JPS60121738A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60121738A JPS60121738A JP23030183A JP23030183A JPS60121738A JP S60121738 A JPS60121738 A JP S60121738A JP 23030183 A JP23030183 A JP 23030183A JP 23030183 A JP23030183 A JP 23030183A JP S60121738 A JPS60121738 A JP S60121738A
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- JP
- Japan
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- film
- wiring
- semiconductor substrate
- silica
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この９’ｅ明は半導体装置の製造方法に係シ、特に半導
体基板上の平滑化技術に関するものである。
体基板上の平滑化技術に関するものである。
従来バターニングされた多結晶シリコン上に２層又はそ
れ以上の絶縁膜を形成した後、トランジスタ回路を得る
為に、該絶縁膜上に、アルミニウム配線を形成する場合
に、多結晶シリコンパターン上の段差の急峻な部分全ア
ルミニウム配線が横切ると１段差の為に配線の断線が生
じ、半導体装置の歩留低下・品質低下を招いていた。又
、年々、パターンの縮少化が進むにつれて、配線の寸法
及び配線間の間隔が厳しくなシ、段差のある部分での感
光性樹脂の解像度がほぼ限界の領域までに達してきた。
れ以上の絶縁膜を形成した後、トランジスタ回路を得る
為に、該絶縁膜上に、アルミニウム配線を形成する場合
に、多結晶シリコンパターン上の段差の急峻な部分全ア
ルミニウム配線が横切ると１段差の為に配線の断線が生
じ、半導体装置の歩留低下・品質低下を招いていた。又
、年々、パターンの縮少化が進むにつれて、配線の寸法
及び配線間の間隔が厳しくなシ、段差のある部分での感
光性樹脂の解像度がほぼ限界の領域までに達してきた。
フォトレジスト工程における解像度は平担の部分では、
まだ解像度の限界領域までには達しておらず、半導体基
板表面の段差をなくす、いわゆる平滑化技術が重要視さ
れてきた。この平滑化のために、シリカ系塗布液を厚く
塗布する方法も検討されているが、厚くするとシリカ膜
表面にクラ、りを生じやすく、半導体装置の信頼性を低
下させてしまう問題を招いた。
まだ解像度の限界領域までには達しておらず、半導体基
板表面の段差をなくす、いわゆる平滑化技術が重要視さ
れてきた。この平滑化のために、シリカ系塗布液を厚く
塗布する方法も検討されているが、厚くするとシリカ膜
表面にクラ、りを生じやすく、半導体装置の信頼性を低
下させてしまう問題を招いた。
この発明の目的は、係る問題点を解決し、半導体装置の
歩留低下・品質低下をさせる事のない半導体基板表面の
平滑化技術を提供する事にある。
歩留低下・品質低下をさせる事のない半導体基板表面の
平滑化技術を提供する事にある。
この発明の半導体装置製造方法の特徴は１例えば、パタ
ーニングされた多結晶シリコン上に２層又はそれ以上の
絶縁膜を形成する技術において、該多結晶シリコンパタ
ーン上に第４の絶縁膜を形成した後に７リカ系を主成分
とする塗布液を塗布し、高温処理する事によシ変化せし
める工程と該シリカ系塗布膜をエツチング処理して半導
体基板表面を、はぼ平滑化した後、第２の絶縁族を形成
する事を含む事を特徴としている。
ーニングされた多結晶シリコン上に２層又はそれ以上の
絶縁膜を形成する技術において、該多結晶シリコンパタ
ーン上に第４の絶縁膜を形成した後に７リカ系を主成分
とする塗布液を塗布し、高温処理する事によシ変化せし
める工程と該シリカ系塗布膜をエツチング処理して半導
体基板表面を、はぼ平滑化した後、第２の絶縁族を形成
する事を含む事を特徴としている。
この発明の半導体装置の製造方法によって、半導体基板
表面が平滑化され、後工程におけるアルミニウム配線の
断部における断線が生じにくくなｐ１半導体装置の歩留
同上に貢献でき、今後更に進むでめろう配線の縮少化に
も対応できる。
表面が平滑化され、後工程におけるアルミニウム配線の
断部における断線が生じにくくなｐ１半導体装置の歩留
同上に貢献でき、今後更に進むでめろう配線の縮少化に
も対応できる。
次にこの発明の一実施例に付き図を用いて説明する。
第１図は従来の半導体装置の製造方法における欠点全説
明するための半導体装置の断面図、第２図〜第５図は本
発明の一実施例を説明するための工程順に示した半纏不
装置の断凹図、第６図は他の応用例を示した半導体装置
の断面図である。
明するための半導体装置の断面図、第２図〜第５図は本
発明の一実施例を説明するための工程順に示した半纏不
装置の断凹図、第６図は他の応用例を示した半導体装置
の断面図である。
原案流側の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上を
酸化処理し絶縁膜２ｔ−形成した後に多結晶シリコン膜
３のパターニングを行ない、更に絶縁膜４を形成し、該
絶縁膜４上にシリカ系を主成分とする塗布液５を半導体
基板１表面が平滑化される程度まで塗布し、高温処理す
る事によって、有機物を除去し変化せしめる工程（第２
図）と、該シリカ系塗布膜５を、多結晶シリコン膜３の
パターン間段差が丁度埋まる程度までエツチング処理６
を行い（第３図）、後に絶縁膜７を形成しく第４図）、
該絶縁ノ換７上にアルミニウム配置ｄ８を形成する事で
ある（第５図）。
酸化処理し絶縁膜２ｔ−形成した後に多結晶シリコン膜
３のパターニングを行ない、更に絶縁膜４を形成し、該
絶縁膜４上にシリカ系を主成分とする塗布液５を半導体
基板１表面が平滑化される程度まで塗布し、高温処理す
る事によって、有機物を除去し変化せしめる工程（第２
図）と、該シリカ系塗布膜５を、多結晶シリコン膜３の
パターン間段差が丁度埋まる程度までエツチング処理６
を行い（第３図）、後に絶縁膜７を形成しく第４図）、
該絶縁ノ換７上にアルミニウム配置ｄ８を形成する事で
ある（第５図）。
従来技術では１年々多層化が進むにつれて、アルミニウ
ム配線パターン８を形成する場合下地に急峻な段差が多
くなシ、フォトレジスト工程における配線パターンの解
像度の限界及びアルミニウム配？ｆｊ８ ｋ作成するた
めのエツチング処理時における段部でのアルミニウム配
、ば８の断線等が生じ（第１図）半纏不装置の歩留低下
を招いてい／ヒ。
ム配線パターン８を形成する場合下地に急峻な段差が多
くなシ、フォトレジスト工程における配線パターンの解
像度の限界及びアルミニウム配？ｆｊ８ ｋ作成するた
めのエツチング処理時における段部でのアルミニウム配
、ば８の断線等が生じ（第１図）半纏不装置の歩留低下
を招いてい／ヒ。
本実施例によれば、平滑化された半導体基板（第４図）
上における感光性樹脂の解像度は段部における解像度よ
りも良い方向であシ、これからの縮少パターンに対して
も対応できるし、多結晶シリコン膜パターン３段部のア
ルミニウム配線８の断線を防止でき半纏不装置の歩留同
上に貢献できる。又、従来の平滑化技術において、シリ
カ系塗布液を厚く塗布する事によシ、後の高温処理工程
で発生する表面クラックの問題も後工程のエツチング処
理において、シリカ展を薄くする事で少なくなシ半導体
装置の１６頼性同上にも貢献できる。
上における感光性樹脂の解像度は段部における解像度よ
りも良い方向であシ、これからの縮少パターンに対して
も対応できるし、多結晶シリコン膜パターン３段部のア
ルミニウム配線８の断線を防止でき半纏不装置の歩留同
上に貢献できる。又、従来の平滑化技術において、シリ
カ系塗布液を厚く塗布する事によシ、後の高温処理工程
で発生する表面クラックの問題も後工程のエツチング処
理において、シリカ展を薄くする事で少なくなシ半導体
装置の１６頼性同上にも貢献できる。
上述の実施例において、シリカ系塗布液を、多結晶シリ
コン膜パターン間の段差の部分に丁度埋まる程度（第３
図）では無く、第６図にボす様に多結晶シリコン嗅３上
に若干残る程度にエツチング処理６を行なっても、同様
の効果が得られるのはｌうまでもない。
コン膜パターン間の段差の部分に丁度埋まる程度（第３
図）では無く、第６図にボす様に多結晶シリコン嗅３上
に若干残る程度にエツチング処理６を行なっても、同様
の効果が得られるのはｌうまでもない。
第１図は従来技術による形成された半纏不装置の断面図
、第２図〜第５図は本発明の実施例を工程順に説明する
ための半導体装置の断面図、第６図は本発明の他の実施
例を説明する為の半導体装置の断面図である。 面図において。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・多結晶シリコン膜％４・・・・・・絶縁膜
、５・・・・・・シリカ系塗布液、６・・・・・・エツ
チング処理、７・・・・・絶縁膜、８・・・・・・アル
ミニウム配線。 Ｃつ 寸 吸 候
、第２図〜第５図は本発明の実施例を工程順に説明する
ための半導体装置の断面図、第６図は本発明の他の実施
例を説明する為の半導体装置の断面図である。 面図において。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・多結晶シリコン膜％４・・・・・・絶縁膜
、５・・・・・・シリカ系塗布液、６・・・・・・エツ
チング処理、７・・・・・絶縁膜、８・・・・・・アル
ミニウム配線。 Ｃつ 寸 吸 候
Claims (1)
- パターニングされた多結晶シリコン上に２層又はそれ以
上の絶縁膜を形成する方法において、該多結晶シリコン
パターン上に第１の絶縁膜を形成した後に、シリカ系を
主成分とする塗布液を塗布し、高温処理する事によジ変
化せしめる工程と、該シリカ系塗布膜をエツチング処理
して、半導体基板表面をほぼ平滑化した後、第２の絶縁
膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23030183A JPS60121738A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23030183A JPS60121738A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121738A true JPS60121738A (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=16905679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23030183A Pending JPS60121738A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121738A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250656A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6340345A (ja) * | 1986-06-06 | 1988-02-20 | ロックウェル・インタ−ナショナル・コ−ポレ−ション | 実質上プレ−ナ状の表面を有する層間誘電体層を提供する方法 |
| JPH01233739A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP23030183A patent/JPS60121738A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250656A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6340345A (ja) * | 1986-06-06 | 1988-02-20 | ロックウェル・インタ−ナショナル・コ−ポレ−ション | 実質上プレ−ナ状の表面を有する層間誘電体層を提供する方法 |
| JPH01233739A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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