JPH01224948A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照射
させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再生
・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒体
に係わり、特に、基板のトラック溝にのみ選択的に記録
層が設けられた光記録媒体の製造方法に関するものであ
る。

［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプを
例に挙げて説明すると、第２図〜第３図に示すようにフ
ォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグループ
（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）　　（ａ　）が施された透明
基板（ｂ）と、この基板（ｂ）全面に設けられた記録層
（Ｃ）と、この記録層（Ｃ）全面に設けられた保護層（
ｄ）とでその主要部が構成され、かつ、この光記録媒体
（ｅ）への記録情報の入力は、第４図に示すように集光
レンズ（ｆ）により集光された半導体レーザ等光源から
の記録用集束光（ｇ）を上記記録層（Ｃ）の所定部位へ
照射し、その照射部位について記録層（Ｃ）の相変化、
磁化反転、あるいは変形等を起こさせ非照射部とは反射
率、若しくはカー回転角の異なる記録ドツト（ｈ）（第
３図参照）を形成して行なわれるものである。この場合
、光源からの集束光（（ＩＩ）を上記記録層（Ｃ）の所
定部位へ確実に照射させるため上記プリグループ（ａ）
を利用してフォーカシング、並びにトラッキングサーボ
制御を行うと共に、上記記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ
）を第５図に示すように記録用集束光スポット（１）に
おける強度変化が最も急峻な値を示す半値幅（Ω２）程
度に設定し、略同−サイズの記録ドツト（ｈ）が安定し
て形成されるように調整されている。

一方、上記記録情報の再生時においては、第６図〜第７
図に示すように再生用集束光（ｇ）を光記録媒体（ｅ）
の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等受光素
子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この場合、
再生用集束光スポット全体の光が再生に利用されており
、第５図に示すように代表的には再生用集束光スポット
（ｉ）における１／ｅ２全幅〈Ωｅ）領域の光が再生信
号に寄与するものと考えられる。尚、第２図中（１））
は再生用の光ヘッドを示しており、半導体レーザ（ｐｌ
）と、このレーザ光を光記録媒体（ｅ）面へ結像させる
集光レンズ（ｐ２）と、光記録媒体（ｅ）からの反射ビ
ームを偏光させるビームスプリッタ（ｐ３）、ハーフミ
ラ−（ｐ４）と、サーボ信号検出器（ｐ５）並びに再生
信号受光器（ｐ６）とでその主要部が構成されているも
のである。

ところで、従来の光記録媒体（ｅ）は上述のように基板
（ｂ）の全面に記録１１！（Ｃ）を備えているため、以
下に示すような種々の欠点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（ＴＰ
）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないとこ
ろまで狭く設定することができ、その最小値（ＴＰ　　
・　）は再生時における隣接ト１ｎ ラックとのクロストークのみを考慮すると、第８図（ｄ
＞から （ＴＰｌ、、） 一８／２＋　（Ωｅ−８）／２＋８／２＝（Ｂ＋Ωｅ）
／２ により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドツト（ｈ＞の幅寸法、（Ωｅ）は
再生用集束光スポット（ｉ）における１／ｅ２全幅を示
している。

一方、従来において記録ドツト（ｈ）の幅寸法（Ｂ）は
上述のように記録用集束光スポット（ｉ）の半値幅（Ω
２）程度に設定されているため、光記録媒体におけるト
ラック密度を向上させるには、結局上記集束光（ｇ）の
スポット径（Ωｅ１Ω２）を小さく設定するといった方
法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）についても
これを余り小さく設定すると基板表面の僅かな寸法誤差
で記録誤動作を起こすことから一定以下に設定できない
制約があるため、上記密度向上には一定の限界を有する
欠点があった。

また、上記記録層（Ｃ）を構成する記録材料は通常熱伝
導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記録
スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなって
記録幅が増大し、第９図に示すように記録ドツト（ｈ）
の形状が所謂「涙滴形ドツトｊとなる場合があった。こ
のため、第１６図においてαで示すように再生信号が歪
んでしまって大きなジッターが発生し易いと共に、Ｃ／
Ｎ比が低下するといった欠点があった。

