JPH0373938B2 - - Google Patents
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- JPH0373938B2 JPH0373938B2 JP59003797A JP379784A JPH0373938B2 JP H0373938 B2 JPH0373938 B2 JP H0373938B2 JP 59003797 A JP59003797 A JP 59003797A JP 379784 A JP379784 A JP 379784A JP H0373938 B2 JPH0373938 B2 JP H0373938B2
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- resist film
- grooves
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- film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ
素子の製造方法に関する。
素子の製造方法に関する。
＜従来技術＞
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが光のビーム径だけで決まるため、その
形状を1μｍ程度の大きさにすることができるた
めである。しかしこの事は光メモリ装置に多くの
制限を加える事になる。即ちある定まつた場所に
情報を記録したり、あるいはある定まつた場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビー
ムを極めて正確に位置決めしなければならないの
である。一般に再生専用の光メモリでは記録した
ビツトに予め番地情報を入れておく事ができるの
で記録情報を再生しながら光ビームの位置決めを
することができるが、追加記録メモリあるいは書
き換え可能なメモリにおいては情報記録時に番地
情報まで一緒に記録する事は極めて困難である。
従つて追加メモリあるいは書き換え可能なメモリ
ではメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガ
イド番地を入れておくという方法が採られてい
る。例えば第２図に従来の追加記録メモリあるい
は書き換え可能なメモリのメモリ基板の一部斜視
図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形成
しておきこの溝に添つて情報を記録あるいは再生
する方法が一般的である。上記凹凸の溝は円周方
向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ツト情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成
方向はすでに何種類かを提案されている。たとえ
ば第３図に示す如く凹凸の溝の入つたNiスタン
パー１を用い射出成形によりアクリルやポリカー
ボネート等の樹脂基盤２に直接凹凸の溝を転写す
る方法や、第４図に示す如くガラスあるいはアク
リル等の基板４と凹凸の溝の入つたスタンパー１
との間に紫外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化
樹脂に凹凸の溝を転写する方法（2P法）等であ
る。しかしこれらの方法はいずれも樹脂を用いて
いるので樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録
媒体に達するため記録媒体の品質が劣化するとい
う欠点を有する。
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが光のビーム径だけで決まるため、その
形状を1μｍ程度の大きさにすることができるた
めである。しかしこの事は光メモリ装置に多くの
制限を加える事になる。即ちある定まつた場所に
情報を記録したり、あるいはある定まつた場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビー
ムを極めて正確に位置決めしなければならないの
である。一般に再生専用の光メモリでは記録した
ビツトに予め番地情報を入れておく事ができるの
で記録情報を再生しながら光ビームの位置決めを
することができるが、追加記録メモリあるいは書
き換え可能なメモリにおいては情報記録時に番地
情報まで一緒に記録する事は極めて困難である。
従つて追加メモリあるいは書き換え可能なメモリ
ではメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガ
イド番地を入れておくという方法が採られてい
る。例えば第２図に従来の追加記録メモリあるい
は書き換え可能なメモリのメモリ基板の一部斜視
図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形成
しておきこの溝に添つて情報を記録あるいは再生
する方法が一般的である。上記凹凸の溝は円周方
向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ツト情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成
方向はすでに何種類かを提案されている。たとえ
ば第３図に示す如く凹凸の溝の入つたNiスタン
パー１を用い射出成形によりアクリルやポリカー
ボネート等の樹脂基盤２に直接凹凸の溝を転写す
る方法や、第４図に示す如くガラスあるいはアク
リル等の基板４と凹凸の溝の入つたスタンパー１
との間に紫外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化
樹脂に凹凸の溝を転写する方法（2P法）等であ
る。しかしこれらの方法はいずれも樹脂を用いて
いるので樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録
媒体に達するため記録媒体の品質が劣化するとい
う欠点を有する。
