JPH01224952A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒体
に係わり、特に、基板上に間隔を介し記録層にて形成さ
れた複数のトラックを有する光記録媒体の製造方法に関
するものである。

［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第７図〜第８図に示すようにフ
ォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグループ
（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）　　（ａ　）が施された透明
基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた記録層
（Ｃ）と、この記録層（Ｃ）全面に設けられた保護層（
ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記録媒体
（ｌへの記録情報の入力は、第９図に示すように集光レ
ンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等光源からの
記録用集束光（Ｑ）を上記記録層（Ｃ）の所定部位へ照
射し、その照射部位について記録層（Ｃ）の相変化、磁
化反転、あるいは変形等を起こさせ非照射部とは反射率
、若しくはカー回転角の異なる記録ドツト（ｈ）　（第
８図参照）を形成して行なわれるものである。この場合
、光源からの集束光（Ｇ）を上記記録層（Ｃ）の所定部
位へ確実に照射させるため上記プリグループ（ａ）を利
用してフォーカシング、並びにトラッキングサーボ制御
を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）を
第１０図に示すように記録用集束光スポット（１）にお
ける強度変化が最も急峻な値を示す半値幅（Ω２）程度
に設定し、略同−サイズの記録ドツト（ｈ＞が安定して
形成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第１１図〜第
１２図に示すように再生用集束光（０）を光記録媒体（
ｅ）の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受
光素子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場
合、再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されて
おり、第１０図に示すように代表的には再生用集束光ス
ポット（ｉ）における１／ｅ２全幅（Ωｅ）領域の光が
再生信号に寄与するものと考えられる。尚、第７図中（
ｐ）は再生用の光ヘッドを示しており、半導体レーザ（
ｐｌ）と、このレーザ光を光記録媒体（ｅ）面へ結像さ
せる集光レンズ（ｐ２）と、光記録媒体（ｅ）からの反
射ビームを偏光させるビームスプリッタ（１）３）、ハ
ーフミラ−（ｐ４）と、サーボ信号検出器（ｐ５）並び
に再生信号受光器（ｐ６）とでその主要部が構成されて
いるものである。

ところで、従来の光記録媒体（ｅ）は上述のように基板
（ｂ）の全面に記録層（Ｃ）を備えているため、以下に
示すような種々の欠点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（ＴＰ
）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないとこ
ろまで狭く設定することができ、その最小値（ＴＰ　　
・　）は再生時における隣接ト１ｎ ラックとのクロストークのみを考慮すると、第１３図（
ｄ）から （ＴＰ、、。） ＝８／２＋　（Ωｅ−Ｂ）／２＋８／、２−（Ｂ＋Ωｅ
）／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツト（ｈ）の幅寸法、（Ωｅ）は
再生用集束光スポット（ｉ）における１／ｅ２全幅を示
している。

一方、従来において記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）は
上述のように記録用集束光スポット（ｉ＞の半値幅（Ω
２）程度に設定されているため、光記録媒体におけるト
ラック密度を向上させるには、結局上記集束光（Ｑ）の
スポット径（Ωｅ、Ω２）を小さく設定するといった方
法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）についても
これを余り小さく設定すると基板表面の僅かな寸法誤差
で記録誤動作を起こすことから一定以下に設定できない
制約があるため、上記密度向上には一定の限界を有する
欠点があった。

また、上記記録層（Ｃ）を構成する記録材料は通常熱伝
導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記録
スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなって
記録幅が増大し、第１４図に示すように記録ドツト（ｈ
）の形状が所謂「涙滴形ドツトＪとなる場合があった。

このため、第２１図においてαで示すように再生信号が
歪んでしまつて大きなジッターが発生し易いと共に、Ｃ
／Ｎ比が低下するといった欠点があった。

更に、再生用集束光スポット（ｉ）の径寸法（Ωｅ）は
上述のように記録ドツト（ｈ）の径寸法（Ｂ）より大き
く、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基板
（ｂ）全面に記録層（Ｃ）が設けられているため、再生
時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大きく
影響を及ぼすといった欠点があった。すなわち、第１５
図に示すように光記録媒体（ｅ）の記録１１！（ｃ）面
には、媒体自体の欠陥、結晶粒等に基因する反射率の異
なるノイズ発生部位（ｎｌ）〜（ｎｌ）が多数存在し、
かつ、上記記録ドツト（ｈ）の周縁部にもドツト形状の
むらに基因するノイズ発生部位（ｎ２）〜（ｎ２）が存
在してこれ等ノイズが再生信号に混入するため、再生信
号におけるＣ／Ｎ比向上向上きな障害となっていた（第
２３図においてαで示されたＣ／Ｎ比参照。但し、Ｃは
キャリア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベルを夫々示し
ている）。