更に、再生用集束光スポット（＋）の径寸法（Ωｅ）は
上述のように記録ドツト（ｈ）の径寸法（Ｂ）より大き
く、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基板
（ｂ）全面に記録層（Ｃ）が設けられているため、再生
時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大きく
影響を及ぼすといった欠点があった。すなわち、第１０
図に示すように光記録媒体（ｅ）の記録層（Ｃ）面には
、媒体１体の欠陥、結晶粒等に基因する反射率の異なる
ノイズ発生部位（ｎｌ）〜（ｎｌ）が多数−存在し、か
つ、上記記録ドツト（ｈ）の周縁部にもドツト形状のむ
らに基因するノイズ発生部位（ｎ２）〜（ｎ２）が存在
してこれ等ノイズが再生信号に混入するため、再生信号
におけるＣ／Ｎ比向上向上きな障害となっていた（第１
８図においてαで示されたＣ／Ｎ比参照。但し、Ｃはキ
ャリア信号レベル、Ｎはノイズ信号レベルを夫々示して
いる）。

更にまた、記録・再生・消去用の光記録媒体においては
、記録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記録
層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラッ
キングずれ等の原因によって第１１図に示すように記録
情報を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一
方、この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径
（Ω）を記録用集束光のスポット径（Ω２）より大きく
設定すると、トラック密度の低下を招くといった欠点が
あった。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全面
に記録ｍ＜ｃ＞が形成されているため、記録層（Ｃ）形
成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録層（Ｃ）との
膨張率の違い等によって、第１２図に示すように記録１
１（Ｃ）に二次元的な内部ストレス（Ｓｔ）が加わり易
く経時的に記録性能が劣化し易い欠点があった。

そこで、本件出願人は上記諸欠点を解決すべく鋭意研究
を重ねた結果、トラック密度、Ｃ／Ｎ比等が高く、かつ
、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが小さく、しかも長期
に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体を既に提案し
ている。

すなわちこの光記録媒体（ｅｏ）は、第１３図に示すよ
うに基板（ｂｏ）と、この基板（ｂｏ）の−面上に複数
間隔を介して設けられたトラック溝（ａｏ）と、このト
ラック溝（ａｏ）内に設けられた記録層（Ｃｏ）と、必
要に応じ上記記録層（Ｃｏ）側に設けられた保護層（ｄ
ｏ）とでその主要部を構成し、かつ、上記トラック１ｌ
ｌ（ａ’）の幅寸法が記録用集束光スポットの半値幅程
度以下に設定されていることを特徴とするものである。

そして、第１３図〜第１４図に示すように上記トラック
溝（ａｏ）を利用しフォーカシング、並びにトラッキン
グ制御を行いながら記録１ｆ（Ｃ’）の所定部位に記録
用集束光を照射し、その径が記録用集束光スポットの半
値幅（Ω２）程度の記録ドツト（ｈｏ）を形成すると共
に、この記録ドツト（ｈｏ）を再生用集束光により読取
って再生信号を得るものである。

このように構成された光記録媒体（ｅｏ）においては、
第１４図（ｂ）及び（ｄ）に示すように上記記録ドツト
（ｈｏ）の幅寸法（Ｂ）がトラック溝（ａｏ）の幅寸法
（Ｔ）と同一となっており、かつ、この幅寸法（Ｔ）は
、記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）以下に設定さ
れているため、この光記録媒体（ｅｏ）のトラックピッ
チの最小値（ＴＰ’　　、　　）と、従来における光記
録媒体のト１１！１ ラックピッチの最小値（ＴＰ　　・　）との関係は、１
ｎ （ＴＰ’　　−）　　＜　　（ＴＰ−）１１ｎ　　　　
　　　　　　　　　ｌｌｎとなり、トラックピッチ（Ｔ
Ｐ）を小さく設定することが可能となって、トラック密
度の向上が図れる利点を有している。

