JPH0660436A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH0660436A JPH0660436A JP20782892A JP20782892A JPH0660436A JP H0660436 A JPH0660436 A JP H0660436A JP 20782892 A JP20782892 A JP 20782892A JP 20782892 A JP20782892 A JP 20782892A JP H0660436 A JPH0660436 A JP H0660436A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＤ−ＲＯＭなどの再生専用型光ディスクを安
く、しかも短時間で大量に生産できる作製方法を提供す
る。 【構成】透明基板１上の不透明膜に、予めトラッキング
用マーク２，３，４を形成させておく。 【効果】従来のような高価なカッティング装置を必要と
しないためCD−ROM などの再生専用型光ディスクを速
く，安く作ることができる。
く、しかも短時間で大量に生産できる作製方法を提供す
る。 【構成】透明基板１上の不透明膜に、予めトラッキング
用マーク２，３，４を形成させておく。 【効果】従来のような高価なカッティング装置を必要と
しないためCD−ROM などの再生専用型光ディスクを速
く，安く作ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＤ−ＲＯＭなどの再
生専用型光ディスクの製法に係り、特に、情報を記録す
るカッテングプロセスのコストを低下させる光ディスク
の製造方法に関する。
生専用型光ディスクの製法に係り、特に、情報を記録す
るカッテングプロセスのコストを低下させる光ディスク
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型と読み書き可
能型とがある。前者にはレーザディスク(以下ＬＤ)やコ
ンパクトディスク(以下ＣＤ)があり現在大量に生産され
ている。再生専用型光ディスクにはこれら以外に、マル
チメディア媒体としてCS−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｉ，ＤＶ−Ｉ
などがあり、これらは将来大きく発展しようとしてい
る。特に、電子出版物としてのＣＤ−ＲＯＭに対する期
待は大きい。ＣＤ−ＲＯＭは、現在辞書，ナビゲーショ
ン用地図，電話帳，特許明細書，教材，百科事典，ゲー
ム用ソフトなどに使用されている。さらに、将来は新聞
や週刊誌のように即時性と大量部数の要求される分野に
も展開するものと予想されている。従来の紙に比べれ
ば、情報容量あたりの光ディスクの重量と容積は非常に
小さくなり、森林資源上、また廃棄物の点でも有利とな
るはずである。また、光ディスクの材料であるプラスチ
ックは再生利用の可能性も高い。
能型とがある。前者にはレーザディスク(以下ＬＤ)やコ
ンパクトディスク(以下ＣＤ)があり現在大量に生産され
ている。再生専用型光ディスクにはこれら以外に、マル
チメディア媒体としてCS−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｉ，ＤＶ−Ｉ
などがあり、これらは将来大きく発展しようとしてい
る。特に、電子出版物としてのＣＤ−ＲＯＭに対する期
待は大きい。ＣＤ−ＲＯＭは、現在辞書，ナビゲーショ
ン用地図，電話帳，特許明細書，教材，百科事典，ゲー
ム用ソフトなどに使用されている。さらに、将来は新聞
や週刊誌のように即時性と大量部数の要求される分野に
も展開するものと予想されている。従来の紙に比べれ
ば、情報容量あたりの光ディスクの重量と容積は非常に
小さくなり、森林資源上、また廃棄物の点でも有利とな
るはずである。また、光ディスクの材料であるプラスチ
ックは再生利用の可能性も高い。
【０００３】ＣＤ−ＲＯＭを新聞などに適用するために
は、スタンパやレプリカを現在の印刷技術に匹敵する速
度で作製する必要がある。この要求に応える新しい作製
方法は、特願平３−222692 号明細書に記載されてい
る。これによると、まずクロム膜付きガラス基板にフォ
トレジスト膜を塗布したものを準備しておく。ユーザか
