JPS61107729A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
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- JPS61107729A JPS61107729A JP22797484A JP22797484A JPS61107729A JP S61107729 A JPS61107729 A JP S61107729A JP 22797484 A JP22797484 A JP 22797484A JP 22797484 A JP22797484 A JP 22797484A JP S61107729 A JPS61107729 A JP S61107729A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法に係り、特に光ビームにより
被照゛財物の体積変化を利用した微細な凹凸パターン形
成方法に関する。
被照゛財物の体積変化を利用した微細な凹凸パターン形
成方法に関する。
従来の技術
従来の微細パターン形成方法としては基板上にフォトレ
ジストの薄膜を形成し、例えば直径１μｍ程度に絞って
変調したレーザ光を該レジストに照射し露光させ１、次
に現像液に浸漬させフォトレジストの照射部を除去、あ
るいは残留せしめる方法がよく知られている。
ジストの薄膜を形成し、例えば直径１μｍ程度に絞って
変調したレーザ光を該レジストに照射し露光させ１、次
に現像液に浸漬させフォトレジストの照射部を除去、あ
るいは残留せしめる方法がよく知られている。
発明が解決しようとする問題点
上記従来方法では微細パターンを形成するためには基板
上に極めて厚さの薄いフォトレジスト層を形成しなけれ
ばならないが、その形成時にフォトレジスト層にピンホ
ールや他の欠陥が生じ易くなる。更に現像工程では現像
液の温度、濃度を均一に保持しなければならないがそれ
らの均一保持は非常に困難な作業である。
上に極めて厚さの薄いフォトレジスト層を形成しなけれ
ばならないが、その形成時にフォトレジスト層にピンホ
ールや他の欠陥が生じ易くなる。更に現像工程では現像
液の温度、濃度を均一に保持しなければならないがそれ
らの均一保持は非常に困難な作業である。
問題点を解決するための手段
上記問題点は本発明によれば基板上に無機材料層を形成
し、該無機材料層に光を照射することによって照射部分
に原子配列の変化による体積の膨張ないし収縮を生じせ
しめ凹凸パターンを形成することを特徴とするパターン
形方法によって解決される。
し、該無機材料層に光を照射することによって照射部分
に原子配列の変化による体積の膨張ないし収縮を生じせ
しめ凹凸パターンを形成することを特徴とするパターン
形方法によって解決される。
作用
上記本発明によればフォトレジスト薄層の形成工程及び
現像工程が不用となり従来の問題点を解消するものであ
る。
現像工程が不用となり従来の問題点を解消するものであ
る。
実施例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は本発明に係るパターン形成法の一実
施例を説明するための断面図である。
施例を説明するための断面図である。
純度９９．９９９％のＴｅ、ＧｅおよびＳｎをそれぞれ
石英アンプル中に入れ真空ポンプで１０−’ Ｔｏｒｒ
以下に引きつつ該アンプルを封じる。これを１０００℃
の電気炉に入れ５時間程度アンプルを振動させて材料を
よく攪拌し急冷した後そのアンプルを割り、混合合金化
されたＴｅ＋Ｇｅ及びＳｎの３元合金材料を取り出す０
次に第１図に示すように表面を研磨し、よ（洗浄した円
板状のガラス基板１を真空装置内に置き、これを回転し
つつタングステンポートに入れた上記材料を真空蒸着し
、Ｔｅ、 Ｇｅ、 Ｓｎか為なる薄膜２を形成する。真
空度はｌＸｌ０−’〜２ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ 、蒸着
速度は１０人／分〜３００人／分であった。膜厚は５０
０〜２００００人の間にありＸ線回折法により結晶性調
査の結果この薄膜２はほぼ非晶質状態にあることが確認
された。
石英アンプル中に入れ真空ポンプで１０−’ Ｔｏｒｒ
以下に引きつつ該アンプルを封じる。これを１０００℃
の電気炉に入れ５時間程度アンプルを振動させて材料を
よく攪拌し急冷した後そのアンプルを割り、混合合金化
されたＴｅ＋Ｇｅ及びＳｎの３元合金材料を取り出す０
次に第１図に示すように表面を研磨し、よ（洗浄した円
板状のガラス基板１を真空装置内に置き、これを回転し
つつタングステンポートに入れた上記材料を真空蒸着し
、Ｔｅ、 Ｇｅ、 Ｓｎか為なる薄膜２を形成する。真
空度はｌＸｌ０−’〜２ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ 、蒸着
速度は１０人／分〜３００人／分であった。膜厚は５０
０〜２００００人の間にありＸ線回折法により結晶性調
査の結果この薄膜２はほぼ非晶質状態にあることが確認
された。
次にこの円板を高速（３００〜３０００ｒｐｍ）で回転
する回転台に載置し、この薄膜表面に集束したＡｒ”イ
オンレーザ−からの光ビーム３を変調して照射した。波