また、この光記録媒体（ｅｏ）においてはその記録層（
Ｃｏ）がトラック溝（ａｏ）の形状に規制されるため、
第１５図に示すように従来の「涙滴形状」と異なって矩
形状に近い形状゛の記録ドツト（ｈｏ）を形成すること
ができる。

従って、第１６図においてβで示すように再生時におけ
る再生信号波形が歪まないため、Ｃ／Ｎ比、及びジッタ
ー共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（ｅｏ）においては上記トラック
溝（ａｏ）以外の部位に記録層（Ｃｏ）を有していない
ため、媒体ノイズが低減し、かつ、記録ドツト（ｈｏ）
の形状はトラック溝（ａｏ）により規制されてばらつか
ないため、記録ドツト（ｈｏ）の境界部における反射率
むらや磁区分布むらが低減して再生信号におけるＣ／Ｎ
比が向上する長所を有している。すなわち、再生時にお
ける再生信号ノイズは、半導体レーザ等光源のノイズを
充分に押えた場合、一般的には光記録媒体の欠陥、結晶
粒等に基因する媒体ノイズと、記録ドツト形状のむらに
基因する記録ノイズとが支配的となる。そしてこの光記
録媒体（ｅｏ）においては、トラック溝（ａｏ）以外の
部位に記録層（Ｃｏ）を有していないため上記媒体ノイ
ズが低減すると共に、第１１図に示すように記録層（Ｃ
ｏ）の両側縁は高い精度で形成されたトラック溝（ａｏ
）により規制されて記録ドツト（ｈｏ）の形状むらが起
こり難いため記録ノイズも低減する。従って、再生信号
に上記のノイズ信号が混入し難くなるため、第１８図に
おいてβにて示すようにＣ／Ｎ比が著しく向上する長所
を有している。

また更に、従来の記録・再生・消去用の光記録媒体にお
いては、経時劣化を基因とする記録層の感度低下、消去
用集束光の出力変動、並びにトラッキングずれ等の原因
によって記録情報を完全に消去できなくなるといった欠
点が存したが、第１９図に示すように消し残りが発生す
る領域には記録層（Ｃｏ）が存在しないため、消し残り
が生じない長所を有している。

また、トラック溝（ａｏ）内の記録層（Ｃｏ）は、その
長さ方向にＪ３いてのみ連続し幅方向においては連続し
ていないため、第１９図に示すように記録層（Ｃｏ）の
内部ストレス（Ｓｔ）が−次元的となって大幅に緩和さ
れると共に、記録材料が相変化タイプの場合、記録消去
工程における結晶化、アモルファス化という原子移動過
程も一次元的に進行するため、記録層（Ｃｏ）内の組成
変動や組成の面内ばらつきが生じ難くなり、記録層（Ｃ
ｏ）や記録ビットの安定性のに他、繰返し書換え性も改
善され長期に亘って記録性能が安定する長所を有してお
り、かつ、−次元的に記録・消去の過程が進行するため
、各過程の高速化が図れて高速の記録・消去が可能とな
る等積々の長所を有している。

［発明が解決しようとする課題Ｊ ところで、この改良された光記録媒体を製造するに当っ
ては、基板全面に記録層を設ける従来の光記録媒体と異
なり、基板に設けられたトラック溝にのみ選択的に記録
層を形成する必要があった。

しかし、上記トラック溝の幅寸法については極めて小さ
な値に設定されているため、上記記録層の形成操作には
困難が伴い、精度良く、かつ、効率的に製造し難いとい
った問題点があった。

しかも、誤って上記トラック溝以外の部位にも記録層が
形成された場合、この部位の記録層が上記媒体ノイズ、
記録ノイズを引起こす原因となるため、従来における光
記録媒体と同様、Ｃ／Ｎ比が低下するといった問題点が
あった。

