JPS63191334A - 光デイスク用スタンパ - Google Patents
光デイスク用スタンパInfo
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- JPS63191334A JPS63191334A JP2280787A JP2280787A JPS63191334A JP S63191334 A JPS63191334 A JP S63191334A JP 2280787 A JP2280787 A JP 2280787A JP 2280787 A JP2280787 A JP 2280787A JP S63191334 A JPS63191334 A JP S63191334A
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- Japan
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- stamper
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- thereafter
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- Pending
Links
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、コンパクトディスク。光メモリ−ディスク等
を、射出成形あるいは、圧縮する時に用いるスタンパに
関する。
を、射出成形あるいは、圧縮する時に用いるスタンパに
関する。
〈発明の１！要〉
本発明は、コンパクトディスク、光メモリ−ディスク等
の射出成形、あるいは圧縮成形に用いるスタンパの表面
に時効硬化性を有する金属皮膜を形成し、表面の硬度を
向上させる事により、スタンパの耐久性の向上、また成
形したディスクの品質向上を可能にしたものである。
の射出成形、あるいは圧縮成形に用いるスタンパの表面
に時効硬化性を有する金属皮膜を形成し、表面の硬度を
向上させる事により、スタンパの耐久性の向上、また成
形したディスクの品質向上を可能にしたものである。
〈従来の技術〉
コンパクトディスク、光メモリー用ディスクサブストレ
ート等の成形につかわれる、スタンパは、ガラス原盤に
ポジレジストをスピンコードし、レーザーカッティング
により、露光、現像して所定のピットあるいはグループ
を形成する。
ート等の成形につかわれる、スタンパは、ガラス原盤に
ポジレジストをスピンコードし、レーザーカッティング
により、露光、現像して所定のピットあるいはグループ
を形成する。
この表面に、ニッケルあるいは、銀をスパッタして導電
化処理を行なった後、ニッケル電鋳メッキを３００μ程
度行なう。
化処理を行なった後、ニッケル電鋳メッキを３００μ程
度行なう。
次に、ガラス原盤よりニッケル電鋳層をはがし、裏面研
暦、内外加工により、スタンパとして完成品となる。
暦、内外加工により、スタンパとして完成品となる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、従来技術によるスタンパは、材質がニッケルそ
のものであるために、Ｔｉ１度が、ＨＶ２００〜３００
と低いので、射出成形のくり返し、ハンドリング等によ
り、ダメージを受けやすく、耐久性に問題があった。
のものであるために、Ｔｉ１度が、ＨＶ２００〜３００
と低いので、射出成形のくり返し、ハンドリング等によ
り、ダメージを受けやすく、耐久性に問題があった。
スタンパの硬度を上げるために、光沢剤の添加、あるい
は、ニッケルコバルト電鋳吟行なわれており、初期的に
は、硬度をＨＶ ５００近くまで上げる事は可能である
が、成形時の溶融樹脂による焼なまし効柔により、経時
的に硬度は低下していき、充分な耐久性を確保すること
はできなかった。
は、ニッケルコバルト電鋳吟行なわれており、初期的に
は、硬度をＨＶ ５００近くまで上げる事は可能である
が、成形時の溶融樹脂による焼なまし効柔により、経時
的に硬度は低下していき、充分な耐久性を確保すること
はできなかった。
そこで本発明は、このような問題を解決するためのもの
で、スタンパ表面の硬度を増加させ、さらに、成形時の
加熱により経時的に硬度が上がっていくため、スタンパ
の耐久性を著しく向上させるとともに、成形サブストレ
ートの品質を向上させる事も目的としている。
で、スタンパ表面の硬度を増加させ、さらに、成形時の
加熱により経時的に硬度が上がっていくため、スタンパ
の耐久性を著しく向上させるとともに、成形サブストレ
ートの品質を向上させる事も目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
上記問題を解決するために、本発明のスタンパは、その
