JPH01224951A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野１ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒体
に係わり、特に、基板上に間隔を介し記録層にて形成さ
れた複数のトラックを有する光記録媒体の製造方法に関
するものである。

「従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第２図〜第３図に示すようにフ
ォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグループ
（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）　　（ａ　）が施された透明
基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた記録層
（Ｃ）と、この記録層（Ｃ）全面に設けられた保護層＜
ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記録媒体
（ｅ）への記録情報の入力は、第４図に示すように集光
レンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等光源から
の記録用集束光（９）を上記記録層（Ｃ）の所定部位へ
照射し、その照射部位について記録層（Ｃ）の相変化、
磁化反転、あるいは変形等を起こさせ非照射部とは反射
率、若しくはカー回転角の異なる記録ドツト（ｈ）（第
３図参照）を形成して行なわれるものである。この場合
、光源からの集束光（ａ）を上記記録層（Ｃ）の所定部
位へ確実に照射させるため上記プリグループ（ａ）を利
用してフォーカシング、並びにトラッキングサーボ制御
を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）を
第５図に示すように記録用集束光スポット（ｉ）におけ
る強度変化が最も急峻な値を示す半値幅（Ω２）程度に
設定し、略同−サイズの記録ドツト（ｈ）が安定して形
成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第６図〜第７
図に示すように再生用集束光（Ｑ）を光記録媒体（ｅ）
の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受光素
子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場合、
再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されており
、第５図に示すように代表的には再生用集束光スポット
（ｉ）における１／ｅ２全幅（Ωｅ）領域の光が再生信
号に寄与するものと考えられる。尚、第２図中（ｐ）は
再生用の光ヘッドを示しており、半導体レーザ（ｐｌ）
と、このレーザ光を光記録媒体（ｅ）面へ結像させる集
光レンズ〈ｐ２〉と、光記録媒体（ｅ）からの反射ビー
ムを偏光させるビームスプリッタ（ｐ３）、ハーフミラ
−（ｐ４）と、サーボ信号検出器（ｐ５）並びに再生信
号受光器（ｐ６）とでその主要部が構成されているもの
である。

ところで、従来の光記録媒体（ｅ）は上述のように基板
（ｂ）の全面に記録層（Ｃ）を備えているため、以下に
示すような種々の欠点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（ＴＰ
）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないとこ
ろまで狭く設定することができ、その最小値（ＴＰ、）
は再生時における隣接ト＋１１１ｎ ラックとのクロストークのみを考慮すると、第８図（ｄ
）から （ＴＰＩＩｌ、ｏ） ＝８／２＋　（Ωｅ−８）／２＋８／２＝（Ｂ＋Ωｅ）
／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツト（ｈ）の幅寸法、（Ωｅ）は
再生用集束光スポット（ｉ）における１／ｅ２全幅を示
している。

一方、従来において記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）は
上述のように記録用集束光スポット（ｉ）の半値幅（Ω
２）程度に設定されているため、光記録媒体におけるト
ラック密度を向上させるには、結局上記集束光（Ｑ）の
スポット径（Ωｅ、Ω２）を小さく設定するといった方
法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）についても
これを余り小さく設定すると基板表面の僅かな寸法誤差
で記録誤動作を起こすことから一定以下に設定できない
制約があるため、上記密度向上には一定の限界を有する
欠点があった。

また、上記記録層（Ｃ）を構成する記録材料は通常熱伝
導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記録
スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなって
記録幅が増大し、第９図に示すように記録ドツト（ｈ）
の形状が所謂「涙滴形ドツト」となる場合があった。こ
のため、第１６図においてαで示すように再生信号が歪
んでしまって大きなジッターが発生し易いと共に、Ｃ／
Ｎ比が低下するといった欠点があった。

