JP3353366B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents
ダイボンディング方法Info
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- H—ELECTRICITY
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造の後工
程に関し、リードフレームにチップを接合するダイボン
ディング方法に関するものである。
程に関し、リードフレームにチップを接合するダイボン
ディング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路のダイボンディング方法
としては、例えば銀，パラジウムまたは金等のめっき層
を表面に形成したリードフレームに、例えば銀ペースト
を塗布する。その後塗布した銀ペーストを接合材にし
て、当該リードフレームにチップを固定する。また半導
体装置の薄型化、表面実装化の要求が強い今日では、半
田時のクラックを防止するために、リードフレームにス
リットを設ける、またはリードフレームの形状を凹凸に
形成して、チップとリードフレームとの接触面積が小さ
くなるようにしている。
としては、例えば銀，パラジウムまたは金等のめっき層
を表面に形成したリードフレームに、例えば銀ペースト
を塗布する。その後塗布した銀ペーストを接合材にし
て、当該リードフレームにチップを固定する。また半導
体装置の薄型化、表面実装化の要求が強い今日では、半
田時のクラックを防止するために、リードフレームにス
リットを設ける、またはリードフレームの形状を凹凸に
形成して、チップとリードフレームとの接触面積が小さ
くなるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにチップとリードフレームとの接触面積が小さくな
ると、ワイヤボンディング時の加熱処理またはワイヤボ
ンディング時の衝撃等によって、リードフレームよりチ
ップが剥離して、致命的な不良になる。まためっきを施
したリードフレームでは、例えば銀ペーストの種類によ
って、ワイヤボンディング時におけるリードフレームの
ダイシア強度が非常に低くなる場合がある。ダイシア強
度が低くなるこのようなめっき層と銀ペーストとの組合
せではワイヤボンディング時にチップがリードフレーム
より剥離する。
ようにチップとリードフレームとの接触面積が小さくな
ると、ワイヤボンディング時の加熱処理またはワイヤボ
ンディング時の衝撃等によって、リードフレームよりチ
ップが剥離して、致命的な不良になる。まためっきを施
したリードフレームでは、例えば銀ペーストの種類によ
って、ワイヤボンディング時におけるリードフレームの
ダイシア強度が非常に低くなる場合がある。ダイシア強
度が低くなるこのようなめっき層と銀ペーストとの組合
せではワイヤボンディング時にチップがリードフレーム
より剥離する。
【０００４】さらに、リードフレームにめっき処理を行
ってから組立てるまで長期間放置されている場合には、
リードフレームのめっき層の表面に有機物のような汚染
物質が付着する。このように汚染物質が付着するとチッ
プとリードフレームのめっき層との接着性が低下して、
ワイヤボンディング時にチップがリードフレームより剥
離する。
ってから組立てるまで長期間放置されている場合には、
リードフレームのめっき層の表面に有機物のような汚染
物質が付着する。このように汚染物質が付着するとチッ
プとリードフレームのめっき層との接着性が低下して、
ワイヤボンディング時にチップがリードフレームより剥
離する。
【０００５】上記説明したように、チップがリードフレ
ームより剥離する不良は、致命的な不良になるので、歩
留りを低下させる。
ームより剥離する不良は、致命的な不良になるので、歩
留りを低下させる。
【０００６】本発明は、リードフレームとチップとの接
合強度に優れたダイボンディング方法を提供することを
目的とする。
合強度に優れたダイボンディング方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたダイボンディング方法であって、
表面にめっき層を形成したリードフレームに、当該めっ
き層中のガスを放出させるとともに当該めっき層表面に