［課題を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、生産性が良好で、しかも記録精度
良好な光記録媒体の製造方法を提供することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報の
記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体であ
って、基板と、この基板の少なくとも一面に複数間隔を
介し形成されたトラック溝と、このトラック溝内に形成
された記録層とを備えた光記録媒体の製造方法を前提と
し、上記トラック溝を有する基板を作成する基板作成工
程、 上記トラック溝の設けられた側の基板全面に記録層形成
膜を形成する記録膜形成工程、及び、上記基板上の記録
層形成膜を除去すると共に、トラック溝内の記録層形成
膜を残して記録層とする記録層形成工程、 の各工程を具備することを特徴とするものである。

この様な技術的手段において、上記基板作成工程におけ
る基板としては、この基板側から集束光を照射させる関
係上光透過性の材料が望ましく、例えば、ガラス、ポリ
カーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリル
酸メチル、エポキシ樹脂、ポリペンテン等が挙げられる
。また、単一の光透過性材料でもって上記基板を構成し
てもよく、あるいは上記光透過性材料を複数積層して基
板としても当然のことながらよい。更に、上記基板の形
状については通常円形状とするが、カード型の光記録媒
体とする場合には矩形状とするのが好ましい。尚、基板
の反対側から集束光を照射させて記録・再生、あるいは
記録・再生・消去を行う光記録媒体においては、当然の
ことながら上記光透過性以外の光不透過性の材料でもっ
て基板を構成してもよい。

また、上記基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形成
するトラック溝は、従来においてフォーカシング、トラ
ッキングサーボ制御用に形成されるプリグループと同様
のもので、円形基板においては渦巻き状、若しくは同心
円状に形成され、−方、矩形基板においては平行線状に
形成された凹溝群により構成するものである。そしてこ
のトラック溝の形成法としては、基板に直接凹溝を形成
する方法と、基板上に複数の６條を固着しこの６條と基
板とで凹溝を形成する方法が挙げられる。

すなわち、前者の方法としては、例えばガラス基板上に
紫外線硬化型等の硬化型樹脂を塗布し、この塗布面に予
めレーザカッティングマシーン等の精密ｆ器により作成
したマスター盤を密着させてその溝パターンを転写形成
し、次いで上記樹脂を硬化させて直接凹溝を形成する、
所謂２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒ　）法、上記マ
スター盤を元に作成した成形型内に熱可塑性樹脂を流し
込み、直接凹溝の形成された基板を得るイ゛ンジエクシ
ョン法、キャスティング法、あるいはガラス基板上にフ
ォトレジストをパターン状に形成しこれをエツチングし
て直接凹溝を形成するエツチング法等があり、一方、後
者の方法としては、ガラス基板上に上記硬化型樹脂の薄
層を形成すると共に、この薄層をパターン状に除去して
６條を形成し、この６條と基板とで凹溝を形成する方法
等がある。また、このトラック溝の幅寸法Ｔについてト
ラック密度、Ｃ／Ｎ比等を上げるためには、記録用集束
光スポットの半値幅（Ω２）程度以下、好ましくはΩ２
／３〜２ＸΩ２／３程度に設定するとよく、一方、上記
トラック溝間距離ＴＰについてトラック密度を上げるた
めには、記録用集束光スポットの１／ｅ２全幅をＧｅと
した場合、 略（Ｔ十Ωｅ）／２に設定することが望ましい。

但し、記録層の内部ストレスを低減し記録性能の安定化
だけを図るような目的の場合には、当然のことながら上
記設定範囲に限定されるものではない。更に、上記トラ
ック溝の深さについては、以下の記録層形成工程時にお
ける記録層形成膜の除去処理に対しトラック溝内の記録
層形成膜が残留可能な程度の深さを必要とし、その深さ
寸法は記録層形成工程としてドライエツチング法を選択
した場合と機械的研磨法を選択した場合とで若干異なり
、かつ、ドライエツチング法を選択した場合においても
使用するエツチング材料の種類、その濃度等で異なるが
、通常３００〜３０００オングストロ一ム程度に設定す
るものである。

