JPH08107112A - 半導体装置の配線形成方法 - Google Patents
半導体装置の配線形成方法Info
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- JPH08107112A JPH08107112A JP6261874A JP26187494A JPH08107112A JP H08107112 A JPH08107112 A JP H08107112A JP 6261874 A JP6261874 A JP 6261874A JP 26187494 A JP26187494 A JP 26187494A JP H08107112 A JPH08107112 A JP H08107112A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、配線パターンに対するエッチングの
回り込みを低減すると共に、保護膜の被覆性を向上させ
るようにした、半導体装置の配線形成方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】表面に酸化膜１２が形成された半導体基板１１
上に、先づ金属層１３を形成し、その上からエッチング
マスク用のレジストパターン１４を形成し、続いてエッ
チングにより配線部分以外の金属層を除去した後、レジ
ストを除去して金属層による配線パターン１３ａを形成
し、最後に基板表面全体に保護膜１５を形成するように
した、半導体装置の配線形成方法において、上記金属層
１３のエッチングが、ウェットエッチング及びドライエ
ッチングによって、行なわれるように、半導体装置の配
線形成方法を構成する。
回り込みを低減すると共に、保護膜の被覆性を向上させ
るようにした、半導体装置の配線形成方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】表面に酸化膜１２が形成された半導体基板１１
上に、先づ金属層１３を形成し、その上からエッチング
マスク用のレジストパターン１４を形成し、続いてエッ
チングにより配線部分以外の金属層を除去した後、レジ
ストを除去して金属層による配線パターン１３ａを形成
し、最後に基板表面全体に保護膜１５を形成するように
した、半導体装置の配線形成方法において、上記金属層
１３のエッチングが、ウェットエッチング及びドライエ
ッチングによって、行なわれるように、半導体装置の配
線形成方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の表面に酸
化膜を介して金属層による配線パターンを形成するため
の、半導体装置の配線形成方法に関するものである。
化膜を介して金属層による配線パターンを形成するため
の、半導体装置の配線形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の表面への金属層によ
る配線パターンは、図３に示すように、形成されてい
る。即ち、図３において、半導体装置１は、半導体基
板、この場合シリコン基板２の表面にＳｉＯ2の酸化膜
３が形成されている。この酸化膜３は、配線パターンが
形成される領域に、シリコン基板２の表面に達する凹陥
部（図示せず）を備えている。そして、このような半導
体装置１に対して、図３（Ａ）に示すように、先づ上記
シリコン基板２の表面の凹陥部（図示せず）の領域に、
酸化膜３の上から、金属、例えばアルミニウムから成る
金属層４を形成し、さらにその上から、レジスト５を塗
布する。
る配線パターンは、図３に示すように、形成されてい
る。即ち、図３において、半導体装置１は、半導体基
板、この場合シリコン基板２の表面にＳｉＯ2の酸化膜
３が形成されている。この酸化膜３は、配線パターンが
形成される領域に、シリコン基板２の表面に達する凹陥
部（図示せず）を備えている。そして、このような半導
体装置１に対して、図３（Ａ）に示すように、先づ上記
シリコン基板２の表面の凹陥部（図示せず）の領域に、
酸化膜３の上から、金属、例えばアルミニウムから成る
金属層４を形成し、さらにその上から、レジスト５を塗
布する。
【０００３】この場合、上記レジスト５は、ウェットエ
ッチングに適した材料から構成されていると共に、フォ
トマスクを使用して露光されることにより、配線部分に
対する領域のみが残るように、パターン形成される。
ッチングに適した材料から構成されていると共に、フォ
トマスクを使用して露光されることにより、配線部分に
対する領域のみが残るように、パターン形成される。
【０００４】その後、図３（Ｂ）に示すように、ウェッ
トエッチングを行なうことにより、上記金属層４のう
ち、配線部分以外の部分が除去され、配線パターン４ａ
が形成されることになる。
トエッチングを行なうことにより、上記金属層４のう
ち、配線部分以外の部分が除去され、配線パターン４ａ