付着した汚染物質を除去する加熱処理と紫外線照射処理
とを併用して接合強化処理を行った後、上記処理を行っ
たリードフレームにチップをダイボンディングする。
成するためになされたダイボンディング方法であって、
表面にめっき層を形成したリードフレームに、当該めっ
き層中のガスを放出させるとともに当該めっき層表面に
付着した汚染物質を除去する加熱処理と紫外線照射処理
とを併用して接合強化処理を行った後、上記処理を行っ
たリードフレームにチップをダイボンディングする。
【０００８】
【作用】上記ダイボンディング方法では、めっき処理を
行ったリードフレームに対して、加熱処理と紫外線照射
処理とを併用して接合強化処理を行ってから、リードフ
レームにチップをダイボンディングするので、チップと
リードフレームとの接合強度が高まる。すなわち、加熱
処理を行うことによって、めっき層中のガスが抜ける。
それとともに、めっき層の表面に付着した汚染物質が蒸
発する。また紫外線照射処理を行うことによって、めっ
き層の表面に付着している有機物の汚染物質が除去され
る。この紫外線照射処理は、有機物の除去に対して特に
有効である。
行ったリードフレームに対して、加熱処理と紫外線照射
処理とを併用して接合強化処理を行ってから、リードフ
レームにチップをダイボンディングするので、チップと
リードフレームとの接合強度が高まる。すなわち、加熱
処理を行うことによって、めっき層中のガスが抜ける。
それとともに、めっき層の表面に付着した汚染物質が蒸
発する。また紫外線照射処理を行うことによって、めっ
き層の表面に付着している有機物の汚染物質が除去され
る。この紫外線照射処理は、有機物の除去に対して特に
有効である。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図１の流れ図により説明す
る。図の（１）に示すように、第１の工程で、接合強化
処理１を行うことによって、リードフレーム１１を構成
する基体１２の表面に形成しためっき層１３中のガス２
１を放出させる。それとともに当該めっき層１３表面に
付着している汚染物質２２を、例えば蒸発させることに
よって除去する。上記接合強化処理１は、加熱処理と
紫外線照射処理とを同時に行う、加熱処理を行った後
紫外線照射処理を行う、または紫外線照射処理を行っ
た後加熱処理を行うというように、加熱処理と紫外線照
射処理とを併用する。
る。図の（１）に示すように、第１の工程で、接合強化
処理１を行うことによって、リードフレーム１１を構成
する基体１２の表面に形成しためっき層１３中のガス２
１を放出させる。それとともに当該めっき層１３表面に
付着している汚染物質２２を、例えば蒸発させることに
よって除去する。上記接合強化処理１は、加熱処理と
紫外線照射処理とを同時に行う、加熱処理を行った後
紫外線照射処理を行う、または紫外線照射処理を行っ
た後加熱処理を行うというように、加熱処理と紫外線照
射処理とを併用する。
【００１０】その後図の（２）に示すように、第２の工
程で、ダイボンディング２を行う。この工程では、上記
接合強化処理を行ったリードフレーム１１に、接合材と
なる例えば銀ペースト１４を介してチップ１５を接合す
る。
程で、ダイボンディング２を行う。この工程では、上記
接合強化処理を行ったリードフレーム１１に、接合材と
なる例えば銀ペースト１４を介してチップ１５を接合す
る。
【００１１】上記接合強化処理１には加熱処理を用いる
ことができる。例えば銅製の基体１２に、めっき層１３
として、膜厚が０．５μｍのニッケルめっきを施し、さ
らに膜厚が０．１μｍのパラジウムめっきを施したリー
ドフレーム１１を加熱処理する場合について説明する。
加熱手段には、例えばホットプレートを用い、加熱雰囲
気は大気中として、加熱時間を、例えば１０秒に設定す
る。
ことができる。例えば銅製の基体１２に、めっき層１３
として、膜厚が０．５μｍのニッケルめっきを施し、さ
らに膜厚が０．１μｍのパラジウムめっきを施したリー
ドフレーム１１を加熱処理する場合について説明する。
加熱手段には、例えばホットプレートを用い、加熱雰囲
気は大気中として、加熱時間を、例えば１０秒に設定す
る。
【００１２】上記加熱処理を行ったリードフレーム１１
のダイシア強度を測定するには、例えば当該リードフレ
ーム１１に銀ペースト１４を塗布してからチップ１５を
ダイボンディングし、続いて１６０℃で１時間のキュア
