JPH09180280A - Ｃｏ／ｐｔ磁気光学的記録媒体から成る多重データレベルを含む光学的記憶媒体 - Google Patents
Ｃｏ／ｐｔ磁気光学的記録媒体から成る多重データレベルを含む光学的記憶媒体Info
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- JPH09180280A JPH09180280A JP8252155A JP25215596A JPH09180280A JP H09180280 A JPH09180280 A JP H09180280A JP 8252155 A JP8252155 A JP 8252155A JP 25215596 A JP25215596 A JP 25215596A JP H09180280 A JPH09180280 A JP H09180280A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 飽和保磁力が大きく、カー・ヒステリシス・
ループの角型特性が良好であるＣｏ／Ｐｔの超格子を使
った、多重レベルのディスク構造を有する磁気光学的デ
ィスクを提供する。 【解決手段】 光学的データ記憶媒体が開示されてい
る。その媒体は複数のデータ記憶レベルを含み、各記憶
レベルは透明な誘電性シード層１１と部分的に透過的な
記録層を含んでいて、記録層は前記シード層１１のＣｏ
／Ｐｔの交番層を含んでいる多層構造を有している。
ループの角型特性が良好であるＣｏ／Ｐｔの超格子を使
った、多重レベルのディスク構造を有する磁気光学的デ
ィスクを提供する。 【解決手段】 光学的データ記憶媒体が開示されてい
る。その媒体は複数のデータ記憶レベルを含み、各記憶
レベルは透明な誘電性シード層１１と部分的に透過的な
記録層を含んでいて、記録層は前記シード層１１のＣｏ
／Ｐｔの交番層を含んでいる多層構造を有している。
Description
【０００１】本出願はチャールズ Ｆ．ブルッカー、ツ
カラム Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンに
よる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ
Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月１４日付け
の米国特許出願第０８／０７６，３２６号、現在は１９
９５年４月１８日発行の米国特許第５，４７０，７５５
号；ツカラム Ｋ．ハットワール、ヤンシェン・チャ
ン、アンソニー Ｃ．パルンボおよびチャールズＦ．ブ
ルッカーによる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎｇ Ｍｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月
１４日付けの米国特許出願第０８／０７６，６０４号；
ツカラムＫ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンに
よる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ
Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９４年３月１１日付け
の米国特許出願第０８／２０９，９３３号；ツカラム
Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンによる「多
層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍａｇ
ｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉ
ａ）」という表題の１９９４年１０月３日付けの米国特
許出願第０８／３１６，７４３号；およびヤンシェン・
チャン、Ｇ．ファルジア、およびツカラム Ｋ．ハット
ワールによって、ここに同時出願されている「高性能Ｃ
Ｏ／ＰＴディスクの形成方法（Ｆｏｒｍｉｎｇ ａ Ｈ
ｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｃｏ／Ｐｔ Ｄｉｓ
ｋ）」という表題の米国特許出願第６０／００２，７９
８号に関連している。
カラム Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンに
よる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ
Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月１４日付け
の米国特許出願第０８／０７６，３２６号、現在は１９
９５年４月１８日発行の米国特許第５，４７０，７５５
号；ツカラム Ｋ．ハットワール、ヤンシェン・チャ
ン、アンソニー Ｃ．パルンボおよびチャールズＦ．ブ
ルッカーによる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎｇ Ｍｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月
１４日付けの米国特許出願第０８／０７６，６０４号；
ツカラムＫ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンに
よる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ
Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９４年３月１１日付け
の米国特許出願第０８／２０９，９３３号；ツカラム
Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンによる「多
層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍａｇ
ｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉ
ａ）」という表題の１９９４年１０月３日付けの米国特
許出願第０８／３１６，７４３号；およびヤンシェン・
チャン、Ｇ．ファルジア、およびツカラム Ｋ．ハット
ワールによって、ここに同時出願されている「高性能Ｃ
Ｏ／ＰＴディスクの形成方法（Ｆｏｒｍｉｎｇ ａ Ｈ
ｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｃｏ／Ｐｔ Ｄｉｓ