が形成されることになる。
【０００５】続いて、上記レジスト５が、レジストアッ
シング等によって除去されることにより、図３（Ｃ）に
示すように、配線パターン４ａを有する半導体装置１が
得られる。
シング等によって除去されることにより、図３（Ｃ）に
示すように、配線パターン４ａを有する半導体装置１が
得られる。
【０００６】最後に、半導体装置１の表面全体に亘っ
て、保護膜６を形成することにより、半導体装置１が完
成する。
て、保護膜６を形成することにより、半導体装置１が完
成する。
【０００７】図３に示した配線形成方法においては、金
属層４のエッチング方法として、ウェットエッチングが
採用されているが、これに対して、ドライエッチングを
採用した方法も知られている。ドライエッチングを採用
した方法は、図４に示すようにして、行なわれる。
属層４のエッチング方法として、ウェットエッチングが
採用されているが、これに対して、ドライエッチングを
採用した方法も知られている。ドライエッチングを採用
した方法は、図４に示すようにして、行なわれる。
【０００８】即ち、図４において、半導体装置１に対し
て、図４（Ａ）に示すように、先づ上記シリコン基板２
の表面の凹陥部（図示せず）の領域に、酸化膜３の上か
ら、金属、例えばアルミニウムから成る金属層４を形成
し、さらにその上から、レジスト７を塗布する。
て、図４（Ａ）に示すように、先づ上記シリコン基板２
の表面の凹陥部（図示せず）の領域に、酸化膜３の上か
ら、金属、例えばアルミニウムから成る金属層４を形成
し、さらにその上から、レジスト７を塗布する。
【０００９】この場合、上記レジスト７は、ドライエッ
チングに適した材料から構成されていると共に、フォト
マスクを使用して露光されることにより、配線部分に対
する領域のみが残るように、パターン形成される。
チングに適した材料から構成されていると共に、フォト
マスクを使用して露光されることにより、配線部分に対
する領域のみが残るように、パターン形成される。
【００１０】その後、図４（Ｂ）に示すように、ドライ
ドライエッチングを行なうことにより、上記金属層４の
うち、配線部分以外の部分が除去され、配線パターン４
ａが形成されることになる。
ドライエッチングを行なうことにより、上記金属層４の
うち、配線部分以外の部分が除去され、配線パターン４
ａが形成されることになる。
【００１１】続いて、上記レジスト７が、レジストアッ
シング等によって除去されることにより、図４（Ｃ）に
示すように、配線パターン４ａを有する半導体装置１が
得られる。
シング等によって除去されることにより、図４（Ｃ）に
示すように、配線パターン４ａを有する半導体装置１が
得られる。
【００１２】最後に、半導体装置１の表面全体に亘っ
て、保護膜６を形成することにより、半導体装置１が完
成する。
て、保護膜６を形成することにより、半導体装置１が完
成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の半導体装置１においては、図３に示すよう
に、金属層４のエッチングがウェットエッチングによっ
て行なわれる場合には、エッチングによる金属層４の侵
食が、レジスト５のパターンから内側に回り込むように
生ずることにより、配線パターンが正確に形成され得な
くなってしまう。従って、配線パターンの設計の際に、
上記回り込みによる配線パターンの変形を考慮する必要
があり、配線パターンが制約されてしまうという問題が
あった。
うな構成の半導体装置１においては、図３に示すよう
に、金属層４のエッチングがウェットエッチングによっ
て行なわれる場合には、エッチングによる金属層４の侵
食が、レジスト５のパターンから内側に回り込むように
生ずることにより、配線パターンが正確に形成され得な
くなってしまう。従って、配線パターンの設計の際に、
上記回り込みによる配線パターンの変形を考慮する必要
があり、配線パターンが制約されてしまうという問題が
あった。
【００１４】これに対して、図４に示すように、金属層
４のエッチングがドライエッチングによって行なわれる
場合には、エッチングによる金属層４の侵食は、断面が
矩形になるので、配線パターン自体は正確に形成され得
るが、配線パターンの上縁が鋭いエッジ部を有している
ことから、保護膜６を形成する際に、該保護膜６が、こ
のエッジ部で薄膜化してしまったり、クラックが発生す
る等により、該保護膜６による被覆性が悪化してしまう
という問題があった。
４のエッチングがドライエッチングによって行なわれる
場合には、エッチングによる金属層４の侵食は、断面が
矩形になるので、配線パターン自体は正確に形成され得
るが、配線パターンの上縁が鋭いエッジ部を有している
ことから、保護膜６を形成する際に、該保護膜６が、こ
のエッジ部で薄膜化してしまったり、クラックが発生す
る等により、該保護膜６による被覆性が悪化してしまう
という問題があった。
