JPS63148445A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 本発明は、書き換え可能な光磁気ディスクに関し、希土
類−遷移金属のアモルファス合金よりなる光磁気ディス
クにおいて、再生時の信号品質におけるノイズ成分の低
減を図るため、ディスクを形成する溝付基板の溝部分も
しくは溝間部分の記録層を結晶化し、従来のものより、
ノイズ成分を５〜７ｄＢ低下させたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、書き換え可能な光磁気ディスクに関する。近
年、記録もしくは保存すべき情報の急増に備え、記録密
度の高い記録媒体が要求されている。このような背景の
上に、光ディスクはこれらの要求を満足すべ（実用化さ
れたもので、記録密度は従来の磁気ディスクの数十倍か
ら百倍の性能を誇るものである。

しかし、従来の光ディスクは追記型と呼ばれるもので、
これはユーザーが１回だけの書き込みをすることは許さ
れるものの、一度記録した部分に再度新しい情報を書き
込む゛ことは不可能なタイプである。

光ディスクの普及に伴い、記録媒体上に任意に新しい情
報を書き込みたいとの要望は増加しており、書き換え型
媒体の出現が待ち望まれている。

上記書き換え型光ディス゛り媒体用の記録材料としては
、数種のものが候補として取り上げられ、鋭意検討が進
められているが、とりわけ、希土類−遷移金属系アモル
ファス合金からなる媒体は材料的観点、システム的観点
からの検討が進んでおり、実用化−歩前の状態である。

〔従来の技術〕

第２図に、従来の光磁気ディスクの構造を示す。

図中４ａ〜４ｄは該ディスクの断面を図示したもので、
ディスクの片面には案内溝が刻まれている。

このような基板は、スタンバとよばれる型を溶融状のプ
ラスチックに押し当て、加圧成型して得ることができる
。また、別の方法としては、液状の紫外線硬化樹脂をガ
ラス円板もしくは透明性を有する他の円板（例えば、エ
ポキシ樹脂など）に塗布し、この上からスタンパを押し
当てる。次に透明基板側から紫外線を照射すれば液状樹
脂は硬化し、その後スタンバを取り除けば上記透明円板
上に案内溝を有する光デイスク用基板を作製することが
できる。

この案内溝は、ディスクの所定の位置に記録したり、所
定の位置に記録された情報を読み出したり、消去する時
に必須のものである。即ち、直径約１μｍ程度に絞られ
たレーザ光のスポットが、この溝の中もしくは溝間に沿
って適正な位置を照射するよう図られている。その機構
は次の通りであるｍ　４　ｅ　、４　ｆに示すように、
今、記録もしくは再生ビームを溝間部分に照射し、この
部分にビットを形成させる。この際、ビームが左もしく
は右に寄って、その一部が溝中部分に当たると、溝間部
分と溝中部分からの反射光は干渉し合い、反射率が低下
する。従って、光学ヘッドを反射光が最大となるように
位置制御すればよい。

このような構成は溝間部分に記録する場合に留まらず、
溝中部分への記録に対しても同様の制御方式を採用する
ことができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上のように、案内溝に沿って信号を記録すれば、記録
した位置が正確にわかり、高密度での記録が可能となる
のであるが、上記従来技術においてはこのような構成を
採用するがために生ずる不都合も並行して発生する。第
３図にこの問題を図示する。（Ａ）に示すように、ビッ
トが３０または３Ｃ’に示すように溝間もしくは溝中に
のみ形成される場合と、光学ヘッドのふらつき（制御マ
ージン内の）によって、ビットの一部が溝中もしくは溝
間に収まりこまず、または中心からずれることによって
溝中もしくは溝間にはみ出し、じみを生ずる場合がある
。

第３図Ｂは、前者の場合を示す模式図である。

この場合、ビットは溝間にのみ記録されているので、読
み出しビームの幅が（Ｂ）に示すよりも広かっても適正
な信号のみを検出する。

しかし、（Ｃ）に示すように、ビットにじみを生ずる場
合、検出光が検出する信号は溝間および溝中のビットか
らのものは正常に再生できるが、溝の壁の部分に形成さ
れたビット部分からの再生信号にはノイズとなる成分が
含まれる。即ち、壁面の部分では、記録層の磁化容易軸
は壁面に垂直になるが、同時に溝中部分および溝間部分
から発生成長する異方性は壁面に垂直となり、壁部分の
異方性は非常に複雑な各相を呈する。次に、記録の際印
加する外部バイアス磁界は壁面に平行に印加されるため
、前述の複雑な異方性とあいまって壁面部分の磁化の配
向は非常に複雑になる。従って、この部分からの読み出
し光には非常に多種多様の方向を向いた偏光面が含まれ
ることになり、雑音の原因となる。

本発明は、従って、溝中もしくは溝間へのビットのしみ
出しをなくすることに着目し、なされたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば希土類−遷移金属のアモルファス合金よ
りなる、書き換え可能な光磁気ディスクが提供されるの
であって、この光磁気ディスクは、案内溝を有する基板
上に形成された希土類−遷移金属アモルファス膜よりな
る記録層のうち、溝内部分もしくは溝間部分の記録層を
結晶化したことを特徴とする。

本発明の光磁気ディスクにおいて、前記結晶化部分にお
ける膜の飽和磁化Ｍｓ’は、結晶化前の飽和磁化Ｍｓに
対して、Ｍｓ′／Ｍｓ＞２であるのが好ましい。また、
前記記録層は、Ｔｂ、Ｆｅ、、　　。

