JPH0253236A - 光記録媒体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等の光記録媒
体、並びにその製造方法に係わり、特に、トラックアク
セス速度を速めた場合においてもアクセスエラーが起こ
らない光記録媒体の改良に関するものである。

［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第１４図〜第１５図に示すよう
にフォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグル
ープ（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）　　（ａ　）が施された
透明基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた記
録１１（Ｃ）と、この記録層（Ｃ）全面に設けられた保
護層（ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記
録媒体（ｅ）への記録情報の入力は、第１６図に示すよ
うに集光レンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等
光源からの記録用集束光（ｇ）を上記記録１ｔ（Ｃ）の
所定部位へ照射し、その照射部位について記録層（Ｃ）
の相変化、磁化反転、あるいは変形等を起こさせ、非照
射部とは反射率若しくはカー回転角の責なる記録ドツト
（ｈ）（第１５図参照）を形成して行なわれるものであ
る。この場合、光源からの集束光（Ｑ）を上記記録１１
（ｃ）の所定部位へ確実に照射させるため上記プリグル
ープ（ａ）を利用してフォーカシング、並びにトラッキ
ングサーボ制御を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の
幅寸法を第１７図に示すように、記録用集束光スポット
（１）における弾度変化が最も急峻な値を示す半値幅〈
Ω２）程度に設定し、略同−サイズの記録ドツト（ｈ）
が安定して形成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第１８図〜第
１９図に示すように再生用集束光（０）を光記録媒体（
ｅ）の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受
光素子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場
合、再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されて
おり、第１７図に示すように代表的には再生用集束光ス
ポット（ｉ）における１／ｅ２全幅（Ωｅ）領域の光が
再生信号に寄与するものと考えられる。

ところで、上記光記録媒体（ｅ）の目的トラックを呼出
しその所定の記録情報を再生するような場合、従来にお
いては光学系等が搭載された光ヘッドを光記録媒体（ｅ
）のプリグループ（ａ）を横切る方向へ移動操作し、こ
のプリグループ（ａ）を光ヘッドが横切るときに発生す
るトラッククロッシング信号を検出し、この検出された
トラッククロッシング信号の個数をカウントして光ヘッ
ドの位置を制御する方法が採られている。

この場合、トラックアクセス中において第１４図〜第１
５図に示すように光ヘッドはプリグループ（ａ）以外に
記録ドツト（ｈ＞部分をも横切るため、プリグループ（
ａ）だけでなく記録ドツト（ｈ）部分でもデータ信号が
発生することになる。

しかし、上記光記録媒体（ｅ）は回転しており光ヘッド
が記録ドツト（ｈ）部分を横切る間に多数の記録ドツト
（ｈ）を読取ることになるため、記録ドラ）−（ｈ）部
分で発生するデータ信号は１〜５ＭＨｚ程度の周波数成
分を有する高周波信号となるのに対し、トラックアクセ
ス中におけるトラッククロッシング信号は、上記プルグ
ループ（ａ）を横切るときに発生するもので１００Ｋ〜
３００Ｋ　Ｈｚ以下程度の低周波成分を有している。

従って、光ヘッドの出力をローパスフィルター等で周波
数的に分離し、低周波成分を取出すことによってトラッ
ククロッシング信号のみを抽出するこ、とが可能となり
、この抽出されたトラッククロッシング信号に基づいて
光ヘッドを適正位置へ移動できるものであった。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記光ヘッドのトラックアクセス速度を
速めた場合、光ヘッドがプリグループ（ａ）を横切ると
きに発生するトラッククロッシング信号に含まれる周波
数成分が高くなり、記録ドツト（ｈ）部分で発生するデ
ータ信号との周波数的な差が少なくなって両信号を周波
数的に分離することが困難となるため、トラッククロッ
シング信号を正確に抽出できなくなってアクセスエラー
を起こし易くなる欠点があった。

