JPS5893353A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に層間絶縁膜
であるプラズマ窒化膜の段だらしに有力な効果を有する
半導体装置の製造方法に関するものである。

最近半導体集積回路装置は、微細化と共に多層配線化が
進んでいる。第１図は一般的な多層配線構造である。半
導体基板１の上面に設けられた絶縁膜２上にアルミニウ
ム（人ｔ）等の金属により一層目配線３を形成する。そ
の後層間絶縁膜であるプラズマ窒化膜４を成長させる。

その後人を等の二層目金属５を真空蒸着法等により被着
するが、人ｔのステップカバリッジが必ずしも十分では
ない為段部でくびれが生じ、はなはだしい場合は断線を
生じる。

本発明は上記の問題を解決する為、層間絶縁膜であるプ
ラズマ窒化膜の段だらし方法を提供することを目的とす
る。

すなわち、本発明の特徴は、半導体基板上に絶縁膜を形
成する工程と、一層目配線を形成する工程と、眉間絶縁
膜であるプラズマ窒化膜を形成する工程と、フォトレジ
ストを塗布する工程とを含み、しかるｉｃＦ、十〇、プ
ラズマでフォトレジスト及びプラズマ窒化膜の一部を除
去する工程とを含むことを４Ｉ徴とする半導体装置の製
造方法である。

以下この発明の実施例を第２図を参照にして説明する。

まず第２図において半導体基板１の表面にシリコン酸化
膜（８ｉ０．Ｂ）等の絶縁膜２を形成した後％Ａｔ等の
配線３、をフォトレジストをマスクにして、ドライエツ
チング又は湿式エツチングにより形成する。次に眉間絶
縁膜であるプラズマ窒化膜４をプラズマＣＶＤ法により
形成する（第２図（ａ）　）、その後、フォトレジスト
膜６を塗布する（第２図（ｂ）　）、フォトレジストは
カバリッジ゛が良い為レジスト上面の段形状はなめらか
である。

しかる後ｃｙ４＋ｏ、プラズマでフォトレジスト及びプ
ラズマ窒化膜の一部を一部する（第２図（ｅ）　’）。

この時、フォトレジストとプラズマ窒化膜のエツチング
レートがほぼ等しくなるような秦件でエツチングするこ
とが必要である。こうすることによりプラズマ窒化膜の
段形状は、フォトレジスト上面の段形状と等しくなり、
段だらしが実現される。

しかる後、Ａｔ等の二層目配線金属を真空蒸着法等によ
り被着した後、フォトレジストをマスクにしてドライエ
ツチング又は湿式エツチングにより。

二層目配線５、を形成する（第２図（ｄ）　’）、この
ようにして段切れのない二層配線構造が実現された。

又、眉間絶縁膜がリンシリケートガラス（ＰＥＧ）膜で
も本発明の効果は得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の多層配線構造の説明する断面図である。 第２図（１）乃至第２図（ｄ）は本発明の実施例の多層
配線形成方法を示す断面図であり、（４）はプラズマ窒
化膜形成工程、（ｂ）はフォトレジスト塗布工程、　（
Ｃ）はＣ１ｉ’４＋０１プラズマによるエッチング工Ｌ
　（ｄ）は二層目配線形成工程である。 なお図中の記号は、ｌ・・・・・・半導体基板、２・・
・・・・絶縁膜、３・・・・・・一層目配線、４・・・
・・・プラズマ窒化膜、５・・・・・・二層目配線１．
６・・・・・・フォトレジスト、７・・・・・・ＣＦ４
　＋　ｏ、プラズマである。 （ｇ） （Ｃ） ＜ｄ） 第２図 １−ｌ 、１ ５！゛− １（ｉ−グ ー１−、、　／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、咳絶縁膜上に
   一層目配線を形成する工程と、層間絶縁膜であるプラズ
   マ窒化膜もしくはリンシリケートガラスを形成する工程
   と、フォトレジストを塗布する工程とを含み、しかる後
   層とＣＦ４＋０２プラズマで咳フォトレジスト及び前記
   層間絶縁膜の一部を除去するニーとを有することを特徴
   とする半導体装置の製造方法。