長は４８８μｍであり、集束用のレンズはＸ／Ａ０．９
５のものを使った。照射されたビームは連続光および１
００ＫＨｚ〜ＩＯＭＩＩＺの周波数で変調されたパルス
光を使った。光の照射された非晶質部分は微細な結晶粒
が成長し、体積集積部４を形成し次２図に示すような凹
凸パターンを有する薄膜２を形成した。
する回転台に載置し、この薄膜表面に集束したＡｒ”イ
オンレーザ−からの光ビーム３を変調して照射した。波
長は４８８μｍであり、集束用のレンズはＸ／Ａ０．９
５のものを使った。照射されたビームは連続光および１
００ＫＨｚ〜ＩＯＭＩＩＺの周波数で変調されたパルス
光を使った。光の照射された非晶質部分は微細な結晶粒
が成長し、体積集積部４を形成し次２図に示すような凹
凸パターンを有する薄膜２を形成した。
照射光のパワーは円板の表面上で３〜３０ｍＷであり、
体積の収縮度は、パワー及び回転数に応じて、薄膜の膜
厚の数％〜十数％であった。
体積の収縮度は、パワー及び回転数に応じて、薄膜の膜
厚の数％〜十数％であった。
この方法により作られたパターン幅は非常に微細であり
、１μｍはもちろん少なくとも０６５μｍの幅の凹部が
安定に作られることがわかった。又凹部の表面も非常に
均一であった。
、１μｍはもちろん少なくとも０６５μｍの幅の凹部が
安定に作られることがわかった。又凹部の表面も非常に
均一であった。
上記実施例は、原子配列の変化の例として、非晶質から
結晶への変化を取り下げたが、逆の変化 、７、
すなわち、結晶から非晶質への変化であってもよい。ま
た、非晶質と結晶間の変化に限らず、光照射により原子
配列が変化し、体積変化を起こすものであれば凹凸パタ
ーンを形成することができる。
結晶への変化を取り下げたが、逆の変化 、７、
すなわち、結晶から非晶質への変化であってもよい。ま
た、非晶質と結晶間の変化に限らず、光照射により原子
配列が変化し、体積変化を起こすものであれば凹凸パタ
ーンを形成することができる。
また露光工程において、基板を回転する他にＸＹに動か
すようにしても良い。
すようにしても良い。
末法に用いられる無機材料としては、上にあげたＴｅ、
Ｇｅ、Ｓｎの３元合金の他に、Ｔｅ−Ｇｅ合金、Ｔｅ−
３ｅ合金、Ａ’ｓ−３、Ａｓ−３ｅ 、 ５ｂ−Ｓ 。
Ｇｅ、Ｓｎの３元合金の他に、Ｔｅ−Ｇｅ合金、Ｔｅ−
３ｅ合金、Ａ’ｓ−３、Ａｓ−３ｅ 、 ５ｂ−Ｓ 。
５ｂ−５ｅ 、Ｔｅ及びそれらに、Ｇｅ、Ｖ、Ｓｂ。
Ｐｂ 、Ｓｎ 、Ｂｉ 、Ｓｉを加えた合金でも
よい。
よい。
特にＴｅｅｎＳＴｅＧｅＳｎＳＴｅＳｅは体積変化率が
大きく、初期膜厚の＋数％にまで及ぶため、末法による
パターン形成に適している。
大きく、初期膜厚の＋数％にまで及ぶため、末法による
パターン形成に適している。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば現像工程が不要なので
工程の簡易化が図れ、しかもパターンの形状が露光条件
だけで調節できるので形状の均一性、信頼性を向上させ
ることができる。
工程の簡易化が図れ、しかもパターンの形状が露光条件
だけで調節できるので形状の均一性、信頼性を向上させ
ることができる。
第１図及び第２図は本発明に係るパターン形成法の一実
施例を説明するための断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２ ・・Ｔｅ ｒ Ｇｅ ＋ Ｓｎからなる薄膜、３
・・・光ビーム、 ４・・・体積収縮部。
施例を説明するための断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２ ・・Ｔｅ ｒ Ｇｅ ＋ Ｓｎからなる薄膜、３
・・・光ビーム、 ４・・・体積収縮部。
Claims (1)
- １、基板上に無機材料層を形成し、該無機材料層に光を
照射することによって照射部分に原子配列の変化による
体積の膨張ないし収縮を生じせしめ凹凸パターンを形成
することを特徴とするパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22797484A JPS61107729A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22797484A JPS61107729A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107729A true JPS61107729A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16869173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22797484A Pending JPS61107729A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107729A (ja) |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP22797484A patent/JPS61107729A/ja active Pending
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