らオリジナル情報を入手次第、これをカッテング装置に
かけ、情報に応じて変調したＡｒイオンレーザ光で記録
する。つぎに、現像とエッチングにより光転写用マスク
が得られる。このマスクをシリコンウエハ上のフォトレ
ジスト膜に密着させて、紫外線を照射する。上記ウエハ
上のフォトレジスト膜の現像とエッチングとにより、マ
スクの情報がシリコンウエハの表面に凹状のピットとし
て形成される。これをスタンパとする。この方法では、
短時間に多数枚のスタンパを作製できるという特徴があ
る。多数枚のスタンパと紫外線硬化樹脂とを用いて、一
回の紫外線照射でスタンパの数だけのレプリカを一挙に
作製することができる。つまり、レプリカ一枚当りの作
製時間が従来の射出成形法に比べて数十倍の速さとな
る。これは現状の印刷速度に迫るものである。
は、スタンパやレプリカを現在の印刷技術に匹敵する速
度で作製する必要がある。この要求に応える新しい作製
方法は、特願平３−222692 号明細書に記載されてい
る。これによると、まずクロム膜付きガラス基板にフォ
トレジスト膜を塗布したものを準備しておく。ユーザか
らオリジナル情報を入手次第、これをカッテング装置に
かけ、情報に応じて変調したＡｒイオンレーザ光で記録
する。つぎに、現像とエッチングにより光転写用マスク
が得られる。このマスクをシリコンウエハ上のフォトレ
ジスト膜に密着させて、紫外線を照射する。上記ウエハ
上のフォトレジスト膜の現像とエッチングとにより、マ
スクの情報がシリコンウエハの表面に凹状のピットとし
て形成される。これをスタンパとする。この方法では、
短時間に多数枚のスタンパを作製できるという特徴があ
る。多数枚のスタンパと紫外線硬化樹脂とを用いて、一
回の紫外線照射でスタンパの数だけのレプリカを一挙に
作製することができる。つまり、レプリカ一枚当りの作
製時間が従来の射出成形法に比べて数十倍の速さとな
る。これは現状の印刷速度に迫るものである。
【０００４】しかし、この新作製法では、光転写用マス
クを作製する度にカッティング装置にかける必要があ
る。このカッティング装置は非常に高価なものである。
カッティング装置では、拠り所とするマークの無いとこ
ろに１〜２μｍ程度のトラックピッチで精度良く記録し
なければならず、高精度の機械的機構が必要となる。こ
のことが高価にしている主な原因である。
クを作製する度にカッティング装置にかける必要があ
る。このカッティング装置は非常に高価なものである。
カッティング装置では、拠り所とするマークの無いとこ
ろに１〜２μｍ程度のトラックピッチで精度良く記録し
なければならず、高精度の機械的機構が必要となる。こ
のことが高価にしている主な原因である。
【０００５】つぎに、ＣＤ−ＲＯＭの利用のされ方につ
いて考えて見る。例えば、本社から電送された原稿情報
を各支社が受信し、これに基づいて刷版を作製し、印刷
している場合を考える。もし印刷の代りにＣＤ−ＲＯＭ
を作製することにすると、各支社が一台ずつ高価なカッ
ティング装置を持たなければならないという問題が発生
する。つまり、設備投資額が高くなり製造コストが高く
なる。
いて考えて見る。例えば、本社から電送された原稿情報
を各支社が受信し、これに基づいて刷版を作製し、印刷
している場合を考える。もし印刷の代りにＣＤ−ＲＯＭ
を作製することにすると、各支社が一台ずつ高価なカッ
ティング装置を持たなければならないという問題が発生
する。つまり、設備投資額が高くなり製造コストが高く
なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、短時
間で大量に、しかも安価に再生専用光ディスクを作製す
る方法を提供することにある。
間で大量に、しかも安価に再生専用光ディスクを作製す
る方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、不透明
膜付きブランク基板に予め情報記録のためのトラッキン
グ用マークを形成しておくことにより、廉価な光ディス
ク装置を用いて情報信号を有する光転写用マスクを作製
できることにある。トラッキング用マークは図１に示す
ように、一対のウォブルマーク３を適当な長さごとに設
ける。また、これにクロック用マーク４、トラックおよ
びセクタの番地を示す、いわゆるヘッダ信号用マーク２
を加えることもできる。トラッキングマークの間に情報