次に、上記記録膜形成工程における記録材料としては、
光記録材料として広く知られている全ての材料を使用す
ることができる。

すなわち、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、５ｂＳＡＳ、Ｐ。

Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｓ　ｉ　、ＴＩ、ｌｎ、Ｑａ。

Ａｈ　Ｚｎ、Ａｕ、Ａｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎ
１５Ｑｒ、及びＷ等の元素のうち少なくとも一成分以上
を含む単体、若しくは化合物、あるいはそれらが他の材
料中に分散された材料を使用することができる。このう
ちＴｅ１Ｓｅ−Ｔｅ１Ｐｂ−８ｅ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｃ等は
書換不能な記録・再生タイプである穴開は形の材料に適
しており、ＴｅＯ、Ｔｅａｘ　（Ｇｅ、Ｓｎ添加）、Ｉ
ｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−８ｂ、Ｉｎ−Ｔｅ、５ｂ２Ｓｅ。

Ｔｅ−Ｇｅ−８ｎ１”ｒｅ−Ｇｅ−８ｎ−ＡＵ。

Ａｓ２Ｓ３．５ｂ−Ｔｅ、Ｔｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ａｇ
−Ｉｎ、Ａａ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ、Ａｑ−Ａｊ−Ｃｕ、
Ｃｕ−ＡＩ−Ｎｔ、ＡＬＩ−Ｔｉ、及びＣｒ−Ｔｉ等は
書換可能な記録・再生・消去りイブである相変化形記録
材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、Ｆｅ、Ｇｏ
、Ｎ　ｉ、Ｍｎ等の遷移金属、及びＴｂ１Ｇｄ１Ｎｄ、
Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｎ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、７ｍ、Ｙｂ、Ｌ
Ｕ等の希土類元素のうち少なくとも一成分以上を含む磁
気材料、代表的にはＴｂ−Ｆｅ−Ｇｏ、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｄ
Ｖ−Ｆｅ。

Ｍｎ−３＋　、Ｐｔ−Ｍｎ−８ｂ等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシア
ニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリリ
ウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表される
有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベン
ゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可能
である。

また、上記基板全面に記録層形成膜を形成する手段とし
ては、例えば、ジクロルメタン、ベンゼン、エチルアル
コール、メチルアルコール等の溶剤に溶解若しくは分散
させた上記シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフト
キノン色素等の記録材料を基板上に塗布形成するウェッ
トプロセスが、また、上記ＴｅＯ、Ｉｎ−３ｅ、Ｉｎ−
８ｂ等の記録材料を直接基板上に形成する蒸着法、スパ
ッタリング法等のドライプロセスが適用できる。

尚、上記基板と記録材料との親和性が弱い場合には、必
要に応じ、基板上に記録材料と親和性を有する下地材料
を塗布形成するとよい。

次に、上記記録層形成工程において、基板上の記録層形
成膜を除去すると共にトラック溝内の記録層形成膜を残
して記録層とする方法としては、エツチング材料により
上記記録層形成膜を溶解除去するドライエツチング法や
、上記基材面上をパフ研磨しトラック溝以外の部位の記
録層形成膜を除去する機械的研磨法等が適しており、曲
者におけるエツチング材料としては、 ＣＦ　　、Ｃ，ＣＩ　　Ｈ、あるいはＣＣｌ４をべ一ス
にＯ１Ｈ、Ｎ　　を適合添加したガス等が使用できる。

尚、上記記録層形成工程において、記録層形成膜の形成
手段として蒸着法ヤスバッタリング法等ドライプロセス
が採用された場合、記録層形成膜の除去手段として上記
ドライエツチング法を適用すると基板上の記録層形成膜
と共にトラック溝内の記録層形成膜まで除去されてしま
うため、エツチング法以外のパフ研磨等機械的研磨法を
適用することが望ましい。