【００１５】本発明は、以上の点に鑑み、配線パターン
に対するエッチングの回り込みを低減すると共に、保護
膜の被覆性を向上させるようにした、半導体装置の配線
形成方法を提供することを目的としている。
に対するエッチングの回り込みを低減すると共に、保護
膜の被覆性を向上させるようにした、半導体装置の配線
形成方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、表面に酸化膜が形成された半導体基板上に、先づ
金属層を形成し、その上からエッチングマスク用のレジ
ストパターンを形成し、続いてエッチングにより配線部
分以外の金属層を除去した後、レジストを除去して金属
層による配線パターンを形成し、最後に基板表面全体に
保護膜を形成するようにした、半導体装置の配線形成方
法において、上記金属層のエッチングが、ウェットエッ
チング及びドライエッチングによって、行なわれること
を特徴とする、半導体装置の配線形成方法により、達成
される。
れば、表面に酸化膜が形成された半導体基板上に、先づ
金属層を形成し、その上からエッチングマスク用のレジ
ストパターンを形成し、続いてエッチングにより配線部
分以外の金属層を除去した後、レジストを除去して金属
層による配線パターンを形成し、最後に基板表面全体に
保護膜を形成するようにした、半導体装置の配線形成方
法において、上記金属層のエッチングが、ウェットエッ
チング及びドライエッチングによって、行なわれること
を特徴とする、半導体装置の配線形成方法により、達成
される。
【００１７】本発明による半導体装置の配線形成方法
は、好ましくは、上記金属層のエッチングが、先づドラ
イエッチングにより、続いてウェットエッチングによ
り、行なわれるようになっている。
は、好ましくは、上記金属層のエッチングが、先づドラ
イエッチングにより、続いてウェットエッチングによ
り、行なわれるようになっている。
【００１８】本発明による半導体装置の配線形成方法
は、好ましくは、上記金属層のエッチングが、先づウェ
ットエッチングにより、続いてドライエッチングによ
り、行なわれるようになっている。
は、好ましくは、上記金属層のエッチングが、先づウェ
ットエッチングにより、続いてドライエッチングによ
り、行なわれるようになっている。
【００１９】本発明による半導体装置の配線形成方法
は、好ましくは、上記金属層のエッチングが、先づウェ
ットエッチングにより、続いてドライエッチングによ
り、最後に再びウェットエッチングにより、行なわれる
ようになっている。
は、好ましくは、上記金属層のエッチングが、先づウェ
ットエッチングにより、続いてドライエッチングによ
り、最後に再びウェットエッチングにより、行なわれる
ようになっている。
【００２０】
【作用】上記構成によれば、金属層のエッチングが、ウ
ェットエッチング及びドライエッチングを併用すること
により、行なわれるので、ドライエッチングが行なわれ
る分、ウェットエッチングによる金属層に対するエッチ
ングの回り込みが低減され得ると共に、ドライエッチン
グによる鋭いエッジ部が、ウェットエッチングによって
緩和され得ることになる。従って、金属層の配線部分
が、エッチングの周り込みによって変形することなく、
正確に形成され得ると共に、緩和されたエッジ部のため
に、保護膜の被覆性が向上せしめられ得ることになる。
ェットエッチング及びドライエッチングを併用すること
により、行なわれるので、ドライエッチングが行なわれ
る分、ウェットエッチングによる金属層に対するエッチ
ングの回り込みが低減され得ると共に、ドライエッチン
グによる鋭いエッジ部が、ウェットエッチングによって
緩和され得ることになる。従って、金属層の配線部分
が、エッチングの周り込みによって変形することなく、
正確に形成され得ると共に、緩和されたエッジ部のため
に、保護膜の被覆性が向上せしめられ得ることになる。
【００２１】上記金属層のエッチングが、先づドライエ
ッチングにより、続いてウェットエッチングにより、行
なわれる場合には、ドライエッチングによって、金属層
の配線部分は、矩形にエッチングされ、その後ウェット
エッチングによって、該配線部分の下縁が、裾を引くよ
うに、外側に向かってなだらかに形成されることにな
る。従って、特に、配線部分の下縁におけるエッジ部が
緩和され、保護膜の被覆性が改善され得ることになる。
ッチングにより、続いてウェットエッチングにより、行
なわれる場合には、ドライエッチングによって、金属層
の配線部分は、矩形にエッチングされ、その後ウェット
エッチングによって、該配線部分の下縁が、裾を引くよ
うに、外側に向かってなだらかに形成されることにな
る。従って、特に、配線部分の下縁におけるエッジ部が
緩和され、保護膜の被覆性が改善され得ることになる。
【００２２】上記金属層のエッチングが、先づウェット
エッチングにより、続いてドライエッチングにより、行