表面に時効硬化性を有する金属皮膜を形成した事を特徴
とする。
表面に時効硬化性を有する金属皮膜を形成した事を特徴
とする。
く作用〉
本発明によれば、スタンパの表面硬度を初期吠面で、従
来品より著しく増加させるとともに、この金属皮膜に時
効硬化性があるため、成形時の溶融樹脂による加熱によ
り、硬度は、さらに経時的に上昇していき、Ｉ−ＩＶ１
００Ｏ位にまで達し、スタンパの耐摩耗、耐スクラッチ
性が著しく改善され、スタンパの寿命を大幅に向上させ
る事が可能になった。
来品より著しく増加させるとともに、この金属皮膜に時
効硬化性があるため、成形時の溶融樹脂による加熱によ
り、硬度は、さらに経時的に上昇していき、Ｉ−ＩＶ１
００Ｏ位にまで達し、スタンパの耐摩耗、耐スクラッチ
性が著しく改善され、スタンパの寿命を大幅に向上させ
る事が可能になった。
〈実施例−１〉
φ２００ ｍｍｓ厚さ６ｍｍの光学研モされたガラス原
板の表面に、ポジレジスト（ヘキストのＡＺ−１３５０
）をスピンコードにより、約１２００人の厚みに形成す
る。
板の表面に、ポジレジスト（ヘキストのＡＺ−１３５０
）をスピンコードにより、約１２００人の厚みに形成す
る。
次に、レーザーカッティングマシーンを用いてコンパク
トディスク仕様のＰＣＭオーディオ信号により変調した
レーザービームを照射し、フォトレジストを感光後、現
像して選択的に、７オトレジストを除去する。
トディスク仕様のＰＣＭオーディオ信号により変調した
レーザービームを照射し、フォトレジストを感光後、現
像して選択的に、７オトレジストを除去する。
このガラス原板に、銀を４００人スパッタして導電化処
理した後、下記の浴組成、条件で、Ｎ１−Ｐメッキを１
５分間行なった。
理した後、下記の浴組成、条件で、Ｎ１−Ｐメッキを１
５分間行なった。
Ｎ Ｉ Ｓ Ｏａ ・ ６Ｈ，Ｏ・
・・ ・・・ ２ ５ ０ ｇ／ ρＮ ａ
ＩＩ ｓ Ｐ Ｏ！ ・Ｉ−Ｉ ＊ ０ ＝・＝・
２０ ｇ ／ρＩ’ ＴＩ ・・・・・・ １ 、５
〜２．０二度・・・・・・６０＠ Ｃ 電流密度・・・・・・３Ａ／ｄｍ” このメッキ厚は５〜８μで、その後ただちに、スルファ
ミン酸二フケルミ鋳を行ない、約３００Ｍ程度の厚さに
した。
・・ ・・・ ２ ５ ０ ｇ／ ρＮ ａ
ＩＩ ｓ Ｐ Ｏ！ ・Ｉ−Ｉ ＊ ０ ＝・＝・
２０ ｇ ／ρＩ’ ＴＩ ・・・・・・ １ 、５
〜２．０二度・・・・・・６０＠ Ｃ 電流密度・・・・・・３Ａ／ｄｍ” このメッキ厚は５〜８μで、その後ただちに、スルファ
ミン酸二フケルミ鋳を行ない、約３００Ｍ程度の厚さに
した。
欠伸ガラス基板より、剥離し裏面研磨、内外径加工した
後、表面の銀を？ＩＩ Ｉｌｌしてフ／パクトディスク
用スタンバとして完成した。
後、表面の銀を？ＩＩ Ｉｌｌしてフ／パクトディスク
用スタンバとして完成した。
第１図（２りはガラス原盤１の上にフォトレジスト膜を
形成したもので、（ｂ）は７オトレジストを電光現像し
たところ。（Ｃ１は（１））の−ヒにスパッタ導電（ｔ
［時効硬化性金属層３を形成し、ｔｄｌは、（Ｃ１の上
に電鋳層を形成。＋６１はガラス昂盤１から剥離したこ
とを示している。
形成したもので、（ｂ）は７オトレジストを電光現像し
たところ。（Ｃ１は（１））の−ヒにスパッタ導電（ｔ
［時効硬化性金属層３を形成し、ｔｄｌは、（Ｃ１の上
に電鋳層を形成。＋６１はガラス昂盤１から剥離したこ
とを示している。
〈実施例−２〉
実施例−１と同様に、作製したガラス原板に、銀スパッ
タにより導電化処理した後、下桟の浴組成、条件で、Ｎ
１−Ｗメッキを２０分間行なった。
タにより導電化処理した後、下桟の浴組成、条件で、Ｎ
１−Ｗメッキを２０分間行なった。
Ｎ ｉ Ｓ Ｏａ ・ ６１１−０・・・・・・
４０ ｇ／ρＮａｇ ＷＯａ ＠ ２Ｈ＊ Ｏ・
・・・・・７０ｇ／Ｊ２Ｃｓ Ｔｌａ （０１１）
（ＣＯＯＩＩ）＄ ・ Ｈ，Ｏ・・・・・・６０
ｇ／ρ Ｎ１１．０１１・・・・・・ １２０ｇ／ρＰ ）Ｉ
・・・・・・ ８．５ 温度・・・・・・６０° Ｃ 電流密度・・・・・・４Ａ／ｄｍ’ このメッキ厚は、３〜５μで、その後、スルファミン酸
ニッケル電鋳を約３００μ行ない、実施例−１と同様に
加工して、コンパクトディスクスタンパとして完成させ
た。
４０ ｇ／ρＮａｇ ＷＯａ ＠ ２Ｈ＊ Ｏ・
・・・・・７０ｇ／Ｊ２Ｃｓ Ｔｌａ （０１１）
（ＣＯＯＩＩ）＄ ・ Ｈ，Ｏ・・・・・・６０
ｇ／ρ Ｎ１１．０１１・・・・・・ １２０ｇ／ρＰ ）Ｉ
・・・・・・ ８．５ 温度・・・・・・６０° Ｃ 電流密度・・・・・・４Ａ／ｄｍ’ このメッキ厚は、３〜５μで、その後、スルファミン酸
ニッケル電鋳を約３００μ行ない、実施例−１と同様に
加工して、コンパクトディスクスタンパとして完成させ
た。
以上、実施例で作製した２８類のスタンパを従来のスタ
ンパとの比較でｆｌＨ１ｆ成形を行ない、スタンパの寿
命を、ブロックエラーレートの増加と、外観で判定して
