JPS6030019B2 - 光学的信号記録担体の製造方法 - Google Patents
光学的信号記録担体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6030019B2 JPS6030019B2 JP14456877A JP14456877A JPS6030019B2 JP S6030019 B2 JPS6030019 B2 JP S6030019B2 JP 14456877 A JP14456877 A JP 14456877A JP 14456877 A JP14456877 A JP 14456877A JP S6030019 B2 JPS6030019 B2 JP S6030019B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- optical signal
- recording carrier
- signal recording
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学的に情報を記録する担体、特にビデオディ
スクやＰＣＭ録音レコードのレプリカを大量に製造する
ための原盤の製造方法に関する。
スクやＰＣＭ録音レコードのレプリカを大量に製造する
ための原盤の製造方法に関する。
従釆ビデオディスク等の原盤は、ガラス基板上に直接金
属の薄膜を形成し、その上にレーザービーム等を照射し
、薄膜を蒸発せしめて凹部（ビット）となし情報を記録
したものであたつが、凹部の深さが浅過ぎると充分なＳ
／Ｎ比（信号対雑音比）を有するレプリカを製造するこ
とが困難となるので、凹部の深さすなわち薄膜の厚さは
少くともｌｏｏ０乃至２０００Ａ（オングストローム）
必要とした。しかしながら、薄膜をこのように厚くする
としーザービームの照射による薄膜の蒸発が不充分とな
り、レーザービームに含まれる情報を原盤上へ正確に転
写すること自体が困難なものとなってしまう欠点があっ
た。またレーザービームにより蒸発した薄膜は凹部周辺
に突起部を形成し、精度の低下またＳ／Ｎ比の劣化をも
たらす別の原因となつていた。本発明は斯る欠点を除去
し、レーザービームに含まれる情報をより正確に記録し
得るとともに、充分なるＳ／Ｎ比を有するレプリカを製
造し得る精度の高い原盤を製造する方法を提供するもの
である。
属の薄膜を形成し、その上にレーザービーム等を照射し
、薄膜を蒸発せしめて凹部（ビット）となし情報を記録
したものであたつが、凹部の深さが浅過ぎると充分なＳ
／Ｎ比（信号対雑音比）を有するレプリカを製造するこ
とが困難となるので、凹部の深さすなわち薄膜の厚さは
少くともｌｏｏ０乃至２０００Ａ（オングストローム）
必要とした。しかしながら、薄膜をこのように厚くする
としーザービームの照射による薄膜の蒸発が不充分とな
り、レーザービームに含まれる情報を原盤上へ正確に転
写すること自体が困難なものとなってしまう欠点があっ
た。またレーザービームにより蒸発した薄膜は凹部周辺
に突起部を形成し、精度の低下またＳ／Ｎ比の劣化をも
たらす別の原因となつていた。本発明は斯る欠点を除去
し、レーザービームに含まれる情報をより正確に記録し
得るとともに、充分なるＳ／Ｎ比を有するレプリカを製
造し得る精度の高い原盤を製造する方法を提供するもの
である。
以下図を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図乃至第６図中同一数字は各々対応する部分を示す
。本発明によれば、先ずガラス基板１上に直接薄膜２を
形する（第１図）。
。本発明によれば、先ずガラス基板１上に直接薄膜２を
形する（第１図）。
該薄膜２はクロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），バナデイ
ウム（Ｖ），ニオビウム（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），
タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），ハフニウム
（Ｈｆ）等の金属またはこれらの酸化物もしくは窒化物
であって、情報記録の際しーザービームの照射により容
易に蒸発し、かつ後述するイオンミリングまたはガスプ
ラズマによるエッチング過程においてマスクとしての機
能を果たすだけの耐性を有しているものであればよい。
該薄膜２は蒸着，スパッタリング，ＣＶＤ（ケミカルペ
ーパーデイポジシヨン）等により、ｌｏｏ乃至８００Ａ
程度の厚さに成長させる。上記金属中クロム（Ｃｒ）は
特にガラス基板１との密着性が良く、薄膜形成も容易で
ある。次に該薄膜２上にレーザービームを照射し、情報
を記録する（第２図）。第２図中３は該薄膜２がレーザ
ービームの照射により蒸発した部分を表わす。ここまで
の過程は該薄膜２の厚さに関する点を除き従来の原盤製
造方法と同様である。本発明においてはさらに該薄膜２
をマスクとしてイオンミリングまたはガスプラズマによ
り該ガラス基板１をエッチングする（第３図）。第３図
中４はエッチ部を表わす。該エッチ部４の深さを９００
乃至１２００Ａとすることにより、該薄膜２の厚さと合
わせてｌｏｏ０乃至２０００Ａの段差を得ることができ
る。通常のケミカルエッチを行った場合は第４図に示す
ように該エッチ部４が縦方向のみならず横方向にもエッ
チが進行するので精度の高い原盤を製造することができ
ない。イオンミリングまたは圧力が１０乃至０．０１Ｔ
ｏｎのガスプラズマェツチによる場合は、斯る横方向の
エッチがないか極めて少ないので高精度の原盤を製造す
ることができる。またレーザービームの照射により該薄
膜２を蒸発せしめた場合、蒸発により生じた凹部３の周
囲の薄膜が突起部５を形成する（第５図）。
ウム（Ｖ），ニオビウム（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），
タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），ハフニウム
（Ｈｆ）等の金属またはこれらの酸化物もしくは窒化物
であって、情報記録の際しーザービームの照射により容
易に蒸発し、かつ後述するイオンミリングまたはガスプ
ラズマによるエッチング過程においてマスクとしての機
能を果たすだけの耐性を有しているものであればよい。
該薄膜２は蒸着，スパッタリング，ＣＶＤ（ケミカルペ
ーパーデイポジシヨン）等により、ｌｏｏ乃至８００Ａ
程度の厚さに成長させる。上記金属中クロム（Ｃｒ）は
特にガラス基板１との密着性が良く、薄膜形成も容易で
ある。次に該薄膜２上にレーザービームを照射し、情報
を記録する（第２図）。第２図中３は該薄膜２がレーザ
ービームの照射により蒸発した部分を表わす。ここまで
の過程は該薄膜２の厚さに関する点を除き従来の原盤製
造方法と同様である。本発明においてはさらに該薄膜２
