JPS63171453A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （従来の技術） 光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イレ
ーザブル（５ｒａｓａｂｌ・）型メモリーは、光磁気記
録方式が最も実用化に近い段階にいる。

光磁気記録媒体としては総合的外特性から見て、希土類
、遷移金属薄膜が最も優れているが、致命的欠陥として
耐食性に欠けるという欠点が挙げられる。

す彦わち、腐食に伴ない高密度記録の必要条件である保
磁力の低下や高Ｂ１Ｍ比の必要条件であるカー回転角の
減少、誤り率の増加ガど多くの欠陥を露呈する事となる
。

従来、その対策としては一つの方法がとられてきた。即
ち、 （１）添加物を用いて耐食性を向上する。

（１：）　　保護膜を形成し耐食性を向上する。

これらの検討によシ、保護膜としてまず、８１Ｎ、ＡＩ
Ｍ等の高融点テラ化が提案されているが、これらはＴ１
、？ｅ等との反応性が低く、界面での反応性が低い、し
かし樹脂基板などに製膜する際にクラックを生じやすい
という欠陥をもつ、さらに高温高湿度下では樹脂基板ｆ
ｉ＝ら剥離するという接点も有する。

さらに上記テラ化物系以外の保護膜として、８１０２　
などの酸化物が提案されているが、テラ化物に比べると
ＴＩ）％Ｉｒｅ等と反応性が十分低くはカいため、　Ｔ
ｂＦｅなどの記録層厚みを薄くしにくいといつ念欠点を
有する。

記録再生光の透：Ａする側に配置すべき保■膜は、透明
でなければなら々いが、透明なテラ化物で耐食性の十分
あるものは、Ｓｉ３Ｎ４、ＡＩＮ　。

Ｇｅ３Ｎ４など極めて限られたものでＴｏシ、ＺｒＮ。

Ｔｉｅ％Ｎｔ）Ｎ％ＴａＮなどは耐食性にも優れ、熱的
臂性も優れているにもがかわらず、不透明であるため、
光入射側の保！ｉｌｌ！ＩＫ＃ｉ用いることができなか
った。

ま虎さらにＧｅｌ　ｌｄ、ＡＩＮ　、　ｇｉｇ等に比べ
るとクラックが生じＫ〈いという点があるが、高温高湿
下でＧｅｍ膜は化学的に不安定であった。

本発明渚らは、ＧｅＨの非界面反応性を保ちつつ上述の
欠陥を改Ｗする目的で、保護膜の検討を行ない、Ｇｅｌ
を含む複合テラ化物が上記の要求を満すことを見出し、
本発明に到遅し九。

すなわち、本発明の要旨は基板上に光磁気記録層を設け
てなる光磁気媒体において、光磁気活性層の保穫層とし
て、Ａｌ、周期律表の４Ａ族元索、ｊム族元素、≦Ａ族
元素から選ばれる１つ以上の元素とＧｅおよびチッ素と
からなる複合チッ化物層を形成してなる光磁気記録媒体
に存する。

（発明の構成） 以下、本発明の詳細な説明する。

まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは
ｌ−１霧程度が一般的である。

この基板上に設けられる光磁気活性層としては、たとえ
ば、ＴｂＦｅ％Ｔ’ｂＦｅ（！ｏ、Ｔｌ）Ｃｏなどの希
土類と遷移金属の非晶質磁性合金、及びＭｎＢ１、Ｍｎ
０ｕＢｉなどの多結晶垂直磁化膜が用いられる。

本発明においては、上記基板と光磁気活性層の間にＧｅ
Ｈｔ−含む複合酸化物を保ｆ７ｉ膜として形成させる。

又、光磁気活性層の上に該保Ｉｌｌ［を形成してもよい
し、光磁気活性層を該保１１１１１Ｋよりサンドイッチ
してもよい。

り含チッ化物としては、Ｇｅｌ　（化学量論組成はＧ１
５８Ｎ４　）とＡＩＮ　％またはＴＩＮ　、　ＺｒＭ　
、　ＨｆＨの４ｔａ族元素（ＤＰツ化物、またはＶＮ％
ＮｂＮ、　ＴａＮのｊ＆族元素のテラ化物、ＯｒＮ等の
６ａ族元素のテラ化物の混合物及び固溶体があげられる
。

ＧｓＮ以外の上記テラ化物の使用割合は、テラ化物の種
類によって異なるが、複合テラ化物中、４ｔａ族、！ａ
族およびｊａ族元素のテラ化物の割合は、ダミ族ｊ〜ｔ
θモルー１ｊａ族！〜４０モルチ、ｔａ族５〜ぶ０モル
％、Ａ’ｌでは、１０〜り０モル％が選はれる。

さらに弘ａ！！はｉｏ％ルチ〜ダＯモルチが好ましい含
有率であシ、ｊａ族は７０七ル一〜３０モルＳが好まし
くｄａ族はｊ〜３０モルチ、Ａｌでは３０〜♂Ｏモル％
が好ｌしい。

上記組成の選定条件としては上記した組成割合は、複合
テラ化物薄膜の光透過幕が（光波要約♂００　ｎｍ、膜
厚ｔｏｏｏ＠でガラス基板上）７０Ｉｓ以上にな〕、且
つ後述する剥離の発生が実質的にないように選定するこ
とが好ましい。