、寿命に達するまでの成形ショツト数を調べたところ以
下の様な結集になった。
ンパとの比較でｆｌＨ１ｆ成形を行ない、スタンパの寿
命を、ブロックエラーレートの増加と、外観で判定して
、寿命に達するまでの成形ショツト数を調べたところ以
下の様な結集になった。
く試 料〉 く成形シジット数〉１、実
施例１記載のスタンパ ２，０万シヨツト２、実施例２
紀社のスタンパ １，８万ショット３、通常処理なしの
スタンパ ０．８万シｉツト〈発明の効果〉 以上述べた様に、本発明によれば、光デイスク成形用ス
タンパの表面に、時効硬化性を有する金属破膜を形成さ
せる事により、通常の処理なしのスタンパに比べ、２倍
以上に耐久性を向上させる効果がある。
施例１記載のスタンパ ２，０万シヨツト２、実施例２
紀社のスタンパ １，８万ショット３、通常処理なしの
スタンパ ０．８万シｉツト〈発明の効果〉 以上述べた様に、本発明によれば、光デイスク成形用ス
タンパの表面に、時効硬化性を有する金属破膜を形成さ
せる事により、通常の処理なしのスタンパに比べ、２倍
以上に耐久性を向上させる効果がある。
尚、実施例以外の金属組成、皮膜形成方法についても、
時効硬化性を有するものであれば同様に本発明に含まれ
るものである。
時効硬化性を有するものであれば同様に本発明に含まれ
るものである。
第１図ｔａ＋〜＋ｅ）は、本発明による光デイスク成形
用スタンパの製造工程を示す断面図である。 １・・・ガラス原盤 ２・・・フォトレジスト膜 ３・・・時効硬化性金ｌｉｄ層 ４・・・電鋳層 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第１図
用スタンパの製造工程を示す断面図である。 １・・・ガラス原盤 ２・・・フォトレジスト膜 ３・・・時効硬化性金ｌｉｄ層 ４・・・電鋳層 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第１図
Claims (1)
- 表面に、時効硬化性を有する金属皮膜を形成した事を特
徴とする光ディスク用スタンパ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280787A JPS63191334A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 光デイスク用スタンパ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280787A JPS63191334A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 光デイスク用スタンパ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63191334A true JPS63191334A (ja) | 1988-08-08 |
Family
ID=12092960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2280787A Pending JPS63191334A (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 光デイスク用スタンパ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63191334A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149588U (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-20 | ||
| JPH02149587U (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-20 |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP2280787A patent/JPS63191334A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149588U (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-20 | ||
| JPH02149587U (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-20 | ||
| JP2525600Y2 (ja) * | 1989-05-25 | 1997-02-12 | 東陶機器株式会社 | 浴湯循環装置のリモートコントローラ |
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