このため、光ヘッドのトラックアクセス速度に限界があ
ってトラックアクセスの高速化が図れないといった問題
点があった。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、アクセスエラーを起こさずにトラ
ックアクセス速度の高速化が図れる光記録媒体を提供す
ることにある。

すなわち本発明は、基板と、この基板の少なくとも片側
全面に設けられた記録層とを備え、集束光を照射させて
光学的に情報の記録再生、あるいは記録再生消去を行う
光記録媒体を前提とし、上記記録層に間隔を介し低反射
性の非記録部を複数設けたことを特徴とするものである
。

この様な技術的手段において上記基板としては、この基
板側から集束光を照射させる関係上光透過性の材料が望
ましく、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリアク
リロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、エポキシ樹脂
、ポリペンテン等が挙げられる。また、単一の光透過性
材料でもって上記基板を構成してもよく、あるいは上記
光透過性材料を複数積層して基板としても当然のことな
がらよい。更に、上記基板の形状については通常円形状
とするが、カード型の光記録媒体とする場合には矩形状
とするのが好ましい。尚、基板の反対側から集束光を照
射させて記録・再生、あるいは記録・再生・消去を行う
光記録媒体においては、当然のことながら上記光透過性
以外の光不透過性の材料でもって基板を構成してもよい
。

一方、記録層を構成する記録材料としては、光記録材料
として広く知られてし）る全での材料を使用することが
できる。

すなわち、Ｔｅ、Ｓｅ、５ＸＳｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｐｂ、Ｓ
ｎ、Ｇｅ、Ｓ　ｉ、丁７．Ｉｎ、Ｇａ、ＡＩ、　ｚｎＳ
Ａｕ、Ａｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔ　ｉ、Ｎ１、Ｃｒ、
及びＷ等の元素のうち少なくとも一成分以上を含む単体
、若しくは化合物、あるいはそれらが他の材料中に分散
された材料を使用することができる。このうちＴｅ５Ｓ
ｅ−Ｔｅ、Ｐｂ−８ｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ等は書換不能な
記録・再生タイプである穴開は形の材料に適しており、
ＴｅＯ、Ｔｅａｘ　（Ｇｅ、Ｓｎ添加＞、　　ＩｎＳｅ
、Ｉｎ−８ｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔｅ−Ｇｅ−
３ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎ−Ａｕ。

Ａｓ２Ｓ３．５ｂ−ＴｅＳＴｅ−Ｎ、Ｇｅ−−ｒｅ、Ａ
ａ−Ｉｎ、ＡＱ−Ｚｎ％Ｃｕ−Ａｊ、ＡＱＡｊ−Ｃｕ、
Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｔｉ、及び、Ｃｒ−Ｔｉ等は
書換可能な記録・再生・消去タイプである相変化形記録
材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としてはＦｅ、Ｃ０１
Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属、及び、Ｔｂ。

Ｇｄ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ５Ｅｎ１ＤＶ、ＨＯ。

Ｅｒ、　Ｔｍ、Ｙｂ、ｌｕ等の希土類元素のうち少なく
とも一成分以上を含む磁気材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｄｙ−Ｆｅ％Ｍｎ−Ｂ　ｉ、Ｐｔ
−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

尚、これ等記録材料を基板上に形成する手段としては、
例えば、上記記録材料を直接基板上に形成する蒸着法、
スパッタリング法等のドライプロセスが、また、溶剤に
溶解若しくは分散された記録材料を基板上に塗布形成す
るウェットプロセスが適用できる。

また、上記記録層に形成される非記録部は、非記録部以
外の記録部と較べてその反射光口の差別化が可能な程度
の低反射性を示す部位、好ましくは記録部の中で最も低
い反射率より１０％以上低い反射率を示す部位であり、
記録層に形成された表面粗面部でもってこれを構成する
ことができる。

また、記録層に表面粗面部を形成する手段としては、記
録層表面に直接設けてもよいが、基板表面に予め粗面領
域を形成し、この粗面領域に基づいて形成する方法が粗
面精度を向上できる観点から便利である。但し、形成手
段は当然のことながらこの粗面領域を形成する方法に限
定されるものではない。