更にまた、記録・再生・消去用の光記録媒体においては
、記録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記録
層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラッ
キングずれ等の原因によって第１６図に示すように記録
情報を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一
方、この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径
（Ω）を記録用集束光のスポット径（Ω２）より大きく
設定すると、トラック密度の低下を招くといった欠点が
あった。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全面
に記録層（Ｃ）が形成されているため、記録１ｉｔ（Ｃ
）形成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録層（Ｃ）
との膨張率の違い等によって、第１７図に示すように記
録層（Ｃ）に二次元的な内部ストレス（Ｓｔ）が加わり
易く経時的に記録性能が劣化し易い欠点があった。

そこで、本件出願人は上記諸欠点を解決すべく鋭意研究
を重ねた結果、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が高く、かつ
、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが小さく、しかも、長
期に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体を既に提案
している。

すなわちこの光記録媒体（ｅｏ）は、第１８図に示すよ
うに基板（ｂｏ）と、この基板（ｂｏ）の−面に間隔を
介し記録層（Ｃｏ）にて形成された複数のラック（Ｃ”
）と、必要に応じ上記記録層（Ｃ“）側に設けられた保
護層（ｄｏ）とでその主要部を構成し、かつ、上記トラ
ック（ｃ”）の幅寸法が記録用集束光スポットの半値幅
程度以下に設定されていることを特徴とするものである
。

そして、第１８図〜第１９図に示すように、上記記録層
（Ｃｏ）にて形成されたトラック（Ｃ”）を利用し、フ
ォーカシング、並びにトラッキング制御を行いながら記
録層（Ｃｏ）の所定部位に記録用集束光を照射し、その
径が記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）程度の記録
ドツト（ｈｏ）を形成すると共に、この記録ドツト（ｈ
ｏ）を再生用集束光により読取って再生信号を得るもの
である。

このように構成された光記録媒体（ｅｏ）においては、
第１９図（ｂ）及び（ｄ）に示すように、上記記録ドツ
ト（ｈｏ）の幅寸法（Ｂ）がトラック（Ｃ”）の幅寸法
（Ｔ）と同一となっており、かつ、この幅寸法（Ｔ）は
従来の光記録媒体における記録ドツト径（Ω２）より小
さく設定されているため、この光記録媒体（ｅｏ）のト
ラックピッチの最小値（ＴＰ’　　・　）と、従来にお
ける光記録媒体Ｉｎ のトラックピッチの最小値（ＴＰｌｎ）との関係は、 （ＴＰ’　　＝　　）　　＜　　（ＴＰ　・　）１１ｎ
　　　　　　　　ｍｉｎ となり、トラックピッチ（ＴＰ）を小さく設定すること
が可能となってトラック密度の向上が図れる利点を有し
ている。

また、この光記録媒体（ｅｏ）においてはその記録層（
Ｃｏ）がトラック溝（ａｏ）の形状に規制されるため、
第２０図に示すように従来の「涙滴形状Ｊと異なって矩
形状に近い形状の記録ドツト（ｈｏ）を形成することが
できる。

