117156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- recording medium
- recording layer
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光磁気記録媒体に関する。詳しくは耐経時劣化
性に優れた光磁気記録媒体に関するものである。
性に優れた光磁気記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
光磁気記録媒体はガラス、合成樹脂基板等の表面に磁性
層、保護膜等を設けて形成され、レーザー等を用いて書
込みや読出しが行なわれるものであり、書き換え可能な
光メモリーとして注目を浴びているものである。
層、保護膜等を設けて形成され、レーザー等を用いて書
込みや読出しが行なわれるものであり、書き換え可能な
光メモリーとして注目を浴びているものである。
この光磁気記録媒体の磁性層（記録層）としては希土−
鉄系合金、Ｍｎ−Ｂ１、Ｍｎ−０ｕ−Ｂｉ及び磁性酸化
物等が用いられている。
鉄系合金、Ｍｎ−Ｂ１、Ｍｎ−０ｕ−Ｂｉ及び磁性酸化
物等が用いられている。
（発明が解決しようとする問題点〕
記録層を形成する希土−鉄合金やＭｎ−Ｂ１合金等は経
時劣化が激しく、特に希土類は耐食性に問題があるため
記録特性の低下が早い。
時劣化が激しく、特に希土類は耐食性に問題があるため
記録特性の低下が早い。
記録層の劣化は、基板側と外気側から生じるが、基板側
からの劣化は基板として合成樹脂のように、それ自体に
水分や突気を含有するもの例えばポリアクリルメタクリ
レート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリイミド
等を用いた場合釦顕著に現われる。
からの劣化は基板として合成樹脂のように、それ自体に
水分や突気を含有するもの例えばポリアクリルメタクリ
レート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリイミド
等を用いた場合釦顕著に現われる。
本発明者等は耐経時劣化性に優れた光磁気記録媒体を得
るべく、記録層を覆う保護について種々検討の結果、次
のような事実を見出した。
るべく、記録層を覆う保護について種々検討の結果、次
のような事実を見出した。
（１１保護層の材質が記録層と反応性が有ると保護層と
記録層との間で反応を起し、記録層が劣化する。
記録層との間で反応を起し、記録層が劣化する。
（２１保護層の材質によってはピンホールやり２ツクが
生成するとその部分からの記録層が劣化を起す。
生成するとその部分からの記録層が劣化を起す。
（３）保護層の材質が基板となじみが悪いと剥離を起す
。
。
そして、保護層の材質による上記間地点を検し
討財だ結果、上記問題点の（１）と問題点ｔ２１ （３
１は相反する傾向が強く、問題点（１）を有するものは
問題点＋２１、（３）を有さす、問題点＋２＋ （３１
を有するものは問題点（１）を有されないことが明らか
となった。
１は相反する傾向が強く、問題点（１）を有するものは
問題点＋２１、（３）を有さす、問題点＋２＋ （３１
を有するものは問題点（１）を有されないことが明らか
となった。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明の要旨は、基板上に記録層を設けてな
る光磁気記録媒体において、基板と記録層との間に、下
記で定義される透過率が７ｊ％以上である酸化物層（Ａ
／Ｉ）を基板側にかつ、透過率が１０チ以下である酸化
物又は窒化物層ＣＢＩｍ）を記録層側に積層した保護膜
を設けてなる光磁気記録媒体に存する。
る光磁気記録媒体において、基板と記録層との間に、下
記で定義される透過率が７ｊ％以上である酸化物層（Ａ
／Ｉ）を基板側にかつ、透過率が１０チ以下である酸化
物又は窒化物層ＣＢＩｍ）を記録層側に積層した保護膜
を設けてなる光磁気記録媒体に存する。
〔透過率ニガラス基板上に保護膜／θθＯＡ、次にＴｔ
） ！ＯＯＡ 、さらに前記と同一の保Ｆａ膜１０００
Ａ ｆ ｊ Ｘ ／ Ｏ−’ｔｏｒｒの真空槽中で電子
ビーム蒸着法により形成させ、その基板側から光を入射
させて測定したＩ ００ ｎｍ の波長における透過率