記録用の領域５がある。
膜付きブランク基板に予め情報記録のためのトラッキン
グ用マークを形成しておくことにより、廉価な光ディス
ク装置を用いて情報信号を有する光転写用マスクを作製
できることにある。トラッキング用マークは図１に示す
ように、一対のウォブルマーク３を適当な長さごとに設
ける。また、これにクロック用マーク４、トラックおよ
びセクタの番地を示す、いわゆるヘッダ信号用マーク２
を加えることもできる。トラッキングマークの間に情報
記録用の領域５がある。
【０００８】本発明を図面により以下に詳しく述べる。
図２（ａ）に示すように、ガラス基板６上にスパッタリ
ングにより不透明膜７を形成する。材料は、クロム，コ
バルト，ニッケルなどの金属膜を用いることができる。
その膜厚は数百ｎｍである。不透明膜の上にポジ型フォ
トレジスト８を約２００ｎｍの厚さに塗布する。これを
カッティング装置にかけてトラッキング用マーク２，
３，４に応じて変調されたＡｒイオンレーザビーム９を
照射する。これを現像したあと、不透明膜をエッチング
することによりトラッキング用マークを有するブランク
基板１０Ａが得られる。これの作製には高価なカッティ
ング装置を必要とするが、これは、一枚作るだけで十分
である。このブランク基板１０Ａから図２（ｃ）（ｄ）
に示すように密着露光法により、何枚でもトラッキング
用マーク付きのブランク基板１０Ｂを複製することがで
きるからである。各支社は、このなかの一枚を入手し、
これから密着露光法により、同様のブランク基板を複製
することができる。図２(ｅ)のように、これらのブラン
ク基板１０Ｂにフォトレジスト８を塗布したものを準備
しておく。原稿情報を入手次第、この基板上に光ディス
ク装置１２で記録する。この光ディスク装置は、カッテ
ィング装置のように高精度の送り機構は必要とせず、例
えば、市販されている追記型光ディスクドライブの光源
を改良した程度のもので十分である。現在のドライブに
は、波長が７８０〜８３０ｎｍの半導体レーザが装備さ
れているが、この波長の光にはフォトレジストは感光し
ない。フォトレジストは約４８０ｎｍより短波長の光に
感光するので、光源はＡｒイオンレーザあるいはＳＨＧ
（Second Harmonic Generation）技術による短波長レー
ザに替えることが必要となる。
図２（ａ）に示すように、ガラス基板６上にスパッタリ
ングにより不透明膜７を形成する。材料は、クロム，コ
バルト，ニッケルなどの金属膜を用いることができる。
その膜厚は数百ｎｍである。不透明膜の上にポジ型フォ
トレジスト８を約２００ｎｍの厚さに塗布する。これを
カッティング装置にかけてトラッキング用マーク２，
３，４に応じて変調されたＡｒイオンレーザビーム９を
照射する。これを現像したあと、不透明膜をエッチング
することによりトラッキング用マークを有するブランク
基板１０Ａが得られる。これの作製には高価なカッティ
ング装置を必要とするが、これは、一枚作るだけで十分
である。このブランク基板１０Ａから図２（ｃ）（ｄ）
に示すように密着露光法により、何枚でもトラッキング
用マーク付きのブランク基板１０Ｂを複製することがで
きるからである。各支社は、このなかの一枚を入手し、
これから密着露光法により、同様のブランク基板を複製
することができる。図２(ｅ)のように、これらのブラン
ク基板１０Ｂにフォトレジスト８を塗布したものを準備
しておく。原稿情報を入手次第、この基板上に光ディス
ク装置１２で記録する。この光ディスク装置は、カッテ
ィング装置のように高精度の送り機構は必要とせず、例
えば、市販されている追記型光ディスクドライブの光源
を改良した程度のもので十分である。現在のドライブに
は、波長が７８０〜８３０ｎｍの半導体レーザが装備さ
れているが、この波長の光にはフォトレジストは感光し
ない。フォトレジストは約４８０ｎｍより短波長の光に
感光するので、光源はＡｒイオンレーザあるいはＳＨＧ
（Second Harmonic Generation）技術による短波長レー
ザに替えることが必要となる。
【０００９】記録後現像し、つぎにフォトレジストパタ
ーンをマスクとして不透明膜のエッチングをおこない、
情報用マークの形成されたマスク１４を得ることができ
る。エッチングには、反応性イオンエッチングあるいは