Ｔｂｇ（ＦｅＧＯ）＋−ｘ、ＴｂｘＣＯｔ−ｘ　、（Ｔ
ｂＧｄ）Ｊｅ＋−ｘまたは（ＴｂＧｄＬｌ（ＦｅＣｏ）
＋−ｘ　　（但し、０．２　＜　ｘ　＜　０．４　）の
組成を有する合金からなるのが好ましい。

本発明では、溝間部分に記録する如く構成された光磁気
ディスクにおいては溝中部分の記録層材料を結晶化し、
一方溝中部分に記録する如く構成されたディスクにおい
ては溝間部分の記録層材料を結晶化し、いかなる状況に
おいてもビットのしみ出しのないように図ったものであ
る。

なお、これらの部分の結晶化は、その部分に対してＡｒ
レーザ等を照射し、温度上昇を図ることによって達成す
ることができる。

（発明の作用〕 このように結晶化することによって、この部分の垂直異
方性が消去し、キュリ一温度が上昇されるため、記録ビ
ームが照射されてもこの部分にビットは形成されず、上
記のようなビットのしみ出しのない偏光面のそろった媒
体が得られる。

〔実施例〕

以下に、実施例を挙げて本発明をさらに説明する。

実施例１ 基板として直径８″の円板上にフォトポリマー法によっ
て案内溝付けしたものを用いた。この上に、　ＳｔＪ＊
１２００人、ＴｂＦｅＣｏ１０ＯＯ人、　５ｉｓＮ４１
２００人の層を真空を破らずにスパッタ製膜した。なお
、スパッタ製膜は、装置内をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａに排
気後アルゴンガスを０．２Ｐａまで導入して行った。

次に、作製されたディスクを３５Ｏｒｐｍで回転させ、
３００ｍＷのＡｒレーザによって、溝中部分を照射した
。このようにして前処理した光磁気ディスクにＩ　ＭＨ
ｚの信号を記録パワー３．５　ｍＷ、９００ｒｐｍで記
録し、０．８　ｍＷのレーザで再生したところ、Ｃ！　
７　ｄＢ。

Ｎ−−４８ｄＢ、Ｃ／Ｎ＝５５ｄＢを得た。

比較のため、Ａｒレーザによる結晶化処理を行なわなか
ったものについて同様の試験を行ったところ、Ｃ＝５ｄ
Ｂ、、Ｎ−４０ｄＢ、Ｃ／Ｎ−４５ｄＢで、結晶化によ
ってノイズを８ｄＢ低くできることがわかった。

次に、レーザパワーを一定にし、回転数を変化させた場
合の飽和磁化Ｍｓに及ぼす回転数の関係を示す。これに
よるとノイズを７〜８ｄＢ低下できる領域−は第１図の
斜線部に示すようであった。これより、ノイズ低減には
Ｍｓ　’／Ｍｓ＞１．５である必要があり、このように
することによって結晶化部分の垂直異方性が失われ、キ
ュリ一温度の上昇が生じ、ビットのしみ出しが抑制でき
たものと考えられ。

次にＴｂ、（ＦｅＣｏ）　ｌ−Ｘについて、Ｘに対する
Ｍｓ’　　７Ｍｓの影響を調べたｅＯ，２＜ｘ＜０．４
の範囲ではＭｓ　’／Ｍｓ＞１．５となるが、これ以外
の領域では製膜からすでに結晶化している部分があると
考えられ、上記のような処理によって目立ったノイズ低
減は図れなかった。

実施例２ 同様の実験を繰り返して、溝間を結晶化し、溝中に記録
した場合にも実施例１に示したと同様の結果を得た。

〔発明の効果〕

案内溝を有する基板上に形成した希土類−遷移金属系媒
体からなる光磁気ディスクでは、本発明に従って溝中も
しくは溝間を結晶化することによって、ビットのしみ出
しを防止し、ノイズを低減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１で得られた光磁気ディスクの記録の
際に回転数を変化させた場合の飽和磁化Ｍｓに及ぼす回
転数の関係を示すグラフである。 第２図は、従来の光磁気ディスクの構造を示す図であり
、第３図は、従来技術におけるビットのしみ出しの様子
を説明する図である。 ３ａ・・・基板、　　　　３ｂ・・・案内溝、３ｃ、３
ｄ、３ｃ’　、３ｄ’・・・記録ビット、４ａ・・・基
板、　　　　４ｂ・・・溝間部分、４Ｃ・・・溝中部分
、　　　４ｄ・・・記録層、４ｅ・・・レンズ、　　　
　４ｆ・・・レーザ光。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、希土類−遷移金属のアモルファス合金よりなる、書
   き換え可能な光磁気ディスクであって、案内溝を有する
   基板上に形成された希土類−遷移金属アモルファス膜よ
   りなる記録層のうち、溝内部分もしくは溝間部分の記録
   層を結晶化したことを特徴とする、光磁気ディスク。 ２、前記結晶化部分における膜の飽和磁化Ｍｓ′が、結
   晶化前の飽和磁化Ｍｓに対して、Ｍｓ′／Ｍｓ＞２であ
   ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の光磁
   気ディスク。 ３、前記記録層が、Ｔｂ＿ｘＦｅ＿１＿−＿ｘ、Ｔｂ＿
   ｘ（ＦｅＣｏ）＿１＿−＿ｘ、Ｔｂ＿ｘＣｏ＿１＿−＿
   ｘ、（ＴｂＧｄ）＿ｘＦｅ＿１＿−＿ｘまたは（ＴｂＧ
   ｄ）＿ｘ（ＦｅＣｏ）＿１＿−＿ｘ（但し、０．２＜ｘ
   ＜０．４）の組成を有する合金からなることを特徴とす
   る、特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク。