JPS59180801A - スタンパ用のデイスクの製造方法 - Google Patents
スタンパ用のデイスクの製造方法Info
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- JPS59180801A JPS59180801A JP5363683A JP5363683A JPS59180801A JP S59180801 A JPS59180801 A JP S59180801A JP 5363683 A JP5363683 A JP 5363683A JP 5363683 A JP5363683 A JP 5363683A JP S59180801 A JPS59180801 A JP S59180801A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野1
本発明は、デジタルオーディオディスク、ビデオディス
ク、ドキュメントファイルディスクとして用いられる光
ディスクを作成するのに必要なスタンパ用のディスクの
製造方法に関する。更に詳しくは、凹凸パタンの刻設さ
れた一枚の原盤から凹凸パタンに損傷を与えることなく
、多数枚のマスタ・スタンパを複製することが出来るマ
スタ・スタンパの製造方法にに関する。
ク、ドキュメントファイルディスクとして用いられる光
ディスクを作成するのに必要なスタンパ用のディスクの
製造方法に関する。更に詳しくは、凹凸パタンの刻設さ
れた一枚の原盤から凹凸パタンに損傷を与えることなく
、多数枚のマスタ・スタンパを複製することが出来るマ
スタ・スタンパの製造方法にに関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
溝やピットとじて情報信号(凹凸パターン)が刻み込ま
れた光ディスクは、デジタルオーディオディスク、ビデ
オディスク、ドキュメントファイルディスク、PMCデ
ィスク、ホログラフィクディスクなどの高密度記録ディ
スクとして利用されている。
れた光ディスクは、デジタルオーディオディスク、ビデ
オディスク、ドキュメントファイルディスク、PMCデ
ィスク、ホログラフィクディスクなどの高密度記録ディ
スクとして利用されている。
−・般的な光ディスクの製造方法は、先ず、ガラス基板
上にフォトレジストを湿式法によって塗布し、これにレ
ーザ光で所望の信号を露光記録した後、現像してフォト
レジスト層に凹凸パターンを形成せしめる。次に、凹凸
パターンが刻み込まれたこのフォトレジスト付きガラス
板を第一原盤と′して電鋳等のレプリカ技術によって、
機械的に強固な金属製第二原盤(マスク、マザー、スタ
ンパ)を複製する。次に、このマスク、マザー、スタン
パを原盤として、同じく、レプリカを行なって・光ディ
スクを得ている。
上にフォトレジストを湿式法によって塗布し、これにレ
ーザ光で所望の信号を露光記録した後、現像してフォト
レジスト層に凹凸パターンを形成せしめる。次に、凹凸
パターンが刻み込まれたこのフォトレジスト付きガラス
板を第一原盤と′して電鋳等のレプリカ技術によって、
機械的に強固な金属製第二原盤(マスク、マザー、スタ
ンパ)を複製する。次に、このマスク、マザー、スタン
パを原盤として、同じく、レプリカを行なって・光ディ
スクを得ている。
ところで、ガラス原盤はガラス基板とフォトレジストと
の間の密着性が極めて低いという欠点を有する。このた
め、ガラス原盤からマスクを作成する工程では、メッキ
のレプリカをガラス原盤から剥離せしめる際、凹凸パタ
ーンを有するフォトレジスト層がマスク側に移行してし
まう。その結果□、従来のマスクの製造方法は作業性が
悪く、しかも、一枚のガラス原盤から一枚のマスクしか
得ることがで出来ないため、光ディスクの生産性が低い
という問題があった。
の間の密着性が極めて低いという欠点を有する。このた
め、ガラス原盤からマスクを作成する工程では、メッキ
のレプリカをガラス原盤から剥離せしめる際、凹凸パタ
ーンを有するフォトレジスト層がマスク側に移行してし
まう。その結果□、従来のマスクの製造方法は作業性が
悪く、しかも、一枚のガラス原盤から一枚のマスクしか
得ることがで出来ないため、光ディスクの生産性が低い
という問題があった。
従来、光ディスクの量産性を高めるため、先ず、一枚の
ガラス原盤(第一原盤)から得られた一枚のマスクを原
盤(第二原盤)として、該マス度において、多数枚複製
し、次に、得られた各一枚のマザーから、同じく、電鋳
法等によって多数枚のスタンパを複製し、更に、このス
タンパを原盤とし、金5を用いて射出成形等を行い、プ
ラスチク製光ディスクを製造する方法がとられていた。
ガラス原盤(第一原盤)から得られた一枚のマスクを原
盤(第二原盤)として、該マス度において、多数枚複製
し、次に、得られた各一枚のマザーから、同じく、電鋳
法等によって多数枚のスタンパを複製し、更に、このス
タンパを原盤とし、金5を用いて射出成形等を行い、プ
ラスチク製光ディスクを製造する方法がとられていた。
然しなから、この方法は、ガラス原盤からマスク、マザ
ー、スタンパと電鋳によってレプリカを繰返す度に、微
細な凹凸パターンの信号が劣化してしまうという欠点を
有しているため、この方V、による光ディスクの量産性
の改善には限界があった。
ー、スタンパと電鋳によってレプリカを繰返す度に、微
細な凹凸パターンの信号が劣化してしまうという欠点を
有しているため、この方V、による光ディスクの量産性
の改善には限界があった。
光ディスクの生産性を木質的に改善するためには一枚の
第一原盤から転写性を劣化せしめることなく多数の第二
原盤を複製する必要がある。
第一原盤から転写性を劣化せしめることなく多数の第二
原盤を複製する必要がある。
ガラス原盤におけるフォトレジスト被膜の剥離の問題を
解決する方法としては、フォトレジスト膜付ガラス原盤
に代えて、基板もしくは基板上の無機薄膜上に凹凸パタ
ーンを刻設した第一原盤を用い、これに直接メ・ンキを
適用してマスクを作成する方法が提案されている。
解決する方法としては、フォトレジスト膜付ガラス原盤
に代えて、基板もしくは基板上の無機薄膜上に凹凸パタ
ーンを刻設した第一原盤を用い、これに直接メ・ンキを
適用してマスクを作成する方法が提案されている。
然し、この方法は、第一原盤からメンキ層を剥離する際
、硬質のメッキによっ、て第一原盤の凹凸パターンが破
損され易く、しかもメッキ層が巨視的にそってしまうと
いう欠点を有している。このため、この方法では一枚の
第一原盤から多数のマスクを得ることができなかった。
、硬質のメッキによっ、て第一原盤の凹凸パターンが破
損され易く、しかもメッキ層が巨視的にそってしまうと
いう欠点を有している。このため、この方法では一枚の
第一原盤から多数のマスクを得ることができなかった。
また、第一原盤に直接メンキを施してマスクを製造する
方法に代えて、フォトレジスト付ガラス原盤から、先ず
、紫外線硬化樹脂の軟質レプリカを形成し、該レプリカ
からメッキ法によってマスクを4%る方法が提案されて
いる。
方法に代えて、フォトレジスト付ガラス原盤から、先ず
、紫外線硬化樹脂の軟質レプリカを形成し、該レプリカ
からメッキ法によってマスクを4%る方法が提案されて
いる。
然し、この方法は、紫外線硬化性樹脂と接するレジスト
層の膨潤もしくは変質または紫外線硬化性樹脂の重合時
の収縮による凹凸パターンの変形を避けることが出来ず
、その結果、やはり、一枚の原盤から一枚のマスクしか
得られなかった。
層の膨潤もしくは変質または紫外線硬化性樹脂の重合時
の収縮による凹凸パターンの変形を避けることが出来ず
、その結果、やはり、一枚の原盤から一枚のマスクしか
得られなかった。
[発明の目的]
r発明の目的は、原盤の凹凸パターンに損傷を与えるこ
となく、一枚の原盤から多数のマスクを得ることが出来
るスタンパ用マスクディスクの製造方法を提供すること
にある。
となく、一枚の原盤から多数のマスクを得ることが出来
るスタンパ用マスクディスクの製造方法を提供すること
にある。
[発明の概要]
本発明のマスクの製造方法は基板または基板−1−に被
着された無機被覆層の該表面に凹凸パターンを刻設した
後、該表面上で重合性組成物を重合せしめ、該表面から
重合体層を剥離することによって重合体レプリカ(ブレ
マスク)を形成し、次に、該レプリカ表面に導電性を4
=j与し、該レプリカ表面にメッキを施した後に該メッ
キ金属層を重合体レプリカ表面から剥離せしめることを
特徴とする。
着された無機被覆層の該表面に凹凸パターンを刻設した
後、該表面上で重合性組成物を重合せしめ、該表面から
重合体層を剥離することによって重合体レプリカ(ブレ
マスク)を形成し、次に、該レプリカ表面に導電性を4
=j与し、該レプリカ表面にメッキを施した後に該メッ
キ金属層を重合体レプリカ表面から剥離せしめることを
特徴とする。
以ド、本発明のスタンパ用のディスクの製造方法を図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第1図は本発明のスタンパ用のディスクの製造方々去の
一態様を説明する原盤、重合体レプリカおよびマスクの
概念的断面図である。
一態様を説明する原盤、重合体レプリカおよびマスクの
概念的断面図である。
第1図(a)〜(C)は基板1表面に被着された無機被
覆層2の表面に凹凸パターンを刻設する]]稈を示す・ この工程に1いては、先ず、基板lの」二にフォトレジ
スト層3を塗布する。次に、第1図(a)に示すように
、フォトレジスト層3の表面にレーザ光4で所望の倍長
を記録露光した後、フォトレジスI・層3ぞ現像し、第
1図(b)に示すような凹凸パターン5を形成せしめる
。次に、フォトレジスト層3′をマスクとして無機被覆
層のエツチングを行なった後、フォトレジスト層3′を
除去すると、第1図(c)に示すような無機被覆層に凹
凸パターンが刻設された第一原盤6が得られる。
覆層2の表面に凹凸パターンを刻設する]]稈を示す・ この工程に1いては、先ず、基板lの」二にフォトレジ
スト層3を塗布する。次に、第1図(a)に示すように
、フォトレジスト層3の表面にレーザ光4で所望の倍長
を記録露光した後、フォトレジスI・層3ぞ現像し、第
1図(b)に示すような凹凸パターン5を形成せしめる
。次に、フォトレジスト層3′をマスクとして無機被覆
層のエツチングを行なった後、フォトレジスト層3′を
除去すると、第1図(c)に示すような無機被覆層に凹
凸パターンが刻設された第一原盤6が得られる。
基板lとしては、例えば、ガラス、5i02.シリコン
ウェハー、金属、セラミックス板等が好ましく、所望に
よって設けられる無機被覆層としては、Or、5i02
の薄膜が好ましい。特に、基板5i02と無機被、覆層
Crとの組合せは基板lと無機被覆層2との密着性が優
れるので好ましい。
ウェハー、金属、セラミックス板等が好ましく、所望に
よって設けられる無機被覆層としては、Or、5i02
の薄膜が好ましい。特に、基板5i02と無機被、覆層
Crとの組合せは基板lと無機被覆層2との密着性が優
れるので好ましい。
レーザ光の波長λは、通常、8nの整数倍(nは屈折率
を表す。)とする。
を表す。)とする。
フォトレジストの塗布、露光、現像は当業者にる。
第1図(d)または(d′)〜(e)または(e“)は
第一原盤6から重合体し“プリ力を作成する■:程の・
例を示す。
第一原盤6から重合体し“プリ力を作成する■:程の・
例を示す。
この工程では、先ず、第一原盤の信号記録面(凹凸パタ
ーンを有する表面)に、必要に応じて離型処理を施し、
次に、重合性組成物流動体8または8°を塗布または注
入し、該信号表面上でこれを重合、成形せしめた後、重
合体を剥離せしめて歌合体レプリカ13または13’
を得る。
ーンを有する表面)に、必要に応じて離型処理を施し、
次に、重合性組成物流動体8または8°を塗布または注
入し、該信号表面上でこれを重合、成形せしめた後、重
合体を剥離せしめて歌合体レプリカ13または13’
を得る。
重合性組成物流動体8または8°の重合方法としては、
反応速度が大きく、しかも比較的作業の容易な熱重合法
または紫外線重合法が好ましい。
反応速度が大きく、しかも比較的作業の容易な熱重合法
または紫外線重合法が好ましい。
第1図(d)は重合性組成物流動体8を熱重合法でセル
キャストする態様を示す。
キャストする態様を示す。
熱重合法によるセルキャストでは、先ず、原盤6の信号
記録面側に、ゴム状のガスッヶト9を配設し、該原@6
の信号記録面に対向させ平面性に優れたガラス板10で
密閉することによってセル11を形成する。次に、該セ
ル11中に、゛重合性組成物流動体8を注入し、これを
例えば、温浴中で完全重合させた後、冷却し、得られた
重合体層8を原a6から剥離させると、第1図(e)に
示すような重合体レプリカ13が得られる。
記録面側に、ゴム状のガスッヶト9を配設し、該原@6
の信号記録面に対向させ平面性に優れたガラス板10で
密閉することによってセル11を形成する。次に、該セ
ル11中に、゛重合性組成物流動体8を注入し、これを
例えば、温浴中で完全重合させた後、冷却し、得られた
重合体層8を原a6から剥離させると、第1図(e)に
示すような重合体レプリカ13が得られる。
用いる熱重合性組成物としては例えば、アクリル酸エス
テル、メタクリル酸エステル、アクリル酸アミド、アク
リロニトリル等のアクリル系樹脂オリゴマーもしくは半
重合体、エポキシアクリレ−1・樹脂、シアクリ、ルグ
リコールビスカーポネート樹脂等を挙げることが出来る
。これら熱重合性組成物は必要に応じ、重合開始剤、稀
釈剤、可・ソ剤等を含むものであってもよい。
テル、メタクリル酸エステル、アクリル酸アミド、アク
リロニトリル等のアクリル系樹脂オリゴマーもしくは半
重合体、エポキシアクリレ−1・樹脂、シアクリ、ルグ
リコールビスカーポネート樹脂等を挙げることが出来る
。これら熱重合性組成物は必要に応じ、重合開始剤、稀
釈剤、可・ソ剤等を含むものであってもよい。
第1図(d゛)は重合性組成物流動体8“を紫外線重合
法を硬化させる本発明の別の態様を示す。
法を硬化させる本発明の別の態様を示す。
この方法では、先ず、原盤6の信号記録面に紫外線硬化
性樹脂8°を塗布し、この塗布面に透明なアクリル樹脂
、ガラス等の板状支持体12を押し付け、次に、ケミカ
ルランプ、水銀ランプ等によって紫外線を照射し、樹脂
を硬化せしめ、しかる後、得られた重合体層を原盤6か
ら剥離することによって、重合体レプリカ13“を得る
。
性樹脂8°を塗布し、この塗布面に透明なアクリル樹脂
、ガラス等の板状支持体12を押し付け、次に、ケミカ
ルランプ、水銀ランプ等によって紫外線を照射し、樹脂
を硬化せしめ、しかる後、得られた重合体層を原盤6か
ら剥離することによって、重合体レプリカ13“を得る
。
用いる紫外線硬化性樹脂としては、例えば、エポキシア
クリレート樹脂、低分子モノ、ジ、トリまたはテトラア
クリル酸エステルを含むもの等を挙げることが出来る。
クリレート樹脂、低分子モノ、ジ、トリまたはテトラア
クリル酸エステルを含むもの等を挙げることが出来る。
これら光重合性組成物は必要に応じ、光増感剤、稀釈剤
、Or塑剤等を含むものであってもよい。
、Or塑剤等を含むものであってもよい。
このようにして得られた重合体レプリカ13または13
’ を原盤(プレマスク)として、次に、メッキ法によ
ってその表面の凹凸パターンを転−りすることにより金
属製のマスク16を得る。
’ を原盤(プレマスク)として、次に、メッキ法によ
ってその表面の凹凸パターンを転−りすることにより金
属製のマスク16を得る。
第1図(f)または(f゛)〜(g)は本発明にかかる
重合体レプリカ13または13°からマスタ16を得る
工程を示す。
重合体レプリカ13または13°からマスタ16を得る
工程を示す。
この工程では、先ず、重合体レプリカ13または13°
の信号記録面に、蒸着、スパッタリング等の方法でAu
等の導電性膜14を被着させる。次に、該導電性膜14
の上にメッキ法によって金属メッキ層15を形成させる
。ルかる後、メッキ層15を重合体レプリカ13または
13°から剥離せしめると、金属セlのマスタ16デイ
スが得られる。
の信号記録面に、蒸着、スパッタリング等の方法でAu
等の導電性膜14を被着させる。次に、該導電性膜14
の上にメッキ法によって金属メッキ層15を形成させる
。ルかる後、メッキ層15を重合体レプリカ13または
13°から剥離せしめると、金属セlのマスタ16デイ
スが得られる。
用いるメンキ金属としては、例えば、Ni、Cr。
Au、Ag’lを挙げることが出来る。これらのメンキ
力法には、例えば、電着法、無電解メッキ法、蒸着法ま
たはこれらの組合せ等5周知の方法を利用することが出
来る。
力法には、例えば、電着法、無電解メッキ法、蒸着法ま
たはこれらの組合せ等5周知の方法を利用することが出
来る。
本発明のマスクの製造方法においては、第一原盤として
、基板もしくは基板と電着法の良好な無機被覆層で覆わ
れた基板を使用するので、その」二に改合成組成物を塗
布しても、信5)記録面が膨tel 、変質、破損する
ようなことがない。
、基板もしくは基板と電着法の良好な無機被覆層で覆わ
れた基板を使用するので、その」二に改合成組成物を塗
布しても、信5)記録面が膨tel 、変質、破損する
ようなことがない。
また、本発明の方法は、第一・原盤から直接メンキによ
ってマスクを形成する従来法と異なり、先ず、第一原盤
の重合体レプリカを作成した後、このレプリカからマス
クを転写するので、硬質のメッキ金属による第一原盤の
損傷を防ぐことが出来る。従って、第一原盤から多数の
重合体レプリカを得ることが出来、しかも、また、重合
体レプリカ自身も強固であるため、各重合体レプリカか
ら多数枚のマスクを作成すること出来る。その結果、本
発明の方法によれば、第−原・、aから多数枚のマスク
を製造することが出来る。更に、重合体レプリカは第一
原盤の信号記録面1−で重合して得られるので、光学的
歪みを少なくすることが出来、11つ、転写性が極めて
良好である。
ってマスクを形成する従来法と異なり、先ず、第一原盤
の重合体レプリカを作成した後、このレプリカからマス
クを転写するので、硬質のメッキ金属による第一原盤の
損傷を防ぐことが出来る。従って、第一原盤から多数の
重合体レプリカを得ることが出来、しかも、また、重合
体レプリカ自身も強固であるため、各重合体レプリカか
ら多数枚のマスクを作成すること出来る。その結果、本
発明の方法によれば、第−原・、aから多数枚のマスク
を製造することが出来る。更に、重合体レプリカは第一
原盤の信号記録面1−で重合して得られるので、光学的
歪みを少なくすることが出来、11つ、転写性が極めて
良好である。
[発明の効果]
以北の説明から明らかな通り、本発明のマスク製造方法
は一枚の原盤から多数枚のマスクを原盤表面の微細な凹
凸パターンに損傷を与えることなく形成することが出来
るという効果を奏し、その工業的価値は極めて大である
。
は一枚の原盤から多数枚のマスクを原盤表面の微細な凹
凸パターンに損傷を与えることなく形成することが出来
るという効果を奏し、その工業的価値は極めて大である
。
[発明の実施例]
以下、本発明の製造方法を実施例に沿って詳説する。
実施例
面にそりが無く、平担な、厚さ8mm、外径200mm
φのガラス基板上にスパッタリング法によって、厚さ
200〜500にのCr、Ti等の薄膜を設けた後、ス
パッタ法により約800にの5i0211Qを被着した
。次に、得られたSiO2膜上に厚さ約、3500Aの
ポジ型レジスト層を設け、プリベータ後、 180Or
pmで回転させながら、約1gmφ程度に集束させたA
「レーザでレジスト層を感光した。現像後100°Cで
2時間アフターベークし、レジスト層に凹凸パターンを
形成した。次にCF、tプラズマを工・ンチャントとし
、1.5〜1.8分エンチングし、SiO2膜に深さ約
80OAの凹凸パターンを形成した。
φのガラス基板上にスパッタリング法によって、厚さ
200〜500にのCr、Ti等の薄膜を設けた後、ス
パッタ法により約800にの5i0211Qを被着した
。次に、得られたSiO2膜上に厚さ約、3500Aの
ポジ型レジスト層を設け、プリベータ後、 180Or
pmで回転させながら、約1gmφ程度に集束させたA
「レーザでレジスト層を感光した。現像後100°Cで
2時間アフターベークし、レジスト層に凹凸パターンを
形成した。次にCF、tプラズマを工・ンチャントとし
、1.5〜1.8分エンチングし、SiO2膜に深さ約
80OAの凹凸パターンを形成した。
次に、ガラスノ1(板−ヒの5i0215Nに設けられ
た凹凸パターン面の外周に、ゴム状のOリングを載置し
、そのにを11面性の優れた高強度ガラス板で閉蓋する
ことによてキャスチング用セルを構成した。このセル中
にアクリル系シロップの半重合物を注入し、セルを温浴
中120°C12,5時間、加熱して半重合物を完全重
合させた後、原盤から重合成形体を取外し、厚さ約10
mmの重合体レプリカ(プレマスク)を得た。
た凹凸パターン面の外周に、ゴム状のOリングを載置し
、そのにを11面性の優れた高強度ガラス板で閉蓋する
ことによてキャスチング用セルを構成した。このセル中
にアクリル系シロップの半重合物を注入し、セルを温浴
中120°C12,5時間、加熱して半重合物を完全重
合させた後、原盤から重合成形体を取外し、厚さ約10
mmの重合体レプリカ(プレマスク)を得た。
次に、この重合体レプリカの凹凸パターン面に蒸着法に
よって厚さ約0.2pLmのAu膜を設けた後、該Au
蒸着膜を陰極として、スルファミン酸ニンケルメ・ンキ
浴中、電圧10V 、陰極電流密度uoA/cmで1.
2時間、電気メンキを行い、厚さ約240 ルmの1層
を設け、このNi層を重合体レプリカ層から剥離し、N
1製のマスクを形成した。
よって厚さ約0.2pLmのAu膜を設けた後、該Au
蒸着膜を陰極として、スルファミン酸ニンケルメ・ンキ
浴中、電圧10V 、陰極電流密度uoA/cmで1.
2時間、電気メンキを行い、厚さ約240 ルmの1層
を設け、このNi層を重合体レプリカ層から剥離し、N
1製のマスクを形成した。
更に、このマスクについて、脱脂、剥離処理、電気メッ
キ、剥離工程を繰返しマザー、スタンパを作成した。
キ、剥離工程を繰返しマザー、スタンパを作成した。
次に、原盤および本発明の方法によ2て得られた重合体
レプリカ、マスク、マザー、スタンパの渦状プロファイ
ルの寸法を一次回折光強度の値から概算して求め、その
結果を第1表にまとめた。
レプリカ、マスク、マザー、スタンパの渦状プロファイ
ルの寸法を一次回折光強度の値から概算して求め、その
結果を第1表にまとめた。
尚、比較のため基板上に湿式のフォトレジストを設けて
露光、現像後、凹凸パターンが形成されたフォトレジス
ト付きガラス原盤から直接メンキ法でマスクを作成する
従来法の結果を第1表に付記した。
露光、現像後、凹凸パターンが形成されたフォトレジス
ト付きガラス原盤から直接メンキ法でマスクを作成する
従来法の結果を第1表に付記した。
また、一枚の原盤−))ら形成された多数の重合体レプ
リカ(プレマスク)、一枚のプレマスクか°ら形成され
た多数のマスク、該マスクから得られる多数のマザーお
よび該マザーから得られる多数のスタンパの作成枚数と
それぞれの溝状プロファイルの深さとの関係を第2図に
示した。図中、■。
リカ(プレマスク)、一枚のプレマスクか°ら形成され
た多数のマスク、該マスクから得られる多数のマザーお
よび該マザーから得られる多数のスタンパの作成枚数と
それぞれの溝状プロファイルの深さとの関係を第2図に
示した。図中、■。
(2)、目) +(a)はそれぞれ、本発明の方法によ
って得られた重合体レプリカ(プレマスク)、マスク1
6、マザー、スタンパの、■、■、■はそれぞれ、従来
法によって得られたマスク、マザー、スタンパの溝状プ
ロファイルの寸法を表わす。
って得られた重合体レプリカ(プレマスク)、マスク1
6、マザー、スタンパの、■、■、■はそれぞれ、従来
法によって得られたマスク、マザー、スタンパの溝状プ
ロファイルの寸法を表わす。
更に、巨視的な盤面の平担性(そり)の変化を第3図に
示した。図中、■、■、■、@はそれぞれ、本発明の方
法によって得られた重合体レプリカ(プレマスク)、マ
スク、マザー、スタンパの、(ja) 、σ)、■はそ
れぞれ、従来法によって得られたマスク、マザー、スタ
ンパの巨視的な盤面の平担性(そり)を表わす。
示した。図中、■、■、■、@はそれぞれ、本発明の方
法によって得られた重合体レプリカ(プレマスク)、マ
スク、マザー、スタンパの、(ja) 、σ)、■はそ
れぞれ、従来法によって得られたマスク、マザー、スタ
ンパの巨視的な盤面の平担性(そり)を表わす。
11表に示されるように各レプリカ工程で得られる最初
の一枚目のレプリカは、熱薫谷における=J法収縮によ
って溝の深さが多少浅くなるものの、総じて、転写性は
極めて良好であった。熱重合時の寸法収縮については、
収縮分を加味して原盤の凹凸パターンの深さを、あらか
じめやや深めに、幅を広めにすれば何ら問題がない。
の一枚目のレプリカは、熱薫谷における=J法収縮によ
って溝の深さが多少浅くなるものの、総じて、転写性は
極めて良好であった。熱重合時の寸法収縮については、
収縮分を加味して原盤の凹凸パターンの深さを、あらか
じめやや深めに、幅を広めにすれば何ら問題がない。
各レプリカ作成工程における作成レプリカの枚数とレプ
リカ上の溝の深さの関係は、第2図に示す通り、熱重合
法によって重合体レプリカ(プレマスク)を作成するか
否かで大幅に異なる。原盤を破損せずに、良好なマスク
を多数得るには重合体レプリカの作成が不可欠である(
第2図)。
リカ上の溝の深さの関係は、第2図に示す通り、熱重合
法によって重合体レプリカ(プレマスク)を作成するか
否かで大幅に異なる。原盤を破損せずに、良好なマスク
を多数得るには重合体レプリカの作成が不可欠である(
第2図)。
又、第3図に示す通り、本発明に係る重合体レプリカは
剥離の際の曲げから生じる巨視的な平担性の劣化が少な
く、従って、平担性に優れた多数の多酸のマスクを得る
ことが出来た。
剥離の際の曲げから生じる巨視的な平担性の劣化が少な
く、従って、平担性に優れた多数の多酸のマスクを得る
ことが出来た。
1蒸j」
1L担な、厚さ8 mm、外形340a+mφのガラ、
ス盤上にスパッタリング法によって、厚さ約800XΦ
Te−C層を設けた後、ガラス盤をisoorpmで回
転させながら、強度的8mW、集束後の光東径約1Am
φのHe−Neレーザを用いてTe−C層上にヒートモ
ード記録を行い、深さ約800K、幅約0.8用mの溝
を得た。次いでこれを原盤としてジアクリルグリコール
ビスカーボネート :ピッツバーグ・プレートガラスφカンパニー社登録商
標)を熱重合して重合体レプリカを作成した結果、実施
例1とほぼ同様の効果を得た。
ス盤上にスパッタリング法によって、厚さ約800XΦ
Te−C層を設けた後、ガラス盤をisoorpmで回
転させながら、強度的8mW、集束後の光東径約1Am
φのHe−Neレーザを用いてTe−C層上にヒートモ
ード記録を行い、深さ約800K、幅約0.8用mの溝
を得た。次いでこれを原盤としてジアクリルグリコール
ビスカーボネート :ピッツバーグ・プレートガラスφカンパニー社登録商
標)を熱重合して重合体レプリカを作成した結果、実施
例1とほぼ同様の効果を得た。
笈蒸遺」
面にそりが無く、平担な、厚さ81、外径200mmφ
、のガラス基板上にスパッタリング法によって、厚さ2
’00 〜500 1!cのCr,の薄膜を設けた後、
C.V.D.法ニヨり約800 A(7)SiO2膜を
被着した。
、のガラス基板上にスパッタリング法によって、厚さ2
’00 〜500 1!cのCr,の薄膜を設けた後、
C.V.D.法ニヨり約800 A(7)SiO2膜を
被着した。
次に、得られたSiO 2膜上に厚・さ約3506 A
のポジ型レジスト層を設け、プリベータ後、1800r
pmで回転さ゛せながら、約IJLI11φ程度に集束
させたArレーザで゛レジスト層を感光した。現像後1
00℃で2時間アフターベークし、レジスト層に凹凸パ
ターンを形成した。次にCF4プラズマをエッチャント
とし、1.5〜1.8分エッチン′グし、SiO 2膜
に深さ約800 Aの凹凸パターンを形成した。
のポジ型レジスト層を設け、プリベータ後、1800r
pmで回転さ゛せながら、約IJLI11φ程度に集束
させたArレーザで゛レジスト層を感光した。現像後1
00℃で2時間アフターベークし、レジスト層に凹凸パ
ターンを形成した。次にCF4プラズマをエッチャント
とし、1.5〜1.8分エッチン′グし、SiO 2膜
に深さ約800 Aの凹凸パターンを形成した。
次に、ガラス基板上のSiO 2膜に設けられた凹凸パ
ターン面上に紫外線硬化性樹脂TD8(大日本インキ(
株)社製:登録商標)を塗布し、1、2mmの樹脂層を
透明アクリル板を塗布部の中央部から曲率を持たせて押
し付け、徐々に曲率を大きくして紫外線硬化性樹脂を押
し広げ、最終的にアクリル板を平担にして均一な厚さ樹
脂層にした。この樹脂層をアクリル板を通して、出力0
.5XWの水銀ランプで0.5分間、照射して硬化せし
めた後、原盤から重合成形体を取外し、厚さ約1,25
mmの重合体レプリカを得た。
ターン面上に紫外線硬化性樹脂TD8(大日本インキ(
株)社製:登録商標)を塗布し、1、2mmの樹脂層を
透明アクリル板を塗布部の中央部から曲率を持たせて押
し付け、徐々に曲率を大きくして紫外線硬化性樹脂を押
し広げ、最終的にアクリル板を平担にして均一な厚さ樹
脂層にした。この樹脂層をアクリル板を通して、出力0
.5XWの水銀ランプで0.5分間、照射して硬化せし
めた後、原盤から重合成形体を取外し、厚さ約1,25
mmの重合体レプリカを得た。
次に、この重合体レプリカの凹凸パターン面に蒸着法に
よって厚さ約0.5ILmのAu膜を設けた後、該Au
蒸着膜を陰極として、スルファミン酸ニッケルメ・ンキ
浴中、電圧10V 、陰極電流密度110A/U:dで
1.2時間、電気メッキを行い、厚さ約240 gmの
Ni層を設け、このNi層を重合体レプリカ層から剥離
し、Ni製のマスクを形成を畳重1里」 平担な厚さ8mm、外形34Qmmφのガラス盤上にス
パンタリング法によって、厚さ約800AのTe −0
層を設けた後、ガラス盤を180Orpmで回転させな
がら、強度的811111i、集束後の光束径約1gm
φcy) He −Neレーf ヲ用いてTe−C層上
にヒートモード記録を行い、深さ約800A、幅約Q、
8 ILmの溝を得た。次いでこれを原盤として、原盤
上の中央にエポキシアクリレート系の紫外線硬化樹脂を
塗布し、透明な5mm厚の注型アクリル基板を押し付け
、紫外線硬化樹脂を押し広げた後、紫外線を照射して紫
外線硬化性樹脂を硬化させた後、原盤から樹脂を剥離し
て重合体レプリカを作成した結果、実施例3とほぼ同様
の効果を得た。
よって厚さ約0.5ILmのAu膜を設けた後、該Au
蒸着膜を陰極として、スルファミン酸ニッケルメ・ンキ
浴中、電圧10V 、陰極電流密度110A/U:dで
1.2時間、電気メッキを行い、厚さ約240 gmの
Ni層を設け、このNi層を重合体レプリカ層から剥離
し、Ni製のマスクを形成を畳重1里」 平担な厚さ8mm、外形34Qmmφのガラス盤上にス
パンタリング法によって、厚さ約800AのTe −0
層を設けた後、ガラス盤を180Orpmで回転させな
がら、強度的811111i、集束後の光束径約1gm
φcy) He −Neレーf ヲ用いてTe−C層上
にヒートモード記録を行い、深さ約800A、幅約Q、
8 ILmの溝を得た。次いでこれを原盤として、原盤
上の中央にエポキシアクリレート系の紫外線硬化樹脂を
塗布し、透明な5mm厚の注型アクリル基板を押し付け
、紫外線硬化樹脂を押し広げた後、紫外線を照射して紫
外線硬化性樹脂を硬化させた後、原盤から樹脂を剥離し
て重合体レプリカを作成した結果、実施例3とほぼ同様
の効果を得た。
第1図は本発明のスタンパ用のディスクの製造方法の一
態様を説明する原盤、重合体レプリカおよびマスクの概
念的断面図である。第2図は本発明および従来法による
レプリカの作成枚数と該レプリカの溝状プロファイルの
寸法変化との関係を示す本発明の説明図である。 第3図は本発明および従来法によるレプリカの作成枚数
と該レプリカ作成に使用した原盤の平担性d変化との関
係を示す本発明の説明図である。 l・・・基板、 2・・・無機被覆層、3・
・・フォトレジスト層、 4・・・レーザ光、 5・・・凹凸パターン、6
・・・第一原盤、 7・・・離型被膜、8・・・重
合性組成物流動体、 9・・・ガスケント、 10・・・カラス板、11
・・・セル、 12・・・板状支持体、13・
・・重合体レプリカ、14・・・導電性膜、15・・・
金属メッキ層、 1B・・・マスク。 。。、 ( (9) 一===フ下16 第 2 ・ シプソカク1γパノ文郭( 手続補正群 昭和58年 5月 9[] 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和58年 特許 願第 53636 リ゛2、発明
の名称 スタンバ用のディスクの製造方法 :3.補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 (307)東京芝浦電気株式会社(氏 名) 5、補正命令の日付 自発 (5,補正により増加する発明の数 なし8、補正の内
容 ■、明細書の特許請求の範囲の欄を別紙の通り補正する
。 II 、明細書の発明の詳細な説明の欄を以下の通り補
正する。 (1)明細書の発明の詳細な説明の欄の誤字を次の正誤
表に従って補正する。 正誤表 −1 (2)明細書第7頁18〜19行目に記載の[レーザ光
の波長入は、通常、8nの整数倍(nは屈折率を表す。 )とする。」を削除する。 (3)明細書第12頁5〜6行目に記載の「光学的歪み
を少なくすることが出来、且つ、」を削除する。 2、特許請求の範囲 1、 基板または基板上に被着された無機被覆層の表面
に凹凸パターンを刻設した後、該表面1で重合性組成物
を重合せしめ、該表面から重合体層を剥離することによ
って重・合体レプリカを形成し、次に、該レプリカ表面
に導電性を付与し、該レプリカ表面にメッキを施した後
に該メッキ金属層を重合体レプリカ表面から剥離せしめ
ることを特徴としたスタンパ用のディスクの製造方法。 2、 該重合性組成物が熱重合性組成物である特許請求
の範囲第1項記載のスターンパ用のディスクの製造方法
。 3、 該重合性組成物が紫外線硬化性樹脂である特許請
求の範囲第1項記載のスタンパ用のディスクの製造方法
。
態様を説明する原盤、重合体レプリカおよびマスクの概
念的断面図である。第2図は本発明および従来法による
レプリカの作成枚数と該レプリカの溝状プロファイルの
寸法変化との関係を示す本発明の説明図である。 第3図は本発明および従来法によるレプリカの作成枚数
と該レプリカ作成に使用した原盤の平担性d変化との関
係を示す本発明の説明図である。 l・・・基板、 2・・・無機被覆層、3・
・・フォトレジスト層、 4・・・レーザ光、 5・・・凹凸パターン、6
・・・第一原盤、 7・・・離型被膜、8・・・重
合性組成物流動体、 9・・・ガスケント、 10・・・カラス板、11
・・・セル、 12・・・板状支持体、13・
・・重合体レプリカ、14・・・導電性膜、15・・・
金属メッキ層、 1B・・・マスク。 。。、 ( (9) 一===フ下16 第 2 ・ シプソカク1γパノ文郭( 手続補正群 昭和58年 5月 9[] 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和58年 特許 願第 53636 リ゛2、発明
の名称 スタンバ用のディスクの製造方法 :3.補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 (307)東京芝浦電気株式会社(氏 名) 5、補正命令の日付 自発 (5,補正により増加する発明の数 なし8、補正の内
容 ■、明細書の特許請求の範囲の欄を別紙の通り補正する
。 II 、明細書の発明の詳細な説明の欄を以下の通り補
正する。 (1)明細書の発明の詳細な説明の欄の誤字を次の正誤
表に従って補正する。 正誤表 −1 (2)明細書第7頁18〜19行目に記載の[レーザ光
の波長入は、通常、8nの整数倍(nは屈折率を表す。 )とする。」を削除する。 (3)明細書第12頁5〜6行目に記載の「光学的歪み
を少なくすることが出来、且つ、」を削除する。 2、特許請求の範囲 1、 基板または基板上に被着された無機被覆層の表面
に凹凸パターンを刻設した後、該表面1で重合性組成物
を重合せしめ、該表面から重合体層を剥離することによ
って重・合体レプリカを形成し、次に、該レプリカ表面
に導電性を付与し、該レプリカ表面にメッキを施した後
に該メッキ金属層を重合体レプリカ表面から剥離せしめ
ることを特徴としたスタンパ用のディスクの製造方法。 2、 該重合性組成物が熱重合性組成物である特許請求
の範囲第1項記載のスターンパ用のディスクの製造方法
。 3、 該重合性組成物が紫外線硬化性樹脂である特許請
求の範囲第1項記載のスタンパ用のディスクの製造方法
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 基板または基板上に被着された無機被覆層の表面
に凹凸パタンを刻設した後、該表面上で重合性組成物を
重合せしめ、該表面から重合体層を剥離することによっ
て重合体レプリカを形成し、次に、該レプリカ表面に導
電性を付与し、該レプリカ表面にメンキを施した後に該
メッキ金属層を重合体レプリカ表面から剥離せしめるこ
とを特徴としたスタンパ用のディスクの製造方法。 2、 該重合性組成物が熱重合性組成物である特許請求
の範囲第1項記載のスタンパ用のディスクの製造方法。 3、 該重合性組成物が紫外線硬化性樹脂である特許請
求の範囲第1項記載のスタンパ用のディスクの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5363683A JPS59180801A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | スタンパ用のデイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5363683A JPS59180801A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | スタンパ用のデイスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59180801A true JPS59180801A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=12948387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5363683A Pending JPS59180801A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | スタンパ用のデイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59180801A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5048745A (en) * | 1989-04-26 | 1991-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Roll stamper for molding substrate used for optical recording medium, process for preparing same, and process for preparing optical recording medium making use of it |
US6653057B1 (en) * | 1999-11-26 | 2003-11-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Stamper for forming optical disk substrate and method of manufacturing the same |
US6874262B2 (en) | 1999-06-01 | 2005-04-05 | Nikon Corporation | Method for manufacturing master substrate used for manufacturing grooved molding substrate, method for manufacturing stamper for manufacturing grooved molding substrate, method for manufacturing grooved molding substrate, grooved molding substrate, memory medium, memory device, and computer |
JP2009190305A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Bridgestone Corp | 電鋳金型の製造方法 |
CN109071325A (zh) * | 2013-05-10 | 2018-12-21 | 康宁股份有限公司 | 包含透明激光焊接区域的密封装置 |
US11711938B2 (en) | 2013-05-10 | 2023-07-25 | Corning Incorporated | Sealed devices comprising transparent laser weld regions |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5363683A patent/JPS59180801A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5048745A (en) * | 1989-04-26 | 1991-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Roll stamper for molding substrate used for optical recording medium, process for preparing same, and process for preparing optical recording medium making use of it |
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US11711938B2 (en) | 2013-05-10 | 2023-07-25 | Corning Incorporated | Sealed devices comprising transparent laser weld regions |
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