この欠点に鑑み本発明者等は既に樹脂材を用い
なくとも光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成で
きる製造方法を提案している（特願昭58−
84613）。
なくとも光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成で
きる製造方法を提案している（特願昭58−
84613）。
＜目的＞
本発明は上述した樹脂を用いなくとも光メモリ
素子のガラス基板に凹凸の溝を形成できる製造方
法に更に改良を施こすことによつて、上記溝の形
状の精度を向上せしめることを目的とするもので
ある。
素子のガラス基板に凹凸の溝を形成できる製造方
法に更に改良を施こすことによつて、上記溝の形
状の精度を向上せしめることを目的とするもので
ある。
＜実施例＞
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実
施例を図面を用いて詳細に説明する。
施例を図面を用いて詳細に説明する。
第５図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の
製法を工程順に示す説明図である。
製法を工程順に示す説明図である。
次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基
板の製法の一実施例を工程順説明する。
板の製法の一実施例を工程順説明する。
工程（）……酸素、水分等の通過に対して信頼
性の高い（酸素、水分等を通過させない）ガラ
ス基板５の上にレジスト膜６を塗布する（第５
図ａ）。
性の高い（酸素、水分等を通過させない）ガラ
ス基板５の上にレジスト膜６を塗布する（第５
図ａ）。
工程（）……上記ガラス基板５の上に塗布した
レジスト膜６にArレーザ等の光７を対物レン
ズ８を介して照射して光メモリ素子用のガイト
溝（第２図参照）の巾と同一の巾を持つ線（あ
るいは番地信号を記録する断続線）を書き込む
（第５図ｂ）。
レジスト膜６にArレーザ等の光７を対物レン
ズ８を介して照射して光メモリ素子用のガイト
溝（第２図参照）の巾と同一の巾を持つ線（あ
るいは番地信号を記録する断続線）を書き込む
（第５図ｂ）。
工程（）……上記線（若しくは断続線）を書き
込んだレジスト膜６を現像工程に通すことで上
記レジスト膜６に凹凸の溝を形成する（第５図
ｃ）。
込んだレジスト膜６を現像工程に通すことで上
記レジスト膜６に凹凸の溝を形成する（第５図
ｃ）。
工程（）……上記凹凸の溝を形成したレジスト
膜６の被覆状態において、CF4、CHF3等のエ
ツチングガス中でスパツタリング（リアクテイ
ブイオンエツチング）を行ないガラス基板５に
溝９を形成する（第５図ｄ）。
膜６の被覆状態において、CF4、CHF3等のエ
ツチングガス中でスパツタリング（リアクテイ
ブイオンエツチング）を行ないガラス基板５に
溝９を形成する（第５図ｄ）。
工程（）……上記レジスト膜６をアセトン等の
溶媒、O2中でのスパツタリング等により除去
する。この結果ガラス基板５に溝９が残る（第
５図ｅ）。
溶媒、O2中でのスパツタリング等により除去
する。この結果ガラス基板５に溝９が残る（第
５図ｅ）。
次に第６図に、上記リアクテイブイオンエツチ
ングを行ない互いにエツチング条件を変えた時の
溝９の断面形状を示す。この断面形状はタリステ
ツプによる測定で求めた。同図ａは溝９の底面が
平坦に形成された場合の形状（溝の深さ500Å、
溝の巾１μｍ）を示し、同図ｂは溝９の底面中央
が凸形に湾曲して形成された場合の形状を示す。
ここで同図ａの溝と同図ｂの溝とをガイドトラツ
クとして再生光を導き、サーボをかけて再生信号
の雑音を測定したところ同図ａの溝の方が同図ｂ
の溝よりも２〜3dB程度ノイズ成分が低いことが
判明した。即ち溝９の底面が平坦に形成されてい
る事が再生特性上有効なのである。同図ａの溝と
同図ｂの溝とでは上記した如くエツチング条件が
異なり、具体的に言えば同図ａの構形成の場合は
エツチングガス圧を低くするとともにスパツタ電
極の自己バイアスを高く設定したが、同図ｂの溝
形成の場合は相対的にエツチングガス圧を高くす
るとともにスパツタ電極の自己バイアスを低く設
定した。
ングを行ない互いにエツチング条件を変えた時の
溝９の断面形状を示す。この断面形状はタリステ
ツプによる測定で求めた。同図ａは溝９の底面が
平坦に形成された場合の形状（溝の深さ500Å、
溝の巾１μｍ）を示し、同図ｂは溝９の底面中央
が凸形に湾曲して形成された場合の形状を示す。
ここで同図ａの溝と同図ｂの溝とをガイドトラツ
クとして再生光を導き、サーボをかけて再生信号
の雑音を測定したところ同図ａの溝の方が同図ｂ
の溝よりも２〜3dB程度ノイズ成分が低いことが
判明した。即ち溝９の底面が平坦に形成されてい
る事が再生特性上有効なのである。同図ａの溝と
同図ｂの溝とでは上記した如くエツチング条件が
異なり、具体的に言えば同図ａの構形成の場合は
エツチングガス圧を低くするとともにスパツタ電
極の自己バイアスを高く設定したが、同図ｂの溝
形成の場合は相対的にエツチングガス圧を高くす
るとともにスパツタ電極の自己バイアスを低く設
定した。
次に第１図にエツチング条件を種々と変えた時
の溝形状の測定結果を示す。溝の底面が平坦に形
成されたものを○印で示し、溝の底面中央が凸状
に湾曲して形成されたものを×印で示している。
同図により、リアクテイブイオンエツチングの際
にエツチングガス圧を30ｍTorr以下で且つ電極
の自己バイアスが400V以上とした時溝の底面を
平坦に形成でき、良好な案内溝を作成できること
が判る。
の溝形状の測定結果を示す。溝の底面が平坦に形
成されたものを○印で示し、溝の底面中央が凸状
に湾曲して形成されたものを×印で示している。
同図により、リアクテイブイオンエツチングの際
にエツチングガス圧を30ｍTorr以下で且つ電極
の自己バイアスが400V以上とした時溝の底面を
平坦に形成でき、良好な案内溝を作成できること
が判る。
第７図は上記した好ましいエツチング条件によ
つて溝を形成した基板を具備した光メモリ素子の
一部側面断面図である。５は上記した好ましいエ