またこの技術的手段は、片面側にのみ記録層を備える光
記録媒体の製造方法に適用できる他、両面側に記録層を
備える光記録媒体の製造方法にも適用できる。この場合
、後者のものは記録層を向い合せにして接着剤を介し、
あるいはスペーサを介し２枚貼り合せて形成することが
でき、また、この接着剤としてはウレタン系接着剤、エ
ポキシ系接着剤、硬化性シリコーン樹脂、エチレン−酢
酸ビニル樹脂等のホットメルト型接着剤、ポリ塩化ビニ
ル樹脂等の高周波接着剤等が利用できる。

また、この製造方法により得られた光記録媒体の記録層
へ集束光を照射させて情報の記録・再生、あるいは記録
・再生・消去を行う光源としては、従来法において利用
されている光源が使用でき、具体的にはＧａＡ　ｌＡＳ
系半導体レーザ、ＧａＡ　Ｉ　ＩｎＰ系半導体レーザ、
ＧａＩｎＡＳＰ系半導体レーザ等の半導体レーザや、Ｈ
ｅ−Ｍｅレーザ、Ａ「レーザ、Ｈｅ−Ｃｄ　１７−ザ等
のガスレーザ等が挙げられる。

更に、本発明により製造された光記録媒体は、コンパク
トディスク等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加え
て計算機用光デイスク等各種用途に適用できる。

［作用コ 上述したような技術的手段によれば、基板全面に記録層
形成膜を形成する記録膜形成工程によりトラック溝内に
記録層形成膜が設けられると共に、記録層形成工程によ
りトラック溝以外の部位の記録層形成膜が除去されて上
記トラック溝内の記録層形成膜のみが残留することとな
るため、トラック溝内にのみ高精度でもって、かつ、確
実に記録層を形成することが可能となる。

［実施例］ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を適
用した実施例について図面を参照して詳細に説明する。

まず、円形状のガラス板（１０）上に紫外線硬化型樹脂
（例えば、アクリレートに１．１−ジメチル−１−フェ
ニルアセトフェノンを添付した樹脂）（１１）を塗布形
成し、この塗布面に予めレーザカッティングマシーンに
より作成したマスター盤（図示せず）を密着させてその
溝パターンを転写形成し、次いで、紫外線を照射し上記
樹脂（１１）を硬化させてトラック溝（３）を有する基
板（２）を作成する（第１図Ｃ参照）。

尚、上記トラック溝（３）の幅寸法（Ｔ）は５０００オ
ングストローム、その深さ寸法は３０００オングストロ
ームに設定されている。

次いで、上記樹脂（１１）面上にスピンコード法により
シアニン色素を含有する樹脂材料（日本感光色素研究所
製　商品名Ｎに−１２３）を表面が平坦化するまで（約
４０００オングストローム）塗布して記録層形成膜（１
２）を形成する（第１図す参照）と共に、この記録層形
成ＷＡ（１２）側からドライエツチング処理を施して上
記トラック溝（３）以外の部位の記録層形成膜（１２）
を除去する（第１図Ｃ参照）。尚、このドライエツチン
グ処理はトラック溝（３）以外の部位の記録層形成ＩＰ
！　（１２）が完全に除去された時点で停止させること
を要する。

すなわち、トラック溝内に形成された記録層形成ＩＩ（
１２）はトラック溝（３）以外の部位の記録層形成膜（
１２）と較べてその膜厚が大きいため、トラック溝（３
）以外の部位の記録層形成膜（１２）がドライエツチン
グ処理によって完全に除去された時点においても、上記
トラック溝（３）内の記録層形成膜（１２）は残留して
記録層（４）を形成することとなるが、トラック溝（３
）以外の部位の記録層形成膜（１２）が除去された優に
おいてもドライエツチング処理を継続した場合、トラッ
ク溝〈３）内の記録層形成膜（１２）までもがエツチン
グされ除去されてしまうからである。従って、上記ドラ
イエツチング処理については、トラック溝（３）以外の
部位の記録層形成ＦＪ（１２）が完全に除去された時点
で停止させることを必要とする。

尚、この実施例においては、上記ドライエツチング条件
を、 エツチング材料二ＣＣｌ２Ｈ２ガス、 ガス圧：１０−２〜１０１■Ｏｒ「、並びに、パワー密
度：　　０．５Ｗ／−に設定しである。