を行った後、ワイヤボンディング時の温度条件と同等の
２９０℃に加熱した状態で測定する。
のダイシア強度を測定するには、例えば当該リードフレ
ーム１１に銀ペースト１４を塗布してからチップ１５を
ダイボンディングし、続いて１６０℃で１時間のキュア
を行った後、ワイヤボンディング時の温度条件と同等の
２９０℃に加熱した状態で測定する。
【００１３】上記加熱処理を行った場合のダイシア強度
と加熱温度との関係を、図２により説明する。図では、
縦軸にダイシア強度を示し、横軸に加熱温度を示す。ま
た測定ではチップ面積が３７．６ｍｍ2 のチップを用い
た。
と加熱温度との関係を、図２により説明する。図では、
縦軸にダイシア強度を示し、横軸に加熱温度を示す。ま
た測定ではチップ面積が３７．６ｍｍ2 のチップを用い
た。
【００１４】図に示すように、加熱温度が高くなるにし
たがって、ダイシア強度は高くなる。例えば加熱を行わ
ないとき（温度が２５℃）のダイシア強度は、およそ２
５．５Ｎであり、例えば８０℃の加熱処理を行った場合
のダイシア強度はおよそ２６．０Ｎになる。また２４０
℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はおよそ３
１．２Ｎに高まり、３６０℃の加熱処理を行った場合の
ダイシア強度はおよそ３８．５Ｎに高まる。
たがって、ダイシア強度は高くなる。例えば加熱を行わ
ないとき（温度が２５℃）のダイシア強度は、およそ２
５．５Ｎであり、例えば８０℃の加熱処理を行った場合
のダイシア強度はおよそ２６．０Ｎになる。また２４０
℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はおよそ３
１．２Ｎに高まり、３６０℃の加熱処理を行った場合の
ダイシア強度はおよそ３８．５Ｎに高まる。
【００１５】しかしながら、上記加熱温度において低温
側ではダイシア強度の向上が小さく、高温側ではダイシ
ア強度は十分に向上するがパラジウムめっき層の表面に
酸化膜が形成されるという問題が生じる。このため、望
ましくは、当該加熱温度を２００℃〜３００℃の範囲に
設定する。
側ではダイシア強度の向上が小さく、高温側ではダイシ
ア強度は十分に向上するがパラジウムめっき層の表面に
酸化膜が形成されるという問題が生じる。このため、望
ましくは、当該加熱温度を２００℃〜３００℃の範囲に
設定する。
【００１６】次にダイシア強度と加熱時間との関係を図
３により説明する。図では、縦軸にダイシア強度を示
し、横軸に加熱時間を示す。また加熱条件は、加熱手段
にホットプレートを用い、加熱雰囲気を大気中とし、加
熱温度を２４０℃とした。一方ダイシア強度の測定は、
上記説明したと同様にして行った。また測定にはチップ
面積が３７．６ｍｍ2 のチップを用いた。
３により説明する。図では、縦軸にダイシア強度を示
し、横軸に加熱時間を示す。また加熱条件は、加熱手段
にホットプレートを用い、加熱雰囲気を大気中とし、加
熱温度を２４０℃とした。一方ダイシア強度の測定は、
上記説明したと同様にして行った。また測定にはチップ
面積が３７．６ｍｍ2 のチップを用いた。
【００１７】図に示すように、加熱しない場合には、ダ
イシア強度がおよそ２５．５Ｎになる。一方１０秒以上
の加熱処理を行うと、ダイシア強度は、およそ３０．９
Ｎ〜３２．１Ｎ程度になる。したがって、加熱は１０秒
以上行えば十分である。
イシア強度がおよそ２５．５Ｎになる。一方１０秒以上
の加熱処理を行うと、ダイシア強度は、およそ３０．９
Ｎ〜３２．１Ｎ程度になる。したがって、加熱は１０秒
以上行えば十分である。
【００１８】次にリードフレームの表面のめっきの種類
によるダイシア強度と加熱温度との関係を、図４により
説明する。また加熱条件の設定およびダイシア強度の測
定方法は、上記図２で説明したと同様に行った。なおこ
の測定では、チップ面積がおよそ１０４ｍｍ2 のチップ
を用いた。
によるダイシア強度と加熱温度との関係を、図４により
説明する。また加熱条件の設定およびダイシア強度の測
定方法は、上記図２で説明したと同様に行った。なおこ
の測定では、チップ面積がおよそ１０４ｍｍ2 のチップ
を用いた。
【００１９】この図では、縦軸にダイシア強度を示し、
横軸に加熱温度を示す。またリードフレームＡは、銅製
の基体に膜厚が０．５μｍのニッケルめっきと膜厚が