を意味する。〕 （発明の構成） 以下、本発明の詳細な説明する。
） ！ＯＯＡ 、さらに前記と同一の保Ｆａ膜１０００
Ａ ｆ ｊ Ｘ ／ Ｏ−’ｔｏｒｒの真空槽中で電子
ビーム蒸着法により形成させ、その基板側から光を入射
させて測定したＩ ００ ｎｍ の波長における透過率
を意味する。〕 （発明の構成） 以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
クス又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
７〜２１＋１程度が一般的である。
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
クス又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
７〜２１＋１程度が一般的である。
この基板上に設けられる記録層としては、Ｔｂ、ＴｂＦ
ｅ０ｏ、 Ｔｂ０ｏ等の希土類と遷移金属の非晶質磁性
合金及びＭｎＢ１、Ｍｎ０ｕＢ１等の多結晶垂直磁化膜
が用いられる。
ｅ０ｏ、 Ｔｂ０ｏ等の希土類と遷移金属の非晶質磁性
合金及びＭｎＢ１、Ｍｎ０ｕＢ１等の多結晶垂直磁化膜
が用いられる。
本発明においては、上記基板と記録層の間に次のコ層を
保護膜として積層させる。
保護膜として積層させる。
ＡＮ：透過率が／ｊチ以上である酸化物よシなる層
Ｂ層：透過率が１０チ以下である酸化物又はチツ化物の
層 積層は、基板側にＡＪ価を、記録層側にＢ層を形成させ
るようになされる。ここで上記透過率はガラス基板（“
マツナミ、ミクロスライドグラス５−ｉｉコク″〕上に
保護膜１０θＯＡ、次にＴｂｊＯＱＡ、さらに前記と同
一の保護膜を／θ０θλ、よＸ ／ ０−＠ｔｏｒｒの
真空槽中で製膜速度ｓＸ／ｓで電子ビーム蒸着法により
形成させ、その基板側から光を入射させて測定したざθ
Ｏｎｍの波長における透過率を意味する。
層 積層は、基板側にＡＪ価を、記録層側にＢ層を形成させ
るようになされる。ここで上記透過率はガラス基板（“
マツナミ、ミクロスライドグラス５−ｉｉコク″〕上に
保護膜１０θＯＡ、次にＴｂｊＯＱＡ、さらに前記と同
一の保護膜を／θ０θλ、よＸ ／ ０−＠ｔｏｒｒの
真空槽中で製膜速度ｓＸ／ｓで電子ビーム蒸着法により
形成させ、その基板側から光を入射させて測定したざθ
Ｏｎｍの波長における透過率を意味する。
上述の透過率は基板や記録層に対する保護膜の反応性や
親和性（なじみの良さ〕を直接表現するものではない。
親和性（なじみの良さ〕を直接表現するものではない。
しかしながら、実験の結果、前記透過率がｌｊ係以上で
ある酸化物（Ａ層）は基板との密着性が良く、クラック
等の発生が少ないが、記録層と比較的反応しやすいこと
が見出され、また前記透過率が１０％以下の酸化物又は
窒化物（Ｂ層）は記録層との反応性はほとんどないが基
板との親和性に欠けることが見出されている。
ある酸化物（Ａ層）は基板との密着性が良く、クラック
等の発生が少ないが、記録層と比較的反応しやすいこと
が見出され、また前記透過率が１０％以下の酸化物又は
窒化物（Ｂ層）は記録層との反応性はほとんどないが基
板との親和性に欠けることが見出されている。
本発明の保護層は基板と記録層との間に設けるのが良い
が勿論他の側にも設けて良い。
が勿論他の側にも設けて良い。
本発明によれば、上記の積層構成を形成させることによ
シ、記録層側の界面反応性を低くし、基板側のピンホー
ル性を抑える。従って調和のとれた保護膜構造とするこ
とができる。
シ、記録層側の界面反応性を低くし、基板側のピンホー
ル性を抑える。従って調和のとれた保護膜構造とするこ
とができる。
Ａ層の酸化物としては、ＳｉＯ□（透過率： ／ １９
ｇ） 、 ５ｉＯ（＞／ｊ タロ ） 、
ｅａ、ｏ畠 （／？ タロ ） 、（：！１３０．
（３ｇ ’４ ） 、 Ｔ（Ｌ、Ｏｌ （ｊ ｇ ％
）、Ｚ ｒｏ。
ｇ） 、 ５ｉＯ（＞／ｊ タロ ） 、
ｅａ、ｏ畠 （／？ タロ ） 、（：！１３０．
（３ｇ ’４ ） 、 Ｔ（Ｌ、Ｏｌ （ｊ ｇ ％
）、Ｚ ｒｏ。
（Ｊ９９６）、ＨｆＯ＊（≠’７％）、ＴｉＯ＊（ｊＪ
ｑｂ）等が挙げられる。
ｑｂ）等が挙げられる。
Ｂ層の酸化物又は窒化物としては、Ａ４０ｍ（透過率：
弘％ ） 、ａｒｓｏｎ （デ’Ｉ’ ） 、Ｅｒ＠Ｏ
