JPH0462453B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0462453B2 JPH0462453B2 JP59144727A JP14472784A JPH0462453B2 JP H0462453 B2 JPH0462453 B2 JP H0462453B2 JP 59144727 A JP59144727 A JP 59144727A JP 14472784 A JP14472784 A JP 14472784A JP H0462453 B2 JPH0462453 B2 JP H0462453B2
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- JP
- Japan
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- growth
- crystal
- substrate
- laser
- container
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は気相エピタキシヤル結晶成長装置、
特にいわゆる分子線エピタキシヤル結晶成長装置
の改良に関するものである。
特にいわゆる分子線エピタキシヤル結晶成長装置
の改良に関するものである。
〔従来技術〕
第１図は従来装置の構成を示す模式平面断面図
で、１はこの装置全体を収容する真空容器、２は
ヒータ３を有する加熱板、４はその上に結晶を成
長させるべき基板、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅはそれぞれヒータ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６
ｅを有するるつぼで、それぞれ成長材料７ａ，７
ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅを蒸発温度まで加熱すると
ともに、各るつぼにそれぞれシヤツター８ａ，８
ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅが設けられている。
で、１はこの装置全体を収容する真空容器、２は
ヒータ３を有する加熱板、４はその上に結晶を成
長させるべき基板、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅはそれぞれヒータ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６
ｅを有するるつぼで、それぞれ成長材料７ａ，７
ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅを蒸発温度まで加熱すると
ともに、各るつぼにそれぞれシヤツター８ａ，８
ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅが設けられている。
この従来の装置では、例えば第１図に示すよう
にシヤツター８ｂを開くことによつて成長材料７
ｂの分子線が図示矢印Ｍのように真空容器１内に
放射状に拡がり基板４に到達した分子線が結晶成
長に寄与する。シヤツター８ｂを閉じ他のシヤツ
ターを開けば上記結晶成長層の上に今回開いたシ
ヤツターに対応する成長材料の結晶成長が得ら
れ、このようにして多層構造の結晶成長を効率よ
く行うことができる。
にシヤツター８ｂを開くことによつて成長材料７
ｂの分子線が図示矢印Ｍのように真空容器１内に
放射状に拡がり基板４に到達した分子線が結晶成
長に寄与する。シヤツター８ｂを閉じ他のシヤツ
ターを開けば上記結晶成長層の上に今回開いたシ
ヤツターに対応する成長材料の結晶成長が得ら
れ、このようにして多層構造の結晶成長を効率よ
く行うことができる。
ところが、この従来の装置では、各るつぼ５ａ
〜５ｅの大きさがかなりの大きさになり、しかも
それぞれシヤツター８ａ〜８ｅを有しておりその
動作スペースも大きくなる。更に、基板４の面内
の結晶成長の均一性を確保するためにるつぼ５ａ
〜５ｅと基板４との距離は大きい方が望ましい。
従つて、真空容器１の容積は必然的に大きくな
り、高真空にするのに長時間を必要とする。ま
た、るつぼ５ａ〜５ａから基板４までの距離が大
きいので、放射状に出る分子線のうち、基板４に
到達する割合は小さくなり、成長材料の大部分は
真空容器１の内壁に付着して無駄になつていた。
シヤツター８ａ〜８ｅの動作速度がおそいこと
と、成長材料の加熱に時間を要することとから、
多層の結晶成長にはかなりの時間を必要としてい
た。
〜５ｅの大きさがかなりの大きさになり、しかも
それぞれシヤツター８ａ〜８ｅを有しておりその
動作スペースも大きくなる。更に、基板４の面内
の結晶成長の均一性を確保するためにるつぼ５ａ
〜５ｅと基板４との距離は大きい方が望ましい。
従つて、真空容器１の容積は必然的に大きくな
り、高真空にするのに長時間を必要とする。ま
た、るつぼ５ａ〜５ａから基板４までの距離が大
きいので、放射状に出る分子線のうち、基板４に
到達する割合は小さくなり、成長材料の大部分は
真空容器１の内壁に付着して無駄になつていた。
シヤツター８ａ〜８ｅの動作速度がおそいこと
と、成長材料の加熱に時間を要することとから、
多層の結晶成長にはかなりの時間を必要としてい
た。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、真空容器内にるつぼを設けるこなく成長材
料のみを配置し、これを外部からレーザ光で加熱
するようにすることによつて、真空容器の容積を
小さくし、成長材料の切換えを高速に行える効率
のよい気相エピタキシヤル結晶成長装置を提供す
るものである。
ので、真空容器内にるつぼを設けるこなく成長材
料のみを配置し、これを外部からレーザ光で加熱
するようにすることによつて、真空容器の容積を
小さくし、成長材料の切換えを高速に行える効率
のよい気相エピタキシヤル結晶成長装置を提供す
るものである。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模式
平面図で、第１図と同一符号は同等部分を示す。
１０は真空容器で、その一つの面に透明窓１１を
有している。１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，
１２ｅはそれぞれ固体状の成長材料１３ａ，１３
ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅが載置された試料
台、１４はレーザ装置、１５は集光レンズ、１６
は回転ミラーである。
平面図で、第１図と同一符号は同等部分を示す。
１０は真空容器で、その一つの面に透明窓１１を
有している。１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，
１２ｅはそれぞれ固体状の成長材料１３ａ，１３
ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅが載置された試料
台、１４はレーザ装置、１５は集光レンズ、１６
は回転ミラーである。
レーザ装置１４から出たレーザ光Ｌは集光レン
ズ１５、回転ミラー１６を経て、例えば図示のよ
うに成長材料１３ｄに集光される。レーザ光はパ
ワー密度が高いので成長材料１３ｄは瞬時に高温
となり分子線Ｍとなり、図示のように放射状に拡
がり、これが基板４に到達して結晶成長が行われ
る。そして、必要に応じて回転ミラー１６を回転
させて、他の任意の成長材料について同様の操作
を行つて多層構造の結晶成長が得られる。このよ
うにして、成長材料１３ａ〜１３ｅはレーザ光Ｌ
が照射された近傍のみが溶融するので、試料台１
２ａ〜１２ｅは融液を入れる容器状になつている