ｋ）」という表題の米国特許出願第６０／００２，７９
８号に関連している。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明はディスクの記憶容量
を増やすための多重データレベルを備えている磁気光学
的ディスクに関するものである。より詳細には、本発明
は媒体の構造および安定性が改善されている多層のＣｏ
／Ｐｔを備えている磁気光学的ディスクに関するもので
ある。
を増やすための多重データレベルを備えている磁気光学
的ディスクに関するものである。より詳細には、本発明
は媒体の構造および安定性が改善されている多層のＣｏ
／Ｐｔを備えている磁気光学的ディスクに関するもので
ある。
【０００３】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】多
重データレベルの光ディスクはディスクの容量を増やす
ために使われる（例えば、ルビン他によるＳＰＩＥｖｏ
ｌ．２３３８（１９９４）２４７；ホルスター他の米国
特許第４，４５０，５５３号（１９８４）；ローゼン他
の米国特許第５，２０２，８７５号；ベスト他の米国特
許第５，２５５，２６２号；ベスト他の米国特許第５，
３８１，４０１号を参照されたい）。データはフォーカ
ス・レンズの焦点位置を変えることによって、異なる記
録レベルからのレーザ・ビームによって選択的にアクセ
スされる。この目的のために使われる記憶媒体は普通は
染料等の非金属光透過材料およびＧｅＴｅベースの位相
変化材料（米国特許第５，３８１，４０１号）である。
稀土類の遷移金属合金（ＲＥ−ＴＭ）の薄膜もこの目的
とのための磁気光学的記憶媒体として推奨される。しか
し、ＲＥ−ＴＭベースの合金の薄膜を使って多重レベル
のディスク構造を作ることは困難である。第１にそれら
は金属であり、本質的に吸収が大きい。第２に、これら
の材料は腐食性が大きく、酸化しやすい。環境的な安定
性に対してこれらの材料を保護するために、厚さが８０
ｎｍより厚いＡｌＮまたはＳｉＮの誘電層が使われる。
これらの膜をより薄くして膜を通る光の透過率を増加さ
せることができるが、そのような薄いＲＥ−ＴＭベース
の媒体の長期の安定性は大きな問題である。また、その
ような薄い膜の場合、ＲＥ−ＴＭベースの磁気光学的膜
のカー回転および飽和保磁力は大幅に減少する。従っ
て、ＲＥ−ＴＭベースの磁気光学的媒体を使って高性能
な多重ディスク構造を作ることは困難である。
重データレベルの光ディスクはディスクの容量を増やす
ために使われる（例えば、ルビン他によるＳＰＩＥｖｏ
ｌ．２３３８（１９９４）２４７；ホルスター他の米国
特許第４，４５０，５５３号（１９８４）；ローゼン他
の米国特許第５，２０２，８７５号；ベスト他の米国特
許第５，２５５，２６２号；ベスト他の米国特許第５，
３８１，４０１号を参照されたい）。データはフォーカ
ス・レンズの焦点位置を変えることによって、異なる記
録レベルからのレーザ・ビームによって選択的にアクセ
スされる。この目的のために使われる記憶媒体は普通は
染料等の非金属光透過材料およびＧｅＴｅベースの位相
変化材料（米国特許第５，３８１，４０１号）である。
稀土類の遷移金属合金（ＲＥ−ＴＭ）の薄膜もこの目的
とのための磁気光学的記憶媒体として推奨される。しか
し、ＲＥ−ＴＭベースの合金の薄膜を使って多重レベル
のディスク構造を作ることは困難である。第１にそれら
は金属であり、本質的に吸収が大きい。第２に、これら
の材料は腐食性が大きく、酸化しやすい。環境的な安定
性に対してこれらの材料を保護するために、厚さが８０
ｎｍより厚いＡｌＮまたはＳｉＮの誘電層が使われる。
これらの膜をより薄くして膜を通る光の透過率を増加さ
せることができるが、そのような薄いＲＥ−ＴＭベース
の媒体の長期の安定性は大きな問題である。また、その
ような薄い膜の場合、ＲＥ−ＴＭベースの磁気光学的膜
のカー回転および飽和保磁力は大幅に減少する。従っ
て、ＲＥ−ＴＭベースの磁気光学的媒体を使って高性能
な多重ディスク構造を作ることは困難である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、飽和保
磁力が大きく、カー・ヒステリシス・ループの角型特性
が良好であるＣｏ／Ｐｔの超格子を使った、多重レベル
のディスク構造を有する磁気光学的ディスクを作ること
である。
磁力が大きく、カー・ヒステリシス・ループの角型特性
が良好であるＣｏ／Ｐｔの超格子を使った、多重レベル
のディスク構造を有する磁気光学的ディスクを作ること
である。
【０００５】本発明のさらにもう１つの目的は、多層の
Ｃｏ／Ｐｔを備えていて改善された媒体構造を提供する
が、媒体のノイズが低く、キャリヤ／ノイズ比が高く、
製造のスループットが改善されているような、改善され
た媒体構造を提供することである。
Ｃｏ／Ｐｔを備えていて改善された媒体構造を提供する
が、媒体のノイズが低く、キャリヤ／ノイズ比が高く、
製造のスループットが改善されているような、改善され
た媒体構造を提供することである。
【０００６】Ｃｏ／Ｐｔの多層は垂直方向の磁気の異方
性を持ち、短波長におけるカー回転が大きく、環境に対
する安定性が極めてすぐれている。我々は５ｍＴ Ｋｒ
未満の低いスパッタリング圧力でデポジットされたと
き、シード層によってＣｏ／Ｐｔ多層の飽和保磁力、矩
形度および垂直の異方性が高められることを、予期せず
に発見した。そのような性能向上は、インジウム‐錫酸
化物から形成されているシード層の厚さを１６ｎｍ以下
に減らすとさらに大きくなる。
性を持ち、短波長におけるカー回転が大きく、環境に対
する安定性が極めてすぐれている。我々は５ｍＴ Ｋｒ
未満の低いスパッタリング圧力でデポジットされたと
き、シード層によってＣｏ／Ｐｔ多層の飽和保磁力、矩
形度および垂直の異方性が高められることを、予期せず
に発見した。そのような性能向上は、インジウム‐錫酸
化物から形成されているシード層の厚さを１６ｎｍ以下
に減らすとさらに大きくなる。
【０００７】上記の目的は、 ａ）多重データ記憶レベルと、 ｂ）透明な誘電性シード層と、前記シード層の上にＣｏ
／Ｐｔの交番層を含んでいる多層構造の部分的に透過的
な記録層とから成る各記憶レベルとを含む光学的データ
記憶媒体によって達成される。
／Ｐｔの交番層を含んでいる多層構造の部分的に透過的
な記録層とから成る各記憶レベルとを含む光学的データ
記憶媒体によって達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、Ｃｏ／Ｐｔの層を交互に