ツチング条件によつて溝が形成されたガラス基
板、１０はAlN膜、Si3N4膜等の窒化膜からなる
誘電体膜、１１はGdNdFe、GdTbFe、GdCo等
の稀土類と遷移金属との合金薄膜（記録媒体）、
１２はAl膜、ステンレス膜等からなる反射膜で
ある。上記誘電体膜１０及び反射膜１２は磁気光
学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜１
１への酸素及び水分の到達を防止する作用を有す
る。１３は接着層、１４は該接着層１３より接着
されるガラス、アクリル等からなる保護板であ
る。この保護板１４の代わりにメモリ素子の２枚
を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモリ素
子にすることも可能である。
つて溝を形成した基板を具備した光メモリ素子の
一部側面断面図である。５は上記した好ましいエ
ツチング条件によつて溝が形成されたガラス基
板、１０はAlN膜、Si3N4膜等の窒化膜からなる
誘電体膜、１１はGdNdFe、GdTbFe、GdCo等
の稀土類と遷移金属との合金薄膜（記録媒体）、
１２はAl膜、ステンレス膜等からなる反射膜で
ある。上記誘電体膜１０及び反射膜１２は磁気光
学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜１
１への酸素及び水分の到達を防止する作用を有す
る。１３は接着層、１４は該接着層１３より接着
されるガラス、アクリル等からなる保護板であ
る。この保護板１４の代わりにメモリ素子の２枚
を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモリ素
子にすることも可能である。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の
光磁気メモリ素子について示したが、本発明は第
７図に示した合金薄膜１１の膜厚を厚くして反射
膜１２を除去した構造を有する単層膜構造の光磁
気メモリ素子、あるいはTe、TeS、TeOx等を記
録媒体とする追加記録型の光メモリ素子において
も適用可能である。
光磁気メモリ素子について示したが、本発明は第
７図に示した合金薄膜１１の膜厚を厚くして反射
膜１２を除去した構造を有する単層膜構造の光磁
気メモリ素子、あるいはTe、TeS、TeOx等を記
録媒体とする追加記録型の光メモリ素子において
も適用可能である。
＜効果＞
以上説明したように、本発明によればガラス基
板上にレジスト膜を被覆してリアクテイブイオン
エツチングを行うことによつてガラス基板にガイ
ド溝を形成するに際して、ガラス基板をエツチン
グするリアクテイブイオンエツチングの条件とし
てエツチングガス圧を30ｍTorr以下に設定する
と共に電極の自己バイアスを400V以上に制定す
るのでガイド溝底部の断面に盛り上がりを生ずる
ことがなく、ガラス基板にリアテイブイオンエツ
チングによつて良好な形状のガイド溝を形成する
ことができ、ガイド溝形状の不整に起因する再生
信号の雑音を低減することのできる光メモリ素子
の製造方法を提供することができる。
板上にレジスト膜を被覆してリアクテイブイオン
エツチングを行うことによつてガラス基板にガイ
ド溝を形成するに際して、ガラス基板をエツチン
グするリアクテイブイオンエツチングの条件とし
てエツチングガス圧を30ｍTorr以下に設定する
と共に電極の自己バイアスを400V以上に制定す
るのでガイド溝底部の断面に盛り上がりを生ずる
ことがなく、ガラス基板にリアテイブイオンエツ
チングによつて良好な形状のガイド溝を形成する
ことができ、ガイド溝形状の不整に起因する再生
信号の雑音を低減することのできる光メモリ素子
の製造方法を提供することができる。
第１図は本発明の光メモリ素子の製造方法に係
るエツチング条件を示すグラフ図、第２図は従来
のメモリ基板の一部斜視図、第３図及び第４図は
従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図、第５
図は本発明の光メモリ素子の製造方法に係る一実
施例を示す説明図、第６図は溝の断面図、第７図
は光メモリ素子の一部側面断面図である。 図中、１：Niスタンパー、２：樹脂基板、
３：紫外線硬化樹脂、４：基板、５：ガラス基
板、６：レジスト膜、７：光、８：対物レンズ、
９：溝、１０：透電体膜、１１：合金膜、１２：
反射膜、１３：接着層、１４：保護板。
るエツチング条件を示すグラフ図、第２図は従来
のメモリ基板の一部斜視図、第３図及び第４図は
従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図、第５
図は本発明の光メモリ素子の製造方法に係る一実
施例を示す説明図、第６図は溝の断面図、第７図
は光メモリ素子の一部側面断面図である。 図中、１：Niスタンパー、２：樹脂基板、
３：紫外線硬化樹脂、４：基板、５：ガラス基
板、６：レジスト膜、７：光、８：対物レンズ、
９：溝、１０：透電体膜、１１：合金膜、１２：
反射膜、１３：接着層、１４：保護板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜にレーザ光等の光を照射してガイ
ド溝パターンを記録し、 前記ガイド溝パターンを記録したレジスト膜を
現像し、 現像後の前記レジスト膜の被覆状態においてリ
アクテイブイオンエツチングを行うことによつて
前記ガラス基板にガイド溝を形成する工程を備
え、 前記リアクテイブイオンエツチング時における
エツチングガス圧を30ｍTorr以下に設定すると
共に電極の自己バイアスを400V以上に設定した
ことを特徴とする光りメモリ素子の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379784A JPS60147946A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