更に、再生用集束光スポット（ｉ）の径寸法（Ωｅ）は
上述のように記録ドツト（ｈ）の径寸法（Ｂ）より大き
く、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基板
（ｂ）全面に記録層（Ｃ）が設けられているため、再生
時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大きく
影響を及ぼすといった欠点があった。すなわち、第１０
図に示すように光記録媒体（ｅ）の記録層（Ｃ）面には
、媒体自体の欠陥、結晶粒等に基因する反射率の異なる
ノイズ発生部位（ｎｌ）〜（ｎｌ）が多数存在し、かつ
、上記記録ドツト（ｈ）の周縁部にもドツト形状のむら
に基因するノイズ発生部位（ｎ２）〜（ｎ２）が存在し
てこれ等ノイズが再生信号に混入するため、再生信号に
おけるＣ／Ｎ比向上向上きな障害となっていた（第１８
図においてαで示されたＣ／Ｎ比参照。但し、Ｃはキャ
リア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベルを夫々示してい
る）。

更にまた、記録・再生・消去用の光記録媒体においては
、記録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記録
層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラッ
キングずれ等の原因によって第１１図に示すように記録
情報を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一
方、この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径
（Ω）を記録用集束光のスポット径（Ω２）より大きく
設定すると、トラック密度の低下を招くといった欠点が
あった。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全面
に記録層（Ｃ）が形成されているため、記録層（Ｃ）形
成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録層（Ｃ）との
膨張率の違い等によって、第１２図に示すように記録層
（Ｃ）に二次元的な内部ストレス（Ｓ【）が加わり易く
経時的に記録性能が劣化し易い欠点があった。

そこで、本件出願人は上記諸欠点を解決すべく鋭意研究
を重ねた結果、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が高く、かつ
、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが小さく、しかも、長
期に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体を既に提案
している。

すなわちこの光記録媒体（ｅｏ）は、第１３図に示すよ
うに基板（ｂｏ）と、この基板（ｂｏ）の−面に間隔を
介し記録層（Ｃｏ）にて形成された複数のトラック（Ｃ
”）と、必要に応じ上記記録層（Ｃｏ）側に設けられた
保ｍ層（ｄｏ）とでその主要部を構成し、かつ、上記ト
ラック（Ｃ”）の幅寸法が記録用集束光スポットの半値
幅程度以下に設定されていることを特徴とするものであ
る。

そして、第１３図〜第１４図に示すように、上記記録層
（Ｃ’）にて形成されたトラック（Ｃ”）を利用し、フ
ォーカシング、並びにトラッキングｉ！ｉ１ｗＪを行い
ながら記録層（Ｃｏ）の所定部位に記録用集束光を照射
し、その径が記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）程
度の記録ドツト（ｈｏ）を形成すると共に、この記録ド
ツト（ｈｏ）を再生用集束光により読取って再生信号を
得るものである。

このように構成された光記録媒体（ｅｏ）においては、
第１４図（ｂ）及び（ｄ）に示すように、上記記録ドツ
ト（ｈｏ）の幅寸法（Ｂ）がトラック（Ｃ“°）の幅寸
法（Ｔ）と同一となっており、かつ、この幅寸法（Ｔ）
は従来の光記録媒体における記録ドツト径（Ω２）より
小さく設定されているため、この光記録媒体（ｅｏ）の
トラックピッチの最小値（ＴＰ’　　、　　）と、従来
における光記録媒体ｍ＋口 のトラックピッチの最小（ＩＩ！（ＴＰ　　・　）との
関係ｆｌｌｎ は、 （ＴＰ’　　　　、　　　　）　　　　＜　　　　（Ｔ
Ｐ、　　　　）１１ｎ　　　　　　　　ｌ１Ｉｎ となり、トラックピッチ（ＴＰ）を小さく設定すること
が可能となってトラック密度の向上が図れる利点を有し
ている。

また、この光記録媒体（ｅｏ）においては、そのトラッ
ク（Ｃ”）が帯状の記録層（Ｃｏ）により構成されるた
め、第１５図に示すように従来の「涙滴形状ｊと異なっ
て矩形状に近い形状の記録ドツト（ｈｏ）を形成するこ
とができる。