デポジットすることによって作られた多層の磁気光学的
ディスク構造を示している；図２は、本発明に従って作
られた多重レベル磁気光学的ディスク構造を示してい
る；図３は、Ｃｏ／Ｐｔ記録層の厚さの関数としての、
Ｃｏ／Ｐｔ膜の光透過特性のプロットである；図４
（ａ）および（ｂ）は、それぞれ厚さが１５ｎｍおよび
５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層膜に対するカー・ヒステリシス
・ループを示している。それらは４０ｍＴＫｒのスパッ
タリング圧力でデポジットされ、インジウム‐錫酸化物
のシード層は厚さがあ３．５ｎｍであり、１ｍＴでデポ
ジットされたものが選択されている；図５は、１００ｍ
Ｔ Ｋｒのスパッタリング圧力でデポジットされた５ｎ
ｍのＣｏ／Ｐｔ膜に対するカー・ヒステリシス・ループ
を示しており、その中でインジウム‐錫酸化物のシード
層は厚さが３．５ｎｍとなるように選択され、１ｍＴで
デポジットされたものである；図６は、Ｃｏ／Ｐｔの厚
さの関数としての飽和保磁力のプロットを示しており、
その中でＣｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力はクリプトン
・ガスの４０ｍＴおよび１００ｍＴであった。そしてイ
ンジウム‐錫酸化物のシード層はその厚さが３．５ｎｍ
となるように選択され、１ｍＴでデポジットされたもの
である；図７は、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の関
数としての、飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ル
ープの矩形度を示しているプロットであり、その中でＣ
ｏ／Ｐｔの厚さは５ｎｍであり、そしてインジウム‐錫
酸化物のシード層は厚さが３．５ｎｍであるように選択
され、そして１ｍＴでデポジットされたものである；図
８は、Ｃｏ／Ｐｔの多層の厚さの関数としてのキャリヤ
／ノイズ比を示しており、その中でＣｏ／Ｐｔ膜は１０
０ｍＴ Ｋｒの圧力でデポジットされたものであり、イ
ンジウム‐錫酸化物のシード層はその厚さが３．５ｎｍ
となるように選択され、そして１ｍＴでデポジットされ
たものである；図９（ａ）および（ｂ）は、２レベルの
ディスク構造から得られた第１レベルのデータと第２レ
ベルのデータに対する記録性能を示している。
デポジットすることによって作られた多層の磁気光学的
ディスク構造を示している；図２は、本発明に従って作
られた多重レベル磁気光学的ディスク構造を示してい
る；図３は、Ｃｏ／Ｐｔ記録層の厚さの関数としての、
Ｃｏ／Ｐｔ膜の光透過特性のプロットである；図４
（ａ）および（ｂ）は、それぞれ厚さが１５ｎｍおよび
５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層膜に対するカー・ヒステリシス
・ループを示している。それらは４０ｍＴＫｒのスパッ
タリング圧力でデポジットされ、インジウム‐錫酸化物
のシード層は厚さがあ３．５ｎｍであり、１ｍＴでデポ
ジットされたものが選択されている；図５は、１００ｍ
Ｔ Ｋｒのスパッタリング圧力でデポジットされた５ｎ
ｍのＣｏ／Ｐｔ膜に対するカー・ヒステリシス・ループ
を示しており、その中でインジウム‐錫酸化物のシード
層は厚さが３．５ｎｍとなるように選択され、１ｍＴで
デポジットされたものである；図６は、Ｃｏ／Ｐｔの厚
さの関数としての飽和保磁力のプロットを示しており、
その中でＣｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力はクリプトン
・ガスの４０ｍＴおよび１００ｍＴであった。そしてイ
ンジウム‐錫酸化物のシード層はその厚さが３．５ｎｍ
となるように選択され、１ｍＴでデポジットされたもの
である；図７は、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の関
数としての、飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ル
ープの矩形度を示しているプロットであり、その中でＣ
ｏ／Ｐｔの厚さは５ｎｍであり、そしてインジウム‐錫
酸化物のシード層は厚さが３．５ｎｍであるように選択
され、そして１ｍＴでデポジットされたものである；図
８は、Ｃｏ／Ｐｔの多層の厚さの関数としてのキャリヤ
／ノイズ比を示しており、その中でＣｏ／Ｐｔ膜は１０
０ｍＴ Ｋｒの圧力でデポジットされたものであり、イ
ンジウム‐錫酸化物のシード層はその厚さが３．５ｎｍ
となるように選択され、そして１ｍＴでデポジットされ
たものである；図９（ａ）および（ｂ）は、２レベルの
ディスク構造から得られた第１レベルのデータと第２レ
ベルのデータに対する記録性能を示している。
【０００９】先ず最初に図１を見ると、この図はポリカ
ーボネートから作られている基板１０およびインジウム
‐錫酸化物から作られているシード層１１を示してい
る。そこにはＰｔ層１２およびＣｏ層１４の交互に並ん
だ２つの層を持っている多層記録エレメント１５が示さ
れている。一般に、基板は説明されているようにレーザ
または他の光源からの光が基板を通って記録用多層構造
を照明する時に透過的である。基板上にはＰｔ層１２と
Ｃｏ層１４の交互に並んだ層から形成されている多層構
造が提供されている。基板とその多層記録エレメントの
間にはシード層１１があり、それについては後で説明さ
れる。紫外線硬化型ラッカーの保護膜１８が多層構造の
上部に設けられることが好ましい。そのようなラッカー
の一例はＤａｉｎｉｐｐｏｎ Ｉｎｋ ａｎｄ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手できる紫外線硬化型の
アクリル樹脂「Ｄｙｅｃｕｒｅ Ｃｌｅａｒ ＳＤ−１
７」などがある。そのラッカーは、通常スピン・コーテ
ィング技法によって塗布され、紫外線で硬化させられ
る。この構造は特に磁気光学的ディスク、コンパクト・
ディスク（ＣＤ）およびフォト・コンパクト・ディスク
（フォトＣＤ）で使うのに適している。
ーボネートから作られている基板１０およびインジウム
‐錫酸化物から作られているシード層１１を示してい
る。そこにはＰｔ層１２およびＣｏ層１４の交互に並ん
だ２つの層を持っている多層記録エレメント１５が示さ
れている。一般に、基板は説明されているようにレーザ
または他の光源からの光が基板を通って記録用多層構造
を照明する時に透過的である。基板上にはＰｔ層１２と
