JP2991852B2 - 情報記録原盤の複製法 - Google Patents

情報記録原盤の複製法

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JP2991852B2
JP2991852B2 JP4028452A JP2845292A JP2991852B2 JP 2991852 B2 JP2991852 B2 JP 2991852B2 JP 4028452 A JP4028452 A JP 4028452A JP 2845292 A JP2845292 A JP 2845292A JP 2991852 B2 JP2991852 B2 JP 2991852B2
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JP4028452A
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敏広 塚本
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Toshiba Emi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコンパクトディスクやビ
デオディスク等の光学式ディスクなどを情報記録原盤か
ら複製するための工業的方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、コンパクトディスクやビデオディ
スク等の光学式ディスクなどを製造するための情報記録
原盤は、例えば以下のようにして作成されている。すな
わち、表面が平滑で清浄なガラス基板にポジ型ホトレジ
ストを均一な厚さとなるように塗し、これを乾燥した
のちにレーザ光線を用いてホトレジスト層に情報信号に
従った感光部分を形成し、次いでこれを溶剤で現像する
ことにより感光部分を溶解除去して情報信号ピットを形
成する。こうして信号を記録した原盤は、更に加熱して
ホトレジスト層を安定化させるようにして製造されてい
る。
【0003】そしてこのような情報記録原盤からコンパ
クトディスクやビデオディスク等の光学式ディスクなど
を複製するには、通常、情報記録原盤を界面活性剤を含
む表面調整剤で処理して親水化し、水洗したのち錫イオ
ンを含む増感剤による処理をし、更にパラジウムイオン
を含む活性化剤で処理して表面に触媒を析出させ、水洗
後例えばニッケルなどの無電解メッキを施して情報記録
原盤面を導体化する。その後これにニッケルなどの層を
電鋳によって形成し、これを剥離して成形用の原盤を得
る。こうして得た原盤或いはその複製盤を型として合成
樹脂製のコンパクトディスクやビデオディスク等の成形
を行う。そして更に、必要に応じて表面に反射膜等を形
成して製品を得るものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上のような方法に従
って情報記録原盤からの複製を行うに当たって、情報信
号ピットが形成されたホトレジスト層の面に対する無電
解メッキ層のつきまわり性が不十分となりやすく、次の
電鋳工程で均質な電着層が得にくいという問題があっ
た。そこで情報記録原盤表面のホトレジスト層に対して
均質な無電解メッキ層を析出させるための工程条件を検
討した結果、ホトレジスト層の表面を改質することが有
効であることを見出した。すなわち本発明は、かかる新
規な表面改質手段を利用した精度の高い情報記録原盤の
複製法を提供しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の情報記録原盤の
複製法は、ガラス基板の面にポジ型ホトレジストを塗
乾燥したのちレーザ光線により信号を記録し、次いで、
現像により前記ポジ型ホトレジスト層にピットを形成し
て情報記録原盤を得、次いで、該情報記録原盤の信号記
録面に前記ポジ型ホトレジストに感度を有する紫外線を
照射して前記ポジ型ホトレジスト表面を改質し、次い
で、増感処理して水洗したのち活性化処理を行い、次い
で、これに無電解メッキを施して導体化したのち電鋳に
より複製を行うことを特徴とする。
【0006】本発明の方法における情報記録原盤の信号
記録面に対する紫外線照射は、ポジ型ホトレジスト層を
低レベルで感光させることにより親水化するもので、そ
の感光レベルが高すぎるときは記録信号が破壊されるこ
とになり、また低すぎるときは効果が不充分となる。従
って紫外線照射条件、すなわち照射紫外線の波長、強
度、照射時間などは使用されたポジ型ホトレジストの性
質に応じて予備試験を行って決定することが好ましい。
【0007】
【作用】本発明の方法によれば、界面活性剤を含む表面
調整剤等を使用することなく情報記録原盤の信号記録面
を親水化することができるために、増感処理及び活性化