更に、上記非配録部の形状については、円形基板におい
ては渦巻き状、若しくは同心円状の帯状体であり、一方
、矩形基板においては互いに平行な帯状体である。

また、上記非記録部の幅寸法、並びに非記録部間の間隔
、すなわち記録部の幅寸法については任意に設定できる
が、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げるには以下の範囲
に設定するとよい。まず記録部の幅寸法については記録
用集束光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、好ましく
はΩ２／３〜２ｘＱ２／３程度に、また、上記記録部の
トラックピッチＴＰとなる非記録部の幅寸法のについて
は、記録用集束光スポットの１／ｅ２全幅をΩｅとした
場合において、略〈Ｔ＋Ωｅ）／２に設定することが望
ましい。

このように構成される光記録媒体においては記録部から
の反射光量に較べて非記録部からの反射光量が極端に小
さくなるため、例えば、以下に示すようなレベル比較器
を用いることにより、光ヘッドが非記録部を横切るとき
に発生するトラッククロッシング信号のみを確実に抽出
することが可能となる。すなわち、上記レベル比較器の
基準電圧ＶＲを非記録部からのトラッククロッシング信
号の最低値ＶＴＣよりも高り、−・方、記録部からのデ
ータ信号の最低ｔｉ　ｖ　、、よりも低くなるように設
定することにより上記トラッククロッシング信号のみを
抽出できる。従って、抽出されたトラッククロッシング
信号に基づいて光ヘッドの位置制御を容易に行える利点
を有している。

次に、上記非記録部が基板表面に設けられた粗面領域に
基づいて形成される光記録媒体の製造に適する製造方法
に係る発明は、マスター型盤に基づいて粗面領域を有す
る基板を作成する基板作成工程と、この基板上に記録材
料を着膜させて記録層を形成する記録層形成工程とを具
備し、かつ、上記マスター型盤が、マスター型盤作成用
のペース基材上にフォトレジスト膜を形成するレジスト
膜形成工程と、このレジスト膜の一部を粗面化すると共
に他のレジスト膜を除去して粗面部と平滑部を形成する
表面処理工程と、上記粗面部と平滑部上に導電性材料Ｓ
躾を形成して導電性化する導電化処理工程と、この導電
化１１！ｌ即された粗面部と平滑部上に金属層を形成し
てマスター型盤用基材とする金属層形成工程と、上記マ
スター型盤用基材をベース基材から剥離してマスター型
盤を得る剥離工程の各工程から製造されていることを特
徴とするものである。

この場合、上記表面処理工程については同一光源から出
力されたレーザ光を交差させて得られる干渉縞様の合成
レーザ光をフォトレジスト膜上へ照射する粗面照射処理
と、この粗面照射処理後のフォトレジスト膜上へ間隔を
介しレーザ光を均一照射する区画照射処理と、これ等照
射処理されたフォトレジスト膜を現像して粗面部と平滑
部を形成する現像処理とで構成することができる。尚、
上ン粗面照射処理と区画照射処理との順位を逆転させて
構成しても当然のことながらよい。

尚、粗面照射処理に使用できる光源としては、アルゴン
イオンレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、■キシマレ
ーザ等が利用できる。また、合成レーザ光の干渉縞のピ
ッチ（ｄ）は、レーザ光の波長をλ、レーザ光の交差角
を２θとした場合、ｄ−λ７２ｓ　ｉｎθ により求められる。更に、区画照射処理に使用できる光
源としてはレーザカッティングマシーン等が利用できる
。

また、上記導電化処理工程において粗面部と平滑部上に
導電性材料薄膜を形成する手段としては、真空蒸着法、
スパン、クリング法等が利用できる。

そして、得られたマスター型盤に基づいて粗面領域を有
する基板を作成する手段としては、従来法において利用
されているインタ１クシヨン法、キャスティング法、所
謂２Ｐ法等が使用できる。