０．１μｍのパラジウムめっきと膜厚が０．０１μｍの
銀めっきとを順に施したものである。リードフレームＢ
は、銅製の基体に膜厚が０．５μｍのニッケルめっきと
膜厚が０．１μｍのパラジウムめっきとを順に施したも
のである。
横軸に加熱温度を示す。またリードフレームＡは、銅製
の基体に膜厚が０．５μｍのニッケルめっきと膜厚が
０．１μｍのパラジウムめっきと膜厚が０．０１μｍの
銀めっきとを順に施したものである。リードフレームＢ
は、銅製の基体に膜厚が０．５μｍのニッケルめっきと
膜厚が０．１μｍのパラジウムめっきとを順に施したも
のである。
【００２０】図に示すように、リードフレームＡ，Ｂと
もに、加熱温度が高くなるにしたがってダイシア強度は
高くなる。リードフレームＡでは、例えば加熱を行わな
いとき（温度が２５℃）のダイシア強度が、およそ４
６．１Ｎであり、例えば８０℃の加熱処理を行った場合
のダイシア強度はおよそ４７．５Ｎになる。また２４０
℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はおよそ５
３．７Ｎに高まり、３６０℃の加熱処理を行った場合の
ダイシア強度はおよそ５５．７Ｎに高まる。他方リード
フレームＢでは、例えば加熱を行わないとき（温度が２
５℃）のダイシア強度が、およそ５．４９Ｎであり、例
えば８０℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はお
よそ１０．０Ｎになる。また２４０℃の加熱処理を行っ
た場合のダイシア強度はおよそ１４．６Ｎに高まり、３
６０℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はおよそ
１６．６Ｎに高まる。
もに、加熱温度が高くなるにしたがってダイシア強度は
高くなる。リードフレームＡでは、例えば加熱を行わな
いとき（温度が２５℃）のダイシア強度が、およそ４
６．１Ｎであり、例えば８０℃の加熱処理を行った場合
のダイシア強度はおよそ４７．５Ｎになる。また２４０
℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はおよそ５
３．７Ｎに高まり、３６０℃の加熱処理を行った場合の
ダイシア強度はおよそ５５．７Ｎに高まる。他方リード
フレームＢでは、例えば加熱を行わないとき（温度が２
５℃）のダイシア強度が、およそ５．４９Ｎであり、例
えば８０℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はお
よそ１０．０Ｎになる。また２４０℃の加熱処理を行っ
た場合のダイシア強度はおよそ１４．６Ｎに高まり、３
６０℃の加熱処理を行った場合のダイシア強度はおよそ
１６．６Ｎに高まる。
【００２１】このように、表面のめっきが銀のものでも
パラジウムのものでも、加熱温度を高く設定することに
よってダイシア強度は向上する。しかも表面に銀めっき
を施したリードフレームＡのほうがダイシア強度は高
い。これは銀めっきのほうが銀ペーストとの馴染みがよ
いためである。
パラジウムのものでも、加熱温度を高く設定することに
よってダイシア強度は向上する。しかも表面に銀めっき
を施したリードフレームＡのほうがダイシア強度は高
い。これは銀めっきのほうが銀ペーストとの馴染みがよ
いためである。
【００２２】上記実施例の説明において、加熱手段とし
ては、ホットプレートを用いたが、例えば加熱ランプを
用いてもよく、またはレーザアニール装置ようなレーザ
光を照射する装置を用いることも可能である。
ては、ホットプレートを用いたが、例えば加熱ランプを
用いてもよく、またはレーザアニール装置ようなレーザ
光を照射する装置を用いることも可能である。
【００２３】また加熱雰囲気を不活性な雰囲気（例えば
窒素雰囲気または希ガス雰囲気）にして、例えばパラジ
ウムめっきを施したリードフレームに上記接合強化処理
を行う場合には、加熱温度を５００℃程度まで高めるこ
とが可能になる。この場合には、加熱雰囲気がパラジウ
ムめっき層に対して不活性なので、加熱中にパラジウム
めっき層の表面は酸化されない。したがって、非常に高
いダイシア強度を得ることが可能になる。なお５００℃
を越える温度によって加熱処理を行った場合には、例え
ば銅，４２ａｌｌｏｙ等で形成されているリードフレー