従って、第２１図においてβで示すように再生時におけ
る再生信号波形が歪まないため、Ｃ／Ｎ比、及びジッタ
ー共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（ｅｏ）においては上記トラック
（Ｃ”）以外の部位に記録層（Ｃｏ）を有していないた
め、媒体ノイズが低減し、しかも記録ドツト（ｈｏ）の
形状はトラック（Ｃ”）にのみ形成された帯状の記録１
１（Ｃ’）の形状により規制されてばらつかないため、
記録ドツト（ｈｏ）の境界部における反射率むらや磁区
分布むらが低減して再生信号におけるＣ／Ｎ比が向上す
る長所を有している。すなわち、再生時における再生信
号ノイズは、半導体レーザ等光源のノイズを充分に押え
た場合、一般的には光記録媒体の欠陥、結晶粒等に基因
する媒体ノイズと、記録ドツト形状のむらに基因する記
録ノイズとが支配的となる。そして、この光記録媒体（
ｅｏ）においてはトラック（Ｃ”）以外の部位に記録１
１ｔ（Ｃ’）を有していないため、上記媒体ノイズが低
減すると共に、第２２図に示すように記録ドツト（ｈｏ
）の両側縁は高い精度で形成された帯状の記録層（Ｃｏ
）により規制されて形状むらが起こり難いため記録ノイ
ズも低減する。従って、再生信号に上記のノイズ信号が
混入し難くなるため、第２３図においてβにて示すよう
にＣ／Ｎ比が著しく向上する長所を有するものである。

また更に、従来の記録・再生・消去用の光記録媒体にお
いては、経時劣化を基因とする記録層の感度低下、消去
用集束光の出力変動、並びにトラッキングずれ等の原因
によって記録情報を完全に消去できなくなるといった欠
点が存したが、第２４図に示すように消し残りが発生す
る領域には記録層（Ｃ’）が存在しないため、消し残り
が生じない長所を有している。

また、上記トラック（Ｃ”）にのみ形成された帯状の記
録層（Ｃｏ）は長さ方向においてのみ連続し幅方向にお
いては連続していないため、第２４図に示すように記録
層（Ｃｏ）の内部ストレス（Ｓｔ）は−次元的となって
大幅に緩和されると共に、記録材料が相変化タイプの場
合、記録消去工程における結晶化、アモルファス化とい
う原子移動過程も一次元的に進行するため、記録層（Ｃ
’）内の組成変動や組成の面内ばらつきが生じ難くなり
、記録［）（Ｃ’）や記録ビットの安定性のに他、繰返
し書換え性も改善され長期に亘って記録性能が安定する
長所を有しており、かつ、−次元的に記録・消去の過程
が進行するため、各過程の高速化が図れて高速の記録・
消去が可能となる長所を有している。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、この改良された光記録媒体を製造するに当っ
ては、基板全面に記録層を設ける従来の光記録媒体と異
なり、基板面上に間隔を介し記録層を選択的に形成する
必要があった。

しかし、上記トラックの幅寸法については極めて小さな
値に設定されているため、このトラックを構成する記録
層の形成操作には困難が伴い、精度良く、かつ、効率的
に製造し難いといつた問題点があった。

しかも、誤って上記トラック以外の部位にも記録層が形
成された場合、この部位の記録層が上記媒体ノイズ、記
録ノイズを引起こす原因となるため、従来における光記
録媒体と同様、Ｃ／Ｎ比が低下するといった問題点があ
った。

［課題を解決するための手段〕 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、生産性が良好で、しかも記録精度
良好な光記録媒体の製造方法を提供することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報の
記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体であ
って、基板と、この基板の少なくとも一面に間隔を介し
記録層にて形成された複数のトラックとを備える光記録
媒体の製造方法を前提とし、 基板全面に記録層形成膜を形成する記録膜形成工程、及
び、 レーザビームを照射して上記トラックに対応する部位以
外の記録層形成膜を除去すると共に、上記トラックに対
応する部位の記録層形成膜を残して記録層とする記録層
形成工程、 の各工程を具備することを特徴とするものである。

この様な技術的手段において、上記記録膜形成工程にお
ける基板としては、この基板側から集束光を照射させる
関係上光透過性の材料が望ましく、例えば、ガラス、ポ
リカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリ
ル酸メチル、エポキシ樹脂、ポリベンテン等が挙げられ
る。また、単一の光透過性材料でもって上記基板を構成
してもよく、あるいは上記光透過性材料を複数積層して
基板としても当然のことながらよい。更に、上記基板の
形状については通常円形状とするが、カード型の光記録
媒体とする場合には矩形状とするのが好ましい。尚、基
板の反対側から集束光を照射させて記録・再生、あるい
は記録・再生・消去を行う光記録媒体においては、当然
のことながら上記光透過性以外の光不透過性の材料でも
って基板を構成してもよい。

