JPH0685237B2 - 光磁気メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光磁気メモリ素子の製造方法Info
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- JPH0685237B2 JPH0685237B2 JP59051977A JP5197784A JPH0685237B2 JP H0685237 B2 JPH0685237 B2 JP H0685237B2 JP 59051977 A JP59051977 A JP 59051977A JP 5197784 A JP5197784 A JP 5197784A JP H0685237 B2 JPH0685237 B2 JP H0685237B2
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- JP
- Japan
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- film
- guide
- mask plate
- glass substrate
- photoresist film
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は光学的に情報を記録再生する光磁気メモリ素子
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
＜従来技術＞ 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるからである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならなくなる。一般に再
生専用の光メモリでは記録したビットに予め番地情報を
入れておく事ができるので記録情報を再生しながら光ビ
ームの位置決めをすることができるが、追加記録メモリ
あるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録時に
番地情報まで一緒に記録する事は極めて困難である。従
って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリでは
メモリ基板に予め何等かのガイドトラック及びガイド番
地を入れておくという方法が採られている。例えば第７
図に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リのメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に継続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ット情報を与える。この凹凸の溝の形成方法はすでに何
種類か提案されており、大きく分けて次の３種類があ
る。
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるからである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならなくなる。一般に再
生専用の光メモリでは記録したビットに予め番地情報を
入れておく事ができるので記録情報を再生しながら光ビ
ームの位置決めをすることができるが、追加記録メモリ
あるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録時に
番地情報まで一緒に記録する事は極めて困難である。従
って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリでは
メモリ基板に予め何等かのガイドトラック及びガイド番
地を入れておくという方法が採られている。例えば第７
図に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リのメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に継続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ット情報を与える。この凹凸の溝の形成方法はすでに何
種類か提案されており、大きく分けて次の３種類があ
る。
即ち、 （ｉ） アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用
い、射出成形によって上記溝を作成する方法。この成形
によりガイドトラック及びガイド番地を予め形成したNi
スタンパーの形状を写し取る。
い、射出成形によって上記溝を作成する方法。この成形
によりガイドトラック及びガイド番地を予め形成したNi
スタンパーの形状を写し取る。
（ii） アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガイド
番地を予め形成したNiスタンパーに流し込み温度をかけ
て固まらせるキャスティング法。
番地を予め形成したNiスタンパーに流し込み温度をかけ
て固まらせるキャスティング法。
（iii） アクリル樹脂及びガイド番地を予め形成したN
iスタンパーとの間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、