Ｃｏ層１４の交互に並んだ層から形成されている多層構
造が提供されている。基板とその多層記録エレメントの
間にはシード層１１があり、それについては後で説明さ
れる。紫外線硬化型ラッカーの保護膜１８が多層構造の
上部に設けられることが好ましい。そのようなラッカー
の一例はＤａｉｎｉｐｐｏｎ Ｉｎｋ ａｎｄ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手できる紫外線硬化型の
アクリル樹脂「Ｄｙｅｃｕｒｅ Ｃｌｅａｒ ＳＤ−１
７」などがある。そのラッカーは、通常スピン・コーテ
ィング技法によって塗布され、紫外線で硬化させられ
る。この構造は特に磁気光学的ディスク、コンパクト・
ディスク（ＣＤ）およびフォト・コンパクト・ディスク
（フォトＣＤ）で使うのに適している。
【００１０】このタイプの構造によって、入射レーザ光
は基板の特定の部分を照明し、基板を通過して、カー回
転を変化させる多層の構造と相互干渉する。よく知られ
ているように、読出しの間にカー回転をモニタしてビッ
トが記録されている場所を示すことができる。
は基板の特定の部分を照明し、基板を通過して、カー回
転を変化させる多層の構造と相互干渉する。よく知られ
ているように、読出しの間にカー回転をモニタしてビッ
トが記録されている場所を示すことができる。
【００１１】インジウム‐錫酸化物から作られているシ
ード層は熱圧縮法によって作られた可変の量のＩｎ2 Ｏ
3 およびＳｎＯ2 を持っている均質なターゲットが直流
スパッタリングによって作られたものである。スパッタ
リングのためにＫｒガスが使われたが、Ａｒ、Ｘｅまた
はそれらの混合物で酸素を含むもの、あるいは含まない
ものなどの他のガスを使うこともできる。スパッタリン
グの圧力およびデポジション・レートはそれぞれ１〜１
００ｍＴ Ｋｒおよび０．２〜１．２ｍｍ／秒であっ
た。
ード層は熱圧縮法によって作られた可変の量のＩｎ2 Ｏ
3 およびＳｎＯ2 を持っている均質なターゲットが直流
スパッタリングによって作られたものである。スパッタ
リングのためにＫｒガスが使われたが、Ａｒ、Ｘｅまた
はそれらの混合物で酸素を含むもの、あるいは含まない
ものなどの他のガスを使うこともできる。スパッタリン
グの圧力およびデポジション・レートはそれぞれ１〜１
００ｍＴ Ｋｒおよび０．２〜１．２ｍｍ／秒であっ
た。
【００１２】Ｃｏ／Ｐｔの多層はＣｏおよびＰｔのター
ゲットの直流スパッタリングによって作られた。その構
造をデポジットする前のベース圧力は約１×１０-5 −
１×１０-6 Ｔｏｒｒであり、デポジション圧力は約５
〜１００ｍＴであった。ＣｏとＰｔが交互に並んだ層は
ＣｏおよびＰｔのターゲットの上で２０〜２５０回転／
分での基板のスピン回転でデポジットされた。各層の厚
さはデポジション・レートおよび基板の回転スピードを
制御することによって制御された。ＣｏおよびＰｔの厚
さはそれぞれ０．２〜０．８および０．４〜１．８ｎｍ
であり、二重層の数は２〜２５であった。デポジション
はＫｒガスを使って行なわれたが、Ａｒ、Ｘｅまたはそ
れらの混合ガスなどの他のガスを使うこともできる。
ゲットの直流スパッタリングによって作られた。その構
造をデポジットする前のベース圧力は約１×１０-5 −
１×１０-6 Ｔｏｒｒであり、デポジション圧力は約５
〜１００ｍＴであった。ＣｏとＰｔが交互に並んだ層は
ＣｏおよびＰｔのターゲットの上で２０〜２５０回転／
分での基板のスピン回転でデポジットされた。各層の厚
さはデポジション・レートおよび基板の回転スピードを
制御することによって制御された。ＣｏおよびＰｔの厚
さはそれぞれ０．２〜０．８および０．４〜１．８ｎｍ
であり、二重層の数は２〜２５であった。デポジション
はＫｒガスを使って行なわれたが、Ａｒ、Ｘｅまたはそ
れらの混合ガスなどの他のガスを使うこともできる。
【００１３】ガラスおよびポリカーボネート（ＰＣ）の
基板の小さな試験試料の上にシード層無し、および有り
のＣｏ／Ｐｔ多層をデポジットすることによって、いく
つかの試験試料が用意された。また、構造は直径５．２
５インチのガラスおよびＰＣの基板上にデポジットされ
た。
基板の小さな試験試料の上にシード層無し、および有り
のＣｏ／Ｐｔ多層をデポジットすることによって、いく
つかの試験試料が用意された。また、構造は直径５．２
５インチのガラスおよびＰＣの基板上にデポジットされ
た。
【００１４】垂直方向のカー・ヒステリシス・ループが
７８０ｎｍの波長において測定され、その構造の飽和保
磁力（Ｈｃ）およびカー回転（Ｏｋ）が得られた。磁気
光学的構造の動的測定が次の条件の下に行なわれた。
６．３ｍ／秒のディスク速度、３．８７ＭＨｚの搬送周
波数、９０ｎｓの書込みレーザ・パルス、３０ｋＨｚの
バンド幅、３００Ｏｅのバイアス磁界、０〜１０ｍＷの
書込み電力および１．５〜２．０ｍＷの読出し電力。
７８０ｎｍの波長において測定され、その構造の飽和保
磁力（Ｈｃ）およびカー回転（Ｏｋ）が得られた。磁気
光学的構造の動的測定が次の条件の下に行なわれた。
６．３ｍ／秒のディスク速度、３．８７ＭＨｚの搬送周
波数、９０ｎｓの書込みレーザ・パルス、３０ｋＨｚの
バンド幅、３００Ｏｅのバイアス磁界、０〜１０ｍＷの
書込み電力および１．５〜２．０ｍＷの読出し電力。
【００１５】多重レベル方式に対する主な要求条件は、
部分的に透過的であってスペーサ領域によって分離され
ている、明確なデータレベルを備えていることである。
ここで図２には、本発明による光学的データ記憶媒体が
示されている。その媒体は３つのデータレベルを含んで
いるが、それより多い数のレベルも本発明に従って使え
ることは理解される。各データレベルはシード層１１、
多層Ｃｏ／Ｐｔ １５、および紫外線硬化型のラッカー
層１８を含んでいる。最上部の紫外線硬化型ラッカー層
１８はもちろん保護膜である。これらの特定のエレメン
トの構造をもっと完全に説明するために、図１での説明
を参照する必要がある。全体の構造は基板１０の上にマ
ウントされている。
部分的に透過的であってスペーサ領域によって分離され
ている、明確なデータレベルを備えていることである。
ここで図２には、本発明による光学的データ記憶媒体が
示されている。その媒体は３つのデータレベルを含んで
いるが、それより多い数のレベルも本発明に従って使え
ることは理解される。各データレベルはシード層１１、
多層Ｃｏ／Ｐｔ １５、および紫外線硬化型のラッカー
層１８を含んでいる。最上部の紫外線硬化型ラッカー層
１８はもちろん保護膜である。これらの特定のエレメン
トの構造をもっと完全に説明するために、図１での説明