また、この技術的手段は片面側にのみ記録層を備える光
記録媒体に適用できる他、両面側に記録層を備える光記
録媒体にも適用できる。この場合後者のものは、記録層
を向い合せにし接着剤を介して２枚貼り合せて形成する
ことができ、また、この接着剤としては、ウレタン系接
着剤、エポキシ系接着剤、硬化性シリコーン樹脂、エチ
レン−酢酸ビニル樹脂等のホットメルト型接着剤、ポリ
塩化ビニル樹脂等の高周波接着剤、光硬化接着剤等が利
用できる。一方、前者のものにおいては上記記録層を保
護するだめの保護層を記録層側基板全面に設けてもよく
、この材料として５１０２、ＺｎＳ、ＺｒＯ、ＡｊＮ、
Ｓ　ｉ３Ｎ４等が利用できる。

また更に、この光記録媒体の記録層へ集束光を照射させ
て情報の記録・再生、あるいは記録・再生・消去を行う
光源としては、従来法において利用されている光源が使
用でき、具体的にはＧａＡｌＡｓ系半導体レーザ、　Ｇ
ａＡＩＩｎＰ系半導体レーザ、Ｇａ１ｎＡｓＰ系半導体
レーザ等の半導体レーザや、ｔｌ　ｅ　−Ｎ　ｅレーザ
、Ａ「レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等のガスレーザ等が挙
げられる。

更に、本発明に係る光記録媒体は、コンパクトディスク
等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加えて計算機用
光デイスク等各種用途に適用できる。

［作用コ 上述したよ−）な本発明に係る光記録媒体は、基板と、
この基板の少なくとも片側全面に設けられた記録層とを
備え、この配録層に間隔を介し低反射性の非記録部を複
数設けた構成となっているため、非記録部間におＧＪる
記録部からの反射光量に較べて非記録部からの反射光量
が少なくなり記録部からの反射光量ど非記録部からの反
射光ｌとの差を大きくすることが可能となる。

従って、この光記録媒体の非記録部を横切る方向へ光ヘ
ッドを移動操作し、光ヘッドが非記録部を横切るときに
発生する低出力のトラッククロッシング信号のみを上記
光ｌ差に基づいて容易に、かつ、確実に抽出することが
できるため、この抽出信号により光ヘッドの位置を制御
することが可能となる。

一方、非記録部が基板表面に設けられた粗面領域に基づ
いて形成される光記録媒体の製造方法に係る発明は、レ
ジスト膜形成工程と表面処理工程によりベース基材上に
粗面部と平滑部を形成し、かつ、このベース基材から導
電化処理工程、金属層形成工程、並びに剥離工程を経て
マスター型盤を得る一方、このマスター型盤に基づい−
Ｃ粗面領域を有する基板を作成しているため、この粗面
領域により記録層に高精度でもって非記録部を形成づる
ことが可能となる。

［実施例］ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明すると
、この光記録媒体（１）は、第１図・〜第２図に示すよ
うに表面に同心円状の粗面領域（２）が形成された円形
状のガラス製基板（３）と、この基板（３）上に一様に
設けられた記録層（４）と、上記記録層（４）側基板（
３）面上に一様に形成された保護層（５）とでその主要
部が構成されており、かつ、記録層（４〉には上記粗面
領域〈２）に基づいて形成された表面粗面部（２゛）に
て構成される非記録部（６）と、上聞粗面領域（２）間
の平滑領域（２勺に基づいて形成された記録部（７）が
設けられている。

また、上記記録部（７）の幅寸法Ｔは記録用半導体レー
ザスポットの半値幅（Ω２）［第５図（ｂ）及び（Ｃ）
参照１以上の５０００オングストロームに設定されてお
り、かつ、上記記録層（４）は３００オングストローム
厚のＴｅＯｘにより構成されている。