上記基板ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、
その後で上記Niスタンパーを取りはずす、所謂2P法。
iスタンパーとの間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、
上記基板ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、
その後で上記Niスタンパーを取りはずす、所謂2P法。
である。
しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いるのでその
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する危
険性がある。この為記録媒体の品質が劣化するという欠
点を有する。この欠点に対処する為に本発明者は既にガ
ラス基板上にフォトレジスト材を塗布し、該フォトレジ
スト材に対してレーザ光を照射してガイドパターン（ガ
イドトラック及びガイド番地）を記録し、その後でエッ
チングによってガイドパターン状に溝を形成する方法を
特願昭58−84613号によって提案している。しかしこの
方法ではレーザ光によって各ガイドパターンをトラック
毎に順次記録していかねばならないのでその記録に長い
時間を要し、量産には不向きであるという欠点がある。
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する危
険性がある。この為記録媒体の品質が劣化するという欠
点を有する。この欠点に対処する為に本発明者は既にガ
ラス基板上にフォトレジスト材を塗布し、該フォトレジ
スト材に対してレーザ光を照射してガイドパターン（ガ
イドトラック及びガイド番地）を記録し、その後でエッ
チングによってガイドパターン状に溝を形成する方法を
特願昭58−84613号によって提案している。しかしこの
方法ではレーザ光によって各ガイドパターンをトラック
毎に順次記録していかねばならないのでその記録に長い
時間を要し、量産には不向きであるという欠点がある。
＜目 的＞ 本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、上記特願
昭58−84613号に記載された製造に改良を加えることに
よって、光磁気メモリ素子の基板に対するガイドトラッ
ク、ガイド番地等の情報を示す溝の形成を短時間で行い
得る光磁気メモリ素子の製造方法を提供することを目的
とする。
昭58−84613号に記載された製造に改良を加えることに
よって、光磁気メモリ素子の基板に対するガイドトラッ
ク、ガイド番地等の情報を示す溝の形成を短時間で行い
得る光磁気メモリ素子の製造方法を提供することを目的
とする。
＜実施例＞ 以下本発明に係る光磁気メモリ素子の製造方法の実施例
を図面に用いて詳細に説明する。
を図面に用いて詳細に説明する。
第１図、本発明に係る光磁気メモリ素子の基板の製法を
工程順に示す説明図である。
工程順に示す説明図である。
次に同図に従い本発明に係る光磁気メモリ素子の基板の
製法の一実施例を工程順に説明する。
製法の一実施例を工程順に説明する。
工程（ｉ）…酸素，水分等の通過に対して信頼性の高い
（酸素，水分等を通過させない）光磁気メモリ素子用の
ガラス基板を洗浄し、そのガラス基板１の上にフォトレ
ジスト膜２を塗布する（第１図（ａ））。このフォトレ
ジスト膜２の膜圧は100nm〜500nm程度が好ましい。
（酸素，水分等を通過させない）光磁気メモリ素子用の
ガラス基板を洗浄し、そのガラス基板１の上にフォトレ
ジスト膜２を塗布する（第１図（ａ））。このフォトレ
ジスト膜２の膜圧は100nm〜500nm程度が好ましい。
工程（ii）…上記フォトレジスト膜２を塗布したガラス
基板１上に後述するガイドトラック及びガイド情報をパ
ターン化したマスク板３を密着せしめ、該マスク板３ご
しに紫外線Ａを照射しマスク板３のマスクパターンを上
記フォトレジスト幕２に転写する（第１図（ｂ））。こ
こで光磁気メモリ素子は円板状であるので上記マスク板
３も円板状であることが望ましい。
基板１上に後述するガイドトラック及びガイド情報をパ
ターン化したマスク板３を密着せしめ、該マスク板３ご
しに紫外線Ａを照射しマスク板３のマスクパターンを上
記フォトレジスト幕２に転写する（第１図（ｂ））。こ
こで光磁気メモリ素子は円板状であるので上記マスク板
３も円板状であることが望ましい。
工程（iii）…上記マスクパターンを書き込んだフォト
レジスト膜２を現像工程に通すことで上記フォトレジス
ト膜２に溝を形成する（第１図（ｃ））。
レジスト膜２を現像工程に通すことで上記フォトレジス
ト膜２に溝を形成する（第１図（ｃ））。
工程（iv）…上記溝を形成したフォトレジスト膜２の被
覆状態において、ウェットエッチング若しくはCF4,CHF3
等のエッチングガス中でのスパッタリング（リアクティ
ブイオンエッチング）等のドライエッチングを行ないガ
ラス基板１に溝４を形成する（第１図（ｄ））。
覆状態において、ウェットエッチング若しくはCF4,CHF3
等のエッチングガス中でのスパッタリング（リアクティ
ブイオンエッチング）等のドライエッチングを行ないガ
ラス基板１に溝４を形成する（第１図（ｄ））。
工程（ｖ）…上記レジスト膜２をアセトン等の溶媒,O2