処理が均一に進み、均質で密着性のよい無電解メッキ層
が得られる。従って、電鋳により精度の高い複製盤を容
易に製造することができる。
【0008】
【実施例】径36cmの平滑なガラス基板の上にポジ型ホ
トレジスト(シプレ社製、マイクロポジットS−140
0)を厚さ0.14μmとなるように塗布し、100℃
で50分間加熱乾燥した。次いでこのホトレジスト層に
レーザ光により信号を記録し、現像液で洗浄して信号ピ
ットを形成したのちよく水洗し、120〜130℃で1
5分間加熱乾燥して情報記録原盤を作成した。
【0009】上記のようにして作成した情報記録原盤を
表1のような条件で紫外線照射し、この原盤上に水滴を
置いてその接触角を測定する方法と、20℃で水洗した
後の水切れ状態を目視で判断する方法とによって、水に
対する濡れ性を調べた。その結果を紫外線照射処理しな
い場合と対比して、表1に併せて示した。
【0010】また、これらの紫外線照射処理した情報記
録原盤を塩化第1錫を含む増感処理剤に20℃で2分間
浸漬したのち充分に水洗し、次に塩化パラジウムを含む
活性化処理剤に27℃で3分間浸漬したのち充分に水洗
し、更にニッケル−リン系の低温型無電解メッキ浴に5
0℃で1.5分間浸漬して平均厚さ0.06μmのニッ
ケル薄膜を析出させて、析出膜の状態を観察した。その
結果も表1に併せて示した。
【0011】更に、紫外線照射処理した後に前記のよう
な増感処理と活性化処理とを2回繰り返したのち、前記
と同様にして平均厚さ0.06μmのニッケル薄膜を析
出させ、これを次のような条件の電着浴を用いてニッケ
ル電着を行い、レプリカを作成した。 浴組成 電着条件 スルファミン酸ニッケル 450g/l 浴温: 50℃ 塩化ニッケル 5g/l 電流密度: 10A/dm2 硼酸 30g/l ピット防止剤
【0012】こうして作成したレプリカをスタンパとし
て用いてメタクリル樹脂ディスクを成形し、アルミニウ
ム反射膜を蒸着させてそれぞれ光ディスクを得、これら
の光ディスクについて信号の再生評価を行った結果を表
1に併せて示した。ここで○は標準品より向上したこ
と、△は標準品と同等のこと、×は標準品より劣ること
を意味する。
【0013】
【表1】 表 1 ─────────────────────────────────── 試験 紫外線強度 (mW/cm2) 照射時間 濡れ性 析出膜状態 信号評価 番号 254nm 350nm (秒) ─────────────────────────────────── 1 2.0 4.6 7 ○ ○ △ 2 2.0 4.6 15 ○ ○ × 3 0.26 0.73 40 ○ ○ ○ 4 0.31 0.02 60 △ △ △ 5 0.0 0.46 60 ○ ○ ○ ───────────────────────────────────
【0014】以上の結果を見れば、ホトレジスト層に対
する紫外線照射によって信号記録面の濡れ性とともに無
電解メッキによる金属膜の析出状態が改善されることが
わかる。そしてまた信号評価においても改善されること
がわかる。
【0015】
【発明の効果】本発明の情報記録原盤の複製法によれ
ば、信号記録面のホトレジスト層に対して均一で欠陥の
少ない無電解メッキ膜を析出させることができるので、
高品質の複製盤を低不良率で製造でき、また特別な薬品
等は不要であり、プラズマ処理装置などの真空装置も用
いず、大気中で簡単に処理できるので、作業が容易であ
って経済的でもある利点がある。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板の面にポジ型ホトレジストを
    乾燥したのちレーザ光線により信号を記録し、次いで、現像により前記ポジ型ホトレジスト層にピット
    を形成して情報記録原盤を得、 次いで、該情報記録原盤の信号記録面に前記ポジ型ホト
    レジストに感度を有する紫外線を照射して前記ポジ型ホ
    トレジスト表面を改質し、 次いで、増感処理して水洗したのち活性化処理を行い、 次いで、これに無電解メッキを施して導体化したのち電
    鋳により複製 を行うことを特徴とする情報記録原盤の複
    製法。
  2. 【請求項2】 無電解メッキがニッケルメッキである請
    求項1記載の情報記録原盤の複製法。
JP4028452A 1992-02-14 1992-02-14 情報記録原盤の複製法 Expired - Lifetime JP2991852B2 (ja)

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JPH05222567A JPH05222567A (ja) 1993-08-31
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