なわれる場合には、ウェットエッチングによって、金属
層の配線部分は、その上縁付近にて回り込みによりなだ
らかに形成され、その後ドライエッチングによって、該
配線部分の下縁が、矩形に形成されることになる。従っ
て、特に、配線部分の上縁におけるエッジ部が緩和さ
れ、保護膜の被覆性が改善され得ることになる。
エッチングにより、続いてドライエッチングにより、行
なわれる場合には、ウェットエッチングによって、金属
層の配線部分は、その上縁付近にて回り込みによりなだ
らかに形成され、その後ドライエッチングによって、該
配線部分の下縁が、矩形に形成されることになる。従っ
て、特に、配線部分の上縁におけるエッジ部が緩和さ
れ、保護膜の被覆性が改善され得ることになる。
【００２３】上記金属層のエッチングが、先づウェット
エッチングにより、続いてドライエッチングにより、最
後に再びウェットエッチングにより、行なわれる場合に
は、ウェットエッチングによって、金属層の配線部分
は、その上縁付近にて回り込みによりなだらかに形成さ
れ、その後ドライエッチングによって、該配線部分の中
間部分が、矩形に形成され、最後に、ウェットエッチン
グによって、該配線部分の下縁が、裾を引くように、外
側に向かってなだらかに形成されることになる。従っ
て、特に、配線部分の上縁及び下縁におけるエッジ部が
緩和され、保護膜の被覆性が改善され得ることになる。
エッチングにより、続いてドライエッチングにより、最
後に再びウェットエッチングにより、行なわれる場合に
は、ウェットエッチングによって、金属層の配線部分
は、その上縁付近にて回り込みによりなだらかに形成さ
れ、その後ドライエッチングによって、該配線部分の中
間部分が、矩形に形成され、最後に、ウェットエッチン
グによって、該配線部分の下縁が、裾を引くように、外
側に向かってなだらかに形成されることになる。従っ
て、特に、配線部分の上縁及び下縁におけるエッジ部が
緩和され、保護膜の被覆性が改善され得ることになる。
【００２４】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明による半導体装置
の配線形成方法の一実施例における製造工程を順次に示
している。
明を詳細に説明する。図１は、本発明による半導体装置
の配線形成方法の一実施例における製造工程を順次に示
している。
【００２５】図１において、半導体装置１０は、半導体
基板、この場合シリコン基板１１の表面にＳｉＯ2の酸
化膜１２が形成されている。この酸化膜１２は、配線パ
ターンが形成される領域に、シリコン基板１１の表面に
達する凹陥部（図示せず）を備えている。そして、この
ような半導体装置１０に対して、図１（Ａ）に示すよう
に、先づ上記シリコン基板１１の表面の凹陥部の領域
に、酸化膜１２の上から、金属層１３が、蒸着，スパッ
タリング等によって、形成される。ここで、該金属層１
３は、例えばアルミニウムから成るが、これに限らず例
えば、金，銀，銅等の金属であってもよい。
基板、この場合シリコン基板１１の表面にＳｉＯ2の酸
化膜１２が形成されている。この酸化膜１２は、配線パ
ターンが形成される領域に、シリコン基板１１の表面に
達する凹陥部（図示せず）を備えている。そして、この
ような半導体装置１０に対して、図１（Ａ）に示すよう
に、先づ上記シリコン基板１１の表面の凹陥部の領域
に、酸化膜１２の上から、金属層１３が、蒸着，スパッ
タリング等によって、形成される。ここで、該金属層１
３は、例えばアルミニウムから成るが、これに限らず例
えば、金，銀，銅等の金属であってもよい。
【００２６】この場合、上記レジスト１４は、ウェット
エッチング及びドライエッチングに適した材料から構成
されていると共に、フォトマスクを使用して露光される
ことにより、配線部分に対応する領域のみが残るよう
に、パターン形成される。
エッチング及びドライエッチングに適した材料から構成
されていると共に、フォトマスクを使用して露光される
ことにより、配線部分に対応する領域のみが残るよう
に、パターン形成される。
【００２７】続いて、図１（Ｂ）に示すように、金属層
１３の厚さの途中まで、ドライエッチングを行なうこと
により、上記金属層１３のうち、配線部分以外の部分が
除去される。この場合、ドライエッチングによって、金
属層１３の配線部分は、矩形にエッチングされることに
なる。
１３の厚さの途中まで、ドライエッチングを行なうこと
により、上記金属層１３のうち、配線部分以外の部分が
除去される。この場合、ドライエッチングによって、金
属層１３の配線部分は、矩形にエッチングされることに
なる。
【００２８】その後、図１（Ｃ）に示すように、金属層
１３の下縁まで、ウェットエッチングを行なうことによ
り、上記金属層１３のうち、配線部分以外の部分が完全
に除去される。この場合、ウェットエッチングによっ
て、金属層１３の配線部分は、内側に向かって僅かにエ