また、上記基板の表面形状については平坦状であっても
、あるいは、トラック溝を備える凹凸状のものであって
もよい。尚、後者の場合においては、このトラック溝を
従来の如く記録、若しくは再生時におけるフォーカシン
グ、トラッキングサーボ制御用に利用してもよく、ある
いは、次工程のレーザビーム照射処理に際してこのレー
ザビームを所定部位へ確実に照射させるためのフォーカ
シング、トラッキングサーボ制御用に上記トラック溝を
利用してもよい。更に、上記トラック溝の断面形状につ
いてはコ字状、０字状、Ｖ字状等任意であり、また、円
形基板においては渦巻き状、若しくは同心円状に、一方
、矩形基板においては平行線状に形成される。そして、
このトラック溝の形成方法としては基板に直接凹溝を形
成する方法と、基板上に複数の６條を固着しこの６條と
基板とで凹溝を形成する方法が挙げられる。すなわち、
前者の方法としては、例えばガラス基板上に紫外線硬化
型の硬化型樹脂を塗布し、この塗布面に予めレーザカッ
ティングマシーン等の精密機器により作成したマスター
盤を密着させてその溝パターンを転写形成し、次いで、
上記樹脂を硬化さセテ直接凹溝ヲ形成スル、所ｍ　２　
Ｐ　（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ　）法、上記マスタ
ー盤を元に作成した成形型内に熱可塑性樹脂を流し込み
、直接凹溝の形成された基板を得るインジェクション法
、キャスティング法、あるいは、ガラス基板上にフォト
レジストをパターン状に形成し、これをエツチングして
直接凹溝を形成するエツチング法等があり、一方、後者
の方法としては、ガラス基板上に上記硬化型樹脂の薄層
を形成すると共に、このＷＩＨをパターン状に除去して
６條を形成し、この６條と基板とで凹溝を形成する方法
等がある。また、上記トラック溝の深さ寸法については
、適用する記録材料の種類やトラック溝の利用法の相違
、あるいは、記録、再生用の集束光における波長に応じ
、若しくは次工程のレーザカッティング用レーザビーム
における波長に応じて若干異なるが、通常３００〜２０
００オングストローム、好ましくは４００〜８００オン
グストロ一ム程度に設定される。

次に、上記記録膜形成工程における記録材料としては、
光記録材料として広く知られている全ての材料を使用す
ることができる。

すなわち、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、５ｂ１ＡＳ、Ｐ。

Ｐｂ、５ｎＳＧｅ、Ｓ　ｉ　、Ｔｊ、ｉｎ、Ｑａ。

ＡＩ、Ｚｎ、ＡＵｌＡＱＸＣｌ、Ｐｔ、ＭＯ１■ｉ、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、及びＷ等の元素のうち少なくとも一成分以上
を含む単体、若しくは化合物、あるいはそれらが他の材
料中に分散された材料を使用することができる。このう
ちＴｅ１Ｓｅ−Ｔｅ１Ｐｂ−３ｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ等は
書換不能な記録・再生タイプである穴開は形の材料に適
しており、ＴｅＯ、ＴｅＯ（Ｇｅ、Ｓｎ添加）、Ｉｎ−
×　　　　　　　　　　× Ｓｅ、Ｉｎ−８ｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、５ｂ２Ｓｅ。

Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎＳＴｅ−Ｇｅ−８ｎ−Ａｕ。

Ａｓ２Ｓ３．５ｂ−Ｔｅ１Ｔｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｔｅ。

Ａａ−１ｎ、Ａａ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ、ＡＱ−Ａｊ−Ｃ
ｕ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｔｉ、及びＣｒ−Ｔｉ等
は書換可能な記録・再生・消去タイプである相変生形記
録材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、Ｆｅ１ＣＯ
１Ｎｔ、１ｙｌｎ等の遷移金属、及びＴｂ。

Ｇｄ、ＮｄｌＰｍ、Ｓｍ１Ｅｎ、Ｉ）／、ＨＯｌＥｒ、
Ｔｍ、’１’ｂ、ｌｕ等の希土類元素のうち少なくとも
一成分以上を含む磁気材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ−Ｇ
ｏ、Ｔｂ−Ｆｅ１Ｄｙ−Ｆｅ。

Ｍｎ−Ｂ　ｉ、ｐｔ−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

また、上記基板全面に記録層形成膜を形成する手段とし
ては、例えば、ジクロルメタン、ベンゼン、エチルアル
コール、メチルアルコール等の溶剤に溶解若しくは分散
させた上記シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフト
キノン色素等の記録材料を基板上に塗布形成するウェッ
トプロセスが、また、上記下ｅｏ　　、ｔｎ−ｓｅ、ｔ
ｎ−ｓｂ等× の記録材料を直接基板上に形成する蒸着法、スパッタリ
ング法等のドライプロセスが適用できる。

また、上記記録層形成膜の厚さ寸法については、適用す
る記録材料によっても差異があるが、通常、１００〜１
５００オングストローム程度に設定される。

尚、上記基板と記録材料との親和性が弱い場合には、必
要に応じ、基板上に記録材料と親和性を有する下地材料
を塗布形成するとよい。

次に、上記記録層形成工程は一様に形成された記録層形
成膜面ヘレーザビームを照射してトラックに対応する部
位以外の記録層形成膜を除去する一方、トラックに対応
する部位の記録層形成膜を残して記録層とする処理工程
であり、この処理に利用できる光源としては半導体レー
ザや、Ａｒ（アルゴン）イオンレーザ、にｒ（クリプト
ン）イオンレーザ、Ｈｅ−Ｈｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレー
ザ等のガスレーザが挙げられ、かつ、２８層形成膜を所
定幅で除去するため適当量のデフォーカスをかけた状態
でもって適用されるものである。また、上記レーザビー
ムをトラックに対応する部位以外の記録層形成膜の所定
部位へ確実に照射させる手段としては、この記録層形成
膜を施した基板がトラック溝を備えているか否かで異な
り、前者の場合においてはこのトラック溝を利用し、レ
ーザカッティング用レーザビームのフォーカシング、並
びにトラッキングサーボ制御を行ってこのレーザビーム
を所定部位へ誘導する方法が適用できる一方、上記基板
がトラック溝を備えていない場合においては、通常の原
盤書込み機等と同程度の精度でもってレーザビームを機
械送りする機械的制御方法、あるいは、レーザカッティ
ング用のレーザビームに加えてトラッキングサーボ用の
レーザビームを１本付加し、既に形成したトラック状の
記録層に対してトラッキングサーボをかけながら上記レ
ーザカッティング用レーザビームを所定部位へ誘導する
、所謂「ならいトラッキング法ｊが適用できる。

また、上記レーザビームの照射エネルギについては所定
部位の記録層形成膜をレーザカット可能な範囲で適宜設
定するものであり、かつ、書換可能な記録材料により上
記記録層形成膜が設けられている場合においては、レー
ザビーム照射によって基板状に残留する記録層を昇温さ
せ、この記録層が初期化されるに必要な結晶化ｆＡ度、
若しくはキュリー温度となるような値に設定させてもよ
い。

この場合、光磁気タイプの記録材料においては、外部磁
場を印加させた状態でもって記ＨＷがキュリー温度以上
となるようにレーザご一ムの出力を設定すればよい。尚
、レーザビームの出力を上げる替わりにレーザビームの
照射時間が長くなるように設定し、上記記録層の温度が
結晶化温度、若しくはキュリー温度以−ヒどなるように
エネルギ調整してもよい。すなわら、長円形ビームを使
用したり、あるいは基板の回転速度を遅く設定し、上記
記録層形成膜面に対するレーザビームの照射時間が長く
なる方法を採ってもよい。