従って、第１６図においてβで示すように再生時におけ
る再生信号波形が歪まないため、Ｃ／Ｎ比、及びジッタ
ー共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（ｅｏ）においては上記トラック
（Ｃ”）以外の部位に記録層（Ｃｏ）を有していないた
め、媒体ノイズが低減し、しかも記録ドット（ｈｏ）の
形状はトラック（Ｃ”）にのみ形成された帯状の記録層
（Ｃｏ）の形状により規制されてばらつかないため、記
録ドツト（ｈｏ）の境界部における反射率むらや磁区分
布むらが低減して再生信号におけるＣ／Ｎ比が向上する
長所を有している。すなわち、再生時における再生信号
ノイズは、半導体レーザ等光源のノイズを充分に押えた
場合、一般的には光記録媒体の欠陥、結晶粒等に基因す
る媒体ノイズと、記録ドツト形状のむらに基因する記録
ノイズとが支配的となる。そして、この光記録媒体（ｅ
ｏ）においてはトラック（Ｃ”°）以外の部位に記録層
（Ｃｏ）を有していないため、上記媒体ノイズが低減す
ると共に、第１７図に示すように記録ドツト（ｈｏ）の
両側縁は高い精度で形成された帯状の記録層（Ｃｏ）に
より規制されて形状むらが起こり難いため記録ノイズも
低減する。従って、再生信号に上記のノイズ信号が混入
し難くなるため、第１８図においてβにて示すようにＣ
／Ｎ比が著しく向上する長所を有するものである。

また更に、従来の記録・再生・消去用の光記録媒体にお
いては、経時劣化を基因とする記録層の感度低下、消去
用集束光の出力変動、並びにトラッキングずれ等の原因
によって記録情報を完全に消去できなくなるといった欠
点が存したが、第１９図に示すように消し残りが発生す
る領域には記録１１（Ｃ’）が存在しないため、消し残
りが生じない長所を有している。

また、上記トラック（Ｃ”）にのみ形成された帯状の記
録層（Ｃｏ）は長さ方向においてのみ連続し幅方向にお
いては連続していないため、第１９図に示すように記録
Ｊｌ（Ｃ’）の内部ストレス（Ｓｔ）は−次元的となっ
て大幅に緩和されると共に、記録材料が相変化タイプの
場合、記録消去工程における結晶化、アモルファス化と
いう原子移動過程も一次元的に進行するため、記録層（
ｃ’）内の組成変動や組成の面内ばらつきが生じ難くな
り、記録層（Ｃｏ）や記録ビットの安定性のに他、繰返
し書換え性も改善され長期に亘って記録性能が安定する
長所を有しており、かつ、−次元的に記録・消去の過程
が進行するため、各過程の高速化が図れて高速の記録・
消去が可能となる長所を有している。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、この改良された光記録媒体を製造するに当っ
ては、基板全面に記録層を設ける従来の光記録媒体と異
なり、基板面上に間隔を介し記録層を選択的に形成する
必要があった。

しかし、上記トラックの幅寸法については極めて小さな
値に設定されているため、このトラックを構成する記録
層の形成操作には困難が伴い、精度良く、かつ、効率的
に製造し難いといった問題点があった。

しかも、誤って上記トラック以外の部位にも記録層が形
成された場合、この部位の記録層が上記媒体ノイズ、記
録ノイズを引起こす原因となるため、従来における光記
録媒体と同様、Ｃ／Ｎ比が低下するといった問題点があ
った。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、生産性が良好で、しかも記録精度
良好な光記録媒体の製造方法を提供することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報の
記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体であ
って、基板と、この基板の少なくとも一面に間隔を介し
記録層にて形成された複数のトラックとを備える光記録
媒体の製造方法を前提とし、 平坦な基板全面に記録層形成膜を形成する記録膜形成工
程、 この記録層形成膜全面に上記トラックに対応する部位が
凸部となる凹凸状の保護樹脂層を形成する樹脂層形成工
程、及び、 上記保護樹脂層及びその凹部下の記録層形成膜をエツチ
ングして除去すると共に、上記トラックに対応する部位
の記録層形成膜を残して記録層とする記録層形成工程、 の各工程を具備することを特徴とするものである。

