JPS61102049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61102049A JPS61102049A JP22463584A JP22463584A JPS61102049A JP S61102049 A JPS61102049 A JP S61102049A JP 22463584 A JP22463584 A JP 22463584A JP 22463584 A JP22463584 A JP 22463584A JP S61102049 A JPS61102049 A JP S61102049A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- pattern
- onto
- silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に ゛半導
体基板上に多結晶シリコンパターンを形成した後に形成
される急峻な段部にゆるい傾斜をつける為の製法技術に
関するものである。
体基板上に多結晶シリコンパターンを形成した後に形成
される急峻な段部にゆるい傾斜をつける為の製法技術に
関するものである。
従来、所定の不純物拡散層や、金属薄膜パターン絶縁膜
等が形成された半導体基板表面に容量部の電極トランジ
スタのゲートあるいは配線として多結晶シリコンパター
ンを形成した場合、後工程において絶縁膜を形成した後
でも、パターンの段差が大きくなり、この上に位置する
金搗配線の断部での断線等を誘起し歩留・品質の低下を
もたらしていた。又、年々パターンの複雑化が進み多層
構造が進行するにつれて、この問題が深刻化されてきた
。
等が形成された半導体基板表面に容量部の電極トランジ
スタのゲートあるいは配線として多結晶シリコンパター
ンを形成した場合、後工程において絶縁膜を形成した後
でも、パターンの段差が大きくなり、この上に位置する
金搗配線の断部での断線等を誘起し歩留・品質の低下を
もたらしていた。又、年々パターンの複雑化が進み多層
構造が進行するにつれて、この問題が深刻化されてきた
。
この発明の目的は、係る問題点を解決し半導体装置の歩
留低下・品質低下をさせる事のない半導体装置の製造方
法を提供する事にある。
留低下・品質低下をさせる事のない半導体装置の製造方
法を提供する事にある。
この発明の半導体装置の製造方法の特徴は、例えばパタ
ーニングされた多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成した
後に形成される急峻な段部に、ゆるい傾斜をつける方法
において、該多結晶シリコンパターン上ベシリカ系を主
成分とする塗布液を塗布し高温処理する事により固化せ
しめる工程と、該シリカ系塗布膜をエツチング処理する
事により多結晶シリコンパターン側面にシリカ系塗布膜
を残す工程とを含む事を特徴としている。
ーニングされた多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成した
後に形成される急峻な段部に、ゆるい傾斜をつける方法
において、該多結晶シリコンパターン上ベシリカ系を主
成分とする塗布液を塗布し高温処理する事により固化せ
しめる工程と、該シリカ系塗布膜をエツチング処理する
事により多結晶シリコンパターン側面にシリカ系塗布膜
を残す工程とを含む事を特徴としている。
この発明の半導体装置の製造方法によって、多結晶シリ
コン膜パターン側面にシリカ系塗布膜を残す事でゆるい
傾斜が付き、後工程で絶縁膜を形成し、各々のトランジ
スタを結線するために金属配線パターンを形成した場合
でも、多結晶シリコン膜上を通過する金属配線の断部に
おける断線が生じにくくなり半導体装置の歩留向上・品
質向上に貢献できる。
コン膜パターン側面にシリカ系塗布膜を残す事でゆるい
傾斜が付き、後工程で絶縁膜を形成し、各々のトランジ
スタを結線するために金属配線パターンを形成した場合
でも、多結晶シリコン膜上を通過する金属配線の断部に
おける断線が生じにくくなり半導体装置の歩留向上・品
質向上に貢献できる。
次にこの発明の一実施例につき図を用いて説明第１図〜
第２図は本発明の一実施例を説明するための工程順に一
示した半導体装置の断面図、ｔ４３図・第４図は本発明
の半導体装置夷造法を用いた場合の効果を説明する為の
工程順に示した半導体装置の断面図である。第５図は従
来の製法における欠点を説明する為の半導体装置の断面
図、第６図〜第８図は他の応用例を説明する為に工程順
に示した半導体装置の断面図である。
第２図は本発明の一実施例を説明するための工程順に一
示した半導体装置の断面図、ｔ４３図・第４図は本発明
の半導体装置夷造法を用いた場合の効果を説明する為の
工程順に示した半導体装置の断面図である。第５図は従
来の製法における欠点を説明する為の半導体装置の断面
図、第６図〜第８図は他の応用例を説明する為に工程順
に示した半導体装置の断面図である。
本実施例の半導体装置の製造方法は半導体基板１上を酸
化処理しｓｉ膜２を形成した後に多結晶シリコン膜３の
パターニングを行ない、次にシリカ系を主成分とする塗
布液４を半導体基板１表面へと塗布する。すると、シリ
カ系を主成分とする塗布膜４は、多結晶シリコンパター
ン３上部の部分及び平面な部分の膜厚と比較して多結晶
シリコンパターン３側面部は段部によりシリカ膜の広が
、りがさまたげられ、この部分にシリカ塗布液が溜まり
厚く塗布される訳であるから（第１図）。この後、高温
処理を行ない有機物を除去し固化せしめ、エツチング処
理５を行なうと、多結晶シリコンパターン３側面の厚く
塗布されてｂた部分にのみ、シリカ系を主成分とする塗
布膜が残り、多結晶シリコン膜３を中心とする段部はゆ
るやかな傾斜を持つ構造となる（第２図）。
化処理しｓｉ膜２を形成した後に多結晶シリコン膜３の
パターニングを行ない、次にシリカ系を主成分とする塗
布液４を半導体基板１表面へと塗布する。すると、シリ
カ系を主成分とする塗布膜４は、多結晶シリコンパター
ン３上部の部分及び平面な部分の膜厚と比較して多結晶
シリコンパターン３側面部は段部によりシリカ膜の広が
、りがさまたげられ、この部分にシリカ塗布液が溜まり
厚く塗布される訳であるから（第１図）。この後、高温
処理を行ない有機物を除去し固化せしめ、エツチング処
理５を行なうと、多結晶シリコンパターン３側面の厚く
塗布されてｂた部分にのみ、シリカ系を主成分とする塗
布膜が残り、多結晶シリコン膜３を中心とする段部はゆ
るやかな傾斜を持つ構造となる（第２図）。
従来技術では、半導体基板１上を酸化処理した後に多結
晶シリコーンパターン３を形成する事によって、形成さ
れる急峻な段部において、後工程で絶縁Ｍ６を形成し、
その上に金属配線７を形成すると、前記した急峻な段部
で金属配線な断線を誘発しく第５図）、半導体装置の歩
留低下を招いていた。又、年々多層化が進行するにつれ
て金属配線下の急峻な段差が増え、段部における金属配
線断線の問題は更に深刻化してきた。
晶シリコーンパターン３を形成する事によって、形成さ
れる急峻な段部において、後工程で絶縁Ｍ６を形成し、
その上に金属配線７を形成すると、前記した急峻な段部
で金属配線な断線を誘発しく第５図）、半導体装置の歩
留低下を招いていた。又、年々多層化が進行するにつれ
て金属配線下の急峻な段差が増え、段部における金属配
線断線の問題は更に深刻化してきた。
本実施例によれば、多結晶シリコンパターン３側面にシ
リャ系を主成分とする塗布膜４を残した事から、ゆるや
かな傾斜を形成している為（第２図）、後工程で絶縁膜
６を形成しく第３図）、その上に金属配線７を形成して
も、段部の形状が、ゆるやかなテーパー状となりている
為、断線を生じにくくなり（第４図）、半導体装置の歩
留向上にも貢献でき、これから更に進行するであろう多
層構造化にも十分に対応ができる構造となっている。
リャ系を主成分とする塗布膜４を残した事から、ゆるや
かな傾斜を形成している為（第２図）、後工程で絶縁膜
６を形成しく第３図）、その上に金属配線７を形成して
も、段部の形状が、ゆるやかなテーパー状となりている
為、断線を生じにくくなり（第４図）、半導体装置の歩
留向上にも貢献でき、これから更に進行するであろう多
層構造化にも十分に対応ができる構造となっている。
上述の実施例において、シリャ系を主成分とする塗布液
４を塗布する工程が、多結晶シリコンパターン３を形成
し、絶縁膜６を形成した後塗布し、同様に高温処理を行
ない固定し、しかる後エツチング処理５を行ったとして
も（第６図）、段部の側面はシリカ系を主成分とした塗
布膜４が前記同様厚く塗布されているのでエツチング処
理５で側面部だけ残り、ゆるやかなテーパー状となるた
め（第７図）、抜工ｉで金属配線７の形成を行っても、
断線が生じにくくなるのは言うまでもないであろう（第
８図）。
４を塗布する工程が、多結晶シリコンパターン３を形成
し、絶縁膜６を形成した後塗布し、同様に高温処理を行
ない固定し、しかる後エツチング処理５を行ったとして
も（第６図）、段部の側面はシリカ系を主成分とした塗
布膜４が前記同様厚く塗布されているのでエツチング処
理５で側面部だけ残り、ゆるやかなテーパー状となるた
め（第７図）、抜工ｉで金属配線７の形成を行っても、
断線が生じにくくなるのは言うまでもないであろう（第
８図）。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を説明する為の工程
順に示した半導体装置の断面図、第５図は従来の製造技
術における欠点を説明する為の半導体装置の断面図、第
６図〜第８図は本発明の他の応用例を説明するための工
程順に示した半導体装置の断面図である。
順に示した半導体装置の断面図、第５図は従来の製造技
術における欠点を説明する為の半導体装置の断面図、第
６図〜第８図は本発明の他の応用例を説明するための工
程順に示した半導体装置の断面図である。
Claims (1)
- パターニングされた多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形
成した後に形成される急峻な段部に、ゆるい傾斜をつけ
る方法において、該多結晶シリコンパターン上にシリカ
系を主成分とする塗布液を塗布し、高温処理する事によ
り固化せしめる工程と、該シリカ系塗布膜をエッチング
処理する事により、多結晶シリコンパターン側面にシリ
カ系塗布膜を残す工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22463584A JPS61102049A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22463584A JPS61102049A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102049A true JPS61102049A (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=16816797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22463584A Pending JPS61102049A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102049A (ja) |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22463584A patent/JPS61102049A/ja active Pending
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