また、上記基板のトラックに対応する部位に残された記
録層形成膜については最終的に記録層を構成するものと
なるものであるが、その形状については上記基板が円形
の場合、渦巻き状、若しくは同心円状に形成され、一方
、矩形基板においては平行線状に形成される。また、こ
の記録層についてはトラック溝内、若しくはトラック溝
以外の部位に形成してもよく、あるいはトラック溝を備
えない平坦状基板においては、基板面上にトラック状に
直接形成してもよい。更に、上記記録層の幅寸法につい
て、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げるためには記録用
集束光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、好ましくは
Ω２／３〜２×Ω２／３程度に設定するとよく、一方、
上記記録層間距離ＴＰについては、記録用集束光スポッ
トの１／ｅ２全幅をΩｅとした場合において、トラック
密度を上げるためには、略（Ｔ＋Ωｅ）／２に設定する
ことが望ましい。但し、記録層の内部ストレスを低減し
記録性能の安定化のみを図るような目的の場合には、当
然のことながら上記設定範囲に限定されるものではない
。

また、この技術的手段は片面側にのみ記録層を漏える光
記録媒体に適用できる他、両面側に記録層を備える光記
録媒体にも適用できる。この場合後者のものは、記録層
を向い合せにし接着剤を介し、あるいはスペーサを介し
２枚貼り合せて形・成することができ、また、この接着
剤としては、ウレタン系接着剤、エポキシ系接着剤、硬
化性シリコーン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂等のホ
ットメルト型接着剤、ポリ塩化ビニル樹脂等の高周波接
着剤等が利用できる。

また、この製造方法により得られた光記録媒体の記録層
へ集束光を照射させ情報の記録・再生、あるいは記録・
再生・消去を行う光源としては、従来法において利用さ
れている光源が使用でき、具体的にはＧａＡｌＡｓ系半
導体レーザ、ＧａＡ　Ｉ　ＩｎＰ系半導体レーザ、Ｇａ
１ｎＡｓＰ系半導体レーザ等の半導体レーザや、Ｈｅ−
Ｈｅレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等のガスレ
ーザ等が挙げられる。

更に、本発明に係る光記録媒体は、コンパクトディスク
等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加えて計算機用
光デイスク等各種用途に適用できる。

［作用］ 上述したような技術的手段によれば、基板全面に設けら
れた記録層形成膜に対しレーザビームを照射してトラッ
クに対応する部位以外の記録層形成膜を除去する一方、
トラックに対応する部位の記録層形成膜についてはこれ
を残して記録層とするため、基板におけるトラックに相
当する部位にのみ高精度でもって、かつ、確実に記録層
を形成することが可能となる。

［実施例］ 以下、片面側に配録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明する。

◎第一実施例 まず、円形状のガラス基板（１０）上に紫外線硬化型樹
脂（例えば、アクリレートに１，１−ジメチル−１−フ
ェニルアセトフェノンを添付した樹脂）（１１）を塗布
形成し、この塗布面に予めレーザカッティングマシーン
により作成したマスター盤（図示せず）を密着させてそ
の溝パターンを転写形成し、次いで、紫外線を照射し上
記樹脂（１１）を硬化させてトラック溝（３）を有する
基板（２）を作成する（第１図ａ参照）。ここで、上記
トラック溝（３）の幅寸法は５０００オングストローム
、その深さ寸法は７００オングストロームに設定されて
いる。

次いで、上記基板（２）の紫外線硬化型樹脂（１１）面
上に３００オングストローム厚のＴｅ薄層（１２）を蒸
着法により均一に形成する（第１図す参照）。尚、この
＃ｌｉＷ　（１２）の層厚は記録材料の種類により異な
るが、通常、１００〜２０００オングストローム程度に
設定される。また、上記樹脂（１１）面と記録材料との
親和性が弱い場合には、必要に応じ樹脂（１１）面上に
下地材料を塗布形成するとよい。

次ぎに、上記基板（２）を線速１ｏｎ　／　ｓｅｃでも
って回転させると共に、上記トラック溝（３）を利用し
て光学的にトラッキングサーボをかけながら上記薄ｌ１
ｌ（１２）の所定部位にレーザカッティング用レーザビ
ームを照射し、この照射部位の薄層（１２）を溶融、飛
散させて除去する一方、トラック溝（３）内の薄層（１
２）のみを残して記録層（４）とし、この記録ｗＪ（４
）によりトラック（３０）を形成して第１図（Ｃ）に示
すような光記録媒体（１）を製造した。尚、上記レーザ
ビーム用の光源としては対物出射出力３０ｍｗのＡｒ（
アルゴン）イオンレーザを使用し、かつ、上記Ｍ層（１
２）を所定幅で除去するため適当量のデフォーカスをか
けた状態でもって適用している。