を参照する必要がある。全体の構造は基板１０の上にマ
ウントされている。
【００１６】第１のデータレベルに対して、その光の透
過率は最大でなければならない（少なくとも４０％以
上）。これによってディスク構造の片側に配置されたレ
ーザ照射は第１の層およびそれに続く層を貫通し、過剰
なレーザ・パワーを使うことなしに記録または読出しを
行なうことができる。高性能のＣｏ／Ｐｔ超格子ディス
クの場合、望ましい厚さは１５ｎｍ以上である。また、
スパッタによるデポジションもＣｏ／Ｐｔ超格子磁気光
学的媒体を高いスループットで製造するために使える方
法であり、スパッタリングの圧力は１５ｍＴ未満に保た
れている。Ｃｏ／Ｐｔ多層が１５ｍＴ以上のスパッタリ
ング圧力でデポジットされるとき、そのカー・ヒステリ
シス・ループの矩形度および異方性エネルギーは非常に
小さいことが以前に観察された。（例えば、カルシア他
のＪ．Ｍａｇ．Ｍａｇｎ，Ｍａｔ．１２１（１９９３）
４５２；ハシモト他のＪ．Ｍａｇ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔ．
８８（１９９０）２１１；ゼファー他のＪ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．７０（１９９１）２２６４、オチアイ他のＩ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＭＡＧ ２５（１９８９）３７５
５およびオチアイ他のヨーロッパ特許出願第０３０４８
７３号（１９８８）を参照されたい）これらの多層構造
は結晶品質が悪く、その光学的ノイズは許容できないほ
ど大きい。従って、満足できる性能のＣｏ／Ｐｔをデポ
ジットするために使うことができるスパッタリング圧力
は、１５ｍＴ未満に制限されていた（カルシアによる国
際特許出願ＷＯ／９１／０８５７８「磁気光学的記録の
ための多層構造をスパッタするためのプロセス」、１９
９１参照）。また、厚さが１５ｎｍより厚く、低いスパ
ッタリング圧力を使うなどの従来のスパッタ・デポジシ
ョン条件を使ってデポジットされたＣｏ／Ｐｔ媒体は、
光に対して不透明である。レーザのエネルギーは記録層
の中にすべて吸収され、それ以降の層を通過することは
できない。従って、従来の方法で作られたこのような厚
さのＣｏ／Ｐｔ超格子は多重レベルの記録方式のために
使うことができない。
過率は最大でなければならない（少なくとも４０％以
上）。これによってディスク構造の片側に配置されたレ
ーザ照射は第１の層およびそれに続く層を貫通し、過剰
なレーザ・パワーを使うことなしに記録または読出しを
行なうことができる。高性能のＣｏ／Ｐｔ超格子ディス
クの場合、望ましい厚さは１５ｎｍ以上である。また、
スパッタによるデポジションもＣｏ／Ｐｔ超格子磁気光
学的媒体を高いスループットで製造するために使える方
法であり、スパッタリングの圧力は１５ｍＴ未満に保た
れている。Ｃｏ／Ｐｔ多層が１５ｍＴ以上のスパッタリ
ング圧力でデポジットされるとき、そのカー・ヒステリ
シス・ループの矩形度および異方性エネルギーは非常に
小さいことが以前に観察された。（例えば、カルシア他
のＪ．Ｍａｇ．Ｍａｇｎ，Ｍａｔ．１２１（１９９３）
４５２；ハシモト他のＪ．Ｍａｇ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔ．
８８（１９９０）２１１；ゼファー他のＪ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．７０（１９９１）２２６４、オチアイ他のＩ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＭＡＧ ２５（１９８９）３７５
５およびオチアイ他のヨーロッパ特許出願第０３０４８
７３号（１９８８）を参照されたい）これらの多層構造
は結晶品質が悪く、その光学的ノイズは許容できないほ
ど大きい。従って、満足できる性能のＣｏ／Ｐｔをデポ
ジットするために使うことができるスパッタリング圧力
は、１５ｍＴ未満に制限されていた（カルシアによる国
際特許出願ＷＯ／９１／０８５７８「磁気光学的記録の
ための多層構造をスパッタするためのプロセス」、１９
９１参照）。また、厚さが１５ｎｍより厚く、低いスパ
ッタリング圧力を使うなどの従来のスパッタ・デポジシ
ョン条件を使ってデポジットされたＣｏ／Ｐｔ媒体は、
光に対して不透明である。レーザのエネルギーは記録層
の中にすべて吸収され、それ以降の層を通過することは
できない。従って、従来の方法で作られたこのような厚
さのＣｏ／Ｐｔ超格子は多重レベルの記録方式のために
使うことができない。
【００１７】多層を通る光の伝達はＣｏ／Ｐｔ多層の厚
さを減らすことによって増加させることができる。図３
はガラスの基板上にデポジットされたＣｏ／Ｐｔ多層の
各種の厚さに対する光の伝達を示している。Ｃｏ／Ｐｔ
超格子に対するスパッタリング圧力はクリプトンの４０
ｍＴおよび１００ｍＴであった。ＣｏおよびＰｔの部分
層の厚さはそれぞれ０．２５ｎｍおよび０．７ｎｍであ
った。二重層の数は近似的な膜厚を与えるように調整さ
れた。すべての実験において、１ｍＴ Ｋｒでデポジッ
トされた３．５ｎｍの透明なインジウム‐錫酸化膜がＣ
ｏ／Ｐｔをデポジットするためのシード層として使われ
た。
さを減らすことによって増加させることができる。図３
はガラスの基板上にデポジットされたＣｏ／Ｐｔ多層の
各種の厚さに対する光の伝達を示している。Ｃｏ／Ｐｔ
超格子に対するスパッタリング圧力はクリプトンの４０
ｍＴおよび１００ｍＴであった。ＣｏおよびＰｔの部分
層の厚さはそれぞれ０．２５ｎｍおよび０．７ｎｍであ
った。二重層の数は近似的な膜厚を与えるように調整さ
れた。すべての実験において、１ｍＴ Ｋｒでデポジッ
トされた３．５ｎｍの透明なインジウム‐錫酸化膜がＣ
ｏ／Ｐｔをデポジットするためのシード層として使われ
た。
【００１８】図３に示されているように、その膜を通る
光の伝達はＣｏ／Ｐｔ膜の厚さが減少すると共に増加す
る。また、これより高い圧力でデポジットされたＣｏ／
Ｐｔ多層は、その多層を通る光の伝達率が高い。しか
し、その膜の飽和保磁力は多層の厚さを減らすと逆の効
果を示す。それは膜圧が減少すると共に急速に減少す
る。例えば、図４（ａ）および（ｂ）は４０ｍＴ Ｋｒ
でデポジットされた１５ｎｍおよび５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ
膜のカー・ヒステリシス・ループを示している。飽和保