また、上記記録部（７）における反射率は３０％〜５０
％程度であるのに対し、非記録部（６）における反射率
は１０％でありその反射性が極端に低い値を示している
。

そして、同心円状に形成された非記録部（６）を利用し
てフォーカシング、並びにトラッキング制御を行いなが
ら、第２図及び第５図に示すように記録部（７）の所定
部位に記録用半導体レーザを照射しその径が半導体レー
ザスボツｉ−の半値幅（Ω２）程度の記録ドツト（８）
を形成し記録情報の入力を行うと共に、この記録ドラ］
〜（８）を再生用半導体レーザにより読取って再生信号
を得るものである。

尚、第゛１図中（９）は再生用の光ヘッドを示しており
、半導体レーザ（９１）と、このレーザ光を光記録媒体
（１）面へ結像させる集光レンズ（９２）と、光記録媒
体（１）からの反射ビームを偏光させるビームスプリッ
タ（９３）、ハーフミラ−（９４ンと、サーボ信号検出
器（９５）並びに再生信局受光器（９６）とでその主要
部が構成されているものである。また、第３図は上記光
記録媒体（１）を適用する光学的記録再生装置に組込ま
れたトラックアクセス装置の原理的なブロック図を示し
ており、このトラックアクセス装置は光ヘッド（９）と
、この光ヘッド（９）のサーボ信号検出器（９５）に入
力された光情報を増幅する増幅器（１０）と、この増幅
器〈１０）からのサーボ信号が負入力端子に供給され正
入力端子に基準電圧ＶＲが供給されるレベル比較器（１
１）と、このレベル比較器（１１）により抽出されたト
ラッククロッシング信号が入力されるトラックカウンタ
（１２）と、このトラックカウンタ（１２）によりカウ
ントされたトラッククロッシング信号数のデータ信号と
制御回路（１３）からのトラック指定信号とが入力され
る比較回路（１４）と、この比較回路（１４）からの比
較データ信号が入力されトラッククロッシング信号数の
データ信号とトラック指定信号とが一致するように光ヘ
ッド（９）の位置を変更させるサーボ回路（１５）とで
その主要部が構成されている。

そして、この実施例に係る光記録媒体（１）においては
、表面粗面部（２°）で構成される非記録部（６）から
の反射光量が記録部（７）からの反射光量に較べて極端
に少ないため、高速でトラックアクセスを行った場合に
おいても従来のようにアクセスエラーを起こすことがな
い。すなわち上記レベル比較器（１１）の基準電圧■８
を非記録部（６）からのトラッククロッシング信号の最
低値ＶＴＣよりも高く、記録部（７）からのデータ信号
の最低１ｉ１ｖｏ１よりも低くなるように設定すること
により、上記レベル比較器（１１）にてトラッククロッ
シング信号のみを確実に抽出することが可能となる。

第４図（ａ）〜（Ｃ）はこのことを示しており、光ヘッ
ド（９）について光記録媒体（１）の非記録部（６）を
横切る方向へ移動操作すると（第４図ａ参照）トラック
クロッシング信号が発生するが、この信号は記録部（７
）からのデータ信号に較べて反射光量が極端に少ないた
め、第４図（ｂ）に示すように増幅器（１０）にて増幅
されたこれ等の反射信号は容易に差別化することができ
る。このため、第４図（Ｃ）に示すようにレベル比較器
（１１）によりトラッククロッシング信号のみを確実に
抽出することが可能となる。

従って、上記レベル比較器（１１）で抽出されたトラッ
ククロッシング信号に基づいてトラックアクセス装置に
おけるトラックカウンタ（１２）、比較回路（１４）、
並びにサーボ回路（１５）により光ヘッド（９）の位置
制御が高精度で行え、高速のトラックアクセスが可能と
なる利点を有している。

また、この実施例に係る光記録媒体（１）においては、
上記記録部（７）の幅寸法Ｔが記録用半導体レーザスポ
ットの半値幅（Ω２）以下の５０００オングストローム
に設定されているため、従来の光記録媒体と比較して更
に以下に示すような種々の効果を有している。