中でのスパッタリング等により除去する。この結果ガラ
ス基板１に溝４が残る（第１図（ｅ））。
中でのスパッタリング等により除去する。この結果ガラ
ス基板１に溝４が残る（第１図（ｅ））。
以上の工程によってガイドトラック及びガイド番地の情
報を示す溝を有するガラス基板が完成する。この工程に
よれば予めガイドトラック及びガイド情報をパターン化
したマスク板を作成しておき、該マスク板をフォトレジ
スト膜を塗布されたガラス基板上に順次密着せしめてマ
スク板のパターンを転写して行けばよいのでガイドパタ
ーンの記録時間を極めて短縮化できるものである。
報を示す溝を有するガラス基板が完成する。この工程に
よれば予めガイドトラック及びガイド情報をパターン化
したマスク板を作成しておき、該マスク板をフォトレジ
スト膜を塗布されたガラス基板上に順次密着せしめてマ
スク板のパターンを転写して行けばよいのでガイドパタ
ーンの記録時間を極めて短縮化できるものである。
次に上記マスク板の製法について工程順に詳細に説明す
る。
る。
第２図はマスク板の製法を示す説明図である。
工程（ｉ）…まず円板状の低反射Crマスクブランク５を
準備する。第２図（ａ）はそのマスクブランク５の一部
側面断面図である。６は紫外線を良く通す石英ガラス基
板（紫外線Ａの種類によっては通常のソーダライムガラ
スを精度良く研磨したものでも良い。）７はCr膜、８は
反射防止用のCrOx膜である。このマスクブランク５の構
造としては、Cr単層膜やCrOx膜,Cr膜,CrOx膜の３層膜の
構造であっても構わない。
準備する。第２図（ａ）はそのマスクブランク５の一部
側面断面図である。６は紫外線を良く通す石英ガラス基
板（紫外線Ａの種類によっては通常のソーダライムガラ
スを精度良く研磨したものでも良い。）７はCr膜、８は
反射防止用のCrOx膜である。このマスクブランク５の構
造としては、Cr単層膜やCrOx膜,Cr膜,CrOx膜の３層膜の
構造であっても構わない。
工程（ii）…上記マスクブランク５上にフォトレジスト
膜９をコートする（第２図（ｂ））。このフォトレジス
ト膜９として例えばShipey社製のAZ−1400等のポジ型
のものを使用すればよい。このフォトレジスト膜９の厚
みは次の工程（iii）において用いるレーザ光のパワー
にもよるが通常100nm〜500nm程度が適当である。
膜９をコートする（第２図（ｂ））。このフォトレジス
ト膜９として例えばShipey社製のAZ−1400等のポジ型
のものを使用すればよい。このフォトレジスト膜９の厚
みは次の工程（iii）において用いるレーザ光のパワー
にもよるが通常100nm〜500nm程度が適当である。
工程（iii）…上記フォトレジスト膜９をコートしたマ
スクブランク５にArレーザ10の光を集光してガイドトラ
ック及びガイド番地を記録する（第２図（ｃ））。波長
が4579ÅのArレーザを用い対物レンズ11で0.5μｍφ程
度のスポット径を持つよう集光した場合、上記フォトレ
ジスト膜９面上では約10mWのレーザパワーを得、0.6μ
ｍ巾のトラックを記録することができる。ここで上記パ
ターン形成用の光としては5000Åより短い波長をレーザ
であることが上記ガイドトラック及びガイド番地のパタ
ーンを微細化する為及びフォトレジスト膜９の感度の為
に適切であり、Arレーザ以外にはクリプトンレーザが有
用である。
スクブランク５にArレーザ10の光を集光してガイドトラ
ック及びガイド番地を記録する（第２図（ｃ））。波長
が4579ÅのArレーザを用い対物レンズ11で0.5μｍφ程
度のスポット径を持つよう集光した場合、上記フォトレ
ジスト膜９面上では約10mWのレーザパワーを得、0.6μ
ｍ巾のトラックを記録することができる。ここで上記パ
ターン形成用の光としては5000Åより短い波長をレーザ
であることが上記ガイドトラック及びガイド番地のパタ
ーンを微細化する為及びフォトレジスト膜９の感度の為
に適切であり、Arレーザ以外にはクリプトンレーザが有
用である。
工程（iv）…工程（iii）によってフォトレジスト膜９
にガイドトラック及びガイド番地が記録されたマスクブ
ランク５を現像工程に通すことで上記フォトレジスト膜
９に溝を形成する（第２図（ｄ））。尚、この第２図
（ｄ）以下第２図（ｆ）までは横方向の倍率を大きくし
ている。
にガイドトラック及びガイド番地が記録されたマスクブ
ランク５を現像工程に通すことで上記フォトレジスト膜
９に溝を形成する（第２図（ｄ））。尚、この第２図
（ｄ）以下第２図（ｆ）までは横方向の倍率を大きくし
ている。
工程（ｖ）…上記溝を形成したフォトレジスト膜９の被
覆状態においてエッチングを行ない、ガラス基板６上の
所定の部分のCr膜７及びCrOx膜８を除去する（第２図
（ｅ））。
覆状態においてエッチングを行ない、ガラス基板６上の
所定の部分のCr膜７及びCrOx膜８を除去する（第２図
（ｅ））。
工程（vi）…残存した上記フォトレジスト膜９をアセト
ン等の溶媒,O2中でのスパッタリング等により除去する
（第２図（ｆ））。この結果、ガラス基板６上にガイド
トラック及びガイド番地の情報を示す溝を有したCr膜７
及びCrOx膜８の積層膜を得ることができる。
ン等の溶媒,O2中でのスパッタリング等により除去する
（第２図（ｆ））。この結果、ガラス基板６上にガイド
トラック及びガイド番地の情報を示す溝を有したCr膜７
及びCrOx膜８の積層膜を得ることができる。
