JPH04254341A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04254341A JPH04254341A JP965691A JP965691A JPH04254341A JP H04254341 A JPH04254341 A JP H04254341A JP 965691 A JP965691 A JP 965691A JP 965691 A JP965691 A JP 965691A JP H04254341 A JPH04254341 A JP H04254341A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化および高密度
集積化が進められており、半導体素子の三次元化にとも
ない半導体チップと封止樹脂の間のバッファとしてポリ
イミド膜が用いられている。図２は半導体チップと封止
樹脂の間のバッファとしてポリイミド膜を用いた従来の
半導体装置の製造方法を説明する断面図である。まず図
２（ａ）に示すように、半導体基板１の上に形成された
プラズマ窒化膜２とアルミパット３の上に感光性ポリイ
ミド膜４を塗布し、パターン形成した後、約４００℃で
加熱し硬化する。次に図２（ｂ）に示すように、後工程
でのアルミパット３とボンディングワイヤとの接合性の
向上のため酸素プラズマを用いたディスカムアッシャー
でアルミパット３の上のポリイミドの残渣５を除去する
。この時、ポリイミド膜４の表面に荒れ６が生ずる。
集積化が進められており、半導体素子の三次元化にとも
ない半導体チップと封止樹脂の間のバッファとしてポリ
イミド膜が用いられている。図２は半導体チップと封止
樹脂の間のバッファとしてポリイミド膜を用いた従来の
半導体装置の製造方法を説明する断面図である。まず図
２（ａ）に示すように、半導体基板１の上に形成された
プラズマ窒化膜２とアルミパット３の上に感光性ポリイ
ミド膜４を塗布し、パターン形成した後、約４００℃で
加熱し硬化する。次に図２（ｂ）に示すように、後工程
でのアルミパット３とボンディングワイヤとの接合性の
向上のため酸素プラズマを用いたディスカムアッシャー
でアルミパット３の上のポリイミドの残渣５を除去する
。この時、ポリイミド膜４の表面に荒れ６が生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置の製造方法では、アルミパットの上のポリ
イミドの残渣を除去する時に、同時に本来残すべきポリ
イミド膜の表面に荒れが生じ、このため、エポキシ樹脂
等の封止樹脂との密着性が悪くなるという課題を有して
いた。
の半導体装置の製造方法では、アルミパットの上のポリ
イミドの残渣を除去する時に、同時に本来残すべきポリ
イミド膜の表面に荒れが生じ、このため、エポキシ樹脂
等の封止樹脂との密着性が悪くなるという課題を有して
いた。
【０００４】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、ポリイミド膜と封止樹脂との密着性の良い半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
、ポリイミド膜と封止樹脂との密着性の良い半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主
面上にポリイミド膜をパターン形成する工程と、不要部
に残ったポリイミドの残渣をエッチング除去した後、ポ
リイミド膜を窒素雰囲気にて加熱する工程とを有する。
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主
面上にポリイミド膜をパターン形成する工程と、不要部
に残ったポリイミドの残渣をエッチング除去した後、ポ
リイミド膜を窒素雰囲気にて加熱する工程とを有する。
【０００６】
【作用】この構成によって、ポリイミド膜の表面で環化
反応、あるいは重合反応等を引き起こさせ、ディスカム
アッシャー等によるエッチングで生じた荒れを減少させ
、ポリイミド膜と封止樹脂との密着性を向上させること
ができる。
反応、あるいは重合反応等を引き起こさせ、ディスカム
アッシャー等によるエッチングで生じた荒れを減少させ
、ポリイミド膜と封止樹脂との密着性を向上させること
ができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における半
導体装置の製造方法を説明する断面図である。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における半
導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【０００８】まず図１（ａ）に示すように、半導体基板
１の上に形成されたプラズマ窒化膜２，アルミパット３
の上に感光性ポリイミド膜を塗布し、リソグラフィー工
程によりパターン形成してポリイミド膜４を残す。この
ポリイミド膜４を４００℃で約１時間加熱して硬化する
。次に図１（ｂ）に示すように、後工程でのアルミパッ
ト３とボンディングワイヤとの接合性の向上のため酸素
プラズマを用いたディスカムアッシャーによりアルミパ
ット３の上のポリイミドの残渣５を除去する。この時、
ポリイミド膜４の表面に荒れ６が生じる。次に図１（ｃ
）に示すように、ポリイミド膜４を４００℃で２時間、
窒素雰囲気中で加熱する。この時、ポリイミド膜４の表
面で環化反応、または重合反応等を引き起こさせ、ディ
スカムアッシャーで生じた荒れ６を減少させることがで
きる。
１の上に形成されたプラズマ窒化膜２，アルミパット３