まず、従来の光記録媒体と較べてトラックピッチ（ＴＰ
）を著しく小さく設定することが可能となる。

すなわち、光記録媒体のトラックピッチの最小値（ＴＰ
　　・　）は第５図（ｄ）に示すように、１ｎ （ＴＰ、、。）＝ Ｂ／２＋　（Ωｅ−Ｂ）／２＋８／２ −（Ｂ＋Ωｅ）／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツトの幅寸法、（Ωｅ）は再生用
集束光スポットにおｔノる１／ｅ２全幅を示している。

一方、この光記録媒体（１）においては、第５図（ｂ）
及び（ｄ）に示すように上記記録ドツト（８）の幅寸法
（Ｂ）が記録部（７）の幅寸法（Ｔ）と同一となってお
り、かつ、この幅寸法（Ｔ）は従来の光記録媒体におけ
る記録ドツト径〈Ω２）より小さく設定されているため
、実施例に係る光記録媒体（１）のトラックピッチの最
小値（ＴＰ’　　、　　）と、従来における光記録媒体
のｌｌｎ トラックピッチの最小値（ＩＰ　　、　）との関係は、
１ｎ （ＴＰ’　　・　）く（ＴＰ　　） １１ｎ　　　　　　　　　　　ｌｌｎ となり、従来と較べてトラックピッチ＜ＴＰ）を著しく
小さく設定でき、トラック密度の向上が図れる利点を有
している。

また、実施例に係る光記録媒体（１）においてはその記
録部（７）が帯状の記録層（４）により構成きれている
ため、第６図に示すように矩形状に近い記録ドツト（８
）を形成することができる。

従って、第７図においてβで示すように再生時における
再生信号波形が歪まないため、αで示す従来例と比較し
てＣ／Ｎ比、及びジッター共向上する利点を有している
。

更に、この光記録媒体（１）においては上記記録部（７
）以外の部位が非記録部（６）であるため媒体ノイズが
低減し、しかも、記録ドツト（８）の形状は記録部（７
）の帯状形状により規制されてばらつかないため、記録
ドツト（８）の境界部における反射率むらや磁区分布む
らが低減し、第８図においてβにて示すように再生信号
におけるＣ／Ｎ比が向上する長所を有している。尚、α
は従来の光記録媒体における再生信号のＣ／Ｎ比を示し
、Ｃはキャリア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベルを夫
々示している。

尚、この光記録媒体（１）においては記録ドツト（８）
の幅寸法（Ｔ）が従来のそれより狭くなるため、第８図
で示すようにキャリア信号レベルＣが若干減少するが、
ノイズ信号レベルＮについても大幅に減少するため結果
的にＣ／Ｎ比は増加することとなる。また、サーボ信号
ノイズも同様に減少するため、サーボ制御の安定化にも
貢献することとなる。特に、トラッキングサーボ制御は
、記録部（７）と非記録部（６）間との反射率差を大き
く設定できることと相まって大きく安定化する長所を有
している。

また更に、本発明を記録・再生・消去用の光記録媒体に
適用した場合、従来においては経時劣化を基因とする記
録層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラ
ッキングずれ等の原因によって記録情報を完全に消去で
きなくなるといった欠点が存したが、第９図に示すよう
に消し残りが発生する領域は非記録部（６）であるため
、消し残りが生じない長所を有している。

０１に！！焦左左１ １下、実施例に係る光記録媒体（１）の製造法について
説明する。

ｒマスター型盤の製造Ｊ まず、第１０図（ａ）に示す円形状のガラス製ベース基
材（２０）面上にスピンコード法によりポジタイプのフ
ォトレジスト材料（ヘキスト社製　商品名Ａ１１３５０
Ｊ）を塗布し、１０００オングストローム厚のフォトレ
ジストｇｌ（２１）を形成する。次いで、第１０図（ｂ
）に示すように上記フォトレジスト膜（２１）面上へ干
渉縞様の合成レーザ光を照射し、その露光部位のフォト
レジストＩＩＩ（２１）を変質させて現像剤であるアル
カリ水溶液に可溶性にする。