この様な技術的手段において、上記記録膜形成工程にお
ける基板としては、この基板側から集束光を照射させる
関係上光透過性の材料が望ましく、例えば、ガラス、ポ
リカーボネート、ポリ７クリロニトリル、ポリメタクリ
ル酸メチル、エポキシ樹脂、ポリベンテン等が挙げられ
る。また、単一の光透過性材料でもって上記基板を構成
してもよく、あるいは上記光透過性材料を複数積層して
基板としても当然のことながらよい。更に、上記基板の
形状については通常円形状とするが、カード型の光記録
媒体とする場合には矩形状とするのが好ましい。尚、基
板の反対側から集束光を照射させて記録・再生、あるい
は記録・再生・消去を行う光記録媒体においては、当然
のことながら上記光透過性以外の光不透過性の材料でも
って基板を構成してもよい。

次に、上記記録膜形成工程における記録材料としては、
光記録材料として広く知られている全ての材料を使用す
ることができる。

すなわち、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｐｂ、Ｓ
ｎ、Ｇｅ、Ｓ　ｉ、Ｔｊ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｍ　Ｚｎ、Ａ
ｕ５Ａａ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、■ｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、及び
Ｗ等の元素のうち少なくとも一成分以上を含む単体、若
しくは化合物、あるいはそれらが他の材料中に分散され
た材料を使用することができる。このうちＴｅ５Ｓｅｔ
−Ｔｅ、Ｐｂ−８ｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ等はＳ換不能な記
録・再生タイプである穴開は形の材料に適しており、Ｔ
ｅＯ、ＴｅＯｘ　（Ｇｅ、Ｓｎ添加）、Ｉｎ−× Ｓｅ、Ｉｎ−８ｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、５ｂ２Ｓｅ。

Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ−Ａｕ、Ａｓ２Ｓ
３．５ｂ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｎ％Ｇｅ−Ｔｅ。

ＡＱ−１ｎ、Ａｇ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ、ＡＧ−Ａｊ−Ｃ
ｕ、　Ｃｕ−ＡＩ−Ｎ　ｉ　、　Ａｕ−Ｔ　ｉ　、及び
Ｃｒ−■ｉ等は書換可能な記録・再生・消去タイプであ
る相変生形記録材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、Ｆｅ、Ｇｏ
、Ｎｉ、Ｍｎ等の遷移金属、及びＴｂ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｎ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、　Ｔｍ、Ｙｂ５Ｌ
ｕ等の希土類元素のうち少なくとも一成分以上を含む磁
気材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、ｏ
ｙ−Ｆｅ。

Ｍｎ−Ｂ　ｉ、ｐｔ−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

また、上記基板全面に記録層形成膜を形成する手段とし
ては、例えば、ジクロルメタン、ベンゼン、エチルアル
コール、メチルアルコール等の溶剤に溶解若しくは分散
させた上記シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフト
キノン色素等の記録材料を基板上に塗布形成するウェッ
トプロセスが、また、上記ＴｅＯ、Ｉｎ−８ｅ、Ｉｎ−
８ｂ等の記録材料を直接基板上に形成する蒸着法、スパ
ッタリング法等のドライプロセスが適用できる。

尚、上記基板と記録材料との親和性が弱い場合には、必
要に応じ、基板上に記録材料と親和性を有する下地材料
を塗布形成するとよい。また、上記記録層形成膜の厚さ
寸法については、適用する記録材料によっても差異があ
るが、通常、１００〜１５００オンゲストＯ−ム程度に
設定される。尚、上記基板と記録材料との親和性が弱い
場合には、必要に応じ基板上に記録材料と親和性を有す
る下地材料を塗布形成するとよい。