ッチングの回り込みがあるので、特にその下縁が、裾を
引くように外側に向かって広がるように、形成されるこ
とになる。
１３の下縁まで、ウェットエッチングを行なうことによ
り、上記金属層１３のうち、配線部分以外の部分が完全
に除去される。この場合、ウェットエッチングによっ
て、金属層１３の配線部分は、内側に向かって僅かにエ
ッチングの回り込みがあるので、特にその下縁が、裾を
引くように外側に向かって広がるように、形成されるこ
とになる。
【００２９】続いて、上記レジスト１４が、レジストア
ッシング等によって除去されることにより、図１（Ｄ）
に示すように、配線パターン１３ａを有する半導体装置
１０が得られる。
ッシング等によって除去されることにより、図１（Ｄ）
に示すように、配線パターン１３ａを有する半導体装置
１０が得られる。
【００３０】最後に、半導体装置１０の表面全体に亘っ
て、保護膜１５を形成することにより、半導体装置１０
が完成する。
て、保護膜１５を形成することにより、半導体装置１０
が完成する。
【００３１】本発明実施例による半導体装置の配線形成
方法は、以上のように構成されており、半導体装置１０
において、金属層１３は、その上部が、ドライエッチン
グによって形成されることになるので、エッチングの回
り込みによる変形が生ずることなく、正確に形成され得
ると共に、その下縁のエッジ部が、ウェットエッチング
によって、緩和されているので、保護膜１５の被覆性が
向上せしめられ得ることになる。
方法は、以上のように構成されており、半導体装置１０
において、金属層１３は、その上部が、ドライエッチン
グによって形成されることになるので、エッチングの回
り込みによる変形が生ずることなく、正確に形成され得
ると共に、その下縁のエッジ部が、ウェットエッチング
によって、緩和されているので、保護膜１５の被覆性が
向上せしめられ得ることになる。
【００３２】図２は、本発明による半導体装置の配線形
成方法の他の実施例における製造工程を順次に示してい
る。
成方法の他の実施例における製造工程を順次に示してい
る。
【００３３】即ち、図２において、半導体装置２０は、
半導体基板、この場合シリコン基板２１の表面にＳｉＯ
2の酸化膜２２が形成されている。この酸化膜２２は、
配線パターンが形成される領域に、シリコン基板２１の
表面に達する凹陥部（図示せず）を備えている。そし
て、このような半導体装置２０に対して、図２（Ａ）に
示すように、先づ上記シリコン基板２１の表面の凹陥部
の領域に、酸化膜２２の上から、金属層２３が、形成さ
れる。
半導体基板、この場合シリコン基板２１の表面にＳｉＯ
2の酸化膜２２が形成されている。この酸化膜２２は、
配線パターンが形成される領域に、シリコン基板２１の
表面に達する凹陥部（図示せず）を備えている。そし
て、このような半導体装置２０に対して、図２（Ａ）に
示すように、先づ上記シリコン基板２１の表面の凹陥部
の領域に、酸化膜２２の上から、金属層２３が、形成さ
れる。
【００３４】この場合、上記レジスト２４は、ウェット
エッチング及びドライエッチングに適した材料から構成
されていると共に、フォトマスクを使用して露光される
ことにより、配線部分に対応する領域のみが残るよう
に、パターン形成される。
エッチング及びドライエッチングに適した材料から構成
されていると共に、フォトマスクを使用して露光される
ことにより、配線部分に対応する領域のみが残るよう
に、パターン形成される。
【００３５】続いて、図２（Ｂ）に示すように、金属層
２３の厚さの途中まで、ウェットエッチングを行なうこ
とにより、上記金属層１３のうち、配線部分以外の部分
が除去される。この場合、ウェットエッチングによっ
て、金属層２３の配線部分は、僅かに内側に回り込みを
生ずることになる。
２３の厚さの途中まで、ウェットエッチングを行なうこ
とにより、上記金属層１３のうち、配線部分以外の部分
が除去される。この場合、ウェットエッチングによっ
て、金属層２３の配線部分は、僅かに内側に回り込みを
生ずることになる。
【００３６】その後、図２（Ｃ）に示すように、金属層
２３の下縁まで、ドライエッチングを行なうことによ
り、上記金属層２３のうち、配線部分以外の部分が完全
に除去される。この場合、ドライエッチングによって、
金属層２３の配線部分は、矩形に形成されることにな
る。
２３の下縁まで、ドライエッチングを行なうことによ
り、上記金属層２３のうち、配線部分以外の部分が完全
に除去される。この場合、ドライエッチングによって、
金属層２３の配線部分は、矩形に形成されることにな
る。
【００３７】続いて、上記レジスト２４が、レジストア
ッシング等によって除去されることにより、図２（Ｄ）
に示すように、配線パターン２３ａを有する半導体装置
２０が得られる。
ッシング等によって除去されることにより、図２（Ｄ）
に示すように、配線パターン２３ａを有する半導体装置
２０が得られる。