湿式エッチングを使用することができる。ただし、前者
のほうがより高精細のパターンを得ることができる。
ーンをマスクとして不透明膜のエッチングをおこない、
情報用マークの形成されたマスク１４を得ることができ
る。エッチングには、反応性イオンエッチングあるいは
湿式エッチングを使用することができる。ただし、前者
のほうがより高精細のパターンを得ることができる。
【００１０】このように、光転写用マスク１４が得られ
れば、特願平3−222692 号明細書の方法により光ディス
クを短時間で大量に製造することができる。この方法を
図２（ｇ）（ｈ）に示す。まず、シリコンウエハ１５上
に塗布されたフォトレジスト膜８にマスク１４を密着さ
せ紫外線１１を照射する。これを現像したあと、フォト
レジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチン
グを行うことにより、シリコン表面上にトラッキングマ
ーク２，３，４と情報マーク１３が凹状ピットとして形
成される。これをスタンパ１６として用いる。この方法
の特徴は、短時間の間に多数枚のスタンパを作れること
にある。これらのスタンパ１６を図２（ｉ）のように多
面を有する回転体１８に貼付ける。透明樹脂シート２０
上にセットされた紫外線硬化樹脂１７の上からスタンパ
を押しつけ、シート側から紫外線１７を照射し樹脂を硬
化させる。スタンパからシートを剥離することにより、
一挙に多数枚のレプリカ２１をとることができる。これ
を繰り返すことにより連続的にレプリカを作製できる。
レプリカの形成された樹脂シートは、Ａｌ反射膜と、さ
らにその上に保護膜用のフィルムとが形成され、最終的
には機械的に打ち抜いてＣＤ−ＲＯＭディスクとなる。
れば、特願平3−222692 号明細書の方法により光ディス
クを短時間で大量に製造することができる。この方法を
図２（ｇ）（ｈ）に示す。まず、シリコンウエハ１５上
に塗布されたフォトレジスト膜８にマスク１４を密着さ
せ紫外線１１を照射する。これを現像したあと、フォト
レジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチン
グを行うことにより、シリコン表面上にトラッキングマ
ーク２，３，４と情報マーク１３が凹状ピットとして形
成される。これをスタンパ１６として用いる。この方法
の特徴は、短時間の間に多数枚のスタンパを作れること
にある。これらのスタンパ１６を図２（ｉ）のように多
面を有する回転体１８に貼付ける。透明樹脂シート２０
上にセットされた紫外線硬化樹脂１７の上からスタンパ
を押しつけ、シート側から紫外線１７を照射し樹脂を硬
化させる。スタンパからシートを剥離することにより、
一挙に多数枚のレプリカ２１をとることができる。これ
を繰り返すことにより連続的にレプリカを作製できる。
レプリカの形成された樹脂シートは、Ａｌ反射膜と、さ
らにその上に保護膜用のフィルムとが形成され、最終的
には機械的に打ち抜いてＣＤ−ＲＯＭディスクとなる。
【００１１】以上のようにして得られたトラッキングマ
ーク付きのＣＤ−ＲＯＭから信号を読みだすためには、
再生装置の方にトラック用マークと情報用マークとを区
別できる回路を設ける必要がある。
ーク付きのＣＤ−ＲＯＭから信号を読みだすためには、
再生装置の方にトラック用マークと情報用マークとを区
別できる回路を設ける必要がある。
【００１２】本技術は、上記のような再生専用型光ディ
スクだけでなく、追記型や可逆型光ディスク用基板の作
製にも適用することができる。
スクだけでなく、追記型や可逆型光ディスク用基板の作
製にも適用することができる。
【００１３】
【作用】透明基板上の不透明膜に予めトラッキング用マ
ークを形成しておくことにより、情報を書き込むカッテ
ィングプロセスのコストを大幅に低下させることができ
る。
ークを形成しておくことにより、情報を書き込むカッテ
ィングプロセスのコストを大幅に低下させることができ
る。
【００１４】
〈実施例１〉厚さ２.３mm のガラス基板６にスパッタリ
ングによりクロムと酸化クロムとを順次形成し不透明膜
７とした。以後クロムと酸化クロムの２層を単にクロム
膜と呼ぶことにする。これらの全体膜厚は１００ｎｍで
ある。また、その反射率は１５％である。このクロム膜
の上にフォトレジスト８としてＡＺ−１３５０Ｊを０.