次に、上記樹脂層形成工程は記録層形成膜全面に凹凸状
の保護樹脂層を形成し、以下の記録層形成工程における
エツチングに対して凸部下の記録層形成膜を保護するた
めの処理工程であり、この工程に適する保護樹脂層形成
用の材料としては、以下の記録層形成工程によって容易
に除去できる材料が好ましく、具体的には、アクリレー
ト樹脂、エポキシアクリレート樹脂等熱、若しくは紫外
線硬化型樹脂、あるいは、ポリエチレン、ポリカーボネ
ート、ポリメタクリル酸メチル等の熱可塑性樹脂等が使
用できる。また、上記凹凸状の保護樹脂層を形成する方
法としては、例えば、熱若しくは紫外線等光硬化型樹脂
をスピンコード法により塗布形成し、この樹脂面上に予
めレーザカッティングマシーン等の精密機器により作成
したマスク−盤を密着させてその溝パターンを転写形成
し、次いで、上記樹脂を熱若しくは光硬化させて保護樹
脂層を形成したり、あるいは、上記記録層形成膜上に熱
可塑性樹脂層を形成し、この樹脂層が可塑性を示してい
る間にマスター盤を密着させて溝パターンを転写形成し
、次いで冷却させて上記保護樹脂層を形成してもよい。

更に、上記光硬化型樹脂等を塗布形成し、次いで、この
樹脂面上にフォトマスクを介しパターン状に光照射を行
って露光部位を硬化させる一方、未露光部位の樹脂につ
いては、上記露光部位の樹脂が硬化する際における収縮
現象により露光部側に引込ませて凹状となし、もって凹
凸状の保護樹脂層を形成する方法も可能である。

また、上記保護樹脂層における凸部については最終的に
トラックを構成する部位となるものであり、その凸部形
状については上記基板が円形の場合、渦巻き状、若しく
は同心円状に形成され、−方、矩形基板においては平行
線状に形成される。

更に、トラックの幅寸法Ｔを決定する上記凸部の幅寸法
については、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げるために
は記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、好
ましくは、Ω２／３〜２ＸΩ２／３程度に設定するとよ
く、一方、上記トラック間距離ＴＰについては、記録用
集束光スポットの１／ｅ２全幅をΩｅとした場合におい
てトラック密度を上げるためには、 略（Ｔ＋Ωｅ）／２に設定することが望ましい。

但し、記録層の内部ストレスを低減し記録性能の安定化
のみを図るような目的の場合には、当然のことながら上
記設定範囲に限定されるものではない。更に、上記保護
樹脂層における凸部の高さ寸法については、以下の記録
層形成工程にＪ３けるエツチング処理中、残留してその
下方側の記録層形成膜を保護するに充分な厚さを必要と
し、その寸法値は使用する保護樹脂層の種類やエツチン
グ材料の種類等で異なるが、通常５００〜１０００オン
ゲストＯ−ム、好ましくは２０００〜５０００オングス
トロ一ム程度に設定するものである。

次に、上記記録層形成工程は、保護樹脂層及びその凹部
下の記録層形成膜をエツチングして除去すると共に、ト
ラックに対応する部位の記録層形成膜を残して記録層と
する処理工程で、その具体的処理方法としては、エツチ
ング材料により保護樹脂層とその凹部下の記録層形成膜
とを溶解除去するドライエツチング法が適用できる。

そしてそのエツチング材料としては、ＣＦ４、ＣＣ１Ｈ
、あるいはＣＣｊ４をベースに０２、Ｎ２、Ｎ２を適量
添加したガス等が使用できる。

尚、このエツチング材料は保護樹脂層と記録層形成膜の
両者を溶解するため、無制限に上記エツチング処理を施
した場合、凸部下の記録層形成膜までが溶解除去されて
しまう恐れがある。

従って、上記凹部下の記録層形成膜が除去された後、上
記保護樹脂層の凸部部分が完全に除去された時点でエツ
チングを停止する必要がある。

また、上記の場合、凸部下の記録層形成膜のエツチング
を完全に防止するためには、上記凹部下の記録層形成膜
がエツチングされた後にこのエツチング処理を停止し、
次いで、上記保護樹脂ｍｙＭ溶解し記録層形成膜を溶解
しないアセトン等の有機溶媒にて上記保護樹脂層の凸部
部分を溶解除去する方法を採るとよい。