磁力は厚さ１５ｎｍの膜の場合の１４４６エルステッド
から、厚さ５ｎｍの膜の場合の低い値２５６エルステッ
ドへ大幅に減少したことが示されている。そのような飽
和保磁力の低い膜は磁気光学的記録のためには使うこと
はできない。先ず第１に、バイアスの磁界が低い場合で
あっても、この膜上に書き込むことは困難である。第２
に、その記録されたデータは非常に不安定である。
光の伝達はＣｏ／Ｐｔ膜の厚さが減少すると共に増加す
る。また、これより高い圧力でデポジットされたＣｏ／
Ｐｔ多層は、その多層を通る光の伝達率が高い。しか
し、その膜の飽和保磁力は多層の厚さを減らすと逆の効
果を示す。それは膜圧が減少すると共に急速に減少す
る。例えば、図４（ａ）および（ｂ）は４０ｍＴ Ｋｒ
でデポジットされた１５ｎｍおよび５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ
膜のカー・ヒステリシス・ループを示している。飽和保
磁力は厚さ１５ｎｍの膜の場合の１４４６エルステッド
から、厚さ５ｎｍの膜の場合の低い値２５６エルステッ
ドへ大幅に減少したことが示されている。そのような飽
和保磁力の低い膜は磁気光学的記録のためには使うこと
はできない。先ず第１に、バイアスの磁界が低い場合で
あっても、この膜上に書き込むことは困難である。第２
に、その記録されたデータは非常に不安定である。
【００１９】Ｃｏ／Ｐｔ媒体が異常に高いスパッタリン
グ圧力でデポジットされた場合、非常に薄いＣｏ／Ｐｔ
多層を記録層として使えることを偶然に発見した。図５
は１００ｍＴ Ｋｒでデポジットされた５ｎｍのＣｏ／
Ｐｔ多層のカー・ヒステリシス・ループを示している。
この多層の飽和保磁力は１２７５Ｏｅであり、カー・ヒ
ステリシス・ループの矩形度が非常に高かった。
グ圧力でデポジットされた場合、非常に薄いＣｏ／Ｐｔ
多層を記録層として使えることを偶然に発見した。図５
は１００ｍＴ Ｋｒでデポジットされた５ｎｍのＣｏ／
Ｐｔ多層のカー・ヒステリシス・ループを示している。
この多層の飽和保磁力は１２７５Ｏｅであり、カー・ヒ
ステリシス・ループの矩形度が非常に高かった。
【００２０】図６は厚さ５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層膜に対
する飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの矩
形度を示している。飽和保磁力は上記のようにスパッタ
リング圧力と共に増加する。同時に、カー・ヒステリシ
ス・ループの矩形度は、３０ｍＴを超えるスパッタリン
グ圧力でＣｏ／Ｐｔ多層がデポジットされた場合でも高
いままである。
する飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの矩
形度を示している。飽和保磁力は上記のようにスパッタ
リング圧力と共に増加する。同時に、カー・ヒステリシ
ス・ループの矩形度は、３０ｍＴを超えるスパッタリン
グ圧力でＣｏ／Ｐｔ多層がデポジットされた場合でも高
いままである。
【００２１】図７はＣｏ／Ｐｔ多層の厚さの関数として
のカー・ヒステリシス・ループの飽和保磁力を示してい
る。Ｃｏ／Ｐｔに対するスパッタリング圧力は４０ｍＴ
および１００ｍＴ Ｋｒであった。このデータから分か
るように、厚さが３ｎｍのＣｏ／Ｐｔ膜でも、Ｃｏ／Ｐ
ｔのスパッタリング圧力が１００ｍＴのとき、良好な飽
和保磁力を示すことが分かる。従って、スパッタリング
圧力が１００ｍＴなどの異常に高い値であったときに、
透過率が高く、しかも飽和保磁力が高い非常に薄いＣｏ
／Ｐｔ媒体を作ることができた。
のカー・ヒステリシス・ループの飽和保磁力を示してい
る。Ｃｏ／Ｐｔに対するスパッタリング圧力は４０ｍＴ
および１００ｍＴ Ｋｒであった。このデータから分か
るように、厚さが３ｎｍのＣｏ／Ｐｔ膜でも、Ｃｏ／Ｐ
ｔのスパッタリング圧力が１００ｍＴのとき、良好な飽
和保磁力を示すことが分かる。従って、スパッタリング
圧力が１００ｍＴなどの異常に高い値であったときに、
透過率が高く、しかも飽和保磁力が高い非常に薄いＣｏ
／Ｐｔ媒体を作ることができた。
【００２２】１００ｍＴ Ｋｒの圧力でスパッタされた
各種の厚さのそのような膜がガラスの基板上にデポジッ
トされ、それらの動的性能が測定された。図８はＣｏ／
Ｐｔ膜の厚さの関数としてのキャリヤ／ノイズ比（ＣＮ
Ｒ）を示している。５ｎｍのＣｏ／Ｐｔなどの非常い薄
い構造から４４ｄＢのＣＮＲが得られた。
各種の厚さのそのような膜がガラスの基板上にデポジッ
トされ、それらの動的性能が測定された。図８はＣｏ／
Ｐｔ膜の厚さの関数としてのキャリヤ／ノイズ比（ＣＮ
Ｒ）を示している。５ｎｍのＣｏ／Ｐｔなどの非常い薄
い構造から４４ｄＢのＣＮＲが得られた。
【００２３】図２に示されているような２レベルのディ
スク構造が次のように作成された。まず最初に、直径
５．２５インチの、１ｍＴ Ｋｒでデポジットされた厚
さ３．５ｎｍのインジウム‐錫酸化物のシード層上に、
１００ｍＴ Ｋｒのスパッタリング圧力でＣｏ／Ｐｔの
厚さ５ｎｍの交番層をスパッタすることによって、デー
タレベル１の記録層がデポジットされた。スペーサとし
て働く２０μｍのラッカーがスピン・コーティングによ
ってＣｏ／Ｐｔ多層上にオーバコートされた。次に、１
ｍＴ Ｋｒでデポジットされた３．５ｎｍのインジウム
‐錫酸化物のシード層の次に１００ｍＴ Ｋｒでデポジ
ットされた２０ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層から構成されてい
る、データレベル２の記録層がラッカー層の上にデポジ
ットされた。最後に、２０ｕｍの第２のラッカー層が保
護膜としてスピン・コートされた。このディスクは波長
が７８０ｎｍのレーザ・ビームを先ず最初に記録レベル
１上にフォーカスし、次にレベル２上にフォーカスする
ことによってテストされた。実験の条件は次の通りであ
った。２ｍＷの読出し電力、３００Ｏｅのバイアス磁
界、５−１０ｍＷの書込み電力、３０ｋＨｚのバンド
幅、１．９ＭＨｚのキャリヤ、０．７μｍのマーク・サ
イズ。図９（ａ）および（ｂ）はデータレベル１および
データレベル２から得られた記録性能をそれぞれ示して
いる。４３ｄＢおよび４１ｄＢのＣＮＲが、レベル１お
よびレベル２からそれぞれ得られた。これはＣｏ／Ｐｔ
超格子を使った２レベルの記録方式を示している。この
性能はディスク構造、デポジションの条件およびテスト
手順を最適化することによって、さらに改善される。
スク構造が次のように作成された。まず最初に、直径