ここで、上記干渉縞様のレーザ光は以下に示すような装
置により合成したものである。すなわち、この装置は第
１１図に示すように、波長λ−４５７，９μｍのアルゴ
ンイオンレーザ光を出力するレーザ光源（４０）と、こ
の光路上に配設された集光レンズ（４１）と、この集光
レンズ（４１）を透過したレーザ光の一部を透過し残り
を反射させるハーフミラ−（４２）と、このハーフミラ
−（４２）を透過したレーザ光を上記フォトレジストＩ
Ｉ（２１）面上へ反射させる第一ミラー（４３）と、上
記ハーフミラ−（４２）からの反射レーザ光を反射させ
第一ミラ−（４３）からの反射レーザ光と交差角２θ＝
６６度で交差させる第二ミラー（４４）とでその主要部
が構成されるもので、同一の光１（４０）から出力され
たレーザ光を交差させることにより第１２図に示すよう
なｄ−０，２５μｍの直線干渉縞様の合成レーザ光が得
られるものである。

従って、この合成レーザ光をフォトレジスト膜（２１）
へ照射し、かつ、上記ベース基材（２０）を９０［回転
させた後、再度このフォトレジスト膜（２１）面へ照射
させることにより、第１３図に示すような格子状の粗面
パターンをフォトレジスト膜（２１）に形成することが
できるものである。尚、ベース基材（２０）の回転角度
を６０度等に設定して露光回数を増やすことにより格子
状以外の多角形状の粗面パターンを形成することが可能
である。

次いで、第１０図（Ｃ）に示すように図示外のレーザカ
ッティングマシーンにより上記粗面パターンが形成され
たフォトレジスト膜（２１）面上へ同心円状にレーザ光
を照射した後、この露光部位を現像液であるアルカリ水
溶液により溶解除去し、第１０図（ｄ）に示すように５
０００オングストロ一ム幅の平滑部（２２）と粗面部（
２３）を形成した。

そして、ボストベーク処理を施して残留するフォトレジ
スト膜（２１）を完全硬化させた後、第１０図（ｅ）に
示すようにスパッタリング法によりニッケル等の金属膜
（２４）を着膜させて導電化処理を施した。

更に、ニッケルメッキ処理を施して第１０図（ｆ）に示
すようにマスター型盤用基材（２５）とした後、これを
剥離し゛Ｃ第１０図（ｇ）に示すニッケル製のマスター
型盤（２６）を得た。尚、このマスター型盤（２６）は
複数回の繰返り、使用に耐えられるものである。

「光記録媒体の製造」 上記のようにして得られたマスター型盤（２６）に基づ
き、従来法であるインジェクション法により粗面領域（
２）の形成されたガラス製基板（３）を製造し、かつ、
この基板（３）上に３００オングストローム厚のＴｅＯ
ｘの記録層（４）をＮ着法により均一に着脱させて第１
図〜第２図に示す光記録媒体（１）を得た。

〔発明の効果１ 以上のように本発明に係る光記録媒体は、基板と、この
基板の少なくとも片側全面に設けられた記録層とを備え
、この記録層に間隔を介し低反射性の非記録部を複数設
けた構成となっているため、非記録部間における記録部
からの反射光量と非記録部からの反射光量との差を大き
くすることができる。

従って、この光記録媒体の非記録部を横切る方向へ光ヘ
ッドを移動操作し、光ヘッドが非記録部を横切るときに
発生する低出力のトラッククロッシング信号のみを上記
光ω差に基づいて容易に、かつ、確実に抽出することが
できるため、この抽出信号により光ヘッドの位置を制御
することか可能となって、トラックアクセス速度を速め
た場合においてもアクセスエラーが起こらない光記録媒
体を提供できる効果を有している。

