JPH05109698A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05109698A JPH05109698A JP26587091A JP26587091A JPH05109698A JP H05109698 A JPH05109698 A JP H05109698A JP 26587091 A JP26587091 A JP 26587091A JP 26587091 A JP26587091 A JP 26587091A JP H05109698 A JPH05109698 A JP H05109698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide film
- semiconductor device
- film pattern
- polyimide
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミド膜パターンと樹脂パッケージ材と
の密着性の良い半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１の一主面にポリイミド膜パター
ン５を形成する工程と、ポリイミド膜パターン５が形成
されていない領域のポリイミド残渣６を除去する工程
と、ポリイミド膜パターン５に光を照射する工程とを有
する。
の密着性の良い半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板１の一主面にポリイミド膜パター
ン５を形成する工程と、ポリイミド膜パターン５が形成
されていない領域のポリイミド残渣６を除去する工程
と、ポリイミド膜パターン５に光を照射する工程とを有
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化、高密度化お
よび高集積化が進められており、さらに半導体チップと
パッケージ間のバッファまたは保護膜として半導体素子
の上にポリイミド膜を形成することが行われている。
よび高集積化が進められており、さらに半導体チップと
パッケージ間のバッファまたは保護膜として半導体素子
の上にポリイミド膜を形成することが行われている。
【０００３】以下に従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。図２（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の
製造方法の工程断面図で、半導体チップと樹脂パッケー
ジ材の間のバッファとして半導体チップの表面にポリイ
ミド膜を形成したものである。図２において、２１は半
導体基板、２２は絶縁膜、２３はプラズマ窒化膜、２４
はアルミニウムパッド、２５はポリイミド膜パターン、
２６はポリイミド残渣、２７はポリイミド膜パターン２
５の荒れた表面である。
て説明する。図２（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の
製造方法の工程断面図で、半導体チップと樹脂パッケー
ジ材の間のバッファとして半導体チップの表面にポリイ
ミド膜を形成したものである。図２において、２１は半
導体基板、２２は絶縁膜、２３はプラズマ窒化膜、２４
はアルミニウムパッド、２５はポリイミド膜パターン、
２６はポリイミド残渣、２７はポリイミド膜パターン２
５の荒れた表面である。
【０００４】まず図２（ａ）に示すように、半導体基板
２１の上に、アルミニウムパッド２４の一部を露出する
開口を有するプラズマ窒化膜２３が形成され、そのプラ
ズマ窒化膜２３の上に感光性ポリイミド膜が形成され
る。次にその感光性ポリイミド膜をマスクを用いて露光
し、ポリイミド膜パターン２５を形成した後、約４００
℃で加熱し硬化する。次に図２（ｂ）に示すように、ア
ルミニウムパッド２４とボンディングワイヤとの接合性
を向上させるために、アルミニウムパッド２４の上のポ
リイミド残渣２６をプラズマで除去する（以下この工程
をディスカム処理と称する）。
２１の上に、アルミニウムパッド２４の一部を露出する
開口を有するプラズマ窒化膜２３が形成され、そのプラ
ズマ窒化膜２３の上に感光性ポリイミド膜が形成され
る。次にその感光性ポリイミド膜をマスクを用いて露光
し、ポリイミド膜パターン２５を形成した後、約４００
℃で加熱し硬化する。次に図２（ｂ）に示すように、ア
ルミニウムパッド２４とボンディングワイヤとの接合性
を向上させるために、アルミニウムパッド２４の上のポ
リイミド残渣２６をプラズマで除去する（以下この工程
をディスカム処理と称する）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、アルミニウムパッド２４の上のポリイミ
ド残渣２６をディスカム処理する時に、同時にポリイミ
ド膜パターン２５の表面が荒れ、この荒れた表面２７と
エポキシ樹脂等のパッケージ材との密着性が悪くなると
いう課題を有していた。
来の構成では、アルミニウムパッド２４の上のポリイミ
ド残渣２６をディスカム処理する時に、同時にポリイミ
ド膜パターン２５の表面が荒れ、この荒れた表面２７と
エポキシ樹脂等のパッケージ材との密着性が悪くなると
いう課題を有していた。
【０００６】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、ポリイミド膜パターンと樹脂パッケージ材との密着
性の良い半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
で、ポリイミド膜パターンと樹脂パッケージ材との密着
性の良い半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主
面にポリイミド膜パターンを形成する工程と、ポリイミ
ド膜パターンが形成されていない領域のポリイミド残渣
を除去する工程と、ポリイミド膜パターンに光を照射す
る工程とを有している。
に本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一主
面にポリイミド膜パターンを形成する工程と、ポリイミ
ド膜パターンが形成されていない領域のポリイミド残渣
を除去する工程と、ポリイミド膜パターンに光を照射す
る工程とを有している。
【０００８】
【作用】この構成によって、ポリイミド膜パターンの表
面で環化反応または重合を行わせて、ディスカム処理な
どにより生じた表面の荒れを修復し、ポリイミド膜パタ
ーンと樹脂パッケージ材との密着性を向上させることが
できる。
面で環化反応または重合を行わせて、ディスカム処理な
どにより生じた表面の荒れを修復し、ポリイミド膜パタ
ーンと樹脂パッケージ材との密着性を向上させることが
できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実
施例における半導体装置の製造方法の工程断面図であ
る。図１において、１は半導体基板、２は絶縁膜、３は
プラズマ窒化膜、４はアルミニウムパッド、５はポリイ
ミド膜パターン、６はポリイミド残渣、７はポリイミド
膜パターン５の荒れた表面、８はポリイミド膜パターン
５の修復された表面である。
しながら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実
施例における半導体装置の製造方法の工程断面図であ
る。図１において、１は半導体基板、２は絶縁膜、３は
プラズマ窒化膜、４はアルミニウムパッド、５はポリイ
ミド膜パターン、６はポリイミド残渣、７はポリイミド
膜パターン５の荒れた表面、８はポリイミド膜パターン
５の修復された表面である。
【００１０】まず図１（ａ）に示すように、半導体基板
１の表面に絶縁膜２が形成されており、その上にアルミ
ニウムパッド４が形成され、そのアルミニウムパッド４
の一部を露出する開口を有するプラズマ窒化膜３が形成
され、そのプラズマ窒化膜３の上に感光性ポリイミド膜
が形成される。次にその感光性ポリイミド膜をマスクを
用いて露光し、ポリイミド膜パターン５を形成した後、
約４００℃で１０分間加熱し硬化する。次にアルミニウ
ムパッド４とボンディングワイヤとの接合性を向上させ
るために、アルミニウムパッド４の上のポリイミド残渣
６をＯ2プラズマによりディスカム処理し、図１（ｂ）
に示す状態が得られる。この状態ではポリイミド膜パタ
ーン５の表面は荒れた表面７となっているが、図１
（ｃ）に示すように、３６５nmの光を１０分間窒素雰囲
気中でポリイミド膜パターン５の表面に照射する。この
ようにしてポリイミド膜パターン５の表面は荒れが修復
され、修復された表面８となる。
１の表面に絶縁膜２が形成されており、その上にアルミ
ニウムパッド４が形成され、そのアルミニウムパッド４
の一部を露出する開口を有するプラズマ窒化膜３が形成
され、そのプラズマ窒化膜３の上に感光性ポリイミド膜
が形成される。次にその感光性ポリイミド膜をマスクを
用いて露光し、ポリイミド膜パターン５を形成した後、
約４００℃で１０分間加熱し硬化する。次にアルミニウ
ムパッド４とボンディングワイヤとの接合性を向上させ
るために、アルミニウムパッド４の上のポリイミド残渣
６をＯ2プラズマによりディスカム処理し、図１（ｂ）
に示す状態が得られる。この状態ではポリイミド膜パタ
ーン５の表面は荒れた表面７となっているが、図１
（ｃ）に示すように、３６５nmの光を１０分間窒素雰囲
気中でポリイミド膜パターン５の表面に照射する。この
ようにしてポリイミド膜パターン５の表面は荒れが修復
され、修復された表面８となる。
【００１１】なお本実施例では光照射を窒素雰囲気中で
行なった例について説明したが、これは酸素を遮断する
ことを目的としており、他の不活性ガスを用いても同様
の効果が得られる。また本実施例では３６５nmの紫外線
を光照射に用いた例について説明したが、程度の差はあ
るもののポリイミドは波長が２００〜４００nmの光で環
化または重合反応が進むため、光照射前の表面状態を考
慮し使用する光の波長を選択することにより一層の効果
が期待できる。
行なった例について説明したが、これは酸素を遮断する
ことを目的としており、他の不活性ガスを用いても同様
の効果が得られる。また本実施例では３６５nmの紫外線
を光照射に用いた例について説明したが、程度の差はあ
るもののポリイミドは波長が２００〜４００nmの光で環
化または重合反応が進むため、光照射前の表面状態を考
慮し使用する光の波長を選択することにより一層の効果
が期待できる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明は、ポリイミド残渣
をディスカム処理した後、光照射することによりポリイ
ミド膜パターンの表面を修復することにより、ポリイミ
ド膜パターンと樹脂パッケージ材との密着性を向上させ
た半導体装置の製造方法を実現できるものである。
をディスカム処理した後、光照射することによりポリイ
ミド膜パターンの表面を修復することにより、ポリイミ
ド膜パターンと樹脂パッケージ材との密着性を向上させ
た半導体装置の製造方法を実現できるものである。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例における半
導体装置の製造方法の工程断面図
導体装置の製造方法の工程断面図
【図２】（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法
の工程断面図
の工程断面図
１ 半導体基板 ５ ポリイミド膜パターン ６ ポリイミド残渣
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面にポリイミド膜パタ
ーンを形成する工程と、前記ポリイミド膜パターンが形
成されていない領域のポリイミド残渣を除去する工程
と、前記ポリイミド膜パターンに光を照射する工程とを
有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 光の照射を不活性ガス雰囲気中で行う請
求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 照射する光の波長が２００〜４００nmで
ある請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26587091A JPH05109698A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26587091A JPH05109698A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109698A true JPH05109698A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17423240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26587091A Pending JPH05109698A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109698A (ja) |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP26587091A patent/JPH05109698A/ja active Pending
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