２μｍ の厚さに回転塗布し、８０℃で一時間ベーキン
グした。Ａｒイオンレーザ９を備えたカッティング装置
により図２（ａ）に示すようにトラッキングマークに応
じて変調されたレーザ光パルスを照射する。
ングによりクロムと酸化クロムとを順次形成し不透明膜
７とした。以後クロムと酸化クロムの２層を単にクロム
膜と呼ぶことにする。これらの全体膜厚は１００ｎｍで
ある。また、その反射率は１５％である。このクロム膜
の上にフォトレジスト８としてＡＺ−１３５０Ｊを０.
２μｍ の厚さに回転塗布し、８０℃で一時間ベーキン
グした。Ａｒイオンレーザ９を備えたカッティング装置
により図２（ａ）に示すようにトラッキングマークに応
じて変調されたレーザ光パルスを照射する。
【００１５】本実施例では、トラッキングマークとして
ウォブルマーク３だけを用いた。ウォブルマーク３をト
ラックピッチ１.６μｍ で螺旋状に記録した。また、ウ
ォブルマークの間隔は１５０μｍとした。これを現像す
ることにより、ウォブルマーク３はフォトレジスト膜に
凹状ピットとして形成される。ピットの直径は約0.5μ
ｍであった。これを１２０℃で３０分ポストベークをお
こなった。つぎに、Ａｒイオンのミリング装置にかけて
クロム膜７をエッチングし、残っているフォトレジスト
を酸素アッシングにより除去する。クロム膜は硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液（東京応化ＫＫ製混酸Ｓ−
２Ｎ）による湿式エッチングでも可能である。これでト
ラッキングマーク付きブランク基板１０Ａが得られる。
マークは直径３インチ内に記録した。
ウォブルマーク３だけを用いた。ウォブルマーク３をト
ラックピッチ１.６μｍ で螺旋状に記録した。また、ウ
ォブルマークの間隔は１５０μｍとした。これを現像す
ることにより、ウォブルマーク３はフォトレジスト膜に
凹状ピットとして形成される。ピットの直径は約0.5μ
ｍであった。これを１２０℃で３０分ポストベークをお
こなった。つぎに、Ａｒイオンのミリング装置にかけて
クロム膜７をエッチングし、残っているフォトレジスト
を酸素アッシングにより除去する。クロム膜は硝酸第２
セリウムアンモニウム水溶液（東京応化ＫＫ製混酸Ｓ−
２Ｎ）による湿式エッチングでも可能である。これでト
ラッキングマーク付きブランク基板１０Ａが得られる。
マークは直径３インチ内に記録した。
【００１６】一方、上記と同じガラス基板６の上にクロ
ム膜７と、その上にフォトレジスト膜８を塗布したもの
を準備した。図２の（ｃ）に示すように、このフォトレ
ジスト膜と得られたマーク付きブランク基板１０Ａを密
着露光したあと、現像とエッチングによりマーク付きブ
ランク基板１０Ｂを複製することができる。密着露光に
は高圧水銀灯を用いた。複製されたマーク付ブランク基
板１０Ｂにフォトレジスト膜８を厚さ２００ｎｍに塗布
し、１２０℃で１時間ベーキングをした。
ム膜７と、その上にフォトレジスト膜８を塗布したもの
を準備した。図２の（ｃ）に示すように、このフォトレ
ジスト膜と得られたマーク付きブランク基板１０Ａを密
着露光したあと、現像とエッチングによりマーク付きブ
ランク基板１０Ｂを複製することができる。密着露光に
は高圧水銀灯を用いた。複製されたマーク付ブランク基
板１０Ｂにフォトレジスト膜８を厚さ２００ｎｍに塗布
し、１２０℃で１時間ベーキングをした。
【００１７】記録装置には、市販されている１２インチ
追記型光ディスクドライブの光ヘッド部をＡｒレーザの
４５０ｎｍの光１２を使用できるように改良した。この
装置に、フォトレジスト膜を塗布して準備しておいたブ
ランク基板１０Ｂをセットし、情報信号を書き込んだ
（図２（ｅ））。この基板の現像とドライエッチングと
により、情報用マーク１３の形成されたマスク１４を作
った。
追記型光ディスクドライブの光ヘッド部をＡｒレーザの
４５０ｎｍの光１２を使用できるように改良した。この
装置に、フォトレジスト膜を塗布して準備しておいたブ
ランク基板１０Ｂをセットし、情報信号を書き込んだ
（図２（ｅ））。この基板の現像とドライエッチングと
により、情報用マーク１３の形成されたマスク１４を作
った。