また、光記録媒体の製造方法に係る発明によれば記録層
に高￥１度でもって非記録部を形成できるため、トラッ
クアクセス速度を速めた場合においでもアクセスエラー
が起こらない上記光記録媒体を容易に、かつ、確実に提
供できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１３図は本発明の実施例を示しており、第１
図は実施例に係る光記録媒体の斜視図、第２図はその部
分断面斜視図、第３図はこの光記録媒体を適用する光学
的記録再生装置に組込まれたトラックアクセス装置の原
理的なブロック図、第４図（ａ）は上記光記録媒体の拡
大部分平面図、第４図（ｂ）はトラックアクセス時にお
ける光記録媒体からの反射光量分布図、第４図（Ｃ）は
抽出されたトラッククロッシング信号の波形図、第５図
（ａ）は光記録媒体の部分断面図、第５図（ｂ）はその
部分平面図、第５図（Ｃ）は記録、再生用半導体レーザ
スポットの照度分布、第５図（ｄ）はトラックピッチを
最小にした場合の光記録媒体の部分平面図、第６図、及
び第９図は記録部、記録ドツト、及び非記録部の形状を
示す平面図、第７図は再生信号レベルと時間との関係図
、第８図は再生信号における駐ヤリア信号レベルとノ、
イズ信号レベルとの関係を示す関係図、第１０図（ａ）
〜（９）は上記光記録媒体の基板作成用のマスター′型
盤の製造例を示す工程説明図、第１１図は干渉縞様のレ
ーザ光を合成するＶｌ置の構成説明図、第１２図（ａ）
、（ｂ）　〜第１３図（ａ）、（ｂ）はこの干渉縞様の
合成レーザ光と干渉パターンの説明図を夫々示し、また
、第１４図〜第１９図は従来における光記録媒体を示し
ており、第１４図はその斜視図、第１５図及び第１８図
はその部分断面斜視図、第１６図は半導体レーザ等光源
の照度分布とその収束光スポットの照度分布、第１７図
は第１６図におけるＩの拡大図、第１９図は光記録媒体
の再生時における説明図である。 ［符号説明１ （１）・・・光記録媒体 （２）・・・粗面領域 （２゛）・・・表面粗面部 （２°°）・・・平滑領域 ・・・基板 ・・・記録層 ・・・非記録部 ・・・記録部 ・・・記録ドツト ・・・光ヘッド ・・・ベース基材 ・・・フォトレジスト膜 ・・・平滑部 ・・・粗面部 ・・・金属膜 ・・・マスター型盤用基材 ・・・マスター型盤 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外３名
）第４ １：光記録媒体 ９：光ヘッド 第 図 第 図 第 図 第６ 図 第 図 時間 第１０ 図 第１０ 図 ２５・マスター型盤用基材 ２６　　マスター型盤 第１１ 図 （ｂ） （ｂ） 第１３ 第１４ 図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、この基板の少なくとも片側全面に設けら
   れた記録層とを備え、集束光を照射させて光学的に情報
   の記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体に
   おいて、上記記録層に間隔を介し低反射性の非記録部を
   複数設けたことを特徴とする光記録媒体。
2. （２）マスター型盤に基づいて粗面領域を有する基板を
   作成する基板作成工程と、 この基板上に記録材料を着膜させて記録層を形成する記
   録層形成工程とを具備し、 かつ、上記マスター型盤が、 マスター型盤作成用のベース基材上にフォトレジスト膜
   を形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜の一
   部を粗面化すると共に他のレジスト膜を除去して粗面部
   と平滑部を形成する表面処理工程と、 上記粗面部と平滑部上に導電性材料薄膜を形成して導電
   性化する導電化処理工程と、 この導電化処理された粗面部と平滑部上に金属層を形成
   してマスター型盤用基材とする金属層形成工程と、 上記マスター型盤用基材をベース基材から剥離してマス
   ター型盤を得る剥離工程、 の各工程から製造されていることを特徴とする光記録媒
   体の製造方法。