以上の工程によってらせん状のガイドトラックとガイド
トラックの断続形状によるガイド番地が記録された円板
状のマスク板を得る。
トラックの断続形状によるガイド番地が記録された円板
状のマスク板を得る。
第３図は完成したマスク板12の外観斜視図、第４図
（ａ）はその一部拡大平面図、第４図（ｂ）はそのａ−
ａ′線での切断断面図を示す。第３図に示される如くマ
スク板12には中央に穴13が形成される。この穴13によっ
てマスク板12の製造の際の回転駆動が容易になる様に工
夫されている。即ちマスク板12の上記中央の穴13を利用
してネジ押えマグネットチャックを行ない、その固定保
持によりマスク板12の回転動作を安定的に行なうことが
できるものである。但し、マスク板12の外周部分を保持
する機構や真空吸引によりマスク板12の面全体を保持す
る機構を採用する場合は必ずしも上記マスク板の中央の
穴13は必要でない。14には光磁気メモリ素子のガイドト
ラックのパターンが形成され、15には光磁気メモリ素子
のガイド番地のパターンが形成される。
（ａ）はその一部拡大平面図、第４図（ｂ）はそのａ−
ａ′線での切断断面図を示す。第３図に示される如くマ
スク板12には中央に穴13が形成される。この穴13によっ
てマスク板12の製造の際の回転駆動が容易になる様に工
夫されている。即ちマスク板12の上記中央の穴13を利用
してネジ押えマグネットチャックを行ない、その固定保
持によりマスク板12の回転動作を安定的に行なうことが
できるものである。但し、マスク板12の外周部分を保持
する機構や真空吸引によりマスク板12の面全体を保持す
る機構を採用する場合は必ずしも上記マスク板の中央の
穴13は必要でない。14には光磁気メモリ素子のガイドト
ラックのパターンが形成され、15には光磁気メモリ素子
のガイド番地のパターンが形成される。
次に第２図（ｃ）において示した、Arレーザ光を集光し
てマスクブランク５上にコードしたフォトレジスト膜９
にガイドトラック及びガイド番地を記録する工程を行な
う装置構成について説明する。第５図にその装置構成の
構成説明図を示す。Arレーザ光源16から出た波長4579Å
のレーザ光は光変調器17の効率を上げるレンズ18,光変
調器17,光変調器17の効率を上げるレンズ19を介してビ
ームスプリッタ20に入射する。該ビームスプリッタ20で
光の一部が取り出されて光検出器21でパワーモニタされ
る。この光検出器21の出力により上記光変調器17が制御
されレーザ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の出射パワーが室温等の環境条件の
変動で変化するので、これを抑制する為に行なわれるも
のである。22はレーザ光の光路を変えるミラー、23は上
述したフォトレジスト膜９にガイド番地を記録する際に
光を変調する変調器、24,25は該変調器23の効率を上げ
る為のレンズである。レーザ光はミラー26で更に光路を
変えられ、変調光モニタ用ビームスプリッタ27に入射す
る。該変調光モニタ用ビームスプリッタ27で光の一部が
取り出されて光検出器28でパワーモニタされる。29は２
色性ミラーであり、レーザ光は該２色性ミラー29を通っ
た後にスポットレンズ30で集光され偏光ビームスプリッ
タ31により対物レンズ32に導かれる。33は後述するサー
ボ用のHe−Neレーザ34の波長に合わせた４分の１波長
板、35は対物レンズを上下に動かしてマスク板12の表面
に常に光が集光されるようサーボをかけるための対物レ
ンズ駆動部である。34はサーボ用レーザとして使用され
るHe−Neレーザである。該He−Neレーザ34から出た光は
ミラー36で光路を変えられ、２色性ミラー29でArレーザ
光源16によるレーザ光路と同一の光路に至る。ここで２
色性ミラー29としてはArレーザ波長光（4579Å）を通過
せしめHe−Neレーザ波長光（6328Å）を全反射せしめる
ものを用いる。又上記偏光ビームスプリッター31として
はHe−Neレーザ光のＳ波を反射し且つＰ波を通過せしめ
Arレーザ光を全反射せしめるものを用いる。37はシリン
ドリカルレンズ、38は４分割検出器である。該４分割検
出器38にはマスク板12から反射された光が入射しこの４
分割検出器38の出力によってフォーカスサーボがかけら
れる。同図の点線に囲まれた部分39はエアースライダー
等の移動装置に乗って移動できるようになっている。そ
して回転するマスク板12の半径方向にこの移動装置を移
動しながらArレーザを操作すればらせん状のガイドトラ
ックとガイド番地を潜像の形でフォトレジスト膜９に記
録できる。
てマスクブランク５上にコードしたフォトレジスト膜９
にガイドトラック及びガイド番地を記録する工程を行な
う装置構成について説明する。第５図にその装置構成の
構成説明図を示す。Arレーザ光源16から出た波長4579Å
のレーザ光は光変調器17の効率を上げるレンズ18,光変
調器17,光変調器17の効率を上げるレンズ19を介してビ
ームスプリッタ20に入射する。該ビームスプリッタ20で
光の一部が取り出されて光検出器21でパワーモニタされ
る。この光検出器21の出力により上記光変調器17が制御
されレーザ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の出射パワーが室温等の環境条件の