＠（９％）、Ｙｂ＊Ｏｓ（’％）、ＢＮ（／ ０”Ｌ＞
）、８１ｉＮ４（／（７９６＞）、Ｇ８ｓＮｍ（／（７
ｑ６＞）、ＡＩＮ （／ ０チ〉）等が挙げられる。
弘％ ） 、ａｒｓｏｎ （デ’Ｉ’ ） 、Ｅｒ＠Ｏ
＠（９％）、Ｙｂ＊Ｏｓ（’％）、ＢＮ（／ ０”Ｌ＞
）、８１ｉＮ４（／（７９６＞）、Ｇ８ｓＮｍ（／（７
ｑ６＞）、ＡＩＮ （／ ０チ〉）等が挙げられる。
上記Ａ層、Ｂ層を構成する酸化物等は単独で用いても良
く、また、コ成分以上を混在させることもできる。
く、また、コ成分以上を混在させることもできる。
更にＡ層又はＢ層はそれぞれ単層でも良く、またそれず
れ複数層としても良い。
れ複数層としても良い。
Ａ層の膜厚は、単層でも複数層とした場合でも、通常／
Ｑ〜１０ＯＯＡ程度、Ｂ層の膜厚は単層でも複数／ｍと
した場合でも、通常Ｓθ〜３０００Ａ程度とされる。
Ｑ〜１０ＯＯＡ程度、Ｂ層の膜厚は単層でも複数／ｍと
した場合でも、通常Ｓθ〜３０００Ａ程度とされる。
これらの保護膜、Ａ層及びＢ層の形成は、抵抗加熱法、
７ラツシユ蒸発法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法等
を用いた真空蒸着、グロー放電法、イオンビーム法、マ
グネトロン法等を用いたスパッタリング、イオンブレー
ティング等の方法によシ行なうことができる。
７ラツシユ蒸発法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法等
を用いた真空蒸着、グロー放電法、イオンビーム法、マ
グネトロン法等を用いたスパッタリング、イオンブレー
ティング等の方法によシ行なうことができる。
また、Ａ層は塗布等の方法によりコーティングして形成
されても良い。
されても良い。
さらにＢ層はＡ層の表面をプラズマ窒化する等して、Ａ
層を変質させることにより形成することもできる。
層を変質させることにより形成することもできる。
（参考例）
以下、参考例によシさらに本発明の詳細な説明する。
参考例１
以下の３種類のサンプルを作製し、比較評価した。
作製は、保護層蒸着時の真空度／ Ｘ ／ ０−” ｔ
ｏｒｒ以下Ｔｂ蒸着時の真空度！ Ｘ ／ ０−’ ｔ
ｏｒｒ以下、膜形成速度ｓ ’Ａ／Ｓで全て電子ビーム
蒸着で行なった。基板はガラスを用いた。
ｏｒｒ以下Ｔｂ蒸着時の真空度！ Ｘ ／ ０−’ ｔ
ｏｒｒ以下、膜形成速度ｓ ’Ａ／Ｓで全て電子ビーム
蒸着で行なった。基板はガラスを用いた。
サンプルａ
Ｓｉｆｔ （／ ｏｏｏＸ ）／ＴＩ） （５ｏｏｈ）
７ｅ１ｏｓｒ、ｔｏｏ。
７ｅ１ｏｓｒ、ｔｏｏ。
Ａ）／基板
サンプルｂ
Ａｌｔｏｎ （１０００ｋ）／Ｔｂ（！；００ｋ）／Ａ
ｄｓ○。
ｄｓ○。
（１０００Ａ）／基板
サンプルＣ
３ｉｆｔ （ｔ ｏｏ；、）／ｈム０．（−〇ＯＡ）／
Ｔｂ（！；００Ｘ ）／Ａム０１（２θＯλ）／５ｉｌ
ｌ （１００λ）／基板サンプルｄ Ａム０．（／θ０ＱＡ）／Ｔｂ（ｊＯＱＡ）／ＳｉＯ＊
（１０００）、）７基板 サンプルｅ Ｂｌｏｔ （１０００Ａ）／Ｔｂ（！ｆ００Ａ）／ＡＪ
２ｚＯｊ（７０００Ａ）／基板 これらのサンプルの透過率変化（すなわち、界面反応性
に対応する）を図／に示す。
Ｔｂ（！；００Ｘ ）／Ａム０１（２θＯλ）／５ｉｌ
ｌ （１００λ）／基板サンプルｄ Ａム０．（／θ０ＱＡ）／Ｔｂ（ｊＯＱＡ）／ＳｉＯ＊
（１０００）、）７基板 サンプルｅ Ｂｌｏｔ （１０００Ａ）／Ｔｂ（！ｆ００Ａ）／ＡＪ
２ｚＯｊ（７０００Ａ）／基板 これらのサンプルの透過率変化（すなわち、界面反応性
に対応する）を図／に示す。
さらに、これらのサンプルを温度６０℃、湿度ｇｏｑｂ
でｊ日間保持した後光学顕微鏡により観察した。
でｊ日間保持した後光学顕微鏡により観察した。
ＡＪｔＯａ ７７７４ （サンプルｂ 、ａ ％ ｅ
）は界面反応性が少ない（透過率変化による）が、光学
顕微鏡による観察によればクラックやピンホールが見ら
れる。一方、Ｓ１０．膜（サンプルａ、ｄ。
）は界面反応性が少ない（透過率変化による）が、光学
顕微鏡による観察によればクラックやピンホールが見ら
れる。一方、Ｓ１０．膜（サンプルａ、ｄ。
ｅ）はクラックやヒ゛ンホールは見られなかったが、界
面反応性が大きく透過率の変化が大きい。
面反応性が大きく透過率の変化が大きい。
サンプルＣ（本願発明）の積層膜はクラックやピンホー
