JPH05257277A - 光ディスク用フォトレジスト - Google Patents

光ディスク用フォトレジスト

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JPH05257277A
JPH05257277A JP5805192A JP5805192A JPH05257277A JP H05257277 A JPH05257277 A JP H05257277A JP 5805192 A JP5805192 A JP 5805192A JP 5805192 A JP5805192 A JP 5805192A JP H05257277 A JPH05257277 A JP H05257277A
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JP
Japan
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molecular weight
photoresist
ratio
average molecular
base resin
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Pending
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JP5805192A
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English (en)
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Tetsuya Iida
哲哉 飯田
Takanobu Higuchi
隆信 樋口
Hironao Sasaki
宏尚 佐々木
Kunizo Ogoshi
国三 尾越
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
    • GPHYSICS
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 レジスト膜中での露光,現像反応の均一性が
向上しており、したがってピットサイズを小さくしても
ピット形状にばらつきを生じることが少なく、再生時の
ノイズレベルが低くてCN比(搬送波対雑音比)が向上
した高密度の光ディスクを得ることのできる光ディスク
用フォトレジストを提供する。 【構成】 感光剤とベース・レジンとを含有し、前記ベ
ース・レジンの分子量分布(重量平均分子量Mw /数平
均分子量Mn )が5.8以下である光ディスク用フォト
レジストであり、さらに前記感光剤のエステル化率が8
0%以上である光ディスク用フォトレジストである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク用フォトレジ
ストに関し、特に、記録密度の高い光ディスクの製造に
好適に使用可能な光ディスク用フォトレジストに関す
る。
【0002】
【従来の技術】光ディスク原盤は、通常、次のような工
程で作製されている。図2(a)に示すように、先ず、
よく研磨されたガラス基板100上にポジ型フォトレジ
ストを均一の厚さに塗布し、図2(b)に示すように、
フォトレジスト層101を形成する。次いで、図2
(c)に示すように、このフォトレジスト層101のピ
ット対応部にレーザー光を照射する。フォトレジスト層
101におけるレーザー光が照射された部分は非照射部
に比較してアルカリ現像液に溶解しやすくなるため、フ
ォトレジスト層101にアルカリ現像液を塗布して現像
を行うと、図2(d)に示すように、レーザー光が照射
された部分にピットに相当する凹部が形成される。その
後、図2(e)に示すように、フォトレジスト層101
上に導電性を付与する金属膜102を形成する。ここ
で、金属膜102を形成する金属としては、たとえば銀
(Ag)、ニッケル(Ni)などが挙げられる。次い
で、図2(f)に示すように、電鋳を行って金属膜10
2上に、たとえばニッケル(Ni)電鋳体103を形成
し、このニッケル(Ni)電鋳体103を金属膜102
とともにフォトレジスト層101およびガラス基板10
0から剥離して得られるものを、図2(g)に示すよう
な金属原盤(スタンパ)104とする。
【0003】そして、このような光ディスク原盤の作製
工程においては、従来、半導体製造用のフォトレジスト
がそのまま転用されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本件発
明者が光ディスクの高密度化について種々の検討を重ね
た結果、従来より用いられてきた半導体製造用のフォト
レジストは、記録密度の高い、いわゆる高密度の光ディ
スクの製造には不適当であることが判明した。
【0005】すなわち、半導体製造用のフォトレジスト
を用いてピットサイズが小さい、いわゆる高密度の光デ
ィスク原盤を作製すると、この原盤から得られる光ディ
スクにおいては、ピットサイズが小さくなるのに伴なっ
て再生時のノイズレベルが上昇し、十分なCN比(搬送
波対雑音比)を得ることができないという問題が生じる
ことが明らかになった。
【0006】本発明は、かかる事情に基づいてなされた
ものであり、本発明の目的は、ピットサイズを小さくし
てもピット形状のばらつきが少なく、したがって再生時
のノイズレベルが低くてCN比(搬送波対雑音比)が向
上した高密度の光ディスクを得ることのできる光ディス
ク用フォトレジストを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明の構成は、感光剤とベース・レジンとを含有
し、光ディスク原盤の作製に使用されるポジ型フォトレ
ジストにおいて、前記ベース・レジンの分子量分布(重
量平均分子量Mw /数平均分子量Mn )が5.8以下で
あることを特徴とする光ディスク用フォトレジストであ
り、さらに前記感光剤のエステル化率が80%以上であ
る前記の光ディスク用フォトレジストである。
【0008】次に、この光ディスク用フォトレジストの
成分等について説明する。この光ディスク用フォトレジ
ストは、ベース・レジンと感光剤とを含有している。
【0009】ベース・レジンとしては、たとえばアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂が好適に用いられる。さらに具
体的には、クレゾールノボラック樹脂、フェノールノボ
ラック樹脂などが好適に用いられる。
【0010】このベース・レジンの分子量分布(重量平
均分子量Mw /数平均分子量Mn )は5.8以下、好ま
しくは5.0以下である。ベース・レジンの分子量分布
(重量平均分子量Mw /数平均分子量Mn )が5.8を
超えると、そのようなベース・レジンを含有するフォト
レジストを用いて形成されるフォトレジスト膜中では露
光,現像の反応が均一に進行しないため、特にピットサ
イズを小さくすると、ピット形状のばらつきが大きくな
り、その結果、再生時のノイズレベルが高くて十分なC
N比(搬送波対雑音比)を得ることができない。また、
このベース・レジンの重量平均分子量Mw は、通常、
5,000〜10,000程度である。このようなベー
ス・レジンとともに含有される感光剤としては、たとえ
ばo−キノンジアジド、ナフトキノンジアジド等とフェ
ノール性−OH基をもつポリマーもしくはモノマー(こ
れらをバラスト化合物という)とのエステル反応物が挙