このようにして第１図（Ｃ）に示すようなトラック溝（
３）にのみ記録層（４）を有する光記録媒体（１）を製
造した。

［発明の効果］ 本発明によれば、基板全面に記録層形成膜を形成する記
録膜形成工程によりトラック溝内に記録層形成膜が設け
られると共に、記録層形成工程によりトラック溝以外の
部位の記録層形成膜が除去されて上記トラック溝内の記
録層形成膜のみが残留することとなるため、トラック溝
内にのみ記録層を精度良く、かつ、確実に記録層を形成
することが可能となる。

従って、トラック溝内にのみ記録層を有する光記録媒体
を簡便に、かつ、効率的に製造できる効果を有している
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例を示しており、
この実施例に係る光記録媒体の製造工程を示す工程説明
図であり、また、第２図〜第１２図は従来における光記
録媒体を示しており、第２図はその斜視図、第３図及び
第６図はその部分断面斜視図、第４図は半導体レーザ等
光源の照度分布とその収束光スポットの照度分布、第５
図は第４図における１部分の拡大図、第７図は光記録媒
体の再生時における説明図、第８図（ａ）は光記録媒体
の部分断面図、第８図（ｂ）はその部分平面図、第８図
（Ｃ）は記録、再生用半導体レーザスポットの照度分布
、第８図（ｄ）はトラックピッチを最小にした場合の光
記録媒体の部分平面図、第９図〜第１１図はトラック、
記録層、及び記録ドツトの形状を示す平面図、第１２図
は記録層に加わる内部ストレスを示す説明図、また、第
１３図〜第１９図は他の従来における光記録媒体を示し
ており、第１３図はこの部分断面斜視図、第１４図（ａ
）はこの光記録媒体の部分断面図、第１４図（ｂ）はそ
の部分平面図、第１４図（Ｃ）は記録、再生用半導体レ
ーザスポットの照度分布、第１４図（ｄ）はトラツクピ
ッチを最小にした場合の光記録媒体の部分平面図、第１
５図、第１７図、及び第１９図はトラック溝、記録層、
及び記録ドツトの形状を示す平面図、第１６図は再生信
号レベルと時間との関係図、第１８図は再生信号におけ
るキャリア信号レベルとノイズ信号レベルとの関係を示
す関係図を夫々示している。 「符号説明」（ａ） （１）・・・光記録媒体 （２）・・・基板 第２図 第３図 第４図 第５図 ・　Ｉ　　几２Ｉ ＼−０ 第９図 り 第１０図 第１１図 几ｅ 第１２図 第１３凹 第１４図 第１５図 第１６図 時間

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束光を照射させて光学的に情報の記録再生、あ
   るいは記録再生消去を行う光記録媒体であって、基板と
   、この基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形成され
   たトラック溝と、このトラック溝内に形成された記録層
   とを備えた光記録媒体の製造方法において、上記トラッ
   ク溝を有する基板を作成する基板作成工程、 上記トラック溝の設けられた側の基板全面に記録層形成
   膜を形成する記録膜形成工程、及び、上記基板上の記録
   層形成膜を除去すると共に、トラック溝内の記録層形成
   膜を残して記録層とする記録層形成工程、 の各工程を具備することを特徴とする光記録媒体の製造
   方法。
2. （２）上記記録膜形成工程が、溶剤に溶解若しくは分散
   された記録材料を使用するウェットプロセス法により構
   成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の光記録媒体の製造方法。
3. （３）上記記録膜形成工程が、記録材料の蒸着法により
   構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光記録媒体の製造方法。
4. （４）上記記録膜形成工程が、記録材料のスパッタリン
   グ法により構成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
5. （５）上記記録層形成工程が、ドライエッチング法によ
   り構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の光記録媒体の製造方法。
6. （６）上記記録層形成工程が、機械的研磨法により構成
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光記録媒体の製造方法。