をマスクとしてイオンミリングまたはガスプラズマによ
り該ガラス基板１をエッチングする（第３図）。第３図
中４はエッチ部を表わす。該エッチ部４の深さを９００
乃至１２００Ａとすることにより、該薄膜２の厚さと合
わせてｌｏｏ０乃至２０００Ａの段差を得ることができ
る。通常のケミカルエッチを行った場合は第４図に示す
ように該エッチ部４が縦方向のみならず横方向にもエッ
チが進行するので精度の高い原盤を製造することができ
ない。イオンミリングまたは圧力が１０乃至０．０１Ｔ
ｏｎのガスプラズマェツチによる場合は、斯る横方向の
エッチがないか極めて少ないので高精度の原盤を製造す
ることができる。またレーザービームの照射により該薄
膜２を蒸発せしめた場合、蒸発により生じた凹部３の周
囲の薄膜が突起部５を形成する（第５図）。
そこでさらにマスクとして使用した該薄膜２をケミカル
エッチにより除去することができる（第６図）。この場
合は該エッチ部４のみの深さをｌｏｏ０乃至２０００人
とすればよい。以上の如く本発明によれば、金属薄膜の
厚さを薄くすることにより、より正確な精度の高い情報
の記録が可能となったばかりでなく、ガラス基板をエッ
チングすることにより、レプリカ製造の際充分なＳ／Ｎ
比を得るための段差をも確保することができるのである
。
エッチにより除去することができる（第６図）。この場
合は該エッチ部４のみの深さをｌｏｏ０乃至２０００人
とすればよい。以上の如く本発明によれば、金属薄膜の
厚さを薄くすることにより、より正確な精度の高い情報
の記録が可能となったばかりでなく、ガラス基板をエッ
チングすることにより、レプリカ製造の際充分なＳ／Ｎ
比を得るための段差をも確保することができるのである
。
さらにまたマスクとして使用した薄膜を除去することに
より、さらに精度の高い情報の記録が可能となる。
より、さらに精度の高い情報の記録が可能となる。
各図はいずれも光学的信号記緑担体の断面図であり、第
１図乃至第３図および第６図は本発明の実施例を、第４
図および第５図はその説明図を表わす。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・薄膜、３・
・・・・・凹部、４・・・・・・エッチ部、５・・・・
・・突起部。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
１図乃至第３図および第６図は本発明の実施例を、第４
図および第５図はその説明図を表わす。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・薄膜、３・
・・・・・凹部、４・・・・・・エッチ部、５・・・・
・・突起部。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板上に、蒸着，スパツタリングもしくはＣ
ＶＤ等により金属またはその酸化物もしくは窒化物の薄
膜を形成し、該薄膜上にレーザービームで情報信号を記
録し、該薄膜をマスクとして該ガラス基板に第１のエツ
チングをすることにより所定の段差を形成することを特
徴とする光学的信号記録担体の製造方法。 ２ 上記第１のエツチングがイオンミリングまたはガス
プラズマによることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的信号記録担体の製造方法。 ３ ガラス基板上に、蒸着，スパツタリングもしくはＣ
ＶＤ等により金属またはその酸化物もしくは窒化物の薄
膜を形成し、該薄膜上にレーザービームで情報信号を記
録し、該薄膜をマスクとして該ガラス基板に第１のエツ
チングをすることにより所定の段差を形成し、マスクと
して使用した該薄膜を第２のエツチングにより除去する
ことを特徴とする光学的信号記録担体の製造方法。 ４ 上記第１のエツチングがイオンミリングまたはガス
プラズマによることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の光学的信号記録担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14456877A JPS6030019B2 (ja) | 1977-12-01 | 1977-12-01 | 光学的信号記録担体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14456877A JPS6030019B2 (ja) | 1977-12-01 | 1977-12-01 | 光学的信号記録担体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5477105A JPS5477105A (en) | 1979-06-20 |
| JPS6030019B2 true JPS6030019B2 (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=15365238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14456877A Expired JPS6030019B2 (ja) | 1977-12-01 | 1977-12-01 | 光学的信号記録担体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030019B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
| JPS60195748A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
| JPS60197960A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH0685237B2 (ja) * | 1984-03-16 | 1994-10-26 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
| JPH0695395B2 (ja) * | 1985-09-10 | 1994-11-24 | 松下電器産業株式会社 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
| JPS6278726A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の記録・再生方法および平板状情報記録担体 |
-
1977
- 1977-12-01 JP JP14456877A patent/JPS6030019B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5477105A (en) | 1979-06-20 |
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