ムの基体が変質することもある。
窒素雰囲気または希ガス雰囲気）にして、例えばパラジ
ウムめっきを施したリードフレームに上記接合強化処理
を行う場合には、加熱温度を５００℃程度まで高めるこ
とが可能になる。この場合には、加熱雰囲気がパラジウ
ムめっき層に対して不活性なので、加熱中にパラジウム
めっき層の表面は酸化されない。したがって、非常に高
いダイシア強度を得ることが可能になる。なお５００℃
を越える温度によって加熱処理を行った場合には、例え
ば銅，４２ａｌｌｏｙ等で形成されているリードフレー
ムの基体が変質することもある。
【００２４】次に上記接合強化処理を紫外線照射処理で
行った場合について説明する。紫外線照射処理は、銅製
の基体に膜厚が０．５μｍのニッケルめっきと膜厚が
０．１μｍのパラジウムめっきとを順に施したリードフ
レームに、例えば波長がおよそ１８３ｎｍの紫外線を２
７ｍＷ／ｃｍ2 の照射量で照射する。一方上記紫外線照
射処理を行ったリードフレームのダイシア強度を測定す
るには、例えば当該リードフレームに銀ペーストを塗布
してからチップをダイボンディングし、続いて１６０℃
で１時間のキュアを行った後、ワイヤボンディング時の
温度条件と同等の２９０℃に加熱した状態で測定する。
行った場合について説明する。紫外線照射処理は、銅製
の基体に膜厚が０．５μｍのニッケルめっきと膜厚が
０．１μｍのパラジウムめっきとを順に施したリードフ
レームに、例えば波長がおよそ１８３ｎｍの紫外線を２
７ｍＷ／ｃｍ2 の照射量で照射する。一方上記紫外線照
射処理を行ったリードフレームのダイシア強度を測定す
るには、例えば当該リードフレームに銀ペーストを塗布
してからチップをダイボンディングし、続いて１６０℃
で１時間のキュアを行った後、ワイヤボンディング時の
温度条件と同等の２９０℃に加熱した状態で測定する。
【００２５】この場合におけるダイシア強度と紫外線照
射時間との関係を図５により説明する。図では、縦軸に
ダイシア強度を示し、横軸に紫外線照射時間を示す。図
に示すように、紫外線照射時間が長くなるにしたがっ
て、ダイシア強度は高くなる。例えば紫外線照射を行わ
ないときのダイシア強度は、およそ２５．５Ｎであり、
例えば紫外線照射を３０秒間，６０秒間，９０秒間行っ
た場合のダイシア強度は、それぞれに、２８．８Ｎ，２
８．６Ｎ，３０．６Ｎ程度に高まる。したがって、紫外
線の照射は３０秒程度行えば十分である。このように、
紫外線照射を行うことによって、パラジウムめっき層表
面に付着した有機物は分解して除去されるので、ダイシ
ア強度は向上する。
射時間との関係を図５により説明する。図では、縦軸に
ダイシア強度を示し、横軸に紫外線照射時間を示す。図
に示すように、紫外線照射時間が長くなるにしたがっ
て、ダイシア強度は高くなる。例えば紫外線照射を行わ
ないときのダイシア強度は、およそ２５．５Ｎであり、
例えば紫外線照射を３０秒間，６０秒間，９０秒間行っ
た場合のダイシア強度は、それぞれに、２８．８Ｎ，２
８．６Ｎ，３０．６Ｎ程度に高まる。したがって、紫外
線の照射は３０秒程度行えば十分である。このように、
紫外線照射を行うことによって、パラジウムめっき層表
面に付着した有機物は分解して除去されるので、ダイシ
ア強度は向上する。
【００２６】上記実施例の説明では、パラジウムめっき
を施したリードフレームに関して説明したが、例えば銀
めっきまたは金めっき等を施したリードフレームに対し
ても、上記説明したと同様の接合強化処理を行うことに
より、ダイボンディング時のチップの接合が強化され
る。
を施したリードフレームに関して説明したが、例えば銀
めっきまたは金めっき等を施したリードフレームに対し
ても、上記説明したと同様の接合強化処理を行うことに
より、ダイボンディング時のチップの接合が強化され
る。
【００２７】上記説明したように、接合強化処理は、
加熱処理と紫外線照射処理とを同時に行う、加熱処理
を行った後紫外線照射処理を行う、または紫外線照射
処理を行った後加熱処理を行うというように、加熱処理
と紫外線処理処理とを併用することにより、上記，
またはのいずれの場合にも、ほぼ同等にダイシア強度
が向上する。
加熱処理と紫外線照射処理とを同時に行う、加熱処理
を行った後紫外線照射処理を行う、または紫外線照射
処理を行った後加熱処理を行うというように、加熱処理
と紫外線処理処理とを併用することにより、上記，