ルの発生もなく、界面反応もＡ Ａ層 ＊ Ｏｓとほぼ
同程度である。
ルの発生もなく、界面反応もＡ Ａ層 ＊ Ｏｓとほぼ
同程度である。
Ｔｂ単身を記録層の酸化程度の目安としたのは、次の理
由による。Ｅ Ｓ ＣＡ分析、カー回転角、ヒステリシ
ス曲縁等の変化から布上−鉄系の記録層では布上が酸化
され易く、布上の酸化によシ、この磁性体（記録、ｒｍ
＞の抗磁力やｂ−回転角が変化することｔ確認してお
り、これは酸化還元電位とも付合している。従って再現
性良く短時間に且つ簡便に記録層の保護効果を評価する
ため、また布上と鉄族の組成比がずれることによる酸化
特性の変化による再現性の悪化を無くすためＴＩ）単身
の酸化による変化を見ることとした。
由による。Ｅ Ｓ ＣＡ分析、カー回転角、ヒステリシ
ス曲縁等の変化から布上−鉄系の記録層では布上が酸化
され易く、布上の酸化によシ、この磁性体（記録、ｒｍ
＞の抗磁力やｂ−回転角が変化することｔ確認してお
り、これは酸化還元電位とも付合している。従って再現
性良く短時間に且つ簡便に記録層の保護効果を評価する
ため、また布上と鉄族の組成比がずれることによる酸化
特性の変化による再現性の悪化を無くすためＴＩ）単身
の酸化による変化を見ることとした。
参考例コ
以下に述べるサンプルを炸裂し、カー回転角。
反射率を測定した。
製法は、マグネトロンスパッタ法によシ極間距離をｇｏ
ｄ、として高速スパッタを行なった。
ｄ、として高速スパッタを行なった。
Ａｒ ガス導入前の真空度はざＸ１０づｔｏｒｒ ％
アルゴンガス圧力！ Ｘ ／ （ｒ” ｔｏｒｒとした
。製膜速度１ｉ ＳｉＯ：ｆｆＡ／５１ＢＮ ： ／Ａ
／８ＳＴｂＦｅ：１０Ａ／８とした。
アルゴンガス圧力！ Ｘ ／ （ｒ” ｔｏｒｒとした
。製膜速度１ｉ ＳｉＯ：ｆｆＡ／５１ＢＮ ： ／Ａ
／８ＳＴｂＦｅ：１０Ａ／８とした。
上述条件下でガラス基板上Ｋ ＳｉＯの膜を堆積後、真
空を保持しＴｂＦｅを１ｓｏｏｈ堆積し、この際ＳｉＯ
膜厚を変化させた。測定したカー回転角と反射率のカー
回転角依存性は反射率のみほぼ計算どおシ変化したが、
カー回転角は計算値をはるかに下まわった。これはＳｉ
ＯとＴｂＦｅとの反応のためでおるので薄い（１００Ａ
）のＢＮ層を挿入したところ、理論に近い挙動を示すよ
うになった（表／）。
空を保持しＴｂＦｅを１ｓｏｏｈ堆積し、この際ＳｉＯ
膜厚を変化させた。測定したカー回転角と反射率のカー
回転角依存性は反射率のみほぼ計算どおシ変化したが、
カー回転角は計算値をはるかに下まわった。これはＳｉ
ＯとＴｂＦｅとの反応のためでおるので薄い（１００Ａ
）のＢＮ層を挿入したところ、理論に近い挙動を示すよ
うになった（表／）。
なお、２／！ＯＡの８１０層と１００ＡのＢＮ層を積層
した保護層の屈折率はコ２ｊＯλの８１０層の屈折率と
ほとんど差がないことも確認した。
した保護層の屈折率はコ２ｊＯλの８１０層の屈折率と
ほとんど差がないことも確認した。
このように非反応層（Ｂ／ｉｉ１ｍ）の挿入〈よって界
面反応性を低下しりることがわかる。
面反応性を低下しりることがわかる。
表 ／
（）内は計算値
※ 外挿値
（発明の効果）
本発明に係る光磁気記録媒体は、ピンホール、クラック
の生成が抑制され、かつ記録層と保護膜との界面反応性
が少ないという特徴を有する。
の生成が抑制され、かつ記録層と保護膜との界面反応性
が少ないという特徴を有する。
図７は参考例／における記録媒体の透過率の変化を示す
。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − ほか７名 已 １ 手 続 補 正 書 昭和６θ年７２月′０日 １、−パ６１′ｊ７ノ ／ 事件の表示 昭和６０年／７月／！日提出の特許
願（θ２） コ 発明の名称 光磁気記録媒体 ３ 補正をする者
。 出 願 人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − ほか７名 已 １ 手 続 補 正 書 昭和６θ年７２月′０日 １、−パ６１′ｊ７ノ ／ 事件の表示 昭和６０年／７月／！日提出の特許
願（θ２） コ 発明の名称 光磁気記録媒体 ３ 補正をする者
Claims (3)
- （１）基板上に記録層を設けてなる光磁気記録媒体にお
いて、基板と記録層との間に、下記で定義される透過率