変動で変化するので、これを抑制する為に行なわれるも
のである。22はレーザ光の光路を変えるミラー、23は上
述したフォトレジスト膜９にガイド番地を記録する際に
光を変調する変調器、24,25は該変調器23の効率を上げ
る為のレンズである。レーザ光はミラー26で更に光路を
変えられ、変調光モニタ用ビームスプリッタ27に入射す
る。該変調光モニタ用ビームスプリッタ27で光の一部が
取り出されて光検出器28でパワーモニタされる。29は２
色性ミラーであり、レーザ光は該２色性ミラー29を通っ
た後にスポットレンズ30で集光され偏光ビームスプリッ
タ31により対物レンズ32に導かれる。33は後述するサー
ボ用のHe−Neレーザ34の波長に合わせた４分の１波長
板、35は対物レンズを上下に動かしてマスク板12の表面
に常に光が集光されるようサーボをかけるための対物レ
ンズ駆動部である。34はサーボ用レーザとして使用され
るHe−Neレーザである。該He−Neレーザ34から出た光は
ミラー36で光路を変えられ、２色性ミラー29でArレーザ
光源16によるレーザ光路と同一の光路に至る。ここで２
色性ミラー29としてはArレーザ波長光（4579Å）を通過
せしめHe−Neレーザ波長光（6328Å）を全反射せしめる
ものを用いる。又上記偏光ビームスプリッター31として
はHe−Neレーザ光のＳ波を反射し且つＰ波を通過せしめ
Arレーザ光を全反射せしめるものを用いる。37はシリン
ドリカルレンズ、38は４分割検出器である。該４分割検
出器38にはマスク板12から反射された光が入射しこの４
分割検出器38の出力によってフォーカスサーボがかけら
れる。同図の点線に囲まれた部分39はエアースライダー
等の移動装置に乗って移動できるようになっている。そ
して回転するマスク板12の半径方向にこの移動装置を移
動しながらArレーザを操作すればらせん状のガイドトラ
ックとガイド番地を潜像の形でフォトレジスト膜９に記
録できる。
以上の光磁気メモリ素子の基板に対するガイドトラッ
ク，ガイド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は同心円
状でも良く、又ガイド番地の情報は１周に１度に限ら
ず、２周あるいは３周に１度に設けても良く、更には１
周に数度設けても構わない。
ク，ガイド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は同心円
状でも良く、又ガイド番地の情報は１周に１度に限ら
ず、２周あるいは３周に１度に設けても良く、更には１
周に数度設けても構わない。
第６図は第１図に示した製法によって得た基板を用いて
構成した光磁気メモリ素子の一部側面断面図を示す。同
図においてガラス基板１上に凹凸の溝４（即ちガイドト
ラック）が形成され、該ガラス基板１に該ガラス基板１
の屈折率より大きな屈折率を有する例えばAlN膜,SiO膜
等の誘電体膜40が被覆される。この誘電体膜40の膜厚は
500〜1000Å程度である。上記誘電体膜40上にGdTbFe,Tb
Fe,GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金薄膜41（記録
媒体）が被覆される。この合金薄膜41の膜厚は50〜400
Å程度である。この合金薄膜41の膜厚の下限は垂直磁化
膜の作成条件から決まり、上限は磁気光学効果の増大条
件から決まる。よって上記合金薄膜41の適正膜厚は膜生
成方法に依存する。上記合金薄膜41をスパッタリングに
よって膜生成する場合その膜厚が50Å程度以下だと垂直
磁化膜を得る事が困難であるのでその膜厚は50Å程度よ
り大であることが必要である。上記合金薄膜41の上には
AlN,SiO2等の誘電体膜42,及びC,Al,ステンレス,Ni等の
金属からなる反射膜43が形成される。上記誘電体膜42及
び反射膜43は磁気光学効果の特性向上を促すとともに上
記合金薄膜41への酸素及び水分の到達を防止する作用を
有する。44は接着層、45は該接着層44より接着されるガ
ラス，アクリル等からなる保護板である。この保護板45
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼り合わせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
構成した光磁気メモリ素子の一部側面断面図を示す。同
図においてガラス基板１上に凹凸の溝４（即ちガイドト
ラック）が形成され、該ガラス基板１に該ガラス基板１
の屈折率より大きな屈折率を有する例えばAlN膜,SiO膜
等の誘電体膜40が被覆される。この誘電体膜40の膜厚は
500〜1000Å程度である。上記誘電体膜40上にGdTbFe,Tb
Fe,GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金薄膜41（記録
媒体）が被覆される。この合金薄膜41の膜厚は50〜400
Å程度である。この合金薄膜41の膜厚の下限は垂直磁化
膜の作成条件から決まり、上限は磁気光学効果の増大条
件から決まる。よって上記合金薄膜41の適正膜厚は膜生
成方法に依存する。上記合金薄膜41をスパッタリングに
よって膜生成する場合その膜厚が50Å程度以下だと垂直
磁化膜を得る事が困難であるのでその膜厚は50Å程度よ
り大であることが必要である。上記合金薄膜41の上には