ここで、この実施例においてはトラック溝（３）内に形
成された１ｌｌｌ　（１２）の全てを残して記録層（４
）としているため、上記トラック溝（３）を利用しレー
ザカッティング用レーザビーム、及び、記録、再生用レ
ーザビームのフォーカシング、トラッキングサーボ制御
が行える構成となっているが、第２図に示すようにトラ
ック溝（３）内に形成された薄層（１２）の一部を残し
、その形成幅がトラック溝（３）の幅寸法より小幅の記
録層（４）として形成してもよい。この場合、上記トラ
ック溝（３）についてはレーザカッティング用レーザビ
ームのフォーカシング等に利用することは可能であるが
、記録、再生用レーザビームのフォーカシング等に利用
することは当然のことながらできない。

また、上記トラック溝（３）内に記録層（４）を形成す
る構成に替えて、第３図に示すようにトラック溝（３）
以外の凸面部（５）上に形成された薄層（１２）を残し
記録層（４）としてもよく、更に、上記トラック溝（３
）については第４図に示すようにコ字形状でなくｖ字形
状にしても当然のことながらよい。

◎第二実施例 記録材料として相変化形の材料である、Ｇｅ及び３ｎが
添加されたＴｅＯｘを使用し、かつ、レーザカット時に
おける基板の回転速度を線速２ｍ／　Ｓｅｃの低速に設
定すると共に、レーザカッティング用光源として対物出
射出力２０ｍｗのアルゴンイオンレーザ光を使用した以
外は第一実施例ど路間−である。尚、この実施例に係る
以下の説明は、第一実施例において使用された第１図（
ａ）〜（Ｃ）が用いられている。

そしてこの実施例においては、第一実施例と較べ１層（
１２〉に対するレーザビームの照射時間が長くてその照
射エネルギが多くなっているため、基板（２）上に残留
する記録層（４）がこのレーザビームにより昇温されて
その記録材料が非晶質状態から結晶質状態に変化し、所
謂、記録層（４）の初期化がレーザカットと同時に行え
る利点を有している。すなわち、上記相変化形の記録材
料にて構成される書換可能な光記録媒体においては、記
録層形成後は一般に非晶質状態、すなわち記録状態とな
っており、使用前に結晶質状態、すなわち消去状態に変
えておくという、所謂初期化処理が必要となるが、この
実施例においてはＨＦＭ　（１２）のレーザカット処理
と同時に上記初期化が行える利点を有している。

Ｏ第三実施例 まず、第５図（ａ）に示す円形状のガラス製基板（２）
面上に、蒸着法にてＧｅ１Ｓｎの添加されたＴｅＯｘを
着膜させて厚さ３００オングストロームのＩｌｌ　（１
２）を形成する（第５図す参照）。

次に、上記基板（２）を線速１０７ＦＬ　／　Ｓｅｃで
もって回転させると共に、この薄層（１２）面の所定部
位に対物出射出力３ｈ＋ｗのアルゴンイオンレーザビー
ムをデフォーカスをかけた状態でもって照射しこの照射
部位の薄Ｊｌｌ（１２）を溶融、飛散させて除去する一
方、他の部位の薄層（１２）を残して基板（２）面上に
同心円状の記録層（４）を形成し、この記録層（４）に
より形成されたトラック（３０）を有する光記録媒体（
１）を得た（第５図Ｃ参照）。この場合、この基板（２
）はトラック溝を備えていないため、レーザカッティン
グ用の上記レーザビームに加えてトラッキングサーボ用
のレーザビームを１本付加し、レーザカッティング用レ
ーザビームを所定部位へ誘導する、所謂ｒならいトラッ
キング法」が採られている。すなわち、第６図（ａ）〜
（ｂ）に示すように上記トラッキングサーボ用レーザビ
ームを基板（２）側から照射し、既に形成されたトラッ
ク状の記録層（４）に対してトラッキングサーボをかけ
ながら上記レーザカッティング用レーザビームを上記ｉ
ｌｌ　（１２）の所定部位へ誘導し、ｆｌＪｌ　（１２
）の照射部位を除去してトラック状、の記録層（４）を
形成しているものである。