【００１８】一方、３.５インチの円形状シリコンウエ
ハ１５（厚さ０.４mm）表面に同じくフォトレジスト８
を０.２μｍ の厚さに塗布し、ベーキングをする。図２
（ｇ）に示すように、マスク１４とシリコンウエハ１５
を密着させて高圧水銀灯の光１１で露光する。現像した
あとポストベークし、反応性イオンエッチィング装置に
よりＣＦ4 を反応ガスとしてエッチングした。その結
果、シリコンウエハ表面にトラッキング用および情報用
マークとして凹状のピット３，１３が形成される。ピッ
トの深さは０.１４μｍ となるように制御した。残って
いるフォトレジストは酸素アッシングで除去しシリコン
スタンパ１６を得た。
ハ１５（厚さ０.４mm）表面に同じくフォトレジスト８
を０.２μｍ の厚さに塗布し、ベーキングをする。図２
（ｇ）に示すように、マスク１４とシリコンウエハ１５
を密着させて高圧水銀灯の光１１で露光する。現像した
あとポストベークし、反応性イオンエッチィング装置に
よりＣＦ4 を反応ガスとしてエッチングした。その結
果、シリコンウエハ表面にトラッキング用および情報用
マークとして凹状のピット３，１３が形成される。ピッ
トの深さは０.１４μｍ となるように制御した。残って
いるフォトレジストは酸素アッシングで除去しシリコン
スタンパ１６を得た。
【００１９】つぎに、紫外線樹脂硬化物から容易に剥離
できるようにシリコン表面をフッ素化合物で処理し表面
エネルギを低下させた。具体的にはＦ(ＣＦ2)8−(Ｃ
Ｈ2)2−Ｓｉ(ＯＣＨ3)3の溶液を回転塗布するか、ある
いは蒸発させてシリコン表面をこの分子でおおったあ
と、１００℃で１０分間熱処理した。この表面処理によ
り水に対する接触角は約１１０度となり表面エネルギが
低下していること、およびＵＶ樹脂硬化物からの剥離力
が未処理スタンパのときと比べて数分の一になることを
確認した。また熱処理によりフッ素化合物はシリコン表
面に化学結合することにより転写プロセスで離脱するこ
とはない。
できるようにシリコン表面をフッ素化合物で処理し表面
エネルギを低下させた。具体的にはＦ(ＣＦ2)8−(Ｃ
Ｈ2)2−Ｓｉ(ＯＣＨ3)3の溶液を回転塗布するか、ある
いは蒸発させてシリコン表面をこの分子でおおったあ
と、１００℃で１０分間熱処理した。この表面処理によ
り水に対する接触角は約１１０度となり表面エネルギが
低下していること、およびＵＶ樹脂硬化物からの剥離力
が未処理スタンパのときと比べて数分の一になることを
確認した。また熱処理によりフッ素化合物はシリコン表
面に化学結合することにより転写プロセスで離脱するこ
とはない。
【００２０】このようにして得られたのシリコンスタン
パ１６を図２（ｉ）に示すように回転体１８の面に固定
する。この際、高速硬化型のエポキシ系接着剤を使用し
た。厚さ０.６mm のポリカーボネートシート２０をロー
ルから引きだす。シートの幅は３００mm、また複屈折率
はダブルパスで６０ｎｍ以下である。このシート上に液
状の紫外線硬化樹脂１９を凸状に滴下し、その上からス
タンパ１６を押しつける。これは紫外線硬化樹脂と点接
触し空気泡が入らないための工夫である。紫外線硬化樹
脂がスタンパ全面に拡げられたあと高圧水銀灯によりシ
ート側から紫外線１７を一秒間照射した。高圧水銀灯の
出力は８０Ｗ／cmである。紫外線硬化樹脂はアクリレー
ト系であるが一秒間照射で硬化する材料を特別に開発し
た。硬化された樹脂層の厚さは２０μｍ程度であった。
つぎに、硬化した樹脂層をスタンパから剥離することに
より、レプリカ２１が得られる。情報パターンが転写さ
れたポリカーボネートシートに反射膜としてアルミニュ
ーム膜をスパッタした。厚さは約７０ｎｍである。この
場合、シート２０を連続的にスパッタ装置内を通過させ
た。つぎに、各転写パターンの中心を光学的な手法で検
出しながら３インチサイズの光デイスクとして打ち抜い
た。その上に保護膜として樹脂製の保護膜を設けた。得
られたＣＤ−ＲＯＭの電気信号特性としてのＣ／Ｎ比
は、従来のＣＤと同等の５５〜６０ｄＢであった。
パ１６を図２（ｉ）に示すように回転体１８の面に固定
する。この際、高速硬化型のエポキシ系接着剤を使用し
た。厚さ０.６mm のポリカーボネートシート２０をロー