AlN,SiO2等の誘電体膜42,及びC,Al,ステンレス,Ni等の
金属からなる反射膜43が形成される。上記誘電体膜42及
び反射膜43は磁気光学効果の特性向上を促すとともに上
記合金薄膜41への酸素及び水分の到達を防止する作用を
有する。44は接着層、45は該接着層44より接着されるガ
ラス，アクリル等からなる保護板である。この保護板45
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼り合わせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
以上の説明の光磁気メモリ素子の例は反射膜構造の光磁
気メモリ素子について示したが、本発明は第６図に示し
た合金薄膜41の膜厚を厚くして反射膜43を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子においても適用
可能である。
気メモリ素子について示したが、本発明は第６図に示し
た合金薄膜41の膜厚を厚くして反射膜43を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子においても適用
可能である。
＜効 果＞ 以上説明したように、本発明によればガラス基板上にフ
ォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜上にマ
スク板を密着せしめ、このマスク板の上から紫外線を照
射してマスク板のガイトパターンをフォトレジスト膜に
転写した後、現像及びエッチングを施すことによってガ
ラス基板のガイトパターンを掘り込み、このガラス基板
のガイトパターンを掘り込んだ面に希土類と遷移金属と
からなる記録媒体薄膜及び金属反射膜を形成することに
よって量産品の光磁気メモリ素子の基板としてガラス材
を利用してもガラス製の基板にガイドパターンあるいは
ガイド番地を容易に効率よく形成することができるので
光磁気メモリ素子の量産性を大いに高めることができ、
また、従来量産性を高めるあめに樹脂材にガイドパター
ンを形成していたものに比して光磁気メモリ素子に用い
られる酸素あるいは水分等に弱い希土類と遷移金属とか
らなる記録媒体薄膜の劣化を防ぐことができるという顕
著な作用効果を奏するものである。
ォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜上にマ
スク板を密着せしめ、このマスク板の上から紫外線を照
射してマスク板のガイトパターンをフォトレジスト膜に
転写した後、現像及びエッチングを施すことによってガ
ラス基板のガイトパターンを掘り込み、このガラス基板
のガイトパターンを掘り込んだ面に希土類と遷移金属と
からなる記録媒体薄膜及び金属反射膜を形成することに
よって量産品の光磁気メモリ素子の基板としてガラス材
を利用してもガラス製の基板にガイドパターンあるいは
ガイド番地を容易に効率よく形成することができるので
光磁気メモリ素子の量産性を大いに高めることができ、
また、従来量産性を高めるあめに樹脂材にガイドパター
ンを形成していたものに比して光磁気メモリ素子に用い
られる酸素あるいは水分等に弱い希土類と遷移金属とか
らなる記録媒体薄膜の劣化を防ぐことができるという顕
著な作用効果を奏するものである。
第１図は本発明に係る光磁気メモリ素子の製法の一実施
例の基板の製法を工程順に示す説明図、第２図はマスク
板の製法を示す説明図、第３図はマスク板の外観斜視
図、第４図（ａ）はマスク板の一部拡大平面図、第４図
（ｂ）はそのａ−ａ′線での切断断面図、第５図はガイ
ドトラック及びガイド番地を記録する工程を行なう装置
構成の構成説明図、第６図は光磁気メモリ素子の一部側
面断面図、第７図は従来のメモリ基板の一部斜視図を示
す。 図中、1:ガラス基板、2:フォトレジスト膜 3:マスク板、4:溝 5:マスクブランク、6:ガラス基板 7:Cr膜、8:CrOx膜 9:フォトレジスト膜
例の基板の製法を工程順に示す説明図、第２図はマスク
板の製法を示す説明図、第３図はマスク板の外観斜視
図、第４図（ａ）はマスク板の一部拡大平面図、第４図
（ｂ）はそのａ−ａ′線での切断断面図、第５図はガイ
ドトラック及びガイド番地を記録する工程を行なう装置
構成の構成説明図、第６図は光磁気メモリ素子の一部側
面断面図、第７図は従来のメモリ基板の一部斜視図を示
す。 図中、1:ガラス基板、2:フォトレジスト膜 3:マスク板、4:溝 5:マスクブランク、6:ガラス基板 7:Cr膜、8:CrOx膜 9:フォトレジスト膜
フロントページの続き (72)発明者 乾 哲也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 広兼 順司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 出口 敏久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−182030（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−189893（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−77105（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−6541（ＪＰ，Ａ) 特公 昭52−9353（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】光磁気メモリ素子用のガラス基板上にフォ