またはのいずれの場合にも、ほぼ同等にダイシア強度
が向上する。
【００２８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
めっき処理を行ったリードフレームに対して、加熱処理
と紫外線照射処理とを併用して接合強化処理行ってか
ら、リードフレームにチップをダイボンディングするの
で、めっき層の表面を清浄化することが可能になる。ま
た加熱処理ではめっき層中のガスを抜くこともできる。
このため、チップとリードフレームとの接合強度を高め
ることが可能になる。したがって、チップとリードフレ
ームとの接触面積が小さなものでも、ワイヤボンディン
グ時にリードフレームよりチップが剥離することがなく
なるので、歩留りの向上が図れる。
めっき処理を行ったリードフレームに対して、加熱処理
と紫外線照射処理とを併用して接合強化処理行ってか
ら、リードフレームにチップをダイボンディングするの
で、めっき層の表面を清浄化することが可能になる。ま
た加熱処理ではめっき層中のガスを抜くこともできる。
このため、チップとリードフレームとの接合強度を高め
ることが可能になる。したがって、チップとリードフレ
ームとの接触面積が小さなものでも、ワイヤボンディン
グ時にリードフレームよりチップが剥離することがなく
なるので、歩留りの向上が図れる。
【図１】本発明の実施例の流れ図である。
【図２】パラジウムめっきの場合のダイシア強度と加熱
温度との関係図である。
温度との関係図である。
【図３】パラジウムめっきの場合のダイシア強度と加熱
時間との関係図である。
時間との関係図である。
【図４】めっきの種類によるダイシア強度と加熱温度と
の関係図である。
の関係図である。
【図５】パラジウムめっきの場合のダイシア強度と紫外
線照射時間との関係図である。
線照射時間との関係図である。
１ 接合強化処理 ２ ダイボンディング １１ リードフレーム １３ めっき層 １５ チップ ２１ ガス ２２ 汚染物質
Claims (1)
- 【請求項１】 表面にめっき層を形成したリードフレー
ムに対して、当該めっき層中のガスを放出させるととも
に当該めっき層表面に付着した汚染物質を除去する接合
強化処理を加熱処理と紫外線照射処理とを併用して行っ
た後、 前記処理を行ったリードフレームにチップをダイボンデ
ィングすることを特徴とするダイボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06340093A JP3353366B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | ダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06340093A JP3353366B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | ダイボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252182A JPH06252182A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3353366B2 true JP3353366B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=13228224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06340093A Expired - Fee Related JP3353366B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | ダイボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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1993
- 1993-02-25 JP JP06340093A patent/JP3353366B2/ja not_active Expired - Fee Related
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