必要はなく、それぞれ成長材料１３ａ〜１３ｅが
置ける面積があればよい。
ズ１５、回転ミラー１６を経て、例えば図示のよ
うに成長材料１３ｄに集光される。レーザ光はパ
ワー密度が高いので成長材料１３ｄは瞬時に高温
となり分子線Ｍとなり、図示のように放射状に拡
がり、これが基板４に到達して結晶成長が行われ
る。そして、必要に応じて回転ミラー１６を回転
させて、他の任意の成長材料について同様の操作
を行つて多層構造の結晶成長が得られる。このよ
うにして、成長材料１３ａ〜１３ｅはレーザ光Ｌ
が照射された近傍のみが溶融するので、試料台１
２ａ〜１２ｅは融液を入れる容器状になつている
必要はなく、それぞれ成長材料１３ａ〜１３ｅが
置ける面積があればよい。
なお、以上分子線ビームの場合について説明し
たが、広く金属材料等の蒸着にも適用できる。ま
た、レーザの動作はパルス動作として、パルス数
によつて成長結晶厚さを制御することもできる。
たが、広く金属材料等の蒸着にも適用できる。ま
た、レーザの動作はパルス動作として、パルス数
によつて成長結晶厚さを制御することもできる。
以上説明したように、この発明では以上のよう
な構成にしたので真空容器は小形となり、成長材
料の切換えも高速に行うことができ、効率のよい
気相エピタキシヤル結晶成長装置が得られる。
な構成にしたので真空容器は小形となり、成長材
料の切換えも高速に行うことができ、効率のよい
気相エピタキシヤル結晶成長装置が得られる。
第１図は従来装置の構成を示す模式平面断面
図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模
式平面断面図である。 図において、４は基板、１０は真空容器、１１
は透明窓、１２ａ〜１２ｅは試料台、１３ａ〜１
３ｅは成長材料、１４はレーザ装置、１５は集光
レンズ、１５は回転ミラーである。なお、図中同
一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模
式平面断面図である。 図において、４は基板、１０は真空容器、１１
は透明窓、１２ａ〜１２ｅは試料台、１３ａ〜１
３ｅは成長材料、１４はレーザ装置、１５は集光
レンズ、１５は回転ミラーである。なお、図中同
一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明窓を有する真空容器と、 該容器内に設けられた結晶を成長させるべき基
板が載置される基板載置台と、 上記容器内に設けられた互いに異なる成長材料
が載置される複数の試料台と、 上記真空容器外に設けられたレーザ装置からの
レーザ光を上記透明窓を通して上記複数の試料台
に載置された任意の成長材料に選択的に集光照射
するレーザ照射手段とを備え、 上記レーザ光の集光照射により成長材料を加熱
蒸発させて上記基板載置台に載置された基板上へ
結晶のエピタキシヤル成長を行うことを特徴とす
る気相エピタキシヤル結晶成長装置。 ２ 上記レーザ光照射手段は、レーザ光を回転ミ
ラーで反射させ、この回転ミラーの回転によつて
成長材料の選択を行うことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の気相エピタキシヤル結晶成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14472784A JPS6122618A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 気相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14472784A JPS6122618A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 気相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122618A JPS6122618A (ja) | 1986-01-31 |
| JPH0462453B2 true JPH0462453B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=15368916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14472784A Granted JPS6122618A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 気相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122618A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220415A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造方法 |
| JP2778137B2 (ja) * | 1989-07-21 | 1998-07-23 | ソニー株式会社 | 薄膜形成方法及びその装置 |
| JPH03142921A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Shimadzu Corp | ３―５族化合物半導体薄膜製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160119A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Mitsugi Hanabusa | Manufacture of amorphous silicon film by reactive laser sputtering |
| JPS5811265B2 (ja) * | 1976-02-19 | 1983-03-02 | ニチデン機械株式会社 | 物品選別装置 |
| JPS5887742A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高輝度イオン源 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827003Y2 (ja) * | 1980-02-21 | 1983-06-11 | 新日本製鐵株式会社 | 電磁鋼板の磁気特性改善装置 |
| JPS5811265U (ja) * | 1981-06-16 | 1983-01-25 | 株式会社東芝 | レ−ザ光照射装置 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14472784A patent/JPS6122618A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5811265B2 (ja) * | 1976-02-19 | 1983-03-02 | ニチデン機械株式会社 | 物品選別装置 |
| JPS57160119A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Mitsugi Hanabusa | Manufacture of amorphous silicon film by reactive laser sputtering |
| JPS5887742A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高輝度イオン源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122618A (ja) | 1986-01-31 |
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