げられる。そして、この感光剤は、そのエステル化率が
80%以上、特に90%以上であることが好ましい。感
光剤のエステル化率が80%以上であると、そのような
感光剤を分子量分布(重量平均分子量Mw /数平均分子
量Mn )が5.8以下であるベース・レジンとともに含
有するフォトレジストにより形成されたレジスト膜中で
は、露光,現像反応の均一性がさらに向上し、CN比
(搬送波対雑音比)の高い原盤を得ることができる。
【0011】前記ベース・レジンと感光剤との含有割合
は、ベース・レジンおよび感光剤の種類、組合わせ等に
より相違するので一様に決定することが困難であるが、
たとえばクレゾールノボラック樹脂とナフトキノン1−
2ジアジド−5−スルホン酸クロライドが非ベンゾフェ
ノン系バラスト化合物にエステル反応した反応物との組
合わせからなるフォトレジストにおいては、クレゾール
ノボラック樹脂100重量部当たり上記の反応物が30
〜40重量部、好ましくは40重量部以上、さらに好ま
しくは60重量部以上である。
【0012】この光ディスク用フォトレジストは、光の
照射によってアルカリ可溶となる光可溶化型(ポジタイ
プ)の感光性樹脂であり、レジスト層中で露光,現像反
応が均一に進行することから、ピットサイズが小さい高
密度の光ディスク原盤を作製すると、得られる光ディス
ク原盤においては、ピット形状のばらつきが少なく、こ
れにより再生時のノイズレベルが低下してCN比(搬送
波対雑音比)の向上が達成される。
【0013】次に実験例を示し、この光ディスク用フォ
トレジストについて、さらに具体的に説明する。実験例−1 ベース・レジンとして分子量分布(重量平均分子量Mw
/数平均分子量Mn )が5.4であるクレーゾールノボ
ラック樹脂と感光剤として非ベンゾフェノン系バラスト
化合物にナフトキノン1−2ジアジド−5−スルホン酸
クロライドをエステル反応させた反応物(エステル化率
80〜90%)とを、クレゾールノボラック樹脂100
重量部に対して30〜40重量部の割合で配合して試料
−1を調製した。
【0014】この試料−1を用いて1.2mm厚のガラ
ス原盤上にピットパターンを形成した後、このレジスト
上に直接にアルミニウム膜を蒸着し、得られた原盤のC
N比を測定した。結果を表1に示す。
【0015】なお、記録系および再生系の構成ならびに
信号の記録再生条件は次の通りである。 記録系の構成;波長λ=351nm,開口数NA=0.
9 再生系の構成;波長λ=442nm,開口数NA=0.
5 信号の記録;f=10MHz,線速度=12m/sec
(CLV) 信号の再生;線速度=12m/sec,RBW=30k
Hz
【0016】
【表1】 実験例−2 前記試料−1における感光剤をエステル化率が100%
であるエステル反応物に置き換えて試料−2を調製し
た。すなわち、試料−1と試料−2とは感光剤のエステ
ル化率が異なるほかは、同一の組成である。
【0017】この試料−2を用いて1.2mm厚のガラ
ス原盤上にピットパターンを形成した後、このレジスト
上に直接にアルミニウム膜を蒸着し、得られた原盤のC
N比を測定したところ、試料−1よりも0.7dB高い
値を示した。結果を表1に示す。比較実験例−1 前記試料−1におけるベース・レジンを分子量分布(重
量平均分子量Mw /数平均分子量Mn )が6.3である
ベース・レジンに置き換えて試料−3を調製した。すな
わち、試料−1と試料−3とはベース・レジンが異なる
ほかは、同一の組成である。
【0018】この試料−3を用いて1.2mm厚のガラ
ス原盤上にピットパターンを形成した後、このレジスト
上に直接にアルミニウム膜を蒸着し、得られた原盤のC
N比を測定したところ、試料−1よりも2.5dB低い
値を示した。結果を表1に示す。比較実験例−2 6種類の半導体製造用フォトレジスト市販品A,B,
C,D,E,Fについて、それぞれの分子量分布(重量
平均分子量Mw /数平均分子量Mn )を測定するととも
に、各フォトレジストを用いて1.2mm厚のガラス原
盤上にピットパターンを形成した後、このレジスト上に
直接にアルミニウム膜を蒸着して6種類の原盤を作製し
た。各原盤のCN比を測定したところ、表1に示す結果
が得られた。結果の検討 表1から明らかなように試料−3および各種の半導体製
造用フォトレジスト市販品を用いて作製された光ディス
ク原盤のCN比に比較して、試料−1および試料−2を
用いて作製された光ディスク原盤のCN比はいずれも大
巾に向上していることから、本発明の光ディスク用フォ
トレジストはピットサイズが小さくて記録密度が高い、
いわゆる高密度の光ディスクの製造に好適に使用可能で
あることが確認された。また、試料−1、試料−2、試
料−3および各種の半導体製造用フォトレジスト市販品
について、分子量分布(重量平均分子量Mw /数平均分
子量Mn )とCN比との関係を、縦軸をCN比とし、横
軸を分子量分布値とする座標系にプロットしたところ、
図1に示す結果が得られた。この図1からベース・レジ
ンの分子量分布が大きくなるほど、CN比が低下する傾
向があることが確認された。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、以上の構成としたの
で、レジスト膜中で露光,現像反応が均一に進行するよ
うになり、ピットサイズを小さくしてもピット形状のば
らつきが少なく、したがって再生時のノイズレベルが低
くてCN比(搬送波対雑音比)が向上した高密度の光デ
ィスクの製造に好適に使用することのできる光ディスク
用フォトレジストを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実験例および比較実験例で用いた各フ
ォトレジスト中のベース・レジンの分子量分布値と各フ
ォトレジストを用いて得られた原盤のCN比との関係を
示す相関図である。
【図2】光ディスク原盤の製造工程を模式的に示す説明
図である。
【符号の説明】
100…ガラス基板 101…フォトレジスト層 102…金属膜 103…ニッケル電鋳体 104…金属原盤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾越 国三 埼玉県鶴ケ島市富士見6丁目1番1号 パ イオニア株式会社総合研究所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光剤とベース・レジンとを含有し、光
    ディスク原盤の作製に使用されるポジ型フォトレジスト
    において、前記ベース・レジンの分子量分布(重量平均
    分子量Mw /数平均分子量Mn )が5.8以下であるこ
    とを特徴とする光ディスク用フォトレジスト。
  2. 【請求項2】 さらに前記感光剤のエステル化率が80
    %以上である請求項1記載の光ディスク用フォトレジス
    ト。
JP5805192A 1992-03-16 1992-03-16 光ディスク用フォトレジスト Pending JPH05257277A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5805192A JPH05257277A (ja) 1992-03-16 1992-03-16 光ディスク用フォトレジスト
EP92310697A EP0561079A1 (en) 1992-03-16 1992-11-23 Photoresist for optical disc and method of preparing optical disc utilizing photoresist