トレジスト膜を塗布し、 透明基板上にガイドパターン状に欠如された金属膜が被
覆されてなるマスク板を前記フォトレジスト膜が塗布さ
れたガラス基板上に密着せしめ、 前記マスク板を介して前記フォトレジスト膜に紫外線を
照射することによって前記マスク板のガイドパターンを
前記フォトレジスト膜に転写し、 該フォトレジスト膜を現像した後でエッチングにより前
記ガラス基板にガイドパターンを掘りこみ、 前記ガラス基板のガイドパターンを掘り込んだ面に希土
類と遷移金属とからなる記録媒体薄膜及び金属反射膜を
形成する ことを特徴とする光磁気メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051977A JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
| DE8585102922T DE3583754D1 (de) | 1984-03-16 | 1985-03-14 | Verfahren zur herstellung eines optischen speicherelements. |
| EP85102922A EP0155000B1 (en) | 1984-03-16 | 1985-03-14 | Method of manufacturing optical memory element |
| CA000476648A CA1225467A (en) | 1984-03-16 | 1985-03-15 | Method of manufacturing optical memory element |
| US07/017,456 US4778747A (en) | 1984-03-16 | 1987-02-24 | Method of manufacturing optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051977A JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12077691A Division JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195751A JPS60195751A (ja) | 1985-10-04 |
| JPH0685237B2 true JPH0685237B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=12901922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59051977A Expired - Fee Related JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685237B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122940B2 (ja) * | 1985-01-14 | 1995-12-25 | 株式会社リコー | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2506123B2 (ja) * | 1987-09-29 | 1996-06-12 | シャープ株式会社 | 光ディスク |
| JP2693289B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1997-12-24 | シャープ株式会社 | 光メモリ |
| JPH07800U (ja) * | 1992-12-10 | 1995-01-06 | 有限会社井上貝細工製作所 | 観賞用置物 |
| JP4934412B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-05-16 | 株式会社グラウンドデザイン研究所 | 手持ち用の簡易計量容器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
| JPS6030019B2 (ja) * | 1977-12-01 | 1985-07-13 | パイオニア株式会社 | 光学的信号記録担体の製造方法 |
| JPS57189893A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Duplication of optical information |
| JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP59051977A patent/JPH0685237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60195751A (ja) | 1985-10-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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