５．２５インチの、１ｍＴ Ｋｒでデポジットされた厚
さ３．５ｎｍのインジウム‐錫酸化物のシード層上に、
１００ｍＴ Ｋｒのスパッタリング圧力でＣｏ／Ｐｔの
厚さ５ｎｍの交番層をスパッタすることによって、デー
タレベル１の記録層がデポジットされた。スペーサとし
て働く２０μｍのラッカーがスピン・コーティングによ
ってＣｏ／Ｐｔ多層上にオーバコートされた。次に、１
ｍＴ Ｋｒでデポジットされた３．５ｎｍのインジウム
‐錫酸化物のシード層の次に１００ｍＴ Ｋｒでデポジ
ットされた２０ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層から構成されてい
る、データレベル２の記録層がラッカー層の上にデポジ
ットされた。最後に、２０ｕｍの第２のラッカー層が保
護膜としてスピン・コートされた。このディスクは波長
が７８０ｎｍのレーザ・ビームを先ず最初に記録レベル
１上にフォーカスし、次にレベル２上にフォーカスする
ことによってテストされた。実験の条件は次の通りであ
った。２ｍＷの読出し電力、３００Ｏｅのバイアス磁
界、５−１０ｍＷの書込み電力、３０ｋＨｚのバンド
幅、１．９ＭＨｚのキャリヤ、０．７μｍのマーク・サ
イズ。図９（ａ）および（ｂ）はデータレベル１および
データレベル２から得られた記録性能をそれぞれ示して
いる。４３ｄＢおよび４１ｄＢのＣＮＲが、レベル１お
よびレベル２からそれぞれ得られた。これはＣｏ／Ｐｔ
超格子を使った２レベルの記録方式を示している。この
性能はディスク構造、デポジションの条件およびテスト
手順を最適化することによって、さらに改善される。
【００２４】上記の例において、結果はインジウム‐錫
酸化物のシード層を使って説明された。我々はＺｎＯ，
Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ，およびＳｉＣなどの他のシード層も使
った。そして厚さ１６ｎｍ未満のシード層が５ｍＴ以下
のスパッタリング圧力でデポジットされ、薄いＣｏ／Ｐ
ｔ多層が１５ｍＴより大きいスパッタリング圧力でデポ
ジットされたときに、上記と同様な好ましい効果が見ら
れた。
酸化物のシード層を使って説明された。我々はＺｎＯ，
Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ，およびＳｉＣなどの他のシード層も使
った。そして厚さ１６ｎｍ未満のシード層が５ｍＴ以下
のスパッタリング圧力でデポジットされ、薄いＣｏ／Ｐ
ｔ多層が１５ｍＴより大きいスパッタリング圧力でデポ
ジットされたときに、上記と同様な好ましい効果が見ら
れた。
【００２５】本発明は或る種の好適な実施形態を特に参
照して詳細に説明されてきたが、本発明の精神および範
囲内で各種の変形および修正が可能であることが理解さ
れる。
照して詳細に説明されてきたが、本発明の精神および範
囲内で各種の変形および修正が可能であることが理解さ
れる。
【００２６】
【発明の効果】本発明による磁気光学的媒体の利点は次
の通りである。 １）結果の磁気光学的媒体は飽和保磁力が大きく、カー
・ヒステリシス・ループの矩形度が高く、垂直方向の異
方性が高く、記録ノイズが低く、そしてキャリヤ／ノイ
ズ比が高い。 ２）その方法によって記録媒体用の非常に薄い層のＣｏ
／Ｐｔを使うことができ、しかもその層は飽和保磁力が
高く、また、カー・ヒステリシス・ループの矩形度およ
び層を通る放射伝送も良好である。 ３）Ｃｏ／Ｐｔ超格子およびインジウム−錫酸化物のシ
ード層の厚さが薄いので、デポジション時間が短くて済
み、従って、製造時の生産のスループットが向上する。 ４）各記録レベルに対して十分な光の透過率、反射率お
よび吸収率を持っている部分的に透過型の超薄膜記録層
によって、１９９５年１月１０日発行の米国特許第５，
３８１，４０１号の中で示されているような高性能多重
レベルのディスク構造を作ることができる。
の通りである。 １）結果の磁気光学的媒体は飽和保磁力が大きく、カー
・ヒステリシス・ループの矩形度が高く、垂直方向の異
方性が高く、記録ノイズが低く、そしてキャリヤ／ノイ
ズ比が高い。 ２）その方法によって記録媒体用の非常に薄い層のＣｏ
／Ｐｔを使うことができ、しかもその層は飽和保磁力が
高く、また、カー・ヒステリシス・ループの矩形度およ
び層を通る放射伝送も良好である。 ３）Ｃｏ／Ｐｔ超格子およびインジウム−錫酸化物のシ
ード層の厚さが薄いので、デポジション時間が短くて済
み、従って、製造時の生産のスループットが向上する。 ４）各記録レベルに対して十分な光の透過率、反射率お
よび吸収率を持っている部分的に透過型の超薄膜記録層
によって、１９９５年１月１０日発行の米国特許第５，
３８１，４０１号の中で示されているような高性能多重
レベルのディスク構造を作ることができる。
【図１】 Ｃｏ／Ｐｔの層を交互にデポジットすること
によって作られた多層の磁気光学的ディスク構造の断面
図である。
によって作られた多層の磁気光学的ディスク構造の断面
図である。
【図２】 本発明に従って作られた多重レベル磁気光学
的ディスク構造の断面図である。
的ディスク構造の断面図である。
【図３】 Ｃｏ／Ｐｔ記録層の厚さの関数としての、Ｃ
ｏ／Ｐｔ膜の光透過特性のグラフである。
ｏ／Ｐｔ膜の光透過特性のグラフである。
【図４】 （ａ）は厚さが１５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層膜
に対するカー・ヒステリシス・ループ、（ｂ）は厚さが
５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層膜に対するカー・ヒステリシス
・ループである。
に対するカー・ヒステリシス・ループ、（ｂ）は厚さが
５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ多層膜に対するカー・ヒステリシス
・ループである。
【図５】 １００ｍＴ Ｋｒのスパッタリング圧力でデ
ポジットされた５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ膜に対するカー・ヒ
ステリシス・ループである。
ポジットされた５ｎｍのＣｏ／Ｐｔ膜に対するカー・ヒ
ステリシス・ループである。
【図６】 Ｃｏ／Ｐｔの厚さの関数としての飽和保磁力
のプロットを示したグラフである。
のプロットを示したグラフである。
【図７】 Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の関数とし