また、他の方法としては、上記ドライエツチング法によ
り保護樹脂層の凹部部分を溶解除去しその下側の記録層
形成膜を露出させ、次いで、この記録層形成膜を溶解し
保護樹脂層を溶解しないＨＣｊ、ＨＮＯ３等の酸にて凹
部下の記録層形成膜を除去した後、保護樹脂層を溶解し
記録層形成膜を溶解しないアセトン等の有機溶媒にて上
記保護樹脂層の凸部部分を溶解除去し、その下側の記録
層形成膜を露出させる方法を採ってもよい。

また、この技術的手段は片面側にのみ記録層を備える光
記録媒体に適用できる他、両面側に記録層を備える光記
録媒体にも適用できる。この場合後者のものは、記録層
を向い合ぼにし接着剤を介し、あるいはスペーサを介し
２枚貼り合せて形成することができ、また、この接着剤
としては、ウレタン系接着剤、エポキシ系接着剤、硬化
性シリコーン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂等のホッ
トメルト型接着剤、ポリ塩化ビニル樹脂等の高周波接着
剤等が利用できる。

また、この製造方法により得られた光記録媒体の記録層
へ集束光を照射させ情報の記録・再生、あるいは記録・
再生・消去を行う光源としては、従来法において利用さ
れている光源が使用でき、具体的には、ＧａＡＩＡＳ系
半導体レーザ、ＧａＡＩＩｎＰ系半導体レーザ、Ｇａ１
ｎＡｓＰ系半導体レーザ等の半導体レーザや、ＩＩ　ｅ
　−Ｎ　ｅレーザ、Ａ「レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等の
ガスレーザ等が挙げられる。

更に、本発明に係る光記録媒体は、コンパクトディスク
等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加えて計算機用
光デイスク等各種用途に適用できる。

［作用］ 上述したような技術的手段によれば、平坦な基板全面に
設けられた記録層形成膜上に凹凸状の保護樹脂層が形成
され、この保護樹脂層側からのエツチング処理によって
上記凹部下の記録層形成膜を除去する一方、凸部下の記
録層形成膜については保護樹脂層により保護されるため
、基板におけるトラックに相当する部位にのみ高精度で
もって、かつ、確実に記録層を形成することが可能とな
る。

［実施例１ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明する。

まず、平坦で円形状のガラス製基板（２）上に、蒸着法
によりＴｅＯｘを着膜させて厚さ３００オングストロー
ムの記録層形成膜（３０）を均一に形成する（第１図ａ
−ｂ参照）。

次いで、上記記録層形成膜（３０）上に紫外線硬化型樹
脂（例えば、アクリレートに１，１−ジメチル−１−フ
ェニルアセトフェノンを添付した樹脂）をスピンコード
法により塗布形成し、かつ、この塗布面に予めレーザカ
ッティングマシーンにより作成したマスター盤（図示せ
ず）を密着させてその溝パターンを転写形成した後、紫
外線を照射し上記樹脂を硬化させてトラックに相当する
部位が凸部（４１）となる凹凸状の保護樹脂層（４０）
を形成する（第１図Ｃ参照）。尚、上記保護樹脂層（４
０）における凸部（４１）の幅寸法Ｔは５０００オング
ストローム、その高さ寸法は３０００オングストローム
に夫々設定されている。

そして、エツチング材料としてＣＣｊ２Ｈ２を使用し、
上記保護樹脂１ｉｔ（４Ｇ）側からドライエツチング処
理を施して、保護樹脂層（４０）における凹部（４２）
とこの下方の記録層形成膜（３０）を除去する（第１図
Ｃ参照）。尚、このドライエツチング処理は、凹部（４
２）下の記録層形成膜（３０）が除去された時点でもっ
て停止することを要する。

エツチングを継続した場合、凸部（４１）下の記録層形
成膜〈３０）までが除去されてしまうからである。また
、上記ドライエツチング条件は、ガス圧：１０−２〜１
０’Ｔｏｒｒ、及び、パワー密度：　　０．５１／ｃｄ
に設定している。