ルから引きだす。シートの幅は３００mm、また複屈折率
はダブルパスで６０ｎｍ以下である。このシート上に液
状の紫外線硬化樹脂１９を凸状に滴下し、その上からス
タンパ１６を押しつける。これは紫外線硬化樹脂と点接
触し空気泡が入らないための工夫である。紫外線硬化樹
脂がスタンパ全面に拡げられたあと高圧水銀灯によりシ
ート側から紫外線１７を一秒間照射した。高圧水銀灯の
出力は８０Ｗ／cmである。紫外線硬化樹脂はアクリレー
ト系であるが一秒間照射で硬化する材料を特別に開発し
た。硬化された樹脂層の厚さは２０μｍ程度であった。
つぎに、硬化した樹脂層をスタンパから剥離することに
より、レプリカ２１が得られる。情報パターンが転写さ
れたポリカーボネートシートに反射膜としてアルミニュ
ーム膜をスパッタした。厚さは約７０ｎｍである。この
場合、シート２０を連続的にスパッタ装置内を通過させ
た。つぎに、各転写パターンの中心を光学的な手法で検
出しながら３インチサイズの光デイスクとして打ち抜い
た。その上に保護膜として樹脂製の保護膜を設けた。得
られたＣＤ−ＲＯＭの電気信号特性としてのＣ／Ｎ比
は、従来のＣＤと同等の５５〜６０ｄＢであった。
【００２１】〈実施例２〉注型法で作製されたポリメチ
ルメタクリレート(ＰＭＭＡ)板から、直径１５cm，厚さ
１.２mm の円形上の基板を切り出した。この基板６の上
にクロム膜７を設けた。このクロム膜付きＰＭＭＡ基板
を、実施例１のクロム膜付きガラス基板の代りに用いて
同じような実験を試みた。得られたＣＤ−ＲＯＭの電気
信号特性としてのＣ／Ｎ比は、従来のＣＤと同等の５５
〜６０ｄＢであった。
ルメタクリレート(ＰＭＭＡ)板から、直径１５cm，厚さ
１.２mm の円形上の基板を切り出した。この基板６の上
にクロム膜７を設けた。このクロム膜付きＰＭＭＡ基板
を、実施例１のクロム膜付きガラス基板の代りに用いて
同じような実験を試みた。得られたＣＤ−ＲＯＭの電気
信号特性としてのＣ／Ｎ比は、従来のＣＤと同等の５５
〜６０ｄＢであった。
【００２２】〈実施例３〉実施例１のように、クロム膜
を設けたガラス基板をカッティング装置にかけて、トラ
ッキング用マークを形成したブランク基板１０Ａを作製
した。このガラス製ブランク基板のトラッキング用マー
クを、密着露光により実施例２のクロム膜付きＰＭＭＡ
基板へ転写させ、ＰＭＭＡ製のトラッキングマーク付き
ブランク基板１０Ｂを作製した。このあとのプロセス
は、実施例１，２と全く同じとした。このようにして得
られたＣＤ−ＲＯＭの電気信号特性としてのＣ／Ｎ比
は、従来のＣＤと同等の５５〜６０ｄＢであった。
を設けたガラス基板をカッティング装置にかけて、トラ
ッキング用マークを形成したブランク基板１０Ａを作製
した。このガラス製ブランク基板のトラッキング用マー
クを、密着露光により実施例２のクロム膜付きＰＭＭＡ
基板へ転写させ、ＰＭＭＡ製のトラッキングマーク付き
ブランク基板１０Ｂを作製した。このあとのプロセス
は、実施例１，２と全く同じとした。このようにして得
られたＣＤ−ＲＯＭの電気信号特性としてのＣ／Ｎ比
は、従来のＣＤと同等の５５〜６０ｄＢであった。
【００２３】
【発明の効果】本発明では、透明基板上の不透明膜に予
めトラッキング用マークを形成しておくことにより、情
報を書き込むカッティングプロセスのコストを大幅に低
下させることができる。つまり、トラッキングマークが
あるために従来のような高価なカッティング装置を必要
とせず、これよりはるかに安価な通常の光ディスクドラ
イブで書き込むことが可能となる。この結果、ＣＤ−Ｒ
ＯＭを即時性と大量生産とが要求される新聞，週刊誌，
雑誌などへ適用することできる。
めトラッキング用マークを形成しておくことにより、情
報を書き込むカッティングプロセスのコストを大幅に低
下させることができる。つまり、トラッキングマークが
あるために従来のような高価なカッティング装置を必要
とせず、これよりはるかに安価な通常の光ディスクドラ
イブで書き込むことが可能となる。この結果、ＣＤ−Ｒ
ＯＭを即時性と大量生産とが要求される新聞，週刊誌，
雑誌などへ適用することできる。
【図１】トラッキング用マークを示す説明図。
【図２】本発明による光ディスクの作製プロセスの工程
図。