| US06/606,534 US4544443A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-03 | Method for manufacturing an optical memory element |
| CA000453843A CA1234684A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-08 | Method for manufacturing an optical memory element |
| EP91108307A EP0446967B1 (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | An optical memory element |
| DE3486405T DE3486405T2 (de) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Optisches Speicherelement. |
| EP84303176A EP0126594B1 (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Method for manufacturing an optical memory element |
| DE8484303176T DE3485354D1 (de) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Verfahren zur erzeugung eines optischen speicherelements. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379784A JPS60147946A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60147946A JPS60147946A (ja) | 1985-08-05 |
| JPH0373938B2 true JPH0373938B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=11567181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP379784A Granted JPS60147946A (ja) | 1983-05-13 | 1984-01-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60147946A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195748A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
| JPH0648546B2 (ja) * | 1984-07-14 | 1994-06-22 | 日本ビクター株式会社 | 情報記録担体の製造法 |
| JP2658023B2 (ja) * | 1986-08-20 | 1997-09-30 | 松下電器産業株式会社 | 平板状情報記録担体の原盤作成方法 |
| JP2693289B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1997-12-24 | シャープ株式会社 | 光メモリ |
| US6254966B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-07-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording mediums, supporter used in the mediums, manufacture methods of the supporter, manufacturing apparatus of the supporter and stampers for producing the mediums |
| JP4836447B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-12-14 | 三洋電機株式会社 | 系統連系発電装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
| JPS54134603A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Production of information recording medium |
| JPS55101144A (en) * | 1979-01-25 | 1980-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Production of signal recording disc |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP379784A patent/JPS60147946A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
| JPS54134603A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | Production of information recording medium |
| JPS55101144A (en) * | 1979-01-25 | 1980-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Production of signal recording disc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60147946A (ja) | 1985-08-05 |
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