の上に感光性ポリイミド膜を塗布し、リソグラフィー工
程によりパターン形成してポリイミド膜４を残す。この
ポリイミド膜４を４００℃で約１時間加熱して硬化する
。次に図１（ｂ）に示すように、後工程でのアルミパッ
ト３とボンディングワイヤとの接合性の向上のため酸素
プラズマを用いたディスカムアッシャーによりアルミパ
ット３の上のポリイミドの残渣５を除去する。この時、
ポリイミド膜４の表面に荒れ６が生じる。次に図１（ｃ
）に示すように、ポリイミド膜４を４００℃で２時間、
窒素雰囲気中で加熱する。この時、ポリイミド膜４の表
面で環化反応、または重合反応等を引き起こさせ、ディ
スカムアッシャーで生じた荒れ６を減少させることがで
きる。
【０００９】なお、上記実施例においては、ポリイミド
膜４を４００℃で加熱する場合について述べたが、実験
の結果、好ましい加熱温度は２００℃から５００℃の範
囲であった。
膜４を４００℃で加熱する場合について述べたが、実験
の結果、好ましい加熱温度は２００℃から５００℃の範
囲であった。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明は、ポリイミド膜の
パターンを形成した半導体基板の表面をディスカムアッ
シャーで処理した後に、加熱することにより、ポリイミ
ド膜の表面で環化反応、または重合反応等を引き起こさ
せ、ディスカムアッシャーで生じた荒れを減少させるこ
とができ、ポリイミド膜と封止樹脂との密着性の良い半
導体装置の製造方法を実現することができる。
パターンを形成した半導体基板の表面をディスカムアッ
シャーで処理した後に、加熱することにより、ポリイミ
ド膜の表面で環化反応、または重合反応等を引き起こさ
せ、ディスカムアッシャーで生じた荒れを減少させるこ
とができ、ポリイミド膜と封止樹脂との密着性の良い半
導体装置の製造方法を実現することができる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を説明する工程図
法を説明する工程図
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
工程図
工程図
１ 半導体基板
４ ポリイミド膜
５ ポリイミドの残渣
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板の一主面上にポリイミド膜をパ
ターン形成する工程と、不要部に残ったポリイミドの残
渣をエッチング除去した後、前記ポリイミド膜を加熱す
る工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】ポリイミド膜の加熱温度が２００℃から５
００℃の範囲である請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】ポリイミド膜の加熱を窒素雰囲気中で行う
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP965691A JP2912712B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP965691A JP2912712B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254341A true JPH04254341A (ja) | 1992-09-09 |
| JP2912712B2 JP2912712B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=11726260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP965691A Expired - Fee Related JP2912712B2 (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912712B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009330A1 (de) * | 1996-08-28 | 1998-03-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur optimierung der adhäsion zwischen pressmasse und passivierungsschicht |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP965691A patent/JP2912712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009330A1 (de) * | 1996-08-28 | 1998-03-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur optimierung der adhäsion zwischen pressmasse und passivierungsschicht |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2912712B2 (ja) | 1999-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080409 Year of fee payment: 9 |
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