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JP5805192A JPH05257277A (ja) 1992-03-16 1992-03-16 光ディスク用フォトレジスト

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JPH05257277A true JPH05257277A (ja) 1993-10-08

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ID=13073125

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960704312A (ko) * 1994-06-08 1996-08-31 프레데릭 얀 스미트 기록마스터 및 이로부터 야기되는 광학적으로 판독가능한 데이타 캐리어(Recording master, and optically-readable data carrier derived thereform)
DE19612329A1 (de) * 1996-03-28 1997-10-02 Leybold Ag Verfahren zur Herstellung einer zum Einsetzen in eine Spritzgießform bestimmten Masterabformung
JP2002184043A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録担体用ポジ型フォトレジスト、情報記録担体の製造方法および情報記録担体
FR2929749A1 (fr) * 2008-04-08 2009-10-09 Pascal Andre Procede et systeme pour l'enregistrement de donnees sous forme d'une nanostructure

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61205933A (ja) * 1985-03-08 1986-09-12 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性平版印刷版
JPS63210923A (ja) * 1987-02-27 1988-09-01 Nippon Steel Chem Co Ltd パタ−ン形成用樹脂組成物
JPH02201447A (ja) * 1989-01-31 1990-08-09 Seiko Epson Corp フォトレジストの現像液、該現像液を用いた現像方法、該現像液を用いて作成したスタンパ、基板および光ディスク
JPH02245322A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Hitachi Chem Co Ltd 光ディスク用スタンパの製造法及びそのスタンパを使用した光ディスク基板の製造法
JPH03294861A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
DE4140712A1 (de) * 1991-03-28 1992-10-01 Pioneer Electronic Corp Optische platte und verfahren zu deren herstellung

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