［発明の効果］ 本発明によれば、基板全面に設けられた記録層形成膜に
対しレーザビームを照射してトラックに対応する部位以
外の記録層形成膜を除去する一方、トラックに対応する
部位の記録層形成膜についてはこれを残して記録層とす
るため、基板におけるトラックに相当する部位にのみ高
精度でもって、かつ、確実に記録層を形成することが可
能となる。

従って、基板上に間隔を介し記録層にて形成された複数
のトラックを有する光記録媒体を簡便に、かつ、効率的
に製造できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明の実施例を示しており、第１図
（ａ）〜（Ｃ）は第一、及び第二実施例に係る光記録媒
体の製造工程を示す工程説明図、第２図〜第４図は第一
実施例の変形例に係わる光記録媒体の断面図、第５図〜
第６図は第三実施例に係る光記録媒体の製造工程を示し
ており、第５図（ａ）〜（Ｃ）はその工程説明図、第６
図（ａ）は製造途上における光記録媒体の平面図、第６
図（ｂ）はその部分拡大図を示し、また、第７図〜第１
１図は従来における光記録媒体を示しており、第７図は
その斜視図、第８図及び第１１図はその部分断面斜視図
、第９図は半導体レーザ等光源の照度分布とその収束光
スポットの照度分布、第１０図は第９図における１部分
の拡大図、第１２図は光記録媒体の再生時における説明
図、第１３図（ａ）は光記録媒体の部分断面図、第１３
図（ｂ）はその部分平面図、第１３図（Ｃ）は記録、再
生用半導体レーザスポットの照度分布、第１３図（ｄ）
はトラックピッチを最小にした場合の光記録媒体の部分
平面図、第１４図〜第１６図はトラック、記録層、及び
記録ドツトの形状を示す平面図、第１７図は記録層に加
わる内部ストレスを示す説明図、また、第１８図〜第２
４図は他の従来における光記録媒体を示しており、第１
８図はこの部分断面斜視図、第１９図（ａ）はこの光記
録媒体の部分断面図、第１９図（ｂ）はその部分平面図
、第１９図（Ｃ）は記録、再生用半導体レーザスポット
の照度分布、第１９図（ｄ）はトラックピッチを最小に
した場合の光記録媒体の部分平面図、第２０図、第２２
図、及び第２４図はトラック、記録層、及び記録ドツト
の形状を示す平面図、第２１図は再生信号レベルと時間
との関係図、第２３図は再生信号におけるキャリア信号
レベルとノイズ信号レベルとの関係を示す関係図を夫々
示している。 ［符号説明］ （１）・・・光記録媒体 （２）・・・基板 （３）・・・トラック溝 （４）・・・記録層 （３０）・・・トラック 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外３名
・）第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 （ａ）（ｂ） 第７図 ｉ　） ６Ｐ１ 第８図 第９図 第１０図 第１４図 り 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 時間

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束光を照射させて光学的に情報の記録再生、あ
   るいは記録再生消去を行う光記録媒体であって、基板と
   、この基板の少なくとも一面に間隔を介し記録層にて形
   成された複数のトラックとを備える光記録媒体の製造方
   法において、 基板全面に記録層形成膜を形成する記録膜形成工程、及
   び、 レーザビームを照射して上記トラックに対応する部位以
   外の記録層形成膜を除去すると共に、上記トラックに対
   応する部位の記録層形成膜を残して記録層とする記録層
   形成工程、の各工程を具備することを特徴とする光記録
   媒体の製造方法。
2. （２）上記記録膜形成工程が、記録材料の蒸着法により
   構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光記録媒体の製造方法。
3. （３）上記記録膜形成工程が、記録材料のスパッタリン
   グ法により構成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
4. （４）上記記録膜形成工程が、溶剤に溶解若しくは分散
   された記録材料を使用するウェットプロセス法により構
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光記録媒体の製造方法。
5. （５）上記記録層形成工程におけるレーザビームの照射
   エネルギが、レーザビーム照射により昇温されて基板上
   に残留する記録層が初期化されるに必要な温度となるよ
   うに設定されていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の光記録媒体の製造方法。