【００３８】最後に、半導体装置２０の表面全体に亘っ
て、保護膜２５を形成することにより、半導体装置２０
が完成する。
て、保護膜２５を形成することにより、半導体装置２０
が完成する。
【００３９】このように構成された半導体装置２０にお
いては、金属層２３は、その下部が、ドライエッチング
によって形成されることになるので、エッチングの回り
込みによる変形が生ずることなく、正確に形成され得る
と共に、その上縁のエッジ部が、ウェットエッチングに
よって、緩和されているので、保護膜２５の被覆性が向
上せしめられ得ることになる。
いては、金属層２３は、その下部が、ドライエッチング
によって形成されることになるので、エッチングの回り
込みによる変形が生ずることなく、正確に形成され得る
と共に、その上縁のエッジ部が、ウェットエッチングに
よって、緩和されているので、保護膜２５の被覆性が向
上せしめられ得ることになる。
【００４０】上記実施例においては、金属層１３ａの下
縁のエッジ部または金属層２３ａの上縁のエッジ部の何
れか一方のみが、ウェットエッチングによって、形状が
緩和されることにより、保護膜の被覆性が向上せしめら
れているが、例えば、第一段階にてウェットエッチング
によって、金属層の配線部分の上縁の形状を緩和して形
成し、第二段階にてドライエッチングによって、金属層
の配線部分の中間部分の形状を正確に矩形に形成し、最
後に第三段階にてウェットエッチングによって、金属層
の配線部分の下縁の形状を緩和して形成するようにして
もよい。この場合、金属層の配線部分の上縁及び下縁の
形状が共に緩和して形成されることになるので、保護膜
の被覆性がより一層向上せしめられ得ることになる。
縁のエッジ部または金属層２３ａの上縁のエッジ部の何
れか一方のみが、ウェットエッチングによって、形状が
緩和されることにより、保護膜の被覆性が向上せしめら
れているが、例えば、第一段階にてウェットエッチング
によって、金属層の配線部分の上縁の形状を緩和して形
成し、第二段階にてドライエッチングによって、金属層
の配線部分の中間部分の形状を正確に矩形に形成し、最
後に第三段階にてウェットエッチングによって、金属層
の配線部分の下縁の形状を緩和して形成するようにして
もよい。この場合、金属層の配線部分の上縁及び下縁の
形状が共に緩和して形成されることになるので、保護膜
の被覆性がより一層向上せしめられ得ることになる。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、金
属層のエッチングが、ウェットエッチング及びドライエ
ッチングを併用することにより、行なわれるので、ドラ
イエッチングが行なわれる分、ウェットエッチングによ
る金属層に対するエッチングの回り込みが低減され得る
と共に、ドライエッチングによる鋭いエッジ部が、ウェ
ットエッチングによって緩和され得ることになる。従っ
て、金属層の配線部分が、エッチングの周り込みによっ
て変形することなく、正確に形成され得ると共に、緩和
されたエッジ部のために、保護膜の被覆性が向上せしめ
られ得ることになる。
属層のエッチングが、ウェットエッチング及びドライエ
ッチングを併用することにより、行なわれるので、ドラ
イエッチングが行なわれる分、ウェットエッチングによ
る金属層に対するエッチングの回り込みが低減され得る
と共に、ドライエッチングによる鋭いエッジ部が、ウェ
ットエッチングによって緩和され得ることになる。従っ
て、金属層の配線部分が、エッチングの周り込みによっ
て変形することなく、正確に形成され得ると共に、緩和
されたエッジ部のために、保護膜の被覆性が向上せしめ
られ得ることになる。
【００４２】かくして、本発明によれば、配線パターン
に対するエッチングの回り込みを低減すると共に、保護
膜の被覆性を向上させるようにした、極めて優れた半導
体装置の配線形成方法が提供され得ることになる。
に対するエッチングの回り込みを低減すると共に、保護
膜の被覆性を向上させるようにした、極めて優れた半導
体装置の配線形成方法が提供され得ることになる。
【図１】本発明による半導体装置の配線形成方法の一実
施例における製造工程を順次に示す、（Ａ）〜（Ｅ）は
概略断面図である。
施例における製造工程を順次に示す、（Ａ）〜（Ｅ）は
概略断面図である。
【図２】本発明による半導体装置の配線形成方法の他の
実施例における製造工程を順次に示す、（Ａ）〜（Ｅ）
は概略断面図である。
実施例における製造工程を順次に示す、（Ａ）〜（Ｅ）
は概略断面図である。
【図３】従来の半導体装置の配線形成方法のウェットエ
ッチングを採用した一例における製造工程を順次に示
す、（Ａ）〜（Ｄ）は概略断面図である。
ッチングを採用した一例における製造工程を順次に示
す、（Ａ）〜（Ｄ）は概略断面図である。
【図４】従来の半導体装置の配線形成方法のドライエッ
チングを採用した一例における製造工程を順次に示す、