複合テラ化物の保護膜の作成は、以下に述べるような通
常の物理蒸着法（ＰＶＤ）及びガラスｗＯＶＤのような
化学蒸着、アルコキシドなど液相な用い北塗布例えばス
ピンコートカ１考えられる。

ｌ）上述の組成をもったテラ化物焼結ターゲットを用い
電子ビーム蒸着ま光はスパッタリングによシ基板上に成
膜する。−）　　Ｇｅ＠Ｎ４ターゲットと他のテラ化物
の同時蒸着、またはＧＪＮ４ターゲット上に他のテラ化
物を配置してなる複合ターゲット方式によるスパッタリ
ング、３）反応性イオンプレーテインク、反応性スパッ
タリングによるＧｅと前述の金属の合金をターグツ）Ｋ
用いる方法が考えられる。この保護膜の膜厚はＩＱム〜
に’０ＯＯＡ程度から選ばれる。

尚本発明の保護膜は電気伝導度が高いためターゲットの
ＶＣ反応性スパッターが可能であり、基板ダメージが少
なく且つ高速成膜が可能である。

本発明に係る光磁気媒体を光磁気記録媒体として用いる
場合、上記の複合チッ化物保護層を記録、再生光入射側
に配置し、次いで光磁気活性層、保護膜の順に積層する
。多くの場合記録再生光は基板側から入射させるので、
本発明の保護膜は多くの場合基板上に堆積される。

光が入射しない側の保護膜には上記の酸化物保護膜の他
に、８１３ｍ４、Ｔｉｅ％ＺｒＮ、　ＮｂＮ。

Ｔａｎなどの公知のテラ化物、ま虎は、Ｔ１０、Ｎｌ）
０１ＭＯ２０，ＴａＯなどの訳化物、Ｔａ５８１ｇ、Ｔ
ａ５８１ｇ、Ｔ　ａ　４４　Ｂ　ｉ、０ｒ８１２、ａｏ
ｓ１２、Ｔ８１．などのケイ化物及び８１０２　　など
の酸化ケイ素を用いることもできる。

このような構成をもつ光磁気媒体は、光磁気メモリーの
他に光磁気効果利用する他のデバイス例えば光アイソレ
ーターなどＫも用いることができる。

（実施例） 以下実施例によシ本発明の詳細な説明する。

実施例１１比較例１ 真空装置を／　０−”ｔｏｒｒ以下まで排気し、直径ダ
インチのＧｅターゲットのエロージョン部にＡｌ小片１
０ｍ”　をｒ枚等間隔に配置した状態でＤＣ電力を２０
ＯＮ投入し、マクネトロンスパッターをおこなつ念。

Ａｒの流量は／　Ｏ５（ＩＣ！Ｍ　、　　Ｎ２の流量は
　４ｔ。

ＢＯＯＭとし、全圧はｊｍｔｏｒ！”とし、ターゲット
と基板間の距離は１４ｔ／■とじた。

膜厚１００）、のＧｅＡｌＮ膜を形成後、Ａｒガスプラ
ズマによシ基板側をエツテンク処理し念。

続いて同一装置中で、ＴｂＦｅ層をｒ００Ａ上記の薄膜
上に形成し、再び上述と同様にしてＣｋｅＡＩＮを形成
した。

作製後カー回転角を測定し比ところガラス基板上作製直
後において０．３３°反射１％　Ｊ　／　％で２０℃　
／３％ＲＨＫ１００時間保持後も測定誤差の範曲で不変
であった。

一方比較例としてＧｅＮ又はＡＩＮを保護膜として用い
ｆＦ、＃Ｊ合、ＧｅＮ層自体が劣化して　２０℃？！％
Ｒ１ｉ下では１００時間経過以前に磁性体としての性質
を失なった。

ヂ ポリカーボネイト（ＰＣ！Ｒ）上でのトラ化膜の問題点
は基板からの剥離であるので、特に剥離に関して、比較
例と共に表１に示−す。

表／　　ＦＯＲ上の保護膜劣化 実施例λ 実施例１と同様にして保護層′ｆｅＧａＺｒＮとして試
料を作製した。　ＧｅＮ％ＡＩＮに比べて樹脂基板上で
の劣化が押さえられており、７０℃、♂！％ＲＨｒ００
時間保持後も剥離等はなかった。

尚、カー回転角は、ガラス基板上０．１７°、反射率４
ｔ４ｔ％で７０ＣＩ！％ＲＨｒ００時間経過後も不変で
あつ九。

尚、ＧｅＡｌＮ　％ＧｓＺｒＮとＦＯＲとの間に８１０
２のＦＴ７１１ｉ混合物よりなる薄膜を設けたところ、
更に高寿命なものとなつ喪。

（発明の効果） 本発明によれば記録層の寿命の極めて長い光磁気記録媒
体が得られる。

出　願　人　　三菱化成工業株式会社 代　理　人　　弁理士　長谷用　　− （ほか７名）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に光磁気記録層を設けてなる光磁気媒体に
   おいて、光磁気活性層の保護層として、Ａｌ、周期律表
   の４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素から選ばれる１
   つ以上の元素とＧｅおよびチッ素とからなる複合チッ化
   物層を形成してなる光磁気記録媒体。
2. （２）複合チッ化物がＺｒまたはＡｌとＧｅおよびチッ
   素からなる特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録媒
   体。
3. （３）複合チッ化物がＧｅとＡｌおよびチッ素からなる
   特許請求の範囲第２項に記載の光磁気記録媒体。