が１５％以上である酸化物層（Ａ層）を基板側に、かつ
、透過率が１０％以下である酸化物又は窒化物層（Ｂ層
）を記録層側に積層した保護膜を設けてなる光磁気記録
媒体。 〔透過率：ガラス基板上に保護膜１０００Å、次にＴｂ
５００Å、さらに前記と同一の保護膜１０００Åを５×
１０＾−＾６ｔｏｒｒの真空槽中で製膜速度５Å／Ｓで
電子ビーム蒸着法により 形成させ、その基板側から光を入射させて 測定した８００ｎｍの波長における透過率 を意味する〕 - （２）Ａ層をＳｉＯ＿２、ＳｉＯ、Ｇｄ＿２Ｏ＿３、Ｃ
ｅＯ＿２、Ｔｂ＿２Ｏ＿５、ＺｒＯ＿２、ＨｆＯ＿２、
ＴｉＯ＿２の中から選ばれた少なくとも一種で単層又は
複数層に形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の光磁気記録媒体。 - （３）Ｂ層をＡｌ＿２Ｏ＿３、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ｅｒ＿
２Ｏ＿３、Ｙｂ＿２Ｏ＿３、ＢＮ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、Ｇ
ｅ＿３Ｎ＿４、ＡｌＮの中から選ばれた少なくとも一種
で単層又は複数層に形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25637185A JPS62117156A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25637185A JPS62117156A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62117156A true JPS62117156A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17291757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25637185A Pending JPS62117156A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62117156A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417238A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Hitachi Ltd | Magneto-optical multi-layered film medium |
| JPH01189049A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01260653A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Fujitsu Ltd | 光磁気ディスク |
| US5571629A (en) * | 1987-07-10 | 1996-11-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25637185A patent/JPS62117156A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6417238A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Hitachi Ltd | Magneto-optical multi-layered film medium |
| US5571629A (en) * | 1987-07-10 | 1996-11-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPH01189049A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01260653A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Fujitsu Ltd | 光磁気ディスク |
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