図。
１…トラッキング用マーク付ブランク基板、２…ヘッダ
信号用マーク、３…ウォブルマーク、４…クロックマー
ク、５…情報記録領域。
信号用マーク、３…ウォブルマーク、４…クロックマー
ク、５…情報記録領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇田川 智子 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板上の不透明膜に、予めレーザ光ビ
ームのトラッキング用マークを螺旋状または同心円状に
形成しておき、この上にフォトレジスト膜を塗布したあ
と、光ディスク装置で情報を記録し、現像とエッチング
により得られる光転写用マスクを介して作製することを
特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記透明基板としてガ
ラスあるいはプラスチックを用いた光ディスクの製造方
法。 - 【請求項３】請求項１において、前記不透明膜としてＣ
ｒ，Ｎｉ，Ｃｏなどの金属膜を用いた光ディスクの製造
方法。 - 【請求項４】請求項１において、前記トラッキング用マ
ークとしてウォブルマーク、またはこれにクロックマー
クおよび番地用マークを加えたパターンを用いた光ディ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20782892A JPH0660436A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20782892A JPH0660436A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660436A true JPH0660436A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16546194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20782892A Pending JPH0660436A (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660436A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000231011A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sharp Corp | 光学素子およびその製造に用いるスタンパ |
| WO2003041070A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'information |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| US7349198B2 (en) | 2004-02-04 | 2008-03-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP20782892A patent/JPH0660436A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000231011A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sharp Corp | 光学素子およびその製造に用いるスタンパ |
| WO2003041070A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'information |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| US7349198B2 (en) | 2004-02-04 | 2008-03-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
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