ての、飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの
矩形度を示したグラフである。
ての、飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの
矩形度を示したグラフである。
【図８】 Ｃｏ／Ｐｔの多層の厚さの関数としてのキャ
リヤ／ノイズ比を示したグラフである。
リヤ／ノイズ比を示したグラフである。
【図９】 （ａ）は２レベルのディスク構造から得られ
た第１レベルのデータに対する記録性能を示したグラ
フ、（ｂ）は第２レベルのデータに対する記録性能を示
したグラフである。
た第１レベルのデータに対する記録性能を示したグラ
フ、（ｂ）は第２レベルのデータに対する記録性能を示
したグラフである。
１０ 基板 １１ シード層 １２ Ｐｔ層 １４ Ｃｏ層 １５ 多層記録エレメント １８ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トゥカラム・ケー・ハトワール アメリカ合衆国・ニューヨーク・14526・ ペンフィールド・ウッドリン・ウェイ・８
Claims (3)
- 【請求項１】 光学的データ記憶媒体であって、 ａ）多重データ記憶レベルと、 ｂ）透明な誘電性シード層と、該シード層上にＣｏ／Ｐ
ｔの交番層を含んだ多層構造の部分透過性記録層とから
成る各記憶レベルと、を備えて成る光学的データ記憶媒
体。 - 【請求項２】 前記シード層の厚さが１６ｎｍ未満であ
る請求項１に記載の光学的記憶媒体。 - 【請求項３】 シード層が（Ｉｎ2 Ｏ3）1-x（ＳｎＯ
2 ）x のグループから選択された ｘ＝０．２５−０．
７５であるような材料、ＳｉＣ、ＺｎＯおよびｙ＝０．
１５−０．７５であるような（Ｚｎ）1-y（Ｓｎ）
y（Ｏ）1+y を含んでいることを特徴とする、請求項１
に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US279795P | 1995-08-25 | 1995-08-25 | |
| US615,367 | 1996-03-14 | ||
| US08/615,367 US5612109A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Optical storage medium including multiple data levels made of Co/Pt magneto-optic recording media |
| US002,797 | 1996-03-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180280A true JPH09180280A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=26670891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8252155A Withdrawn JPH09180280A (ja) | 1995-08-25 | 1996-08-19 | Ｃｏ／ｐｔ磁気光学的記録媒体から成る多重データレベルを含む光学的記憶媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0762412A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09180280A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10636811B1 (en) * | 2018-11-02 | 2020-04-28 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor structure and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0180459B1 (en) * | 1984-10-30 | 1991-12-18 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory medium and apparatus for writing and reading information on and from the medium |
| NL8803168A (nl) * | 1988-12-24 | 1990-07-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het thermomagnetisch registreren van informatie en het optisch uitlezen van de geregistreerde informatie alsmede een registratie-element dat geschikt is voor toepassing in deze werkwijze. |
| JPH04167406A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5407755A (en) * | 1993-06-14 | 1995-04-18 | Eastman Kodak Company | Multilayer magnetooptic recording media |
| US5565266A (en) * | 1993-06-14 | 1996-10-15 | Eastman Kodak Company | Multilayer magnetooptic recording media |
| US5436072A (en) * | 1994-03-11 | 1995-07-25 | Eastman Kodak Company | Multilayer magnetooptic recording media |
-
1996
- 1996-08-10 EP EP96202255A patent/EP0762412A1/en not_active Withdrawn
- 1996-08-19 JP JP8252155A patent/JPH09180280A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0762412A1 (en) | 1997-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |