JPH0314260A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に、ボンディ
ングバット等のメタル配線を含む半導体チップ上へのポ
リイミド系樹脂膜の形成方法に関するものである。

〔従来の技術］ 近年、半導体チップのモールド時に、モールド材に含ま
れるフィラー等によって生しるボンディングパッドのパ
ッシベーション膜における結晶欠陥を抑制するため、半
導体チップ上にはポリイミド系樹脂膜が形成される。

従来、かかるポリイミド系樹脂膜の形成方法としては、
半導体チップをリードフレームに搭載し、ワイヤボンデ
ィングが終了した後、チ・ノブ上にポリイミド系樹脂を
塗布するものがある。然るに、この方法では、ワイヤホ
ンディング後にポリイミド系樹脂を塗布するため、当該
樹脂の応力によりボンディングバット部でワイヤーが断
線するといを欠点があった◇ そこで、かかる欠点を解消するため、ポリイミド系樹脂
塗布後にワイヤボンディングする方法が提案された。こ
れを第２図乃至第４図により述べる。尚、第２図乃至第
４図は工程断面図を示す。

即ち、第２図に示す如く、千ノブ上の絶縁膜１上にＭを
主成分とするボンディングバット２を形成し、全面にパ
ッシベーション膜３を被着する。

次に、ボンディングパッド２上のパッシベーション膜３
を開孔さゼ、開孔部４を形成した後、全面にポリイミド
系樹脂５を塗布する。そして、このポリイミド系樹脂５
を所望のパターンに形成し、ボンディングパッド２面を
露出させ、しかる後、ワイヤボンディングする（第１の
従来例）。

又、第３図に示す如り、へ１系ボンディングパッド２上
のパッシベーション膜３に開孔部４を形成し、全面にポ
リイミド系樹脂５を塗布した後、これをパターニングし
、開孔部４を含む開孔部７を形成し、ボンディングパッ
ド２面を露出させる。

而して、ワイヤボンディングする（第２の従来例）。

更に、第４図に示す如く、ボンディングバット２を含む
絶縁膜１全面にパッシベーション膜３を被着する。その
後、全面にポリイミド系樹脂５を塗布した後、ボンディ
ングパッド２上方にポリイミド系樹脂５が残らないよう
に当該樹脂５をパターン化する。次に、全面に被着した
レジストパターン７をマスクとしてボンディングパッド
２上のパッシベーション膜３に開化部４を形成し、ボン
ディングパッド２面を露出させ、ワイヤボンディングす
る（第３の従来例）。

〔発明が解決しようとする課題〕

然し乍ら、第１及び第２の従来方法においては、開孔部
４におけるボンディングバット２の露出部に直接ポリイ
ミド系樹脂５が塗布されるため、当該樹脂５の３００°
Ｃ以上の高温硬化時に発生するガスによりボンディング
バット２が汚染され、ワイヤボンド不良及び信頼性不良
等を招来するという問題点があった。

又、第３の従来方法においては、ポリイミド系樹脂５の
パターンを形成した俊、レジストパタン７を形成し、そ
の後、パッシベーション膜３を開孔するので、エンチン
グ終了後のレジストパターン７の除去時にポリイミド系
樹脂５が侵食され、安定した当該樹脂５の形成が困難に
なるという問題点があった。

本発明の目的は」二連の問題点に鑑の、ボンディングパ
ッドの汚染が防止できると共に、安定したポリイミド系
樹脂のパターンが形成できる半導体装置の製造方法を提
供するものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は上述した目的を達成するため、ボンディングパ
ッドを含むメタル配線を形成した後、全面に、シリコン
酸化膜を下層としシリコン窒化膜を上層とするパッシベ
ーション膜を形成する工程と、上記ボンディングパッド
上の上記シリコン窒化膜に第１開孔部を形成する工程と
、全面に感光性ポリイミド系樹脂を塗布し、」−記ポリ
イミド系樹脂に上記シリコン窒化膜の上記第１開孔部を
含む第２開孔部を形成する工程と、その後、上記ポリイ
ミド系樹脂を硬化させる工程と、上記ポリイミド系樹脂
及び上記シリコン窒化膜をマスクとして、上記シリコン
酸化膜を、上記ボンディングパッド面が露出する迄エツ
チング除去する工程とを含むものである。

〔作　用〕

本発明においては、ポリイミド系樹脂はボンディングバ
ットに直接接触することなくパッシベーション膜を構成
するシリコン酸化膜上に塗布され硬化するので、ポリイ
ミド系樹脂硬化によるボンディングパッドの汚染はない
。又、ポリイミド系樹脂はそれ自体が感光性を有するの
で、パターニングに際してレジストマスクを必要としな
い他、ボンディングパッド面を露出させるためのシリコ
ン酸化膜のエツチングにおいてもポリイミド系樹脂及び
シリコン窒化膜をマスクとし、レジストマスクを必要と
しない。従って、レジストマスク除去時におけるポリイ
ミド系樹脂の侵食はなくなり、安定したポリイミド系樹
脂のパターンが得られ、その上工程が容易となる。

（実施例〕 本発明装置の製造方法に係わる一実施例を第１図に基づ
いて説明する。尚、第１図は工程断面図を示す。

先ず、ＩＣ上のＭ系配線のパターニングが終了し絶縁膜
２１」二にボンディングバット２２が形成される。その
後、ボンディングパラ（・２２を含む絶縁膜２１上に熱
ＣＶＤ又は光ＣＶＤ法等により不純物を含まない、或い
は燐等の不純物を含むシリコン酸化膜２３を堆積する。

続いて、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜２３上
にシリコン窒化膜２４を堆積する（第１図ａ）。

次に、公知のホトリソ・エンチング技術によりボンディ
ングパッド２２上にシリコン窒化膜２４をエツチング除
去し開孔部２５を形成する。この場合、絶縁膜２３．２
４は生成法及び生成膜質により極めて大きなエツチング
選択性を存する。このため、シリコン窒化膜２４をエツ
チングする際、この下層のシリコン酸化膜２３は殆どエ
ツチングされない（第１図ｂ）。

その後、全面に感光性ポリイミド系樹脂２６を塗布する
（第１図Ｃ）。

そして、ホトレジストを用いることなくポリイミド系樹
脂２６をパターニングする。このとき、ポリイミド系樹
脂２６のパターンｌ］は、開孔部２５の巾と同じかそれ
より大きく設定される。而して、ポリイミド′系樹脂２
６の硬化を行なう（第１図ｄ）。

しかる後、ポリイミド系樹脂２６及びシリコン窒化膜２
４をマスクとしてＨＦ系エッチャントにより、シリコン
酸化膜２３をボンディングパッド２２に到達する迄エツ
チング除去し、ボンディングパット′２２面を露出する
（第１図ｅ）。

〔発明の効果〕

以−に説明したように本発明によれば、エツチング選択
比の大きな二層膜から成るパンシベーション膜のシリコ
ン酸化膜上にポリイミド系樹脂のパターンを形成し、し
かる後硬化させるので、ポリイミド系樹脂の硬化による
ボンディングパッドの汚染が防止される。よって、ワイ
ヤボンド不良や信頼性低下が防止できる。又、ポリイミ
ド系樹脂及びソリコン酸化膜はレジストマスクなしでエ
ツチングされるので、工数が低減できろ他、レジストマ
スク除去工程がなくなるため、ポリイミド系樹脂の侵食
が防止され、安定したポリイミド系樹脂のパターンが形
成できる等の効果により上述した課題を解決し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施例に係わる工程断面図、第２
図乃至第４図は槌来方法の工程断面図である。 ２２・・・ボンディングパッド、２３・・・シリコン酸
化膜、２４・・・シリコン窒化膜、２５・・・開孔部、
２６・・・ポリイミド系樹脂。 ８６−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ボンディングパッドを含むメタル配線を形成した後、全
   面に、シリコン酸化膜を下層としシリコン窒化膜を上層
   とするパッシベーション膜を形成する工程と、 上記ボンディングパッド上の上記シリコン窒化膜に第１
   開孔部を形成する工程と、 全面に感光性ポリイミド系樹脂を塗布し、上記ポリイミ
   ド系樹脂に上記シリコン窒化膜の上記第１開孔部を含む
   第２開孔部を形成する工程と、その後、上記ポリイミド
   系樹脂を硬化させる工程と、 上記ポリイミド系樹脂及び上記シリコン窒化膜をマスク
   として、上記シリコン酸化膜を、上記ボンディングパッ
   ド面が露出する迄エッチング除去する工程とを含むこと
   を特徴とする半導体装置の製造方法。