次いで、上記凸部（４１）下の記録層形成膜（３Ｇ）す
なわち記録１１（３）上に残留する保護樹脂層（４０）
をアセトン等の有機溶媒により溶解除去（第１図Ｃ参照
）した後、上記記録層（３）側全面に５ｔＯ２にて構成
される保護層（４）を均一に形成し、同心円状の記録Ｊ
！１（３）にて構成された複数のトラック（５）を有す
る光記録媒体（１）を製造した（第１図Ｃ参照）。

［発明の効果］ 本発明によれば、平坦な基板全面に設けられた記録層形
成股上に凹凸状の保護樹脂層が形成され、この保護樹脂
層側からのエツチング処理によって上記凹部下の記録層
形成膜を除去する一方、凸部下の記録層形成膜について
は保護樹脂層により保護されるため、基板におけるトラ
ックに相当する部位にのみ高精度でもって、かつ、確実
に記録層を形成することが可能となる。

従って、基板上に間隔を介し記録層にて形成された複数
のトラックを有する光記録媒体を簡便に、かつ、効率的
に製造できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例を示しており、
この実施例に係る光記録媒体の製造工程を示す工程説明
図であり、また、第２図〜第１２図は従来における光記
録媒体を示しており、第２図はその斜視図、第３図及び
第６図はその部分断面斜視図、第４図は半導体レーザ等
光源の照度分布とその収束光スポットの照度分布、第５
図は第４図における１部分の拡大図、第７図は光記録媒
体の再生時における説明図、第８図（ａ＞は光記録媒体
の部分断面図、第８図（ｂ）はその部分平面図、第８図
（Ｃ）は記録、再生用半導体レーザスポットの照度分布
、第８図（ｄ）はトラックピッチを最小にした場合の光
記録媒体の部分平面図、第９図〜第１１図はトラック、
記録層、及び記録ドツトの形状を示す平面図、第１２図
は記録層に加わる内部ストレスを示す説明図、また、第
１３図〜第１９図は他の従来における光記録媒体を示し
ており、第１３図はこの部分断面斜視図、第１４図（ａ
）はこの光記録媒体の部分断面図、第１４図（ｂ）はそ
の部分平面図、第１４図（Ｃ）は記録、再生用半導体レ
ーザスポットの照度分布、第１４図（ｄ）はトラックピ
ッチを最小にした場合の光記録媒体の部分平面図、第１
５図、第１７図、及び第１９図はトラック、記録層、及
び記録ドツトの形状を承り平面図、第１６図は再生信号
レベルと時間との関係図、第１８図は再生信号における
キャリア信号レベルとノイズ信号レベルとの関係を示す
関係図を夫々示している。 ［符号説明］ （１）・・・光記録媒体 （２）・・・基板 （３）・・・記録層 （４）・・・保護層 （５）・・・トラック 特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　ｒＡ（外３名
）第１図 第２図 ６　ｐｌ 第３図 第４図 第５図 第８図 ＼、Ｏ 第９因 り 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 時間

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束光を照射させて光学的に情報の記録再生、あ
   るいは記録再生消去を行う光記録媒体であって、基板と
   、この基板の少なくとも一面に間隔を介し記録層にて形
   成された複数のトラックとを備える光記録媒体の製造方
   法において、 平坦な基板全面に記録層形成膜を形成する記録膜形成工
   程、 この記録層形成膜全面に上記トラックに対応する部位が
   凸部となる凹凸状の保護樹脂層を形成する樹脂層形成工
   程、及び、 上記保護樹脂層及びその凹部下の記録層形成膜をエッチ
   ングして除去すると共に、上記トラックに対応する部位
   の記録層形成膜を残して記録層とする記録層形成工程、 の各工程を具備することを特徴とする光記録媒体の製造
   方法。
2. （２）上記記録膜形成工程が、記録材料の蒸着法により
   構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光記録媒体の製造方法。
3. （３）上記記録膜形成工程が、記録材料のスパッタリン
   グ法により構成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
4. （４）上記記録膜形成工程が、溶剤に溶解若しくは分散
   された記録材料を使用するウェットプロセス法により構
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光記録媒体の製造方法。