（Ａ）〜（Ｄ）は概略断面図である。
チングを採用した一例における製造工程を順次に示す、
（Ａ）〜（Ｄ）は概略断面図である。
１０，２０ 半導体装置 １１，２１ 半導体基板 １２，２２ 酸化膜 １３，２３ 金属層 １３ａ，２３ａ 配線パターン １４，２４ レジスト １５，２５ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3213 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｓ 21/88 Ｃ
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に酸化膜が形成された半導体基板上
に、先づ金属層を形成し、その上からエッチングマスク
用のレジストパターンを形成し、続いてエッチングによ
り配線部分以外の金属層を除去した後、レジストを除去
して金属層による配線パターンを形成し、最後に基板表
面全体に保護膜を形成するようにした、半導体装置の配
線形成方法において、 上記金属層のエッチングが、ウェットエッチング及びド
ライエッチングによって、行なわれることを特徴とす
る、半導体装置の配線形成方法。 - 【請求項２】 上記金属層のエッチングが、先づドライ
エッチングにより、続いてウェットエッチングにより、
行なわれることを特徴とする、請求項１に記載の半導体
装置の配線形成方法。 - 【請求項３】 上記金属層のエッチングが、先づウェッ
トエッチングにより、続いてドライエッチングにより、
行なわれることを特徴とする、請求項１に記載の半導体
装置の配線形成方法。 - 【請求項４】 上記金属層のエッチングが、先づウェッ
トエッチングにより、続いてドライエッチングにより、
最後に再びウェットエッチングにより、行なわれること
を特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の配線形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261874A JPH08107112A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体装置の配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6261874A JPH08107112A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体装置の配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107112A true JPH08107112A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17367966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6261874A Pending JPH08107112A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 半導体装置の配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260322A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| CN102201409A (zh) * | 2010-03-24 | 2011-09-28 | 万国半导体(开曼)股份有限公司 | 具有钨间隔层的功率mosfet器件及其制造方法 |
| CN102339749A (zh) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种金属铝焊垫刻蚀方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6261874A patent/JPH08107112A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260322A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| CN102201409A (zh) * | 2010-03-24 | 2011-09-28 | 万国半导体(开曼)股份有限公司 | 具有钨间隔层的功率mosfet器件及其制造方法 |
| CN102339749A (zh) * | 2010-07-16 | 2012-02